JPS5973710A - 透明円板の表面欠陥検査装置 - Google Patents
透明円板の表面欠陥検査装置Info
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- JPS5973710A JPS5973710A JP18377582A JP18377582A JPS5973710A JP S5973710 A JPS5973710 A JP S5973710A JP 18377582 A JP18377582 A JP 18377582A JP 18377582 A JP18377582 A JP 18377582A JP S5973710 A JPS5973710 A JP S5973710A
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- G11B7/002—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
- G11B7/0037—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with discs
- G11B7/00375—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with discs arrangements for detection of physical defects, e.g. of recording layer
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学方式記録媒体（光ディスク）の透明円板の
表面欠陥検査装置に関する。
表面欠陥検査装置に関する。
従来から、半導体素子製造に用いるシリコンウェハ等鏡
面状の薄板試料の表面の欠陥（きす、突起、ごみ、異物
等）なレーザビームで照射した際に生ずる散乱光を利用
した光学的表面欠陥検査装置が実用化され、高感度たと
えば欠陥検ｔＢ＠界粒径０．３μｍで欠陥を検出してい
た。第１図はこの従来装置の原理図である。試料３の上
方から照射した平行レーザビーム１を集束レンズ２によ
り試料表面上で微小スポットに絞り込み、試料面に照射
する。試料面が平らな鏡面をなしていれば、ビームは試
料面で正反射し、そのまま入射方向へ戻るが、試料面上
に欠陥４が存在した場合は、そこでビームが回折散乱し
、試料３の斜め上方に設置した受光レンズ６を通して、
散乱光が光電変換器７に到る。光電変換器７の出力は処
理部８により増幅後処理され出力機器９へ欠陥データを
表示出力する。検査部位の走査は、レーザビーム自体を
ふらせたり、試料台５を回転させたり種々の方法がある
。
面状の薄板試料の表面の欠陥（きす、突起、ごみ、異物
等）なレーザビームで照射した際に生ずる散乱光を利用
した光学的表面欠陥検査装置が実用化され、高感度たと
えば欠陥検ｔＢ＠界粒径０．３μｍで欠陥を検出してい
た。第１図はこの従来装置の原理図である。試料３の上
方から照射した平行レーザビーム１を集束レンズ２によ
り試料表面上で微小スポットに絞り込み、試料面に照射
する。試料面が平らな鏡面をなしていれば、ビームは試
料面で正反射し、そのまま入射方向へ戻るが、試料面上
に欠陥４が存在した場合は、そこでビームが回折散乱し
、試料３の斜め上方に設置した受光レンズ６を通して、
散乱光が光電変換器７に到る。光電変換器７の出力は処
理部８により増幅後処理され出力機器９へ欠陥データを
表示出力する。検査部位の走査は、レーザビーム自体を
ふらせたり、試料台５を回転させたり種々の方法がある
。
しかし上記従来方式では試料が不透明なことな前提とし
ており、光ディスクの如き透明な試料に対しては表裏と
も欠陥な検出してしまい、その区別ができなかった。ま
た試料が透明な場合、試料通過後のレーザビームが反射
散乱等で受光器に述光としてとびこみ検査の障害となる
ことも多い。
ており、光ディスクの如き透明な試料に対しては表裏と
も欠陥な検出してしまい、その区別ができなかった。ま
た試料が透明な場合、試料通過後のレーザビームが反射
散乱等で受光器に述光としてとびこみ検査の障害となる
ことも多い。
また従来方式の場合、じみの様な微小付着物が密にかつ
広範囲に及ぶものに対しては検出困難な傾向があった。
広範囲に及ぶものに対しては検出困難な傾向があった。
また一方、光ディスクでは透明円板に対して第一次処理
としてデータ記録面に蒸着薄膜な付加するが、この蒸着
膜のピンホール状欠陥に対しても、欠陥検査する場合、
