JP3315197B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被処理体の離脱方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の被処理体、例えば半導体ウエハを
静電気力で吸着保持する静電チャックの半導体ウエハ保
持部から離脱する際、プラズマを生起させ、このプラズ
マにより被処理体を処理した後、プラズマを停止し、静
電チャックの半導体ウエハ保持部と、半導体ウエハ自体
に帯電した残留電荷を除電するために、半導体ウエハの
裏面に電気的に接地された導電性のピンを接触させ、半
導体ウエハ表面に帯電した残留電荷を除電するととも
に、静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電した残留
電荷も半導体ウエハを介して除電し、被処理体を静電チ
ャックの被処理体保持部より離脱させる方法が知られて
いる。
静電気力で吸着保持する静電チャックの半導体ウエハ保
持部から離脱する際、プラズマを生起させ、このプラズ
マにより被処理体を処理した後、プラズマを停止し、静
電チャックの半導体ウエハ保持部と、半導体ウエハ自体
に帯電した残留電荷を除電するために、半導体ウエハの
裏面に電気的に接地された導電性のピンを接触させ、半
導体ウエハ表面に帯電した残留電荷を除電するととも
に、静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電した残留
電荷も半導体ウエハを介して除電し、被処理体を静電チ
ャックの被処理体保持部より離脱させる方法が知られて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マを停止した後、半導体ウエハの裏面に電気的に接地さ
れた導電性のピンを接触させる手段においては、半導体
ウエハの裏面にピンを点接触させるため、一回ピンを接
触させただけでは、半導体ウエハ自体に帯電した残留電
荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電した
残留電荷をより完全には除電することができず、半導体
ウエハの裏面に数回ピンを接触させる必要が有り、この
ピンの接触により半導体ウエハの裏面を損傷してしまう
という問題があった。さらに、半導体ウエハ自体に帯電
した残留電荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部
に帯電した残留電荷をより完全に除電していないと、半
導体ウエハをピンにより静電チャックの半導体ウエハ保
持部より離脱させる際、半導体ウエハを裏面から持ち上
げるピンが静電チャックの半導体ウエハ保持部より上昇
すると、ピンが接触していない部分、例えば半導体ウエ
ハ裏面の周縁部が残留電荷により吸着したままとなり、
半導体ウエハ自体が反り、さらにピンを上昇させると半
導体ウエハの周縁部が静電チャックの半導体ウエハ保持
部から離脱し、この瞬間、反りの反動で半導体ウエハが
跳ね、処理室の壁等にぶつかり半導体ウエハ自体が破損
してしまうという問題があった。また、半導体ウエハの
表面に絶縁膜、例えば自然酸化膜等の酸化膜が形成され
ている場合、この絶縁膜の表面に帯電した残留電荷は、
電気的に接地された導電性のピンを接触しても、このピ
ンが接触しない部分は絶縁膜で電気的に遮断されるの
で、絶縁膜の表面に帯電した残留電荷を全面にわたって
除電することができないという問題があった。
マを停止した後、半導体ウエハの裏面に電気的に接地さ
れた導電性のピンを接触させる手段においては、半導体
ウエハの裏面にピンを点接触させるため、一回ピンを接
触させただけでは、半導体ウエハ自体に帯電した残留電
荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部に帯電した
残留電荷をより完全には除電することができず、半導体
ウエハの裏面に数回ピンを接触させる必要が有り、この
ピンの接触により半導体ウエハの裏面を損傷してしまう
という問題があった。さらに、半導体ウエハ自体に帯電
した残留電荷および静電チャックの半導体ウエハ保持部
に帯電した残留電荷をより完全に除電していないと、半
導体ウエハをピンにより静電チャックの半導体ウエハ保
持部より離脱させる際、半導体ウエハを裏面から持ち上
げるピンが静電チャックの半導体ウエハ保持部より上昇
すると、ピンが接触していない部分、例えば半導体ウエ
