JPH06326180A - 静電吸着体の離脱装置 - Google Patents
静電吸着体の離脱装置Info
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- JPH06326180A JPH06326180A JP13915793A JP13915793A JPH06326180A JP H06326180 A JPH06326180 A JP H06326180A JP 13915793 A JP13915793 A JP 13915793A JP 13915793 A JP13915793 A JP 13915793A JP H06326180 A JPH06326180 A JP H06326180A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電チャックの被吸着体保持面または被吸着
体に帯電する残留電荷を確実に除電し、被吸着体の跳ね
を生じることなく、安全に被吸着体を離脱させる静電吸
着体の離脱装置を提供する。 【構成】 被吸着体を静電気力で吸着し保持する静電チ
ャック１０と、この静電チャック１０を貫通し、前記被
吸着体５を前記静電チャックの被吸着体保持面３５に対
し水平状態に支持し上下駆動されるとともに電気的に接
地された導電性の支持ピン２８と、この支持ピン２８に
導電性の接着剤２９で接着され、前記被吸着体５を面接
触で支持する導電性のゴム３０とを設け構成されたもの
である。
体に帯電する残留電荷を確実に除電し、被吸着体の跳ね
を生じることなく、安全に被吸着体を離脱させる静電吸
着体の離脱装置を提供する。 【構成】 被吸着体を静電気力で吸着し保持する静電チ
ャック１０と、この静電チャック１０を貫通し、前記被
吸着体５を前記静電チャックの被吸着体保持面３５に対
し水平状態に支持し上下駆動されるとともに電気的に接
地された導電性の支持ピン２８と、この支持ピン２８に
導電性の接着剤２９で接着され、前記被吸着体５を面接
触で支持する導電性のゴム３０とを設け構成されたもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電吸着体の離脱装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の被吸着体、例えば半導体ウエハを
静電気力で吸着し保持する静電チャックの半導体ウエハ
保持面から離脱する際、静電チャックの半導体ウエハ保
持面と、半導体ウエハ自体に帯電した残留電荷を除電す
るために、半導体ウエハの裏面に電気的に接地された導
電性、例えばアルミニウム等の金属で形成された支持ピ
ンを接触させ、半導体ウエハ表面に帯電した残留電荷を
除電するとともに、静電チャックの半導体ウエハ保持面
に帯電した残留電荷も半導体ウエハを介して除電し、被
吸着体を静電チャックの被吸着体保持面より離脱させる
方法が知られている。
静電気力で吸着し保持する静電チャックの半導体ウエハ
保持面から離脱する際、静電チャックの半導体ウエハ保
持面と、半導体ウエハ自体に帯電した残留電荷を除電す
るために、半導体ウエハの裏面に電気的に接地された導
電性、例えばアルミニウム等の金属で形成された支持ピ
ンを接触させ、半導体ウエハ表面に帯電した残留電荷を
除電するとともに、静電チャックの半導体ウエハ保持面
に帯電した残留電荷も半導体ウエハを介して除電し、被
吸着体を静電チャックの被吸着体保持面より離脱させる
方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハの裏面に電気的に接地された導電性、例えばアル
ミニウム等の金属で形成された支持ピンを接触させる手
段においては、半導体ウエハの裏面に支持ピンを点接触
させるため、一回支持ピンを接触させただけでは、半導
体ウエハ自体に帯電した残留電荷および静電チャックの
半導体ウエハ保持部に帯電した残留電荷をより完全には
除電することができず、半導体ウエハの裏面に数回支持
ピンを接触させる必要が有り、この支持ピンの接触によ
り半導体ウエハの強度より支持ピンの強度が強いため、
半導体ウエハの裏面を損傷してしまうという問題があっ
た。また、半導体ウエハの裏面に絶縁膜、例えば自然酸