従来方式では検出能力が低かった。
としてデータ記録面に蒸着薄膜な付加するが、この蒸着
膜のピンホール状欠陥に対しても、欠陥検査する場合、
従来方式では検出能力が低かった。
すなわち光デイスク用円板の検査では、試料が透明で、
じみや蒸着薄膜のピンホール状欠陥の検出も要求される
など、従来の単一単純な光学系では対応できないという
問題があった。
じみや蒸着薄膜のピンホール状欠陥の検出も要求される
など、従来の単一単純な光学系では対応できないという
問題があった。
本発明の目的は、例えば光デイスク用などの透明な薄い
円板試料の表面のきす、突起、ごみ、異物等の欠陥を表
裏な区別して表面の欠陥のみを検出でき、かつ、しみ及
び蒸着膜のピンホール状欠陥も検出できる表面欠陥検査
装置を提供することにある。
円板試料の表面のきす、突起、ごみ、異物等の欠陥を表
裏な区別して表面の欠陥のみを検出でき、かつ、しみ及
び蒸着膜のピンホール状欠陥も検出できる表面欠陥検査
装置を提供することにある。
上記の目的な達成するために本発明においては、検査部
位をその直上からレーザ光により照射し、この照射によ
り検査部位で生じた正反射光、後方散乱光、前方散乱光
なそれぞれ分離して独立に受光し、各受光量をそれぞれ
所定の基準値と比較して欠陥の有無な判定する欠陥検出
光学系な用いた。
位をその直上からレーザ光により照射し、この照射によ
り検査部位で生じた正反射光、後方散乱光、前方散乱光
なそれぞれ分離して独立に受光し、各受光量をそれぞれ
所定の基準値と比較して欠陥の有無な判定する欠陥検出
光学系な用いた。
なお被検体を回転させなからレーザ光照射部位を牛径方
向に直線移動させて走査を行うようにした。
向に直線移動させて走査を行うようにした。
なお本発明装置の対象とする表面欠陥な第２図＋ａｌ
〜（ｆｌに示す。ｌａｌはごみ、ｔｂｌは異物、（Ｃ１
はしみ状の何着異物、（ｄｉはぎず、（ｅｌＧｉ突起、
（ｆｌは蒸着膜付き試料のピンホールな示す。
〜（ｆｌに示す。ｌａｌはごみ、ｔｂｌは異物、（Ｃ１
はしみ状の何着異物、（ｄｉはぎず、（ｅｌＧｉ突起、
（ｆｌは蒸着膜付き試料のピンホールな示す。
表面欠陥を検出する方法としては、上記の如く、欠陥に
よる散乱光の検出方式が有利で一般に用いられていた。
よる散乱光の検出方式が有利で一般に用いられていた。
また検出感度を向上させるには、照射光のビーム強度な
高くするのが最も得策で、前述の従来からのレーザビー
ム使用方式が良好な結果を得ているつ本発明は従来技術
の利点な生かし、かつ透明試料の場合にも前記対象欠陥
を検出できるようにした。光ディスクの場合、第１段階
として透明素材の検査、第２段階として簿膜蒸着後（半
透明）のピンホール検査が必要で、前記従来の様な後方
散乱光の検出のみに依存する検量方法では性能不足であ
った。
高くするのが最も得策で、前述の従来からのレーザビー
ム使用方式が良好な結果を得ているつ本発明は従来技術
の利点な生かし、かつ透明試料の場合にも前記対象欠陥
を検出できるようにした。光ディスクの場合、第１段階
として透明素材の検査、第２段階として簿膜蒸着後（半
透明）のピンホール検査が必要で、前記従来の様な後方
散乱光の検出のみに依存する検量方法では性能不足であ
った。
透明試料の表面欠陥検出には、従来方式同様、試料面の
欠陥で乱反射した散乱光（後方散乱光）検ｔＢす用いる
が、受光系に結像の概念を適用して、光軸上の検査面の
結像位置付近に空間フィルタを設け、表面からの散乱光
はこれを通して光電変換器に導入し、裏面からの光は遮
断するようにした。
欠陥で乱反射した散乱光（後方散乱光）検ｔＢす用いる
が、受光系に結像の概念を適用して、光軸上の検査面の
結像位置付近に空間フィルタを設け、表面からの散乱光
はこれを通して光電変換器に導入し、裏面からの光は遮
断するようにした。
この場合、前提条件として試料の板厚は薄すぎないもの
とする。通常は１゜２朋以上あって問題はない。また試
料？透過したレーザビームは最終的には光トラツプホー
ンへ導入して全光量を吸収させ宗計な迷光が生じないよ
うにする。
とする。通常は１゜２朋以上あって問題はない。また試
料？透過したレーザビームは最終的には光トラツプホー
ンへ導入して全光量を吸収させ宗計な迷光が生じないよ
うにする。
微粒子が密に、かつ一様に付着した「しみ」では後方散
乱光の発生が比較的少な〈従来の検出方式は不適当であ
った。じみと正常部では反射率に判然とした差があるの
で、本発明では正反射光を受光させ、その受光量の差に
より正常部としみとに判別することにした。
乱光の発生が比較的少な〈従来の検出方式は不適当であ