ハ裏面の周縁部が残留電荷により吸着したままとなり、
半導体ウエハ自体が反り、さらにピンを上昇させると半
導体ウエハの周縁部が静電チャックの半導体ウエハ保持
部から離脱し、この瞬間、反りの反動で半導体ウエハが
跳ね、処理室の壁等にぶつかり半導体ウエハ自体が破損
してしまうという問題があった。また、半導体ウエハの
表面に絶縁膜、例えば自然酸化膜等の酸化膜が形成され
ている場合、この絶縁膜の表面に帯電した残留電荷は、
電気的に接地された導電性のピンを接触しても、このピ
ンが接触しない部分は絶縁膜で電気的に遮断されるの
で、絶縁膜の表面に帯電した残留電荷を全面にわたって
除電することができないという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、被処理体を静電気力で吸
着保持する静電チャックの被処理体保持部から、より静
電チャックの被処理体保持部と水平状態を保ったまま、
離脱することができる被処理体の離脱方法を提供するこ
とにある。
着保持する静電チャックの被処理体保持部から、より静
電チャックの被処理体保持部と水平状態を保ったまま、
離脱することができる被処理体の離脱方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内に設
けた静電チャックに電圧を印加することにより前記静電
チャックの保持面に被処理体を吸着保持し、処理室内に
導入した処理ガスを高周波電力によりプラズマ化して前
記被処理体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法に
おいて、プラズマ処理の終了後、前記高周波電力をプラ
ズマは生起するが前記被処理体がプラズマ処理されない
程度の電力にし、前記静電チャックに印加する電圧を停
止する工程と、前記高周波電力を印加した状態で前記静
電チャックを貫通するピンを上昇させることにより前記
被処理体を前記静電チャックの保持面から離脱させる工
程とを具備し、前記被処理体及び前記静電チャックの保
持面の残留電荷を除電するものである。
けた静電チャックに電圧を印加することにより前記静電
チャックの保持面に被処理体を吸着保持し、処理室内に
導入した処理ガスを高周波電力によりプラズマ化して前
記被処理体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法に
おいて、プラズマ処理の終了後、前記高周波電力をプラ
ズマは生起するが前記被処理体がプラズマ処理されない
程度の電力にし、前記静電チャックに印加する電圧を停
止する工程と、前記高周波電力を印加した状態で前記静
電チャックを貫通するピンを上昇させることにより前記
被処理体を前記静電チャックの保持面から離脱させる工
程とを具備し、前記被処理体及び前記静電チャックの保
持面の残留電荷を除電するものである。
【０００６】
【作用】本発明は、プラズマ生起中に被処理体を静電チ
ャックの被処理体保持部より離脱させるので、プラズマ
内のイオンまたは電子が被処理体と静電チャックの被処
理体保持部との間にも回り込み、残留電荷が負の場合、
イオンにより中和され、また残留電荷が正の場合、電子
により中和され、静電チャックの被処理体保持部または
被処理体に帯電する残留電荷をより確実に、かつ短時間
で除電することができる。
ャックの被処理体保持部より離脱させるので、プラズマ
内のイオンまたは電子が被処理体と静電チャックの被処
理体保持部との間にも回り込み、残留電荷が負の場合、
イオンにより中和され、また残留電荷が正の場合、電子
により中和され、静電チャックの被処理体保持部または
被処理体に帯電する残留電荷をより確実に、かつ短時間
で除電することができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
に係る被処理体の離脱方法を適用したプラズマエッチン
グ装置について説明する。最初に、図１および図２に基
づいて、プラズマエッチング装置の構成を説明する。
に係る被処理体の離脱方法を適用したプラズマエッチン
グ装置について説明する。最初に、図１および図２に基
づいて、プラズマエッチング装置の構成を説明する。
【０００８】このプラズマエッチング装置は、図１に示
すように、気密性を有する処理室１、この処理室１内に
プラズマを発生するための上部電極２および下部電極
３、前記処理室１内を減圧にするための排気系４、およ
び前記処理室１内に被処理体、例えば半導体ウエハ５を
搬入または搬出するための搬入出系６により構成されて