化膜、酸化膜等が形成されている場合、半導体ウエハ自
体に帯電した残留電荷は殆ど除去されなかったという問
題があった。さらに、半導体ウエハ自体に帯電した残留
電荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電し
た残留電荷をより完全に除電していないと、半導体ウエ
ハを支持ピンにより静電チャックの半導体ウエハ保持部
より離脱させる際、半導体ウエハを裏面から持ち上げる
支持ピンが静電チャックの半導体ウエハ保持部より上昇
すると、支持ピンが接触していない部分、例えば半導体
ウエハ裏面の周縁部が残留電荷により吸着したままとな
り、半導体ウエハ自体が反り、さらに支持ピンを上昇さ
せると半導体ウエハの周縁部が静電チャックの半導体ウ
エハ保持部から離脱し、この瞬間、反りの反動で半導体
ウエハが跳ね、処理室の壁等にぶつかり半導体ウエハ自
体が破損してしまうという問題があった。
ウエハの裏面に電気的に接地された導電性、例えばアル
ミニウム等の金属で形成された支持ピンを接触させる手
段においては、半導体ウエハの裏面に支持ピンを点接触
させるため、一回支持ピンを接触させただけでは、半導
体ウエハ自体に帯電した残留電荷および静電チャックの
半導体ウエハ保持部に帯電した残留電荷をより完全には
除電することができず、半導体ウエハの裏面に数回支持
ピンを接触させる必要が有り、この支持ピンの接触によ
り半導体ウエハの強度より支持ピンの強度が強いため、
半導体ウエハの裏面を損傷してしまうという問題があっ
た。また、半導体ウエハの裏面に絶縁膜、例えば自然酸
化膜、酸化膜等が形成されている場合、半導体ウエハ自
体に帯電した残留電荷は殆ど除去されなかったという問
題があった。さらに、半導体ウエハ自体に帯電した残留
電荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電し
た残留電荷をより完全に除電していないと、半導体ウエ
ハを支持ピンにより静電チャックの半導体ウエハ保持部
より離脱させる際、半導体ウエハを裏面から持ち上げる
支持ピンが静電チャックの半導体ウエハ保持部より上昇
すると、支持ピンが接触していない部分、例えば半導体
ウエハ裏面の周縁部が残留電荷により吸着したままとな
り、半導体ウエハ自体が反り、さらに支持ピンを上昇さ
せると半導体ウエハの周縁部が静電チャックの半導体ウ
エハ保持部から離脱し、この瞬間、反りの反動で半導体
ウエハが跳ね、処理室の壁等にぶつかり半導体ウエハ自
体が破損してしまうという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、静電チャックの被吸着体
保持面または被吸着体に帯電する残留電荷を確実に除電
し、被吸着体の跳ねを生じることなく、安全に被吸着体
を離脱させる静電吸着体の離脱装置を提供することにあ
る。
保持面または被吸着体に帯電する残留電荷を確実に除電
し、被吸着体の跳ねを生じることなく、安全に被吸着体
を離脱させる静電吸着体の離脱装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、被吸着体を静
電気力で吸着し保持する静電チャックと、この静電チャ
ックを貫通し、前記被吸着体を前記静電チャックの被吸
着体保持面に対し水平状態に支持し上下駆動されるとと
もに電気的に接地された導電性の支持ピンと、この支持
ピンの先端部に前記被吸着体を面接触で支持する導電性
のゴムとを設け構成されたものである。
電気力で吸着し保持する静電チャックと、この静電チャ
ックを貫通し、前記被吸着体を前記静電チャックの被吸
着体保持面に対し水平状態に支持し上下駆動されるとと
もに電気的に接地された導電性の支持ピンと、この支持
ピンの先端部に前記被吸着体を面接触で支持する導電性
のゴムとを設け構成されたものである。
【０００６】
【作用】本発明は、被吸着体に帯電する残留電荷を被吸
着体の裏面より面接触で導電性のゴムを設けた支持ピン
を接触させるので、被吸着体と接触する面積が大きくな
り、これにより被吸着体との接触抵抗が下がり、被吸着
体に帯電する残留電荷が接地された導電性の支持ピンを
介してより多く流れるので、被吸着体に帯電する残留電
