JP2001185425A - 電子部品の製造方法及び無線端末装置 - Google Patents
電子部品の製造方法及び無線端末装置Info
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Abstract
び無線端末装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基台11の全面に導電膜12を形成し、
導電膜12に溝13を形成し、導電膜12のほぼ全面に
保護材14を形成し、保護材14の内で基台11の端面
上の部分及び溝13を覆う部分を残して、他の保護材1
4を除去し、他の保護材14を除去した部分に端子部1
5,16を形成した。
Description
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品の製造方法及び無線端末装置に関するもの
である。特に、絶縁性の基台上に導電膜又は抵抗膜を設
けた電子部品の製造方法及び無線端末装置に関するもの
である。
す側面図である。図10において、1は四角柱状また
は、円柱状の基台、2は基台1の上に形成された導電
膜、3は導電膜2に設けられた溝、4は導電膜2の上に
積層された保護材である。
整することによって、所定の特性に調整する。
号公報,特開平7−297033号公報,特開平5−1
29133号公報,特開平1−238003号公報,実
開昭57−117636号公報,特開平5−29925
0号公報等がある。
上させるために、インダクタンス素子の両端面に端子電
極等を設けない構成を有するものが提案されている。
タンス素子で発生した磁束効率の障害となるインダクタ
ンス素子端部の導電性端子の厚さをできるだけ薄くする
か0とすることによって、Q値を向上できると共に、イ
ンダクタンス素子の端面に端子電極を設けていないの
で、インダクタンス素子の端部方向に突出する半田など
の接合材の長さを短くすることができ、高密度の実装に
も適している。
の様に、端面に絶縁塗料を設けるフィレットレス型のイ
ンダクタが提案されている。
成では、基台に導電膜を形成した後に、基台端面上の導
電膜の上に絶縁塗料を形成した後に、溝等を導電膜に施
して、コイル部を形成し、更にその後に絶縁塗料をコイ
ル部を覆うように形成し、そのコイル部を覆う絶縁塗料
と基台の端面上に設けられた絶縁塗料との間に設けられ
た隙間に電極を形成する方法であるので、絶縁塗料を基
台の端面上及びコイル部を覆う絶縁塗料を別々に設ける
工程が必要となり、工数が多くかかり、生産性が悪いと
いう問題点があった。
で、高精度で生産性の良い電子部品の製造方法及び無線
端末装置を提供することを目的とする。
導電膜を形成し、導電膜に溝を形成し、導電膜のほぼ全
面に保護材を形成し、保護材の内で基台の端面上の部分
及び溝を覆う部分を残して、他の保護材を除去し、他の
保護材を除去した部分に端子部を形成した。
面に導電膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、前記導
電膜のほぼ全面に保護材を形成し、前記保護材の内で前
記基台の端面上の部分及び溝を覆う部分を残して、他の
保護材を除去し、前記他の保護材を除去した部分に端子
部を形成した事を特徴とする電子部品の製造方法とした
ことによって、端面上の保護材と溝を形成した部分の保
護材を一つの工程で作製できるので、生産性が向上す
る。また、この構成によって、保護材を精度良く取り除
くことで、非常に精度の良い端子部を形成できるので、
確実に素子の実装性を向上させることができ、しかもQ
値等の劣化を防止することができる。
膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、前記基台の端面
上に形成された前記導電膜の部分及び前記溝を形成した
前記導電膜の部分を開口させるように被覆部材を形成
し、前記保護材を前記開口部分に形成し、その後に前記
被覆部材を取り除き、前記被覆部材を取り除いた部分に
端子部を形成した事を特徴とする電子部品の製造方法と
したことによって、端面上の保護材と溝を形成した部分
の保護材を一つの工程で作製できるので、生産性が向上
する。また、この構成によって、保護材を精度良く取り
除くことで、非常に精度の良い端子部を形成できるの
で、確実に素子の実装性を向上させることができ、しか
もQ値等の劣化を防止することができる。更に、保護材
を除去しない構成であるので、保護材除去の際に、他の
部材にダメージを加えることはないので、特性の劣化を
生じない。
なくとも一部を除いて前記基台上に導電膜を形成し、前
記導電膜に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面及び前記
基台の端面にむき出しになった部分に保護材を形成し、
前記保護材の内で前記基台の端面上の部分及び溝を覆う
部分を残して、他の保護材を除去し、前記他の保護材を
除去した部分に端子部を形成した事を特徴とする電子部
品の製造方法とする事によって、端面上の保護材と溝を
形成した部分の保護材を一つの工程で作製できるので、
生産性が向上する。また、この構成によって、保護材を
精度良く取り除くことで、非常に精度の良い端子部を形
成できるので、確実に素子の実装性を向上させることが
でき、しかもQ値等の劣化を防止することができる。ま
た、基台の端面上に導電膜が存在しない部分を設けるこ
とができるので、Q値の劣化を更に防止できる。
なくとも一部を除いて前記基台上に導電膜を形成し、前
記基台の端面上の部分及び前記溝を形成した前記導電膜