った。じみと正常部では反射率に判然とした差があるの
で、本発明では正反射光を受光させ、その受光量の差に
より正常部としみとに判別することにした。
蒸着薄膜のピンホールが従来方式で検出困難な大きな理
由は、蒸着薄膜自体その表面にミクロな凹凸があって後
方散乱光が生ずるため、ピンホールによる散乱光との区
別がつきにくいためと考えられる。前方散乱光な透過側
で受光するようにしたところ、もともと蒸着薄膜の透過
率は低いので、従来方式のような蒸着薄膜正常部分から
の後方散乱光の影響もなくなり、Ｓ／Ｎが向上した。
由は、蒸着薄膜自体その表面にミクロな凹凸があって後
方散乱光が生ずるため、ピンホールによる散乱光との区
別がつきにくいためと考えられる。前方散乱光な透過側
で受光するようにしたところ、もともと蒸着薄膜の透過
率は低いので、従来方式のような蒸着薄膜正常部分から
の後方散乱光の影響もなくなり、Ｓ／Ｎが向上した。
第３図は本発明実施例の光学系の説明図である。
レーザ発振器１１から出た平行レーザビームはミラー１
２により下方に向かい、ビーム集束用し／ズ１６を通っ
て試料１７の測定面（測定対象となる表面）１７−１上
で微小スポットに絞り込まれる。入射ビームは測定面」
二で一部は正反射し７で元の方向へ戻るが、大部分は試
料を透過して下方の光トラツプホー７２０に入り、そこ
で金光社が吸収される。測定面１７−１上に、欠陥１７
−３がある場合は、そこで入射ビームの一部は散乱し、
集束量レンズ１６な通過して平行光となり、穴あきミラ
ー１５により向きな変えられ結像し／ズ２３によりピノ
ホール２４−１の中心に集束される。
２により下方に向かい、ビーム集束用し／ズ１６を通っ
て試料１７の測定面（測定対象となる表面）１７−１上
で微小スポットに絞り込まれる。入射ビームは測定面」
二で一部は正反射し７で元の方向へ戻るが、大部分は試
料を透過して下方の光トラツプホー７２０に入り、そこ
で金光社が吸収される。測定面１７−１上に、欠陥１７
−３がある場合は、そこで入射ビームの一部は散乱し、
集束量レンズ１６な通過して平行光となり、穴あきミラ
ー１５により向きな変えられ結像し／ズ２３によりピノ
ホール２４−１の中心に集束される。
一方試料裏面の欠陥により生じた散乱光は同様にして結
像レンズにより空間フィルタ２４０円形マスク２４−２
の中心に集光される。従って光電変換器２６にはピンホ
ール２４−１に通過した測定面１７−１上の欠陥１７−
３からの後方散乱光のみが到達することになる。この場
合裏面１７−２からの散乱光の結像点は測定面散乱光の
それに対して必ずその光軸上の前後位置がずれる。ずれ
量δは、試料の板厚をｔ、屈折率なＮ、受光系の総合結
像倍率をＭとじた時、δ−１−Ｍ２／Ｎとなる。
像レンズにより空間フィルタ２４０円形マスク２４−２
の中心に集光される。従って光電変換器２６にはピンホ
ール２４−１に通過した測定面１７−１上の欠陥１７−
３からの後方散乱光のみが到達することになる。この場
合裏面１７−２からの散乱光の結像点は測定面散乱光の
それに対して必ずその光軸上の前後位置がずれる。ずれ
量δは、試料の板厚をｔ、屈折率なＮ、受光系の総合結
像倍率をＭとじた時、δ−１−Ｍ２／Ｎとなる。
倍率Ｍｌ適当に選び、ピンホールと焦点の位置ずれ量を
適当な値に設定すれば、前記裏面散乱光の遮断は容易に
行うことができる。また、ここで試料１７の測定面１７
−１及び裏面１７−２で正反射した光はミラー１５の中
心の穴を通りねけで上方へ行（ので光電変換器２６には
到らない。表面の欠陥による散乱光のうち下方へ向った
ものが、受光レンズ１８、穴あきミラー１９、結像レン
ズ２７及び空間フィルタ２８のピンホール２８−１を通
って光電変換器３０に到り、裏面からのものは遮光され
るのも上記と同様な理由による。
適当な値に設定すれば、前記裏面散乱光の遮断は容易に
行うことができる。また、ここで試料１７の測定面１７
−１及び裏面１７−２で正反射した光はミラー１５の中
心の穴を通りねけで上方へ行（ので光電変換器２６には
到らない。表面の欠陥による散乱光のうち下方へ向った
ものが、受光レンズ１８、穴あきミラー１９、結像レン
ズ２７及び空間フィルタ２８のピンホール２８−１を通
って光電変換器３０に到り、裏面からのものは遮光され
るのも上記と同様な理由による。
レーザ発振器１１は直線偏光形である。試料の測定面１
７−１で正反射した光は、λ／４位相差板１４を通るこ
とにより（往復では位相差λ／２）偏光面の方向が入射
時のそれより９０°回転し、偏光ビームスプリッタ１３
で全部横方向に反射され、集光レンズ２１を通って光電