荷および被吸着体を介し静電チャックの被吸着体保持面
に帯電する残留電荷をもより確実に、かつ短時間で除電
することができる。
着体の裏面より面接触で導電性のゴムを設けた支持ピン
を接触させるので、被吸着体と接触する面積が大きくな
り、これにより被吸着体との接触抵抗が下がり、被吸着
体に帯電する残留電荷が接地された導電性の支持ピンを
介してより多く流れるので、被吸着体に帯電する残留電
荷および被吸着体を介し静電チャックの被吸着体保持面
に帯電する残留電荷をもより確実に、かつ短時間で除電
することができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
に係る静電吸着体の離脱装置を適用したプラズマエッチ
ング装置について説明する。最初に、図１および図２に
基づいて、プラズマエッチング装置の構成を説明する。
に係る静電吸着体の離脱装置を適用したプラズマエッチ
ング装置について説明する。最初に、図１および図２に
基づいて、プラズマエッチング装置の構成を説明する。
【０００８】このプラズマエッチング装置は、図１に示
すように、気密性を有する処理室１、この処理室１内に
プラズマを発生するための上部電極２および下部電極
３、前記処理室１内を減圧にするための排気系４、およ
び前記処理室１内に被吸着体、例えば半導体ウエハ５を
搬入または搬出するための搬入出系６により構成されて
いる。
すように、気密性を有する処理室１、この処理室１内に
プラズマを発生するための上部電極２および下部電極
３、前記処理室１内を減圧にするための排気系４、およ
び前記処理室１内に被吸着体、例えば半導体ウエハ５を
搬入または搬出するための搬入出系６により構成されて
いる。
【０００９】前記処理室１は、少なくとも内壁面が導電
体、例えばアルミニウムで形成され、この内壁面の表面
は酸化アルマイト処理されており、この処理室１内の壁
面には処理ガスおよびプラズマによる反応生成物が内壁
面上に付着するのを防ぐための図示しない加熱手段、例
えばヒータが内蔵され、加熱温度、例えば５０°Ｃ〜１
００°Ｃの範囲で適切な温度に設定可能に構成されてい
る。
体、例えばアルミニウムで形成され、この内壁面の表面
は酸化アルマイト処理されており、この処理室１内の壁
面には処理ガスおよびプラズマによる反応生成物が内壁
面上に付着するのを防ぐための図示しない加熱手段、例
えばヒータが内蔵され、加熱温度、例えば５０°Ｃ〜１
００°Ｃの範囲で適切な温度に設定可能に構成されてい
る。
【００１０】前記上部電極２は、前記処理室１内の上部
に配置され、この上部電極２の一端は前記処理室１の上
部に気密に貫通し、前記処理室１内に処理ガス、例えば
ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等の処理ガスまたは不活性ガス、例え
ばＮ2 ガス等を供給するガス供給管７に接続され、また
他端は、前記半導体ウエハ５の方向に前記ガス供給管７
から供給された処理ガスを放出するためのガス放出口８
が放射状に複数個穿設され、また、この上部電極２は、
配線９により電気的に接地されている。
に配置され、この上部電極２の一端は前記処理室１の上
部に気密に貫通し、前記処理室１内に処理ガス、例えば
ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等の処理ガスまたは不活性ガス、例え
ばＮ2 ガス等を供給するガス供給管７に接続され、また
他端は、前記半導体ウエハ５の方向に前記ガス供給管７
から供給された処理ガスを放出するためのガス放出口８
が放射状に複数個穿設され、また、この上部電極２は、
配線９により電気的に接地されている。
【００１１】前記下部電極３は、前記上部電極２と対向
する位置に配置され、前記半導体ウエハ５を静電気力に
て吸着保持する静電チャック１０を備えている。この静
電チャック１０の前記半導体ウエハ５を吸着保持する保
持部としての静電チャックシート１１は、導電材質より
なる電解箔銅１２を両側から絶縁膜、例えばポリイミド
樹脂よりなるポリイミドフィルム１３でポリイミド系の
接着剤でおのおの接着されサンドイッチ構造に構成され
ている。さらに、前記電解箔銅１２には、この電解箔銅
