JPH06290989A - チップ状回路部品 - Google Patents
チップ状回路部品Info
- Publication number
- JPH06290989A JPH06290989A JP5097022A JP9702293A JPH06290989A JP H06290989 A JPH06290989 A JP H06290989A JP 5097022 A JP5097022 A JP 5097022A JP 9702293 A JP9702293 A JP 9702293A JP H06290989 A JPH06290989 A JP H06290989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- chip
- film
- circuit component
- element body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 チップ状の素体の所定の面に緻密な保護膜を
低温で形成し、素体の劣化を防止する。 【構成】 チップ状の素体１の表面の外部電極７を形成
する部分を除く所定の部分に絶縁性の保護膜３が形成さ
れている。この保護膜３は、噴霧熱分解法、化学的気相
成長法及びスパッタリング法の何れかにより形成された
無機酸化物薄膜からなる。例えば、この保護膜３は酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム等で形成さ
れる。
低温で形成し、素体の劣化を防止する。 【構成】 チップ状の素体１の表面の外部電極７を形成
する部分を除く所定の部分に絶縁性の保護膜３が形成さ
れている。この保護膜３は、噴霧熱分解法、化学的気相
成長法及びスパッタリング法の何れかにより形成された
無機酸化物薄膜からなる。例えば、この保護膜３は酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム等で形成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ、コンデン
サ、インダクタ或はレジスタ等の回路部品であって、チ
ップ状の素体の外部電極を形成する部分以外の所定の表
面部分に保護膜が形成されたチップ状回路部品に関す
る。
サ、インダクタ或はレジスタ等の回路部品であって、チ
ップ状の素体の外部電極を形成する部分以外の所定の表
面部分に保護膜が形成されたチップ状回路部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】チップ形サーミスタや積層チップ形コン
デンサ等のチップ形回路部品は、図２に示すように、立
方体形或は円柱形のセラミックからなる素体１の両端に
端子電極７を形成したものである。この端子電極７は、
セラミック等からなる素体の両端部に導電ペーストを塗
布し、乾燥した後、これを焼付け、さらにメッキ等を施
すことにより形成される。このようなチップ状回路部品
では、セラミック等からなる素体１の劣化による電気特
性の変化を防止するため、その両端の端子電極７、７を
形成する端面を除く部分に保護膜３を形成することが行
われている。
デンサ等のチップ形回路部品は、図２に示すように、立
方体形或は円柱形のセラミックからなる素体１の両端に
端子電極７を形成したものである。この端子電極７は、
セラミック等からなる素体の両端部に導電ペーストを塗
布し、乾燥した後、これを焼付け、さらにメッキ等を施
すことにより形成される。このようなチップ状回路部品
では、セラミック等からなる素体１の劣化による電気特
性の変化を防止するため、その両端の端子電極７、７を
形成する端面を除く部分に保護膜３を形成することが行
われている。
【０００３】従来、このような保護膜を形成したチップ
状回路部品としては、例えば、特開平３−２５０６０３
号公報、特開平３−２５０６０４号公報、実開昭６３−
６７２０１号公報、特開昭６３−１７７４０２号公報に
示されたもの等が知られている。特開平３−２５０６０
３号公報、特開平３−２５０６０４号公報及び実開昭６
３−６７２０１号公報に示された保膜膜は、素体の所定
の表面にガラスペーストを塗布し、これを焼き付けて形
成したものである。他方、特開昭６３−１７７４０２号
公報に示された保護膜は、ドクターブレード法により形
成されたアルミナシートで素体を包み、このアルミナシ
ートを焼成して保護層とするものである。
状回路部品としては、例えば、特開平３−２５０６０３
号公報、特開平３−２５０６０４号公報、実開昭６３−
６７２０１号公報、特開昭６３−１７７４０２号公報に
示されたもの等が知られている。特開平３−２５０６０
３号公報、特開平３−２５０６０４号公報及び実開昭６
３−６７２０１号公報に示された保膜膜は、素体の所定
の表面にガラスペーストを塗布し、これを焼き付けて形
成したものである。他方、特開昭６３−１７７４０２号
公報に示された保護膜は、ドクターブレード法により形
成されたアルミナシートで素体を包み、このアルミナシ
ートを焼成して保護層とするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】近年、チップ状回
路部品の小形化が急速に進んでおり、長さ１．６ｍｍ、
直径（幅及び厚み）が０．８ｍｍのものや長さ１．０ｍ
ｍ、直径（幅及び厚み）が０．５ｍｍのもの等が開発さ
れている。しかしながら、前記の従来技術によるチップ
状回路部品では、小さなチップ状の素体の所定の面に個
々にペーストを塗布したり、或はアルミナシートで包ん
だりした後、これを焼付けるため、保護膜の膜厚が厚く
なり、チップ状回路部品の小形化に対応しにくい。
路部品の小形化が急速に進んでおり、長さ１．６ｍｍ、
直径（幅及び厚み）が０．８ｍｍのものや長さ１．０ｍ
ｍ、直径（幅及び厚み）が０．５ｍｍのもの等が開発さ
れている。しかしながら、前記の従来技術によるチップ
状回路部品では、小さなチップ状の素体の所定の面に個
々にペーストを塗布したり、或はアルミナシートで包ん
だりした後、これを焼付けるため、保護膜の膜厚が厚く
なり、チップ状回路部品の小形化に対応しにくい。
【０００５】さらに、特開平３−２５０６０３号公報や