いる。
すように、気密性を有する処理室１、この処理室１内に
プラズマを発生するための上部電極２および下部電極
３、前記処理室１内を減圧にするための排気系４、およ
び前記処理室１内に被処理体、例えば半導体ウエハ５を
搬入または搬出するための搬入出系６により構成されて
いる。
【０００９】前記処理室１は、少なくとも内壁面が導電
体、例えばＡｌで形成され、この内壁面の表面は酸化ア
ルマイト処理されており、この処理室１内の壁面には処
理ガスおよびプラズマによる反応生成物が内壁面上に付
着するのを防ぐための図示しない加熱手段、例えばヒー
タが内蔵され、加熱温度、例えば５０°Ｃ〜１００°Ｃ
の範囲で適切な温度に設定可能に構成されている。
体、例えばＡｌで形成され、この内壁面の表面は酸化ア
ルマイト処理されており、この処理室１内の壁面には処
理ガスおよびプラズマによる反応生成物が内壁面上に付
着するのを防ぐための図示しない加熱手段、例えばヒー
タが内蔵され、加熱温度、例えば５０°Ｃ〜１００°Ｃ
の範囲で適切な温度に設定可能に構成されている。
【００１０】前記上部電極２は、前記処理室１内の上部
に配置され、この上部電極２の一端は前記処理室１の上
部に気密に貫通し、前記処理室１内に処理ガス、例えば
ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 ，ＣＯ等の処理ガスまたは不活性ガ
ス、例えばＮ2 ガス等を供給するガス供給管７に接続さ
れ、また他端は、前記半導体ウエハ５の方向に前記ガス
供給管７から供給された処理ガスを放出するためのガス
放出口８が放射状に複数個穿設され、また、この上部電
極２は、配線９により電気的に接地されている。
に配置され、この上部電極２の一端は前記処理室１の上
部に気密に貫通し、前記処理室１内に処理ガス、例えば
ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 ，ＣＯ等の処理ガスまたは不活性ガ
ス、例えばＮ2 ガス等を供給するガス供給管７に接続さ
れ、また他端は、前記半導体ウエハ５の方向に前記ガス
供給管７から供給された処理ガスを放出するためのガス
放出口８が放射状に複数個穿設され、また、この上部電
極２は、配線９により電気的に接地されている。
【００１１】前記下部電極３は、前記上部電極２と対向
する位置に配置され、前記半導体ウエハ５を静電気力に
て吸着保持する静電チャック１０を備えている。この静
電チャック１０の前記半導体ウエハ５を吸着保持する保
持部としての静電チャックシート１１は、導電材質より
なる電解箔銅１２を両側から絶縁膜、例えばポリイミド
樹脂よりなるポリイミドフィルム１３でポリイミド系の
接着剤でおのおの接着されサンドイッチ構造に構成され
ている。さらに、前記電解箔銅１２には、この電解箔銅
１２に高電圧、例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電す
るための給電棒１４が接続され、この給電棒１４は、前
記処理室１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され、高圧
電源１５に切替え手段、例えば電磁スイッチ１６を介し
て接続されている。また、この電磁スイッチ１６は制御
手段１７の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう
構成されている。
する位置に配置され、前記半導体ウエハ５を静電気力に
て吸着保持する静電チャック１０を備えている。この静
電チャック１０の前記半導体ウエハ５を吸着保持する保
持部としての静電チャックシート１１は、導電材質より
なる電解箔銅１２を両側から絶縁膜、例えばポリイミド
樹脂よりなるポリイミドフィルム１３でポリイミド系の
接着剤でおのおの接着されサンドイッチ構造に構成され
ている。さらに、前記電解箔銅１２には、この電解箔銅
１２に高電圧、例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電す
るための給電棒１４が接続され、この給電棒１４は、前
記処理室１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され、高圧
電源１５に切替え手段、例えば電磁スイッチ１６を介し
て接続されている。また、この電磁スイッチ１６は制御
手段１７の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう
構成されている。
【００１２】さらに、前記静電チャックシート１１の下
部には、導電材質、例えばＡｌで形成されたサセプタ１
８が設けられ、このサセプタ１８は、ブロッキング・コ
ンデンサ１９を介して高周波、例えば１３．５６ＭＨ
ｚ，４０ＭＨｚ等の高周波電源２１に接続されている。
また、前記サセプタ１８の下部にはサセプタ支持台２２
が設けられ、このサセプタ支持台２２の内部には、前記
半導体ウエハ５の温度を、例えば−３０°Ｃ〜−１５０
°Ｃにするために冷媒、例えば液体窒素を収容する冷媒
溜２０が設けられており、この冷媒溜２０には、液体窒
素を導入するための冷媒導入管２３と、液体窒素の蒸発
し気化したＮ2 を排出するための冷媒排出管２４が接続
されている。
部には、導電材質、例えばＡｌで形成されたサセプタ１
８が設けられ、このサセプタ１８は、ブロッキング・コ
ンデンサ１９を介して高周波、例えば１３．５６ＭＨ
ｚ，４０ＭＨｚ等の高周波電源２１に接続されている。
また、前記サセプタ１８の下部にはサセプタ支持台２２
が設けられ、このサセプタ支持台２２の内部には、前記
半導体ウエハ５の温度を、例えば−３０°Ｃ〜−１５０
°Ｃにするために冷媒、例えば液体窒素を収容する冷媒
溜２０が設けられており、この冷媒溜２０には、液体窒
素を導入するための冷媒導入管２３と、液体窒素の蒸発
し気化したＮ2 を排出するための冷媒排出管２４が接続
されている。
【００１３】また、前記サセプタ１８、前記サセプタ支
持台２２および前記静電チャックシート１１には、前記
冷媒溜２０の温度を前記静電チャックシート１１を介し
て前記半導体ウエハ５に伝熱する伝熱媒体、例えば不活
性ガスのＨｅガスを供給するための伝熱媒体供給路２５
が穿設されている。
持台２２および前記静電チャックシート１１には、前記
冷媒溜２０の温度を前記静電チャックシート１１を介し
て前記半導体ウエハ５に伝熱する伝熱媒体、例えば不活
性ガスのＨｅガスを供給するための伝熱媒体供給路２５
が穿設されている。
【００１４】また、図２に示すように、前記下部電極３
には、この下部電極３の前記サセプタ１８，前記サセプ
タ支持台２２，前記サセプタ１８の上面に設けられた前
記静電チャックシート１１，および前記処理室１の底面
を貫通する貫通孔２６が複数、例えば３個穿設されてお
り、この貫通孔２６の内部には、導電性部材より形成さ
れ、インダクタンス２７を介し電気的に接地されたピン
２８が設けられている。さらに、このピン２８は、絶縁
部材、例えばセラミックス２９を介してピン支持台３０
にそれぞれ固定され、このピン支持台３０の周縁部と前
記処理室１の底面には、この処理室１と前記ピン支持台
３０との間を気密にするとともに伸縮可能なべローズ５
０が設けられている、また、前記ピン支持台３０は、こ
のピン支持台３０を上下することにより前記ピン２８も
上下駆動するための、上下手段、例えばエアーシリンダ
３１に接続され、このエアーシリンダ３１の上下駆動に
より前記ピン２８が上下移動し、前記半導体ウエハ５を
前記静電チャックシート１１の保持面３２に載置した
り、または保持面３２から離脱させるように離脱手段５
１が構成されている。
には、この下部電極３の前記サセプタ１８，前記サセプ
タ支持台２２，前記サセプタ１８の上面に設けられた前
記静電チャックシート１１，および前記処理室１の底面
を貫通する貫通孔２６が複数、例えば３個穿設されてお
り、この貫通孔２６の内部には、導電性部材より形成さ
れ、インダクタンス２７を介し電気的に接地されたピン
２８が設けられている。さらに、このピン２８は、絶縁
部材、例えばセラミックス２９を介してピン支持台３０
にそれぞれ固定され、このピン支持台３０の周縁部と前
記処理室１の底面には、この処理室１と前記ピン支持台
３０との間を気密にするとともに伸縮可能なべローズ５
０が設けられている、また、前記ピン支持台３０は、こ
のピン支持台３０を上下することにより前記ピン２８も
上下駆動するための、上下手段、例えばエアーシリンダ
３１に接続され、このエアーシリンダ３１の上下駆動に
より前記ピン２８が上下移動し、前記半導体ウエハ５を
前記静電チャックシート１１の保持面３２に載置した
り、または保持面３２から離脱させるように離脱手段５
１が構成されている。
【００１５】前記排気系４は、図１に示すように、前記
処理室１内の底部に、この処理室１内を減圧するための
ガス排出口３３が設けられ、このガス排出口３３は、排
気ガス管３４を介して真空排気装置３５、例えばターボ
分子ポンプに接続され、構成されている。