１２に高電圧、例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電す
るための給電棒１４が接続され、この給電棒１４は、前
記処理室１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され、高圧
電源１５に切替え手段、例えば電磁スイッチ１６を介し
て接続されている。また、この電磁スイッチ１６は制御
手段１７の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう
構成されている。
する位置に配置され、前記半導体ウエハ５を静電気力に
て吸着保持する静電チャック１０を備えている。この静
電チャック１０の前記半導体ウエハ５を吸着保持する保
持部としての静電チャックシート１１は、導電材質より
なる電解箔銅１２を両側から絶縁膜、例えばポリイミド
樹脂よりなるポリイミドフィルム１３でポリイミド系の
接着剤でおのおの接着されサンドイッチ構造に構成され
ている。さらに、前記電解箔銅１２には、この電解箔銅
１２に高電圧、例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電す
るための給電棒１４が接続され、この給電棒１４は、前
記処理室１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され、高圧
電源１５に切替え手段、例えば電磁スイッチ１６を介し
て接続されている。また、この電磁スイッチ１６は制御
手段１７の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう
構成されている。
【００１２】さらに、前記静電チャックシート１１の下
部には、導電材質、例えばアルミニウムで形成されたサ
セプタ１８が設けられ、このサセプタ１８は、ブロッキ
ング・コンデンサ２０を介して高周波、例えば１３．５
６ＭＨｚ，４０ＭＨｚ等の高周波電源２１に接続されて
いる。また、前記サセプタ１８の下部にはサセプタ支持
台２２が設けられ、このサセプタ支持台２２の内部に
は、前記半導体ウエハ５の温度を、例えば−３０°Ｃ〜
−１５０°Ｃにするために冷媒、例えば液体窒素を収容
する冷媒溜２０が設けられており、この冷媒溜２０に
は、液体窒素を導入するための冷媒導入管２３と、液体
窒素の蒸発し気化したＮ2 を排出するための冷媒排出管
２４が接続されている。
部には、導電材質、例えばアルミニウムで形成されたサ
セプタ１８が設けられ、このサセプタ１８は、ブロッキ
ング・コンデンサ２０を介して高周波、例えば１３．５
６ＭＨｚ，４０ＭＨｚ等の高周波電源２１に接続されて
いる。また、前記サセプタ１８の下部にはサセプタ支持
台２２が設けられ、このサセプタ支持台２２の内部に
は、前記半導体ウエハ５の温度を、例えば−３０°Ｃ〜
−１５０°Ｃにするために冷媒、例えば液体窒素を収容
する冷媒溜２０が設けられており、この冷媒溜２０に
は、液体窒素を導入するための冷媒導入管２３と、液体
窒素の蒸発し気化したＮ2 を排出するための冷媒排出管
２４が接続されている。
【００１３】また、前記サセプタ１８、前記サセプタ支
持台２２および前記静電チャックシート１１には、前記
冷媒溜２０の温度を前記静電チャックシート１１を介し
て前記半導体ウエハ５に伝熱する伝熱媒体、例えば不活
性ガスのＨｅガスを供給するための伝熱媒体供給路２５
が穿設されている。
持台２２および前記静電チャックシート１１には、前記
冷媒溜２０の温度を前記静電チャックシート１１を介し
て前記半導体ウエハ５に伝熱する伝熱媒体、例えば不活
性ガスのＨｅガスを供給するための伝熱媒体供給路２５
が穿設されている。
【００１４】また、図２に示すように、前記下部電極３
には、この下部電極３の前記サセプタ１８，前記サセプ
タ支持台２２，前記サセプタ１８の上面に設けられた前
記静電チャックシート１１，および前記処理室１の底面
を貫通する貫通孔２６が複数、例えば３個穿設されてお
り、この貫通孔２６の内部には、導電性部材より形成さ
れ、インダクタンス２７を介し電気的に接地された支持
ピン２８が設けられている。さらに、この支持ピン２８
の前記半導体ウエハ５と接触する側には、導電性の接着
剤２９、例えば銀系の導電フィラーを含有するエポキシ
系の接着剤等にて接着された、導電性のゴム３０、例え
ばシリコン導電性ゴム，ＮＢＲ導電性ゴム等が設けら
れ、前記半導体ウエハ５の裏面により面接触で接触する
よう構成されている。さらに、前記支持ピン２８は、絶
縁部材、例えばセラミックス３１を介して支持ピン支持
台３２にそれぞれ固定され、この支持ピン支持台３２の
周縁部と前記処理室１の底面には、この処理室１と前記
支持ピン支持台３２との間を気密にするとともに伸縮可
能なべローズ３３が設けられている、また、前記支持ピ
ン支持台３２は、この支持ピン支持台３２を上下駆動す
ることにより前記支持ピン２８も上下駆動するための、
上下駆動手段、例えばエアーシリンダ３４に接続され、
このエアーシリンダ３４の上下駆動により前記支持ピン
２８が上下移動し、前記半導体ウエハ５を前記静電チャ
ックシート１１の保持面３５に載置したり、または保持
面３５から離脱させるように離脱手段３６が構成されて
いる。
には、この下部電極３の前記サセプタ１８，前記サセプ
タ支持台２２，前記サセプタ１８の上面に設けられた前
記静電チャックシート１１，および前記処理室１の底面
を貫通する貫通孔２６が複数、例えば３個穿設されてお
り、この貫通孔２６の内部には、導電性部材より形成さ
れ、インダクタンス２７を介し電気的に接地された支持
ピン２８が設けられている。さらに、この支持ピン２８
の前記半導体ウエハ５と接触する側には、導電性の接着
剤２９、例えば銀系の導電フィラーを含有するエポキシ
系の接着剤等にて接着された、導電性のゴム３０、例え
ばシリコン導電性ゴム，ＮＢＲ導電性ゴム等が設けら
れ、前記半導体ウエハ５の裏面により面接触で接触する
よう構成されている。さらに、前記支持ピン２８は、絶
縁部材、例えばセラミックス３１を介して支持ピン支持
台３２にそれぞれ固定され、この支持ピン支持台３２の
周縁部と前記処理室１の底面には、この処理室１と前記
支持ピン支持台３２との間を気密にするとともに伸縮可
能なべローズ３３が設けられている、また、前記支持ピ
ン支持台３２は、この支持ピン支持台３２を上下駆動す
ることにより前記支持ピン２８も上下駆動するための、
上下駆動手段、例えばエアーシリンダ３４に接続され、
このエアーシリンダ３４の上下駆動により前記支持ピン
２８が上下移動し、前記半導体ウエハ５を前記静電チャ
ックシート１１の保持面３５に載置したり、または保持
面３５から離脱させるように離脱手段３６が構成されて
いる。
【００１５】前記排気系４は、図１に示すように、前記
処理室１内の底部に、この処理室１内を減圧するための
ガス排出口３６が設けられ、このガス排出口３６は、排
気ガス管３７を介して真空排気装置３８、例えばターボ
分子ポンプに接続され、構成されている。
処理室１内の底部に、この処理室１内を減圧するための
ガス排出口３６が設けられ、このガス排出口３６は、排
気ガス管３７を介して真空排気装置３８、例えばターボ
分子ポンプに接続され、構成されている。
【００１６】前記搬入出系６は、前記処理室１の側壁
に、前記半導体ウエハ５を搬入または搬出するための搬
入出口３９を設け、この搬入出口３９はゲートバルブ４
０により開閉するように構成され、このゲートバルブ４
０を挟んで前記処理室１と対向する位置には、ロードロ
ック室４１を設け、このロードロック室４１内には前記
半導体ウエハ５を前記処理室１内に搬入または搬出する
ための搬入出アーム４２が設けられ、構成されている。
以上プラズマエッチング装置が構成されている。
に、前記半導体ウエハ５を搬入または搬出するための搬
入出口３９を設け、この搬入出口３９はゲートバルブ４
０により開閉するように構成され、このゲートバルブ４
０を挟んで前記処理室１と対向する位置には、ロードロ
ック室４１を設け、このロードロック室４１内には前記
半導体ウエハ５を前記処理室１内に搬入または搬出する
ための搬入出アーム４２が設けられ、構成されている。
以上プラズマエッチング装置が構成されている。
【００１７】以上のように構成されたプラズマエッチン
グ裝置における、半導体ウエハ５を静電力で吸着保持す
る静電チャックシート１１から挿脱する作用について説