変換器２２に到る。
７−１で正反射した光は、λ／４位相差板１４を通るこ
とにより（往復では位相差λ／２）偏光面の方向が入射
時のそれより９０°回転し、偏光ビームスプリッタ１３
で全部横方向に反射され、集光レンズ２１を通って光電
変換器２２に到る。
以上の如くして、゛「シみ」等の欠陥検出に有利な正反
射光、ごみ、異物、ぎず、突起等の欠陥検出に有利な後
方散乱光、およびピノホール等の欠陥検出に有利な前方
散乱光を、それぞれ分離して独立に検出できるようにし
である。
射光、ごみ、異物、ぎず、突起等の欠陥検出に有利な後
方散乱光、およびピノホール等の欠陥検出に有利な前方
散乱光を、それぞれ分離して独立に検出できるようにし
である。
第４図は本発明実施例の概略構成図である。試料１７は
真空チャック部３２−１により回転テーブル３２に固定
される。処理装置３８からの回転指令はモータドライバ
３５を介してモータ３２−２を駆動し、回転テーブル３
２を高速回転させる。
真空チャック部３２−１により回転テーブル３２に固定
される。処理装置３８からの回転指令はモータドライバ
３５を介してモータ３２−２を駆動し、回転テーブル３
２を高速回転させる。
一方前述の正反射光、後方散乱光、前方散乱光を分離し
て受光する欠陥検出光学系３１は直線送り機構３３によ
り試料の半径方向に直線送りされる。
て受光する欠陥検出光学系３１は直線送り機構３３によ
り試料の半径方向に直線送りされる。
こうして欠陥検出光学系３１は試料１７の全測定対象領
域を走査することができる。光学系３１の直線送りは、
処理装置３８の指令で、パルスモータドライバ３６を介
して、パルスモータ３３−１により、微小な単位ステッ
プずつ送るようになっており、処理装置３８は欠陥検出
光学系３１が、ある特定時に試料１７のどこを走査中か
その牛径値を常に認知している。また回転テーブル３２
に取付げられた回転工゛ンコーダ３２−３は回転の微小
単位角ごとに電気パルスモータし、これが角度検出″ａ
３７により検出されて、回転テーブル３２の刻々の回転
角位置が算出されるので処理装置３８は試料の走査中の
部位の回転位置も認知している。
域を走査することができる。光学系３１の直線送りは、
処理装置３８の指令で、パルスモータドライバ３６を介
して、パルスモータ３３−１により、微小な単位ステッ
プずつ送るようになっており、処理装置３８は欠陥検出
光学系３１が、ある特定時に試料１７のどこを走査中か
その牛径値を常に認知している。また回転テーブル３２
に取付げられた回転工゛ンコーダ３２−３は回転の微小
単位角ごとに電気パルスモータし、これが角度検出″ａ
３７により検出されて、回転テーブル３２の刻々の回転
角位置が算出されるので処理装置３８は試料の走査中の
部位の回転位置も認知している。
一方、欠陥による正反射光、後方散乱光、前方散乱光そ
れぞれに対する光電変換器２２ 、２６ 。
れぞれに対する光電変換器２２ 、２６ 。
３０の出力信号は欠陥検出回路部３４に入力され１、そ
れぞれ増幅器３４−１． ３４−２． ３４−３により
増幅後、それぞれｒ波器３４−４． ３４ ＝５゜３４
−６を通って、それぞれの欠陥検出に最適な周波数成分
の信号のみがとり出され、これらがアナログ比較器３４
−７．３４−８．３４−９により、それぞれ適当な所定
の直流しきい値電圧と比較され、比較した結果、欠陥あ
りと判定されれば欠陥信号パルスが出力される。これら
の各欠陥信号パルスは、どれが発生しても欠陥があった
こととなるので、この３種の欠陥信号パルスをオア回路
３４−１０でオア処理したのち処理装置３８に入れる。
れぞれ増幅器３４−１． ３４−２． ３４−３により
増幅後、それぞれｒ波器３４−４． ３４ ＝５゜３４
−６を通って、それぞれの欠陥検出に最適な周波数成分
の信号のみがとり出され、これらがアナログ比較器３４
−７．３４−８．３４−９により、それぞれ適当な所定
の直流しきい値電圧と比較され、比較した結果、欠陥あ
りと判定されれば欠陥信号パルスが出力される。これら
の各欠陥信号パルスは、どれが発生しても欠陥があった
こととなるので、この３種の欠陥信号パルスをオア回路
３４−１０でオア処理したのち処理装置３８に入れる。
処理装置３８は、走査の細分エリア毎に欠陥信号パルス
な計数する回路を有しており、試料面上の「どこ」に「
いくつ」の欠陥があったかな知ることができる。この結
果は出力表示器３９により表示される。本実施例では、
試料Ｖ＋径方向３分割１円周方向を１２分割１合計３６
分割の細分エリア毎に欠１陥数をＣＲＴ画面およびプリ