処理室１内の底部に、この処理室１内を減圧するための
ガス排出口３３が設けられ、このガス排出口３３は、排
気ガス管３４を介して真空排気装置３５、例えばターボ
分子ポンプに接続され、構成されている。
【００１６】前記搬入出系６は、前記処理室１の側壁
に、前記半導体ウエハ５を搬入または搬出するための搬
入出口３６を設け、この搬入出口３６はゲートバルブ３
７により開閉するように構成され、このゲートバルブ３
７を挟んで前記処理室１と対向する位置には、ロードロ
ック室３８を設け、このロードロック室３８内には前記
半導体ウエハ５を前記処理室１内に搬入または搬出する
ための搬入出アーム３９が設けられ、構成されている。
以上プラズマエッチング装置が構成されている。
に、前記半導体ウエハ５を搬入または搬出するための搬
入出口３６を設け、この搬入出口３６はゲートバルブ３
７により開閉するように構成され、このゲートバルブ３
７を挟んで前記処理室１と対向する位置には、ロードロ
ック室３８を設け、このロードロック室３８内には前記
半導体ウエハ５を前記処理室１内に搬入または搬出する
ための搬入出アーム３９が設けられ、構成されている。
以上プラズマエッチング装置が構成されている。
【００１７】以上のように構成されたプラズマエッチン
グ裝置における、半導体ウエハ５を静電力で吸着保持す
る静電チャックシート１１から離脱する作用について説
明する。
グ裝置における、半導体ウエハ５を静電力で吸着保持す
る静電チャックシート１１から離脱する作用について説
明する。
【００１８】ゲートバルブ３７を開放し、搬入出アーム
３９により保持された半導体ウエハ５を処理室１内の静
電チャックシート１１の上方に移動させ、ピン２８に半
導体ウエハ５を引き渡し、この後、搬入出アーム３９は
ロードロック室３８に戻り、ゲートバルブ３７を閉じ、
ピン２８をエアーシリンダ３１で下降させ、静電チャッ
クシート１１の保持面３２に半導体ウエハ５を載置す
る。
３９により保持された半導体ウエハ５を処理室１内の静
電チャックシート１１の上方に移動させ、ピン２８に半
導体ウエハ５を引き渡し、この後、搬入出アーム３９は
ロードロック室３８に戻り、ゲートバルブ３７を閉じ、
ピン２８をエアーシリンダ３１で下降させ、静電チャッ
クシート１１の保持面３２に半導体ウエハ５を載置す
る。
【００１９】この静電チャックシート１１の保持面３２
に半導体ウエハ５を載置する際に、あらかじめスイッチ
１６を閉じ、静電チャックシート１１の電解箔銅１２に
高電圧を給電しておく、これにより半導体ウエハ５の表
面には、図３に示すように、マイナスの電荷４０が帯電
され、静電チャックシート１１の保持面３２には、プラ
スの電荷４１が帯電され、このプラスの電荷４０および
マイナスの電荷４１により静電吸着力が生じ、この静電
吸着力で半導体ウエハ５は静電チャックシート１１の保
持面３２に吸着保持される。
に半導体ウエハ５を載置する際に、あらかじめスイッチ
１６を閉じ、静電チャックシート１１の電解箔銅１２に
高電圧を給電しておく、これにより半導体ウエハ５の表
面には、図３に示すように、マイナスの電荷４０が帯電
され、静電チャックシート１１の保持面３２には、プラ
スの電荷４１が帯電され、このプラスの電荷４０および
マイナスの電荷４１により静電吸着力が生じ、この静電
吸着力で半導体ウエハ５は静電チャックシート１１の保
持面３２に吸着保持される。
【００２０】次に、ガス供給管７から処理ガスを供給
し、ガス放出口８より処理室１内に処理ガスを導入し、
処理室１内圧力を設定値、例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒに安定させ、伝熱媒体供給路２５より半導体ウ
エハ５の裏面全面にＨｅガスを供給する。次に、高周波
電源２１より処理電力、例えば５００〜２ＫＷを印加
し、上部電極２と半導体ウエハ５間にプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより半導体ウエハ５をエッチング処
理する、また、このプラズマの発生にともない、半導体
ウエハ５は疑似接地されるので、半導体ウエハ５の静電
チャックシート１１の保持面３２に吸着される吸着力は
強くなる。次に、半導体ウエハ５を静電チャックシート
１１の保持面３２より離脱する工程を説明すると、高周
波電源２１の印加電力を半導体ウエハ５がほぼエッチン
グ処理されない印加電力、例えば８０Ｗ以下にした後、
伝熱媒体供給路２５から半導体ウエハ５の裏面全面に供