明する。
グ裝置における、半導体ウエハ５を静電力で吸着保持す
る静電チャックシート１１から挿脱する作用について説
明する。
【００１８】搬入出アーム４２により保持された半導体
ウエハ５を処理室１内の静電チャックシート１１の上方
に移動させ、支持ピン２８に半導体ウエハ５を引き渡
し、支持ピン２８をエアーシリンダ３４で下降させ、静
電チャックシート１１の保持面３５に半導体ウエハ５を
載置する。
ウエハ５を処理室１内の静電チャックシート１１の上方
に移動させ、支持ピン２８に半導体ウエハ５を引き渡
し、支持ピン２８をエアーシリンダ３４で下降させ、静
電チャックシート１１の保持面３５に半導体ウエハ５を
載置する。
【００１９】この静電チャックシート１１の保持面３２
に半導体ウエハ５を載置する際に、あらかじめスイッチ
１６を閉じ、静電チャックシート１１の電解箔銅１２に
高電圧を給電しておく、これにより半導体ウエハ５の表
面には、図３に示すように、マイナスの電荷４２が帯電
され、静電チャックシート１１の保持面３２には、プラ
スの電荷４３が帯電され、このプラスの電荷４３および
マイナスの電荷４２により静電吸着力が生じ、この静電
吸着力で半導体ウエハ５は静電チャックシート１１の保
持面３５に吸着保持される。
に半導体ウエハ５を載置する際に、あらかじめスイッチ
１６を閉じ、静電チャックシート１１の電解箔銅１２に
高電圧を給電しておく、これにより半導体ウエハ５の表
面には、図３に示すように、マイナスの電荷４２が帯電
され、静電チャックシート１１の保持面３２には、プラ
スの電荷４３が帯電され、このプラスの電荷４３および
マイナスの電荷４２により静電吸着力が生じ、この静電
吸着力で半導体ウエハ５は静電チャックシート１１の保
持面３５に吸着保持される。
【００２０】次に、ガス放出口８より処理室１内に処理
ガスを導入し、処理室１内圧力を設定値に安定させ、伝
熱媒体供給路２５より半導体ウエハ５の裏面全面にＨｅ
ガスを供給し、高周波電源２１より処理電力、例えば５
００〜２ＫＷを印加し、上部電極２と半導体ウエハ５間
にプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウエ
ハ５をエッチング処理する、また、このプラズマの発生
にともない、半導体ウエハＷは疑似接地されるので、半
導体ウエハ５の静電チャックシート１１の保持面３５に
吸着される吸着力は強くなる。
ガスを導入し、処理室１内圧力を設定値に安定させ、伝
熱媒体供給路２５より半導体ウエハ５の裏面全面にＨｅ
ガスを供給し、高周波電源２１より処理電力、例えば５
００〜２ＫＷを印加し、上部電極２と半導体ウエハ５間
にプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウエ
ハ５をエッチング処理する、また、このプラズマの発生
にともない、半導体ウエハＷは疑似接地されるので、半
導体ウエハ５の静電チャックシート１１の保持面３５に
吸着される吸着力は強くなる。
【００２１】次に、半導体ウエハ５を静電チャックシー
ト１１の保持面３５より離脱する工程を説明すると、伝
熱媒体供給路２５から半導体ウエハ５の裏面全面に供給
していたＨｅガスを停止し、静電チャックシート１１の
電解箔銅１２への高電圧印加をスイッチ１６を開放する
ことにより遮断する。さらに、図３に示すように、支持
ピン２８をエアーシリンダ３４で上昇させ、支持ピン２
８に設けられた導電性ゴム３０を半導体ウエハ５の裏面
に面接触で接触させ、この接触により半導体ウエハ５の
表面に帯電するマイナスの残留電荷４２は導電性接着剤
２９を介して電気的に接地された支持ピン２８に流れ、
除電され、また、静電チャックシート１１の保持面３５
に帯電するプラスの残留電荷４３も半導体ウエハ５を介
して電気的に接地された支持ピン２８に流れ、除電され
る。そして、除電の後、さらに支持ピン２８をエアーシ
リンダ３４で上昇させ、半導体ウエハ５を静電チャック
シート１１の保持面３５より離脱する。
ト１１の保持面３５より離脱する工程を説明すると、伝
熱媒体供給路２５から半導体ウエハ５の裏面全面に供給
していたＨｅガスを停止し、静電チャックシート１１の
電解箔銅１２への高電圧印加をスイッチ１６を開放する