特開平３−２５０６０４号公報に示されたように、ペー
ストの焼付時の素体の変質等を防止するため、低温での
焼付けが必要とされ、例えば前記公報では、軟化点が１
０００℃以下のガラスペーストが使用される。しかし、
このような低軟化点のガラスペーストは、外部電極の焼
成時にガラスが電極表面に浮き上がり、素体同士または
素体と焼成治具との貼り付きが生じて歩留まりが低下す
ることがある。さらに、アルミナシートは、１４００℃
前後でなければ焼結しないため、高い焼成温度が必要で
ある。このため、例えば熱に弱い負特性サーミスタ素子
では、アルミナシートの焼成時における変質を避けるこ
とができない。
特開平３−２５０６０４号公報に示されたように、ペー
ストの焼付時の素体の変質等を防止するため、低温での
焼付けが必要とされ、例えば前記公報では、軟化点が１
０００℃以下のガラスペーストが使用される。しかし、
このような低軟化点のガラスペーストは、外部電極の焼
成時にガラスが電極表面に浮き上がり、素体同士または
素体と焼成治具との貼り付きが生じて歩留まりが低下す
ることがある。さらに、アルミナシートは、１４００℃
前後でなければ焼結しないため、高い焼成温度が必要で
ある。このため、例えば熱に弱い負特性サーミスタ素子
では、アルミナシートの焼成時における変質を避けるこ
とができない。
【０００６】このような理由から、前記従来の保護膜を
有するチップ状回路部品では、小形の製品を歩留りよく
製造することができないという課題があった。そこで本
発明は、前記従来技術の課題に鑑み、チップ状の素体の
所定の面に緻密な保護膜を低温で形成したチップ状回路
部品を提供することを目的とする。
有するチップ状回路部品では、小形の製品を歩留りよく
製造することができないという課題があった。そこで本
発明は、前記従来技術の課題に鑑み、チップ状の素体の
所定の面に緻密な保護膜を低温で形成したチップ状回路
部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明では、
前記の目的を達成するため、 チップ状の素体１の表面
の外部電極７を形成する部分を除く所定の部分に絶縁性
の保護膜３が形成されたチップ状回路部品において、前
記保護膜３が真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法等の物理的膜形成法、化学的気相成長
法、噴霧熱分解法等の化学的膜形成法の何れかにより形
成された無機酸化物薄膜からなることを特徴とするチッ
プ状回路部品を提供する。この場合において、保護膜３
は酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの少
なくとも何れかの非晶質膜であることが望ましい。
前記の目的を達成するため、 チップ状の素体１の表面
の外部電極７を形成する部分を除く所定の部分に絶縁性
の保護膜３が形成されたチップ状回路部品において、前
記保護膜３が真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法等の物理的膜形成法、化学的気相成長
法、噴霧熱分解法等の化学的膜形成法の何れかにより形
成された無機酸化物薄膜からなることを特徴とするチッ
プ状回路部品を提供する。この場合において、保護膜３
は酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの少
なくとも何れかの非晶質膜であることが望ましい。
【０００８】
【作用】前記本発明によるチップ状回路部品は、保護膜
３が真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法等の物理的膜形成法、化学的気相成長法、噴霧熱
分解法等の化学的膜形成法の何れかにより形成された無
機酸化物薄膜からなるが、このような薄膜は緻密な非晶
質薄膜である。例えば、導電ペーストの塗布とその焼付
け、或はアルミナシートの被覆と焼付等で形成される前
記従来の保護膜に比べると、１／２０以下の膜厚であ
る。また、このような薄膜は１０００℃以下の低温で形
成することが可能である。しかも、一旦できあがった膜
は、その軟化点が１０００度以上になり、外部電極焼成
時に素体同士や素体と焼成治具とが貼り付いたりするこ
とがない。特にこのような薄膜としては、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの非晶質膜がよく、
緻密性の高く安定した絶縁性の薄膜が容易に形成でき
る。
３が真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法等の物理的膜形成法、化学的気相成長法、噴霧熱
分解法等の化学的膜形成法の何れかにより形成された無
機酸化物薄膜からなるが、このような薄膜は緻密な非晶
質薄膜である。例えば、導電ペーストの塗布とその焼付
け、或はアルミナシートの被覆と焼付等で形成される前
記従来の保護膜に比べると、１／２０以下の膜厚であ
る。また、このような薄膜は１０００℃以下の低温で形
成することが可能である。しかも、一旦できあがった膜
は、その軟化点が１０００度以上になり、外部電極焼成
時に素体同士や素体と焼成治具とが貼り付いたりするこ
とがない。特にこのような薄膜としては、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの非晶質膜がよく、
緻密性の高く安定した絶縁性の薄膜が容易に形成でき
る。
【０００９】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細に説明する。図１は、本発明の実施例によ
るチップ状回路部品を、その製造工程に従って示したも
のである。まず、図１（ａ）に示すように、チップ状の
素体１を用意する。この素体１は、例えばチップ形サー
ミスタ、積層セラミックコンデンサ或は積層セラミック
インダクタ等の素体であり、直方体形のセラミック積層
体或は円柱体の無空体からなるチップ状のものである。
について詳細に説明する。図１は、本発明の実施例によ
るチップ状回路部品を、その製造工程に従って示したも
のである。まず、図１（ａ）に示すように、チップ状の