給していたＨｅガスを停止し、静電チャックシート１１
の電解箔銅１２への高電圧印加をスイッチ１６を開放す
ることにより遮断する。
し、ガス放出口８より処理室１内に処理ガスを導入し、
処理室１内圧力を設定値、例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒに安定させ、伝熱媒体供給路２５より半導体ウ
エハ５の裏面全面にＨｅガスを供給する。次に、高周波
電源２１より処理電力、例えば５００〜２ＫＷを印加
し、上部電極２と半導体ウエハ５間にプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより半導体ウエハ５をエッチング処
理する、また、このプラズマの発生にともない、半導体
ウエハ５は疑似接地されるので、半導体ウエハ５の静電
チャックシート１１の保持面３２に吸着される吸着力は
強くなる。次に、半導体ウエハ５を静電チャックシート
１１の保持面３２より離脱する工程を説明すると、高周
波電源２１の印加電力を半導体ウエハ５がほぼエッチン
グ処理されない印加電力、例えば８０Ｗ以下にした後、
伝熱媒体供給路２５から半導体ウエハ５の裏面全面に供
給していたＨｅガスを停止し、静電チャックシート１１
の電解箔銅１２への高電圧印加をスイッチ１６を開放す
ることにより遮断する。
【００２１】さらに、図３に示すように、前述の半導体
ウエハ５がエッチング進行しない印加電力で生起するプ
ラズマ内の、イオン、例えば処理ガスがＣＯの場合ＣＯ
＋、または電子が半導体ウエハ５と静電チャックシート
１１の保持面３２との間に入り込み、半導体ウエハ５の
周縁部から半導体ウエハ５の表面に帯電するマイナスの
残留電荷４０はイオンにより、また、静電チャックシー
ト１１の保持面３２に帯電するプラスの残留電荷４１は
電子により半導体ウエハ５の中心に向かって中和（除
電）していく。この中和の進行とともに、ピン２８をエ
アーシリンダ３１で上昇させ、半導体ウエハ５を上昇
し、半導体ウエハ５と静電チャックシート１１の保持面
３２との間にプラズマ内の、イオン、または電子をより
作用させ、半導体ウエハ５の表面と静電チャックシート
１１の保持面３２に残留する残留電荷の中和（除電）を
加速し、半導体ウエハ５を静電チャックシート１１の保
持面３２より離脱する。
ウエハ５がエッチング進行しない印加電力で生起するプ
ラズマ内の、イオン、例えば処理ガスがＣＯの場合ＣＯ
＋、または電子が半導体ウエハ５と静電チャックシート
１１の保持面３２との間に入り込み、半導体ウエハ５の
周縁部から半導体ウエハ５の表面に帯電するマイナスの
残留電荷４０はイオンにより、また、静電チャックシー
ト１１の保持面３２に帯電するプラスの残留電荷４１は
電子により半導体ウエハ５の中心に向かって中和（除
電）していく。この中和の進行とともに、ピン２８をエ
アーシリンダ３１で上昇させ、半導体ウエハ５を上昇
し、半導体ウエハ５と静電チャックシート１１の保持面
３２との間にプラズマ内の、イオン、または電子をより
作用させ、半導体ウエハ５の表面と静電チャックシート
１１の保持面３２に残留する残留電荷の中和（除電）を
加速し、半導体ウエハ５を静電チャックシート１１の保
持面３２より離脱する。
【００２２】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。半導体ウエハ５に帯電した残留電荷お
よび静電チャックシート１１の半導体ウエハ保持面３２
に帯電した残留電荷が半導体ウエハ５の周縁部から半導
体ウエハ５の中心に向かってプラズマ内のイオンまたは
電子により中和し、半導体ウエハ５をピン２８により静
電チャックシート１１の保持面３２より離脱させるの
で、半導体ウエハ５を裏面から持ち上げるピン２８が静
電チャックシート１１の保持面３２より上昇しても、半
導体ウエハ５の裏面周縁部が残留電荷により吸着してい
ないので、半導体ウエハ５自体が反ることなく、より水
平状態を保ちながら半導体ウエハ５を静電チャックシー
ト１１の保持面３２から離脱することができる。また、
半導体ウエハ５に帯電した残留電荷および静電チャック
シート１１の半導体ウエハ保持面３２に帯電した残留電
荷を全面にわたって均一に除電することができる。ま
た、プラズマ生起中に被処理体の残留電荷が被処理体を
離脱させる際、プラズマを通って上部電極等にも逃げよ
り多くの残留電荷を除電することができる。
ついて説明する。半導体ウエハ５に帯電した残留電荷お
よび静電チャックシート１１の半導体ウエハ保持面３２