ことにより遮断する。さらに、図３に示すように、支持
ピン２８をエアーシリンダ３４で上昇させ、支持ピン２
８に設けられた導電性ゴム３０を半導体ウエハ５の裏面
に面接触で接触させ、この接触により半導体ウエハ５の
表面に帯電するマイナスの残留電荷４２は導電性接着剤
２９を介して電気的に接地された支持ピン２８に流れ、
除電され、また、静電チャックシート１１の保持面３５
に帯電するプラスの残留電荷４３も半導体ウエハ５を介
して電気的に接地された支持ピン２８に流れ、除電され
る。そして、除電の後、さらに支持ピン２８をエアーシ
リンダ３４で上昇させ、半導体ウエハ５を静電チャック
シート１１の保持面３５より離脱する。
【００２２】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。半導体ウエハ５に帯電した残留電荷お
よび静電チャックシート１１の半導体ウエハ保持面３５
に帯電した残留電荷を半導体ウエハの裏面に面接触によ
り接触させ、より多くの残留電荷を電気的に接地された
支持ピン２８に流がし、除電すことができる。また、よ
り多く残留電荷を除去するので半導体ウエハ５を静電チ
ャックシート１１の保持面３２より上昇しても、半導体
ウエハ５の裏面が残留電荷により吸着していないので、
半導体ウエハ５自体が反ることなく、より水平状態を保
ちながら半導体ウエハ５を静電チャックシート１１の保
持面３２から離脱することができる。また、半導体ウエ
ハ５の裏面に半導体ウエハ５より硬度の低い導電性ゴム
で接触させるので、半導体ウエハ５の裏面を損傷するこ
となく、また導電性ゴムにより半導体ウエハ５との密着
性を増すとともに、実質の接触面積を増加させ半導体ウ
エハ５との接触抵抗を減少させることにより、半導体ウ
エハ５に帯電した残留電荷および静電チャックシート１
１の半導体ウエハ保持面３５に帯電した残留電荷をより
多く除電することができる。
ついて説明する。半導体ウエハ５に帯電した残留電荷お
よび静電チャックシート１１の半導体ウエハ保持面３５
に帯電した残留電荷を半導体ウエハの裏面に面接触によ
り接触させ、より多くの残留電荷を電気的に接地された
支持ピン２８に流がし、除電すことができる。また、よ
り多く残留電荷を除去するので半導体ウエハ５を静電チ
ャックシート１１の保持面３２より上昇しても、半導体
ウエハ５の裏面が残留電荷により吸着していないので、
半導体ウエハ５自体が反ることなく、より水平状態を保
ちながら半導体ウエハ５を静電チャックシート１１の保
持面３２から離脱することができる。また、半導体ウエ
ハ５の裏面に半導体ウエハ５より硬度の低い導電性ゴム
で接触させるので、半導体ウエハ５の裏面を損傷するこ
となく、また導電性ゴムにより半導体ウエハ５との密着
性を増すとともに、実質の接触面積を増加させ半導体ウ
エハ５との接触抵抗を減少させることにより、半導体ウ
エハ５に帯電した残留電荷および静電チャックシート１
１の半導体ウエハ保持面３５に帯電した残留電荷をより
多く除電することができる。
【００２３】尚、実施例では支持ピンに導電性のゴム
を、導電性の接着剤で接着したが、支持ピンに導電性ゴ
ムを咬合させてもよいことはもちろんであり、また、実
施例ではプラズマエッチング装置について述べたが、プ
ラズマエッチング装置に限定されず、ＣＶＤ、ＬＣＤ等
のプラズマにより被吸着体を処理する装置さらに、静電
チャックで被吸着体を吸着させ搬送する搬送装置等にも
用いることができる。
を、導電性の接着剤で接着したが、支持ピンに導電性ゴ
ムを咬合させてもよいことはもちろんであり、また、実
施例ではプラズマエッチング装置について述べたが、プ
ラズマエッチング装置に限定されず、ＣＶＤ、ＬＣＤ等
のプラズマにより被吸着体を処理する装置さらに、静電
チャックで被吸着体を吸着させ搬送する搬送装置等にも
用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、静電チャックの被吸着体保持
面または被吸着体に帯電する残留電荷を確実に除電する
ので、被吸着体を支持ピンで静電チャックの被吸着体保
持面から、水平状態を保ったまま離脱させることができ
る。そのため、被吸着体の反りによる跳ねを生じること