素体１を用意する。この素体１は、例えばチップ形サー
ミスタ、積層セラミックコンデンサ或は積層セラミック
インダクタ等の素体であり、直方体形のセラミック積層
体或は円柱体の無空体からなるチップ状のものである。
【００１０】次に、図１（ｂ）に示すように、この素体
１の端面に、例えばディップ法等の手段でマスカントイ
ンク等のレジスト２、２を塗布し、硬化させる。この状
態で、素体１を真空蒸着装置に入れ、図１（ｃ）に示す
ように、その全面に保護膜材料を蒸着し、保護膜３を形
成する。この保護膜３は、例えば非晶質の酸化アルミニ
ウム、酸化珪素或は酸化ジルコニウム等の無機物からな
る非晶質薄膜である。
１の端面に、例えばディップ法等の手段でマスカントイ
ンク等のレジスト２、２を塗布し、硬化させる。この状
態で、素体１を真空蒸着装置に入れ、図１（ｃ）に示す
ように、その全面に保護膜材料を蒸着し、保護膜３を形
成する。この保護膜３は、例えば非晶質の酸化アルミニ
ウム、酸化珪素或は酸化ジルコニウム等の無機物からな
る非晶質薄膜である。
【００１１】なお、保護膜３は、物理蒸着法の他に噴霧
熱分解法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタリン
グ法によっても形成できる。例えば、噴霧熱分解法の場
合は、アルミニウム、珪素、ジルコニウム等の無機物を
含んだ有機化合物を常温で霧化し、加熱された素体１の
表面で化学反応を起こさせて前記無機物の酸化膜を成膜
して保護膜３を形成する。ＣＶＤ法の場合は、有機化合
物または無機化合物をガス化し、これを熱分解し、素体
１の表面に酸化物を成膜して保護膜３を形成する。ま
た、スパッタリング法の場合は、酸化物ターゲットをア
ルゴンガス中でスパッタリングするか、或は非酸化物タ
ーゲットを酸素ガスを導入したアルゴンガス中で反応性
スパッタリングし、保護膜３を形成する。
熱分解法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタリン
グ法によっても形成できる。例えば、噴霧熱分解法の場
合は、アルミニウム、珪素、ジルコニウム等の無機物を
含んだ有機化合物を常温で霧化し、加熱された素体１の
表面で化学反応を起こさせて前記無機物の酸化膜を成膜
して保護膜３を形成する。ＣＶＤ法の場合は、有機化合
物または無機化合物をガス化し、これを熱分解し、素体
１の表面に酸化物を成膜して保護膜３を形成する。ま
た、スパッタリング法の場合は、酸化物ターゲットをア
ルゴンガス中でスパッタリングするか、或は非酸化物タ
ーゲットを酸素ガスを導入したアルゴンガス中で反応性
スパッタリングし、保護膜３を形成する。
【００１２】次に、図１（ｄ）に示すように、素体１の
両端のレジスト２、２を除去する。これにより、素体１
の端面の保護膜３もレジスト２、２と共に除去され、素
体１の両側面と上下面にのみに保護膜３が残される。
両端のレジスト２、２を除去する。これにより、素体１
の端面の保護膜３もレジスト２、２と共に除去され、素
体１の両側面と上下面にのみに保護膜３が残される。
【００１３】このようにして保護膜３が形成された素体
１の保護膜３が設けられていない両端部に外部電極７、
７を設けるのは、例えば次の方法により行われる。ま
ず、保護膜３で覆われてない素体１の両端部に、ディッ
プ法等の手段で銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、
これを焼き付けて導体膜４、４を形成する。次に、この
導体膜４の上にニッケルと半田或は錫等のメッキを順次
施し、導体膜５、５、６、６を形成する。これにより、
両端に外部電極７、７を有するチップ状回路部品が完成
する。
１の保護膜３が設けられていない両端部に外部電極７、
７を設けるのは、例えば次の方法により行われる。ま
ず、保護膜３で覆われてない素体１の両端部に、ディッ
プ法等の手段で銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、
これを焼き付けて導体膜４、４を形成する。次に、この
導体膜４の上にニッケルと半田或は錫等のメッキを順次
施し、導体膜５、５、６、６を形成する。これにより、
両端に外部電極７、７を有するチップ状回路部品が完成
する。
【００１４】既に述べた通り、真空蒸着法、噴霧熱分解
法、化学的気相成長法及びスパッタリング法の何れかに
より形成された無機酸化物薄膜からなる保護膜３は、緻
密な非晶質薄膜である。例えば、導電ペーストの塗布と
その焼付け、或はアルミナシートの被覆と焼付等で形成
される厚さ５０〜６０μｍの厚膜に比べると、その厚さ
は１〜２μｍと、１／２０以下である。また、このよう
な薄膜は１０００℃以下の低温で形成することが可能で
あり、１０００℃以上の軟化点を有する石英ガラスの保
護膜をペーストの塗布と焼付けという手段で形成したも
のと同程度に緻密な保護膜がそれよりはるかに低い温度
で形成できる。
法、化学的気相成長法及びスパッタリング法の何れかに
より形成された無機酸化物薄膜からなる保護膜３は、緻
密な非晶質薄膜である。例えば、導電ペーストの塗布と
その焼付け、或はアルミナシートの被覆と焼付等で形成
される厚さ５０〜６０μｍの厚膜に比べると、その厚さ
は１〜２μｍと、１／２０以下である。また、このよう
な薄膜は１０００℃以下の低温で形成することが可能で
あり、１０００℃以上の軟化点を有する石英ガラスの保
護膜をペーストの塗布と焼付けという手段で形成したも
のと同程度に緻密な保護膜がそれよりはるかに低い温度
で形成できる。
【００１５】このような保護膜３を形成する薄膜として
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの
非晶質膜がよく、緻密性の高く、安定した絶縁性の保護
膜３が容易に形成できる。他にも、硼素、ハフニウム、
バナジウム、モリブデン、タンタル、タングステン等の
酸化物薄膜により保護膜３を形成することもできる。
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの
非晶質膜がよく、緻密性の高く、安定した絶縁性の保護
膜３が容易に形成できる。他にも、硼素、ハフニウム、
バナジウム、モリブデン、タンタル、タングステン等の