に帯電した残留電荷が半導体ウエハ５の周縁部から半導
体ウエハ５の中心に向かってプラズマ内のイオンまたは
電子により中和し、半導体ウエハ５をピン２８により静
電チャックシート１１の保持面３２より離脱させるの
で、半導体ウエハ５を裏面から持ち上げるピン２８が静
電チャックシート１１の保持面３２より上昇しても、半
導体ウエハ５の裏面周縁部が残留電荷により吸着してい
ないので、半導体ウエハ５自体が反ることなく、より水
平状態を保ちながら半導体ウエハ５を静電チャックシー
ト１１の保持面３２から離脱することができる。また、
半導体ウエハ５に帯電した残留電荷および静電チャック
シート１１の半導体ウエハ保持面３２に帯電した残留電
荷を全面にわたって均一に除電することができる。ま
た、プラズマ生起中に被処理体の残留電荷が被処理体を
離脱させる際、プラズマを通って上部電極等にも逃げよ
り多くの残留電荷を除電することができる。
【００２３】尚、実施例ではプラズマエッチング装置に
ついて述べたが、プラズマエッチング装置に限定され
ず、ＣＶＤ、ＬＣＤ等のプラズマにより被処理体を処理
する装置に用いることができる。
ついて述べたが、プラズマエッチング装置に限定され
ず、ＣＶＤ、ＬＣＤ等のプラズマにより被処理体を処理
する装置に用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、静電チャックの被処理体保持
部または被処理体に帯電する残留電荷をより確実に除電
するので、処理後の被処理体を静電チャックの被処理体
保持部から、より水平状態を保ったまま離脱させること
ができ、被処理体の反りによる跳ねを生じないので、よ
り安全に被処理体を離脱させることができるという顕著
な効果がある。
部または被処理体に帯電する残留電荷をより確実に除電
するので、処理後の被処理体を静電チャックの被処理体
保持部から、より水平状態を保ったまま離脱させること
ができ、被処理体の反りによる跳ねを生じないので、よ
り安全に被処理体を離脱させることができるという顕著
な効果がある。
【００２５】
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング裝置の概略断面図である。
マエッチング裝置の概略断面図である。
【図２】図１の被処理体を静電チャックに離脱する作用
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】図１の被処理体および静電チャックに残留する
残留電荷の中和する作用を示す部分断面図である。
残留電荷の中和する作用を示す部分断面図である。
１ 処理室 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 排気系 ５ 被処理体（半導体ウエハ） ６ 搬入出系 １０ 静電チャック １１ 静電チャックシート（被処理体保持部） ２８ ピン ３２ 保持面 ５１ 離脱手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B23Q 3/15 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】処理室内に設けた静電チャックに電圧を印
加することにより前記静電チャックの保持面に被処理体
を吸着保持し、処理室内に導入した処理ガスを高周波電
力によりプラズマ化して前記被処理体にプラズマ処理を
行なうプラズマ処理方法において、 プラズマ処理の終了後、前記高周波電力をプラズマは生
起するが前記被処理体がプラズマ処理されない程度の電
力にし、前記静電チャックに印加する電圧を停止する工
程と、 前記高周波電力を印加した状態で前記静電チャックを貫
通するピンを上昇させることにより前記被処理体を前記
静電チャックの保持面から離脱させる工程とを具備し、
前記被処理体及び前記静電チャックの保持面の残留電荷
を除電することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13915393A JP3315197B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | プラズマ処理方法 |
| US08/239,982 US5557215A (en) | 1993-05-12 | 1994-05-09 | Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus |
| KR1019940010382A KR100281935B1 (ko) | 1993-05-12 | 1994-05-12 | 자기 바이어스 측정방법 및 그 장치와 정전 흡착장치 |
| TW083105399A TW257872B (ja) | 1993-05-12 | 1994-06-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13915393A JP3315197B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326177A JPH06326177A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3315197B2 true JP3315197B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=15238807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13915393A Expired - Lifetime JP3315197B2 (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-17 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315197B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150053899A (ko) | 2012-09-12 | 2015-05-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2685006B2 (ja) * | 1994-12-20 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
| JP3163973B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
| JP4135236B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | Ｃｖｄ膜の成膜方法 |
| KR100765539B1 (ko) | 2001-05-18 | 2007-10-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 화학기상 증착장비 |
| JP6154665B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-06-28 | リンテック株式会社 | 静電保持装置および静電保持装置からの保持対象物の離脱方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033251A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
| JPH06103683B2 (ja) * | 1990-08-07 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 静電吸着方法 |
| JP3230821B2 (ja) * | 1991-01-28 | 2001-11-19 | 株式会社東芝 | プッシャーピン付き静電チャック |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP13915393A patent/JP3315197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150053899A (ko) | 2012-09-12 | 2015-05-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| US9966291B2 (en) | 2012-09-12 | 2018-05-08 | Tokyo Electron Limited | De-chuck control method and plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06326177A (ja) | 1994-11-25 |
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