ンタに出力したつまた第４図には省略したが、アナログ
比較器３４−７． ３４−８． ３４−９各々を複数（
向とし、比較用直流しきい値な段階的に変えたものな設
けることにより、欠陥信号パルス波高値毎に欠陥がいく
つあったかわかるようにした。
な計数する回路を有しており、試料面上の「どこ」に「
いくつ」の欠陥があったかな知ることができる。この結
果は出力表示器３９により表示される。本実施例では、
試料Ｖ＋径方向３分割１円周方向を１２分割１合計３６
分割の細分エリア毎に欠１陥数をＣＲＴ画面およびプリ
ンタに出力したつまた第４図には省略したが、アナログ
比較器３４−７． ３４−８． ３４−９各々を複数（
向とし、比較用直流しきい値な段階的に変えたものな設
けることにより、欠陥信号パルス波高値毎に欠陥がいく
つあったかわかるようにした。
以上説明したように本発明によれば、検査対象である透
明円板の表面欠陥が、ごみ、異物、突起に対しては直径
約０．３μｍ（粒形）まで、ピンホールに対しては直径
１μｍまで、また従来方式では検出しに（かったしみに
対しても欠陥検出が可能となるなど、−装置だけで各種
欠陥がすべて検出され、検査効率が向上した。
明円板の表面欠陥が、ごみ、異物、突起に対しては直径
約０．３μｍ（粒形）まで、ピンホールに対しては直径
１μｍまで、また従来方式では検出しに（かったしみに
対しても欠陥検出が可能となるなど、−装置だけで各種
欠陥がすべて検出され、検査効率が向上した。
第１図は表面欠陥検査装置の従来例の説明図、第２図は
本発明装置の検査対象とする表面欠陥の種類な示し、ｔ
ａｌはごみ、ｌｂ）は異物、ｔｅｌはしみ状付着異物、
ｔｄｌはきず、ｌｅｌは突起、ｌｆ＋は蒸着膜のピンホ
ールの図、第３図は本発明実施例の光学系説明図、第４
図は本発明実施例の概略構成図である。 １１・・・レーザ発振器、１３・・・偏光ビームスプリ
ッタ、１４・・・λ／４位相差板、１５・・・穴あきミ
ラー、１７・・・透明円板試料、１９・・・穴あきミラ
ー、２０・・・光トラツプホーン、２２・・・正反射光
用光電変換器、２４・・・空間フィルタ、２６・・・後
方散乱光用光電変換器、２８・・・空間フィルタ、３０
・・・前方散乱光用光電変換器、３１・・・欠陥検出光
学系、３２・・・回転テーブル、３２−１・・・真空チ
ャック、３２−２・・・モータ、３２−３・・・回転エ
ンコーダ、３３・・・直線送り機構、３４・・・欠陥検
出回路部。 代理人 弁理士 縣 武 雄 第 １ 図 （Ｃン 第 ３ 図
本発明装置の検査対象とする表面欠陥の種類な示し、ｔ
ａｌはごみ、ｌｂ）は異物、ｔｅｌはしみ状付着異物、
ｔｄｌはきず、ｌｅｌは突起、ｌｆ＋は蒸着膜のピンホ
ールの図、第３図は本発明実施例の光学系説明図、第４
図は本発明実施例の概略構成図である。 １１・・・レーザ発振器、１３・・・偏光ビームスプリ
ッタ、１４・・・λ／４位相差板、１５・・・穴あきミ
ラー、１７・・・透明円板試料、１９・・・穴あきミラ
ー、２０・・・光トラツプホーン、２２・・・正反射光
用光電変換器、２４・・・空間フィルタ、２６・・・後
方散乱光用光電変換器、２８・・・空間フィルタ、３０
・・・前方散乱光用光電変換器、３１・・・欠陥検出光
学系、３２・・・回転テーブル、３２−１・・・真空チ
ャック、３２−２・・・モータ、３２−３・・・回転エ
ンコーダ、３３・・・直線送り機構、３４・・・欠陥検
出回路部。 代理人 弁理士 縣 武 雄 第 １ 図 （Ｃン 第 ３ 図
Claims (1)
- 検査部位をその直上からレーザ光により照射する手段と
、この照射により検査部位で生じた正反射光、後方散乱
光、前方散乱光を、それぞれ分離して独立に受光し、各
受光量をそれぞれ所定の基準値と比較して欠陥の有無を
判定する欠陥検出光学系と、被検体を回転させなからレ
ーザ光照射部位な半径方向に直線移動させる走査機構と
を備えたことを特徴とする透明円板の表面欠陥検査装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18377582A JPS5973710A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 透明円板の表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18377582A JPS5973710A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 透明円板の表面欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5973710A true JPS5973710A (ja) | 1984-04-26 |