なく、安全に被吸着体を離脱させることができるという
顕著な効果がある。
面または被吸着体に帯電する残留電荷を確実に除電する
ので、被吸着体を支持ピンで静電チャックの被吸着体保
持面から、水平状態を保ったまま離脱させることができ
る。そのため、被吸着体の反りによる跳ねを生じること
なく、安全に被吸着体を離脱させることができるという
顕著な効果がある。
【００２５】
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング裝置の概略断面図である。
マエッチング裝置の概略断面図である。
【図２】図１の被吸着体を静電チャックに挿脱する作用
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】図１の被吸着体および静電チャックに残留する
残留電荷の除電作用を示す部分断面図である。
残留電荷の除電作用を示す部分断面図である。
１ 処理室 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 排気系 ５ 被吸着体（半導体ウエハ） ６ 搬入出系 １０ 静電チャック １１ 静電チャックシート（被吸着体保持部） ２８ 支持ピン ２９ 導電性接着剤 ３０ 導電性ゴム ３５ 保持面
Claims (1)
- 【請求項１】 被吸着体を静電気力で吸着し保持する静
電チャックと、 この静電チャックを貫通し、前記被吸着体を前記静電チ
ャックの被吸着体保持面に対し水平状態に支持し上下駆
動されるとともに電気的に接地された導電性の支持ピン
と、 この支持ピンの先端部に前記被吸着体を面接触で支持す
る導電性のゴムとを設けたことを特徴とする静電吸着体
の離脱装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13915793A JP3264391B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 静電吸着体の離脱装置 |
| US08/194,665 US5665167A (en) | 1993-02-16 | 1994-02-14 | Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit |
| KR1019940002805A KR100270398B1 (ko) | 1993-02-16 | 1994-02-16 | 플라즈마 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13915793A JP3264391B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 静電吸着体の離脱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326180A true JPH06326180A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3264391B2 JP3264391B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=15238909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13915793A Expired - Lifetime JP3264391B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-05-17 | 静電吸着体の離脱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264391B2 (ja) |
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- 1993-05-17 JP JP13915793A patent/JP3264391B2/ja not_active Expired - Lifetime
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