酸化物薄膜により保護膜３を形成することもできる。
【００１６】なお、前記の実施例では、素体１の両端に
レジスト２、２を塗布し、素体１の端面の保護膜３をレ
ジスト２、２と共に除去することで、所定の面に保護膜
３を形成している。この他に、素体１の全面に保護膜３
となる非晶質の無機酸化物薄膜を形成した後、素体１の
端面を研磨して、端面の保護膜３のみを除去するように
してもよい。
レジスト２、２を塗布し、素体１の端面の保護膜３をレ
ジスト２、２と共に除去することで、所定の面に保護膜
３を形成している。この他に、素体１の全面に保護膜３
となる非晶質の無機酸化物薄膜を形成した後、素体１の
端面を研磨して、端面の保護膜３のみを除去するように
してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、薄
い保護膜３を素体１の温度の影響を与えることがない低
い温度で形成できるため、長期にわたって特性変化の小
さいチップ状回路部品が歩留良く生産できるようにな
る。
い保護膜３を素体１の温度の影響を与えることがない低
い温度で形成できるため、長期にわたって特性変化の小
さいチップ状回路部品が歩留良く生産できるようにな
る。
【図１】本発明の実施例によるチップ状回路部品をその
工程に従って素体を除いて断面した側面図である。
工程に従って素体を除いて断面した側面図である。
【図２】従来例によるチップ状回路部品の素体を除いて
断面した側面図である。
断面した側面図である。
１ 素体 ２ レジスト ３ 保護膜 ４ 導体膜 ５ 導体膜 ６ 導体膜 ７ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ状の素体（１）の表面の外部電極
（７）を形成する部分を除く所定の部分に絶縁性の保護
膜（３）が形成されたチップ状回路部品において、前記
保護膜（３）が真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法等の物理的膜形成法、化学的気相成長
法、噴霧熱分解法等の化学的膜形成法の何れかにより形
成された無機酸化物薄膜からなることを特徴とするチッ
プ状回路部品。 - 【請求項２】 前記請求項１において、保護膜（３）が
酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウムの少な
くとも何れかの非晶質薄膜からなるチップ状回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097022A JPH06290989A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | チップ状回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097022A JPH06290989A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | チップ状回路部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290989A true JPH06290989A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14180788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5097022A Withdrawn JPH06290989A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | チップ状回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06290989A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176450A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック素子の製造方法 |
| JP2001185425A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法及び無線端末装置 |
| JP2004172367A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR100541075B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2006-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR100541074B1 (ko) * | 1998-12-19 | 2006-03-14 | 삼성전기주식회사 | 납내열 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서 |
| WO2012046554A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2014170874A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品 |
| US9840787B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
| JP2018018845A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018018846A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018170493A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2021019002A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JP2022040762A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5097022A patent/JPH06290989A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176450A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック素子の製造方法 |