Family
ID=16141728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18377582A Pending JPS5973710A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 透明円板の表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5973710A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326908A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光ディスク用スタンパー検査装置 |
| US5847823A (en) * | 1997-04-28 | 1998-12-08 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US5867261A (en) * | 1997-04-28 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US5898492A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool using reflected and scattered light |
| US5917589A (en) * | 1997-04-28 | 1999-06-29 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US5969370A (en) * | 1997-04-28 | 1999-10-19 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US6100971A (en) * | 1997-04-28 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US6624884B1 (en) | 1997-04-28 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US6704435B1 (en) | 1997-04-28 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| CN108702866A (zh) * | 2016-02-18 | 2018-10-23 | 株式会社富士 | 元件判定装置及元件判定方法 |
-
1982
- 1982-10-21 JP JP18377582A patent/JPS5973710A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326908A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光ディスク用スタンパー検査装置 |
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| US6117620A (en) * | 1997-04-28 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Method of producing a calibration disk |
| US6624884B1 (en) | 1997-04-28 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US6704435B1 (en) | 1997-04-28 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool |
| US5898492A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool using reflected and scattered light |
| CN108702866A (zh) * | 2016-02-18 | 2018-10-23 | 株式会社富士 | 元件判定装置及元件判定方法 |
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