の部分を開口させるように被覆部材を形成し、前記保護
材を前記開口部分に形成し、その後に前記被覆部材を取
り除き、前記被覆部材を取り除いた部分に端子部を形成
した事を特徴とする電子部品の製造方法とする事によっ
て、端面上の保護材と溝を形成した部分の保護材を一つ
の工程で作製できるので、生産性が向上する。また、こ
の構成によって、保護材を精度良く取り除くことで、非
常に精度の良い端子部を形成できるので、確実に素子の
実装性を向上させることができ、しかもQ値等の劣化を
防止することができる。更に、保護材を除去しない構成
であるので、保護材除去の際に、他の部材にダメージを
加えることはないので、特性の劣化を生じない。また、
基台の端面上に導電膜が存在しない部分を設けることが
できるので、Q値の劣化を更に防止できる。
抗膜を設けた事を特徴とする請求項1〜4いずれか1記
載の電子部品の製造方法とする事によって、抵抗器でも
確実にフィレットレス構造を容易に生産することができ
る。
タ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号に
変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の少
なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及び
前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御する
制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路,フ
ィルタ回路,アンテナ部及び各段とのマッチング回路周
辺部等の少なくとも一つに請求項1〜5いずれか1記載
の電子部品の製造方法によって作製された電子部品を用
いたことを特徴とする無線端末装置とする事によって、
精度良く端子部を形成できるので、Q値劣化を防止で
き、装置の特性劣化を防止でき、しかも高密度実装を行
えるので、装置内部の回路基板などを小型化できる。
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。
態におけるインダクタンス素子を示す側面図及び底面図
である。
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。
た溝で、溝13は、レーザ光線等を導電膜12に照射す
ることによって形成したり、導電膜12に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。
面上に設けられた導電膜12上及び基台11端面上の導
電膜12上にそれぞれ設けられている。
も側面上にそれぞれ取り付けられた端子部である。
L2,高さL3は以下の通りとなっていることが好まし
い。
0.3〜0.8mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) L1が0.2mm以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができない。また、L1が2.0mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、L2,L3それぞれが0.1mm以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、L2,L3が1.0mm以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。
について、以下各部の詳細な説明をする。
とが好ましく、図1,2に示す様に基台11を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台11を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台11を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。
によって、後述するように基台11上に導電膜12を形
成し、その導電膜12にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。なお、図
示していないが、基台11の中央部に段差部を全周に渡
って設け、この段差部の中に、導電膜12と溝13を設
けてコイル部を設けてもよい。
て説明する。
が施されており、その面取りした角部11b,11cの
それぞれの曲率半径R1及び角部11aの曲率半径R2
は以下の通りに形成されることが好ましい。
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11b,11cに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
b,11cが丸くなりすぎて、マンハッタン現象を起こ
しやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.01m
m以下であると、角部11aにバリなどが発生しやす
く、素子の特性を大きく左右する導電膜12の厚みが角
部11fと平坦な部分で大きく異なることがあり、素子
特性のばらつきが大きくなる。
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。また、
アルミナ材料の具体的な材料としては、Al2O3が92
重量%以上,SiO2が6重量%以下,MgOが1.5
重量%以下,Fe2O3が0.1%以下,Na2Oが0.
3重量%以下等が挙げられる。
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台11をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンスを
有する素子を形成することができる。
る。
金,ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,
銀,金,ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
めに所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と非
金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコス
ト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合金
がよく用いられる。導電膜12の材料として、銅等を用
いる場合には、まず、基台11上に無電解メッキによっ
て下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所
定の銅膜を形成して導電膜12が形成される。更に、合
金等で導電膜12を形成する場合には、スパッタリング
法や蒸着法で構成することが好ましい。
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜12に形成される溝13の幅K1と
溝13と溝13の間の導電膜12の幅K2は以下の関係
を有する事が好ましい。
mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) としたインダクタンス素子とした場合、上述のK1,K
2は上述の範囲とすることによって、電気抵抗を小さく
することができ、しかも導電膜12に形成される溝13
を精度良く形成することができ、更に導電膜12の膜厚
を厚くした場合に確実に溝13を形成することができ
る。
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜12を複数積層して構成しても良い。例えば、基台1
1の上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属
膜(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に
問題がある銅の腐食を防止することができる。
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
材料、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料や電
着膜が用いられる。また、保護材14としては、溝13
の状況等が観測できるような透明度を有する事が好まし
い。
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材14の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部と回路基板の配線の間に隙間が生じることが
あり、十分な電気的接合を行うことができないことがあ
るが、電着膜で保護材14を形成することによって、薄
くしかも均一な保護材14を形成できるので、素子を回
路基板などに実装したときに、端子部と配線との間の隙
間が非常に小さくなり、配線と基板の端子間の電気的接
合は十分に行うことができる。
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材14を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材14を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。
クリル系樹脂,エポキシ系樹脂,フッ素系樹脂,ウレタ
ン系樹脂,ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も1つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材14を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系,アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜12の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材14は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部13の上に並列して設けても
よい。
材14の厚さが数十ミクロンで20V以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかも半田の融点である183℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、183℃で保護材14が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。
タンス素子には、導電膜12と保護材14の密着強度を
持たせることが重要になってくる場合がある。この場合
には、導電膜12の表面を化学的エッチングすることに
よって粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成し
た保護材14を設けることが好ましい。
た場合、電着膜である保護材14は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜12の上
にNi等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材1
4を形成しても良い。
μm程度の厚みとすることが好ましい。
明する。
た導電膜12上と基台11の側面上に設けられた導電膜
12上にそれぞれ設けられている。
て、基台11端面上に設けられた導電膜12の保護を行
うことになり、導電膜12の耐候性や他の材料等よる浸
食などを防止することができる。また、保護材14を基
台11端面上に設けられた導電膜12上に形成する事に
よって、端子部15,16が基台11端面上に存在しな
いかあるいは所定の面積のみ存在することになるので、
基台11端面上に形成される導電材料の厚みを薄くする
ことができるのでQ値などを向上させることが得きると
共に、半田などの接合材が基台端面から大きく突出しな
いので、高密度実装にも適している。
11の端面上に設けられた保護材14は基台11の側面
までは延在しておらず、しかも端子部15,16は、基
台11の側面のみに形成されている。この様な構成であ
れば、基台11の端面に存在する導電性材料の厚みは、
導電膜12の厚みのみとなり、磁束のながれを阻害する
物体が僅かであるので、Q値の低下を防止でき、しかも
回路基板などに実装した際に、基台11の端面には端子
部15,16が存在しないので、基台11の端面方向に
向かって、半田などの接合材が突出することはないの
で、高密度実装を容易に行うことができる。また、基台
11の端面に設けられた導電膜12上に保護材14が設
けられているので、容易に端子部15,16が基台11
端面上に設けられた導電膜12上に形成されるのを防止
できるので、生産性などが向上する。
に示す実施の形態1の相違点は、端子部15,16を基
台11の端面上の導電膜12の上まで延在させた点であ
る。
の端面上の導電膜12上にも端子部15,16を設けた
ことによって、回路基板などとの接合の際に、半田等の
接合材との接触面積を広くする事ができるので、接合性
を向上させることができる。なお、この実施の形態の場
合、基台11の端面上に多少端子部15,16が存在す
ることになり、図1,2に示す実施の形態よりはQ値の
劣化を防止する効果は低減するが、やはり、保護材14
が基台11端面上の導電膜12に保護材14が設けられ
ている分、導電膜12の保護を行うことができ、特性の
劣化等を防止できる。なお、実施の形態2の場合、基台
11端面の面積の50%以下(好ましくは30%以下)
となるように端子部15,16の基台11端面上におけ
る形成面積を特定する事で、Q値の劣化を防止できる。
なお、上記接合性を向上させるためには、基台11端面
の面積の2%以上好ましくは5%以上端子部15,16
の形成面積を確保する事が望ましい。
1の端面上に設けた導電膜12上に形成した保護材14
を更に、基台11側面上の導電膜12上まで延在させた
例である。この様な構成であれば、確実に端子部15,
16が基台11端面上の導電膜12の上に存在しないよ
うに構成できるので、Q値の向上などを確実に行うこと
ができる。
子部15,16の最表面と基台11側面に設けられた保
護材14の最表面をほぼ同じ高さとしたが、回路基板な
どとの接合性を向上させる場合には、少なくとも、基台
11側面上に設けられた保護材14の最表面よりも端子
部15,16の最表面が外方へ突出するように、端子部
15,16の形成厚さを厚くするなどして構成すること
が望ましい。
護材14よりも突出させる構成であると、端子部15,
16の形成条件などが厳しくしないと端子部15,16
それぞれの突出高さが異なり、素子が傾いて実装させる
事等が考えられる場合には、実施の形態1,2,3の様
に、端子部15,16の最表面と保護材14の最表面を
ほぼ同じにするか、あるいは、多少端子部15,16の
最表面を保護材14の最表面よりもやや窪ませる事が好
ましく、この場合には接合強度等に多少問題が生じる可
能性はあるが、これらは、実装の際の諸条件を調整する
ことによって、容易に解決できる。
部15,16はそれぞれ基台11の側面全周に渡って環
状に設けたが(実施の形態1,2,3の場合には四角柱
状の基台11の例を示しているので、基台11の4側面
の全て)、少なくとも一部に(実施の形態1,2,3の
場合には、例えば基台11の1側面上のみに設ける等)
設けることで、素子を実装する際に方向性が生じて多少
実装特性が劣化するものの、高密度実装を行うことがで
きる。
は、基台11の端面上に導電膜12を介して保護材14
を設けたが、基台11の端面上に導電膜12を設けず
に、基台11の端面上に直接保護材14を設けても良
い。この様な構成によって、基台11端面上に導電性部
材が存在しないので、Q値などの特性を確実に向上させ
ることができる。
11の両端の端面にそれぞれ保護材14を設けたが、少
なくとも一方設けることで、少なくとも基台11の一方
の端面に形成された導電膜12や基台11等の特性劣化
等を防止できる。更にこの構成によれば、素子の所定の
方向を基台11の一方の端面に設けられた保護材14を
目印にすることによって、決める事ができるので、実装
の時などに都合がよい。
部15,16を形成する導電膜12の部分は、他の部分
とほぼ同じ厚さとしたが、端子部15,16を形成する
導電膜12の部分を他の部分よりも薄くし、端子部1
5,16を厚く形成することによって、端子部15,1
6の膜特性を良好にすることができ、電気的特性などを
向上させることができる。
1の側面上の保護材14と基台11の端面上の保護材1
4は完全に分離して設けられていたが、各保護材を一体
に形成しても良い。例えば素子全体に保護材14を形成
し、少なくとも基台11の側面上に保護材14が存在し
ない開口を設け、その開口に端子部15,16を形成し
ても良く、この構成によって、開口の形状を適宜決定す
ることによって、端子部15,16の形状を任意に設計
することができ、使用環境や回路基板の状態などによっ
て、好ましい端子部15,16形状とすることができ
る。
ば、下記の様な構成が考えられる。
5,16を構成し、端子部15,16は塗布やメッキ法
等によって形成される。
5,16を構成し、端子部15,16は塗布やメッキ法
などで構成する。
膜を形成し、その耐食膜を端子部15,16とし、メッ
キ法などの薄膜形性技術で端子部15,16を形成す
る。
膜を形成し、その接合膜を端子部15,16とし、メッ
キ法などの薄膜形性技術で端子部15,16を形成す
る。
膜と接合性を有する接合膜を順に積層して形成し、その
積層体を端子部15,16とし、メッキ法などの薄膜形
性技術で端子部15,16を形成する。
自体を端子部15,16とする。
Cr等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材料の合金
膜(Ni−Cr等)等の耐食膜を膜厚0.5〜3μmの
膜厚で構成することが良い。特に、Ni単体か若しくは
Ni合金を用いることが、特性面やコスト面等で優れて
いる。
合材(Sn単体もしくはSnにAg,Cu,Zn,B
i,Inの少なくとも一つを含ませた鉛フリー半田等)
で構成された接合膜を5〜10μmの膜厚で形成しても
良い。
について、以下その製造方法について説明する。
や押し出し法によって、例えば数素子から数十素子分の
基台11を作製し次にその基台11全体にメッキ法やス
パッタリング法などによって導電膜12をほぼ全面に形
成するか、或いは、基台11の端面の全面を除いて或い
は基台11の端面の一部を除いて導電膜12を形成す
る。ここで、導電膜12を基台11のほぼ全面に形成す
るという意味合いは、基台11上の全面に導電膜12を
形成したつもりであるが、製造工程の不具合などによっ
て、導電膜12の欠陥等が生じ、一部導電膜12が形成
されていない部分が存在する場合でも、本実施の形態の
含まれると言うことである。
イラル状の溝13を所定間隔で一つ或いは複数個設け、
そのスパイラル状の溝13を挟むように基台11を切断
し、基台11に導電膜12と溝13を形成した半完成の
素子を作製する。
製される。レーザ加工は、非常に生産性が良いので、以
下レーザ加工について説明する。まず、基台11を回転
装置に取り付け、基台11を回転させ、そして基台11
にレーザを照射して導電膜12及び基台11の双方を取
り除き、スパイラル状の溝13を形成する。
シマレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いることができ、
レーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基台1
1に照射する。
を調整し、溝13の幅等は、レーザ光を絞り込む際のレ
ンズを交換することによって行える。また、導電膜12
の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なるので、
レーザの種類(レーザの波長)は、導電膜12の構成材
料によって、適宜選択することが好ましい。なお、砥石
などを用いて溝13を形成しても良い。
法などを用いて、保護材14を形成する。この保護材1
4を形成する方法を以下に説明する。
形成し、溝13を形成した後に、少なくとも導電膜12
全体に保護材14を形成し、端子部15,16を形成し
ようとする部分に、切削や高エネルギービーム等を照射
して、導電膜12をむき出しにする。むき出しになった
導電膜自体を端子部15,16とするか、或いは導電膜
12がむき出しになった部分に塗布やメッキ法などを用
いて端子部15.16を形成する。また、基台11の端
面の全面を除いて或いは基台11の端面の一部を除いて
導電膜12を形成した場合には、基台11の端面の少な
くとも一部はむき出しになるので、この場合には、保護
材14は基台11上に直接形成される。
した後に、保護材14を形成してはいけない導電膜12
上にレジストなどを塗布し、その後に電着法などで保護
材14を形成し、保護材14を形成した後に、レジスト
を取り除いて、導電膜12をむき出しにし、むき出しに
なった導電膜12自体を端子部15,16とするか、或
いは導電膜12がむき出しになった部分に塗布やメッキ
法などを用いて端子部15.16を形成する。また、基
台11の端面の全面を除いて或いは基台11の端面の一
部を除いて導電膜12を形成した場合には、基台11の
端面の少なくとも一部はむき出しになるので、この場合
には、保護材14は基台11上に直接形成される。
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台11の上に導電膜12を形成する電子部品でも同様な
効果を得ることができる。
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜12にスパイラル状の溝13を設けるのではなく、環
状の溝等を設けることによって、導電膜12を少なくと
も2分する事によって、チップコンデンサとしても使用
することができる。
形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロック図
である。図8及び図9において、29は音声を音声信号
に変換するマイク、30は音声信号を音声に変換するス
ピーカー、31はダイヤルボタン等から構成される操作
部、32は着信等を表示する表示部、33はアンテナ、
34はマイク29からの音声信号を復調して送信信号に
変換する送信部で、送信部34で作製された送信信号
は、アンテナ33を通して外部に放出される。35はア
ンテナ33で受信した受信信号を音声信号に変換する受
信部で、受信部35で作成された音声信号はスピーカー
30にて音声に変換される。36は送信部34,受信部
35,操作部31,表示部32を制御する制御部であ
る。
から制御部36に着信信号を送出し、制御部36は、そ
の着信信号に基づいて、表示部32に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部31から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部36に送出されて、
制御部36は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ33で受信した信号は、受信部35で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー30から音声として出力
されると共に、マイク29から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部34を介し、アンテナ33を通
して外部に送出される。
発信する旨の信号が、制御部36に入力される。続いて
電話番号やメールアドレス等に相当する信号が操作部3
1から制御部36に送られてくると、制御部36は送信
部34を介して、電話番号に対応する信号をアンテナ3
3から送出する。その送出信号によって、相手方との通
信が確立されたら、その旨の信号がアンテナ33を介し
受信部35を通して制御部36に送られると、制御部3
6は発信モードに各部を設定する。即ちアンテナ33で
受信した信号は、受信部35で音声信号に変換され、音
声信号はスピーカー30から音声として出力されると共
に、マイク29から入力された音声は、音声信号に変換
され、送信部34を介し、アンテナ33を通して外部に
送出される。
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。
て製造された電子部品は、発信回路,フィルタ回路,ア
ンテナ部及び各段とのマッチング回路周辺部等の高いQ
を必要とする箇所の少なくとも一つに用いられ、その数
は、一つの無線端末装置に数個〜40個程度用いられて
いる。上述の様な電子部品を用いることによって、精度
良く端子部を形成できるので、Q値劣化を防止でき、装
置の特性劣化を防止でき、しかも高密度実装を行えるの
で、装置内部の回路基板などを小型化できる。
し、前記導電膜に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面に
保護材を形成し、前記保護材の内で前記基台の端面上の
部分及び溝を覆う部分を残して、他の保護材を除去し、
前記他の保護材を除去した部分に端子部を形成した事に
よって、端面上の保護材と溝を形成した部分の保護材を
一つの工程で作製できるので、生産性が向上する。ま
た、この構成によって、保護材を精度良く取り除くこと
で、非常に精度の良い端子部を形成できるので、確実に
素子の実装性を向上させることができ、しかもQ値等の
劣化を防止することができる。
品を搭載したことによって、精度良く端子部を形成でき
るので、Q値劣化を防止でき、装置の特性劣化を防止で
き、しかも高密度実装を行えるので、装置内部の回路基
板などを小型化できる。
素子を示す側面図
素子を示す底面図
素子を示す側面図
素子を示す底面図
素子を示す側面図
素子を示す底面図
示す斜視図
示すブロック図
Claims (6)
- 【請求項1】基台の全面に導電膜を形成し、前記導電膜
に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面に保護材を形成
し、前記保護材の内で前記基台の端面上の部分及び溝を
覆う部分を残して、他の保護材を除去し、前記他の保護
材を除去した部分に端子部を形成した事を特徴とする電
子部品の製造方法。 - 【請求項2】基台の全面に導電膜を形成し、前記導電膜
に溝を形成し、前記基台の端面上に形成された前記導電
膜の部分及び前記溝を形成した前記導電膜の部分を開口
させるように被覆部材を形成し、前記保護材を前記開口
部分に形成し、その後に前記被覆部材を取り除き、前記
被覆部材を取り除いた部分に端子部を形成した事を特徴
とする電子部品の製造方法。 - 【請求項3】基台の端面部の少なくとも一部を除いて前
記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、
前記導電膜のほぼ全面及び前記基台の端面にむき出しに
なった部分に保護材を形成し、前記保護材の内で前記基
台の端面上の部分及び溝を覆う部分を残して、他の保護
材を除去し、前記他の保護材を除去した部分に端子部を
形成した事を特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項4】基台の端面部の少なくとも一部を除いて前
記基台上に導電膜を形成し、前記基台の端面上の部分及
び前記溝を形成した前記導電膜の部分を開口させるよう
に被覆部材を形成し、前記保護材を前記開口部分に形成
し、その後に前記被覆部材を取り除き、前記被覆部材を
取り除いた部分に端子部を形成した事を特徴とする電子
部品の製造方法。 - 【請求項5】導電膜に変えて基台上に抵抗膜を設けた事
を特徴とする請求項1〜4いずれか1記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項6】表示手段と、データ信号もしくは音声信号
の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号をデ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換する
変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信す
るアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線端
末装置であって、発信回路,フィルタ回路,アンテナ部
及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一つ
に請求項1〜5いずれか1記載の電子部品の製造方法に
よって作製された電子部品を用いたことを特徴とする無
線端末装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP36718699A JP3693542B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36718699A JP3693542B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 電子部品の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185425A true JP2001185425A (ja) | 2001-07-06 |
JP3693542B2 JP3693542B2 (ja) | 2005-09-07 |
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ID=18488690
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JP36718699A Expired - Fee Related JP3693542B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 電子部品の製造方法 |
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JP (1) | JP3693542B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004296952A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Tdk Corp | 電子部品及びその外層形成方法 |
US6946945B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH113820A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インダクタンス素子及び無線端末装置 |
JPH11238633A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップインダクタおよびその製造方法 |
JPH11307345A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インダクタンス素子及び無線端末装置 |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36718699A patent/JP3693542B2/ja not_active Expired - Fee Related
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