| KR100541074B1 (ko) * | 1998-12-19 | 2006-03-14 | 삼성전기주식회사 | 납내열 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR100541075B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2006-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2001185425A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法及び無線端末装置 |
| JP2004172367A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| WO2012046554A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2014170874A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品 |
| US9840787B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
| DE112014002826B4 (de) | 2013-06-13 | 2022-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Keramikelektronikkomponente und Verfahren zur Herstellung derselben |
| JP2018018845A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018018846A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018170493A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2022116342A (ja) * | 2017-03-29 | 2022-08-09 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2021019002A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JP2022040762A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06290989A (ja) | チップ状回路部品 | |
| JPH03504551A (ja) | サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH01118760A (ja) | センサの製造方法 | |
| JPH043407A (ja) | 電子部品ならびにその製造方法 | |
| JPS5969907A (ja) | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ | |
| JPH05335173A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| US3916071A (en) | Ceramic substrate for receiving resistive film and method of forming chromium/chromium oxide ceramic substrate | |
| JP2942128B2 (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH0423401B2 (ja) | ||
| JPH07245878A (ja) | チップ型マイクロギャップ式サージアブソーバ | |
| JPH0945577A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JPH01120802A (ja) | 抵抗内蔵電子部品の製造方法 | |
| JPH06188162A (ja) | チップ状回路部品の外部電極形成方法 | |
| JP3524298B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 | |
| JPH09148105A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP3290289B2 (ja) | チップ型ｃｒネットワーク素子の製造方法 | |
| JPH07201533A (ja) | チップ部品 | |
| JPS60236207A (ja) | 積層型電子部品の電極形成方法 | |
| JPH0227710A (ja) | チップ型ｃｒ複合部品およびその製造方法 | |
| JPH0521205A (ja) | 角板形チツプ固定抵抗器 | |
| JP3433029B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 | |
| JPH087615Y2 (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP2001015381A (ja) | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 | |
| JPS6033793B2 (ja) | 銅被膜を有するセラミツク体 | |
| JPH06244010A (ja) | チップ状回路部品の保護膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |