JPH0627340A

JPH0627340A - 膜のテーパー加工方法

Info

Publication number: JPH0627340A
Application number: JP21393391A
Authority: JP
Inventors: Shunsuke Fujita; 俊介藤田; Masakane Aoki; 真金青木; Kiyoshi Yokomori; 清横森
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1991-08-26
Filing date: 1991-08-26
Publication date: 1994-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】基板上に形成された被加工層の上に増速層、マ
スク層の順に各層が積層されていて増速層は被加工層に
比し同一エッチャントによるエッチング速度が大であ
り、マスク層はエッチャントに対しエッチング耐性を有
するものであり、マスク層にはテーパー状に加工される
べき領域を含めたひとつながりの目的の加工領域に対応
する所定平面形状の開口が１つ又は複数形成されてお
り、この開口を介してエッチャントを導入し、増速層及
び被加工層をエッチングすることにより、被加工層の一
部をテーパー状に形成するテーパー加工方法において、
テーパー比の小さい加工を正確に再現性よく安定して行
うこと。【構成】所定平面形状の開口を有するマスク層４０に端
を接するように開口の一部分に補助形状マスク層５０を
設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、膜のテーパー加工方法
に関し、詳細には、主としてウエットエッチングにより
エッチング速度の異なる２層の積層創造を用いてテーパ
ー構造を形成する薄膜、圧膜などの膜のテーパー加工方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２８、図２９を参照するに、電子素
子、光素子、光電子素子等、特に導波路光学素子におい
て、膜のテーパー加工方法として次の方法がある。

【０００３】それは、基板１０上に被加工層２０を設
け、この被加工層の上にさらに、この被加工層２０に比
し同一エッチャントによるエッチング速度が大なる増速
層３０、エッチャントに対しエッチング耐性を有するマ
スク層４０の順に各層を積層し、マスク層には予めテー
パー状に加工されるべき領域を含めたひとつながりの目
的の加工領域に対応する形状（以下所定平面形状をい
う。）の開口１を１つ又は複数形成しておき、この開口
を介してエッチャントを導入し、増速層３０及び被加工
層２０をエッチングすることにより、図２９に示すよう
に被加工層の一部をテーパー状に加工するものである。
（工業調査会発行の「最新ＬＳＩプロセス技術」参
照）。

【０００４】ここで、被加工層２０としては熱酸化シリ
コン、増速層３０としてはＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，
ＳＯＧ，ＬＴＯその他のＣＶＤ酸化あるいは熱酸化シリ
コンの表面側をイオン注入等により改質したものの例が
ある。

【０００５】あるいは、酸化シリコン、窒化シリコン、
ポリシリコン、アモルファスシリコン、シリサイドその
他の誘電体膜、金属膜、半導体膜等をＰＶＤ法やＣＶＤ
法により成膜条件を変えて積層して、エッチング速度の
違いにより、増速層と被加工層を構成する例もある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の中で
も、特に導波路光学素子等の形成に関るもの等は、テー
パー比（膜圧方向寸法：平面方向寸法）が１：数から
１：数十以下のものを形成する場合がある。

【０００７】このようなエッチングにおいては、増速層
の存在により２層膜の表層側のアンダーカットが急速に
進行してゆくにつれ、その上側のマスク層は図２９に示
すように片持ち状態になる。これは、特に緩傾斜状を呈
する小さなテーパー比の加工を行う場合に著しい。

【０００８】この状態が更に進むと、例えばフォトレジ
スト等で形成されているマスク層は、膜自身の持つ応力
やエッチャントの撹拌による外力等により、元の平面内
に留まることができなくなり、反り上がったり、垂下し
たりする等の変形を生じてしまう。

【０００９】こうなると、エッチングの進行が一定でな
くなり、所望の形状のテーパーが形成できなくなってし
まう。

【００１０】従って、本発明はテーパー比の小さい（傾
斜の緩い）加工を正確に再現性よく安定して行う、膜の
テーパー加工方法を提供することを目的をする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては、（１）．所定平面形状の開口を有するマスク層に端を接
するように開口の一部分に補助形状マスク層を設けるこ
ととした。

【００１２】（２）．（１）において、複数の補助形状
マスク層を一定周期毎に設けることもできる。

【００１３】（３）．（１）において、開口を補助形状
マスク層で仕切り、これにより新たに形成された開口の
一部たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少なく
ともテーパー状に加工されるべき領域に接するもの同士
を略合同形にすると効果的である。

【００１４】（４）．（１）乃至（３）において、補助
形状マスク層の幅を、形成すべきテーパーの平面寸法以
下とすることもできる。

【００１５】（５）．（１）乃至（４）において、補助
形状マスク層のうち、所定平面形状の開口を有するマス
ク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸法程度
とすることもできる。

【００１６】（６）．（１）乃至（５）において、補助
形状マスク層が所定形状の開口を有するマスク層に接す
る部分のうち、被加工層のテーパー形成を要しない部分
の近傍には、増速層を設けないこともできる。

【００１７】（７）．マスク層の厚みを、テーパー形状
のアンダーカット長さの１／１０以上の厚みとなるよう
に形成するもできる。

【００１８】（８）．（７）において、マスク層の一部
を、増速層及び被加工層を貫いて基板に接する構成とす
ることもできる。

【００１９】

【作用】アンダーカット部に対応するマスク層の部分が
橋状機能を果たすマスク層により補強される。

【００２０】

【実施例】

例１．請求項１に対応する実施例本例は、エッチャントを導入するためマスク層に形成さ
れた開口であって、テーパー状に加工されるべき領域を
含めたひとつながりの目的の加工領域に対応する形状
（所定平面形状）の開口部分に、補助形状のマスク層を
形成したものである。

【００２１】この補助形状のマスク層は前記開口のマス
ク層の端間で橋状構造として機能し、これらが互いに支
持しあうため、従来技術におけるが如き、エッチングの
進行に伴うマスク層の片持ち状態を緩和し、マスク層の
変形を防止するものである。

【００２２】かかる、開口が形成されるマスク層と補助
形状のマスク層とは別々に形成される必要はなく、同一
のマスク層を同時にパターニングすることにより一体的
に形成することができる。

【００２３】図を以って説明すれば、本例に係る図１、
図２において、図２７おける従来例と同じ形状大きさの
開口があり、この開口のうち、長手方向に延びて対向す
るマスク層に端を接するようにして補助形状のマスク層
５０が架橋状に２つ設けられている。

【００２４】そこで、補助形状のマスク層５０で仕切ら
れることで新たに形成された３つの開口よりエッチャン
トを導入し、エッチングを行う。

【００２５】エッチングが行われている間、補助形状の
マスク層５０によりマスク層４０の両端は支持されてい
るので、図３に示すように、テーパー加工がなされると
同時に形成されるオーバーハング状のマスク層には何等
変形を生ずることなくエッチングが終了する。

【００２６】かかる例では、補助形状のマスク層５０と
マスク層４０とが接している部分では、マスクする形状
が、補助形状のマスク層を設けない場合と比べて当然異
なることとなり、この部分からのエッチングの進行も変
化して、得られるテーパー形状が補助形状のマスク層を
設けない場合と比べて部分的に変わる。

【００２７】しかし、この部分の全体に占める割合は小
さくすることができるので、支障のない範囲で使用する
ことができる。

【００２８】本例によれば、テーパー比の小さなテーパ
ー形状の加工を行なう際のアンダーカットの進行による
マスク層の片持ち状態を緩和するので、マスク層の変形
によるエッチングの異常を防止し、正確で再現性のよい
テーパー形状の再現が可能となる。

【００２９】例２．請求項２に対応する実施例本例は、図４に示すように、３つの補助形状のマスク層
５２を一定周期毎に配置したものである。

【００３０】これにより、補助形状のマスク層による支
持部材としての機能が最も効率よく発揮される。図４の
例は、開口の形状が一方向に長い場合に有効である。所
定平面形状の二次元的な広がりが大きく開口も大きい場
合は、二方向の周期毎、即ち、格子状に補助形状のマス
ク層を設けるのが有効である。

【００３１】本例では、補助形状のマスク層を効率よく
配置できるので、配置個所数を最小限にでき、補助形状
のマスク層の配置による弊害を最小にできる。

【００３２】例３．請求項３に対応する実施例エッチング工程には、ドライエッチング、ウエットエッ
チングがあるが、ともに、エッチングレートその他の特
性がエッチング面積により変化することが一般に知られ
ている。

【００３３】そこで、本例は、開口を補助形状マスク層
で仕切り、これにより新たに形成された前記開口の一部
たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少なくとも
テーパ状に加工されるべき領域に接するもの同士を略合
同形とするものである。

【００３４】図５（ａ）に示す例では、開口を補助形状
マスク層で仕切り、これにより新たに形成された前記開
口の一部たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少
なくともテーパ状に加工されるべき領域に接するものを
符号１００で示している。

【００３５】これら小開口１００は所定平面形状に沿っ
て形成され、略同形状で略等面積であり、これらに囲ま
れた領域が補助形状のマスク層５３となる。

【００３６】一方、所定平面形状とはいっても、テーパ
ー形状に加工したいのは、その一部分である場合もあ
る。例えば、所定平面形状の一部を構成するものが図５
（ｂ）に鎖線で示す円弧であるとして、この円弧に沿わ
せて複数の小開口１００´を形成し、これら各小開口１
００´を略合同形に形成する。各小開口１００´には補
助形状のマスク層５３´が形成される。

【００３７】図５（ａ）、（ｂ）の各例において、少な
くとも所定平面形状に接する部分は全て同じ条件でエッ
チングが進むので、得られるテーパー形状の均一性、再
現性に優れる。

【００３８】例４．請求項４に対応する実施例以上説明した各例において、もし、形成する補助形状の
マスク層の幅があまりに広いと該マスク層の下側にテー
パー形状の被加工層が残留することになる。この被加工
層の残膜が問題となる場合には、これを残さないように
する必要があり、この為の手段として本例が有効であ
る。本例では、補助形状のマスク層の幅を、形成すべき
テーパーの平面寸法以下とする。

【００３９】図６の例では、補助形状のマスク層５４を
至る所で、その幅が、形成されるべきテーパーの平面方
向の寸法以下としたものである。これにより、補助形状
のマスク層５４の下では全エッチング時間の１／２以下
の時間で増速層が両側よりエッチング除去されるので、
残りの時間に被加工層の残膜は減少していき、所要のテ
ーパー加工がなされる。図６のＢ−Ｂ´断面についてこ
のプロセスを示すと図７乃至図９のようになる。

【００４０】かかるプロセスにおいて、補助形状のマス
ク層５４の幅中央付近で多少の残膜があって、これが問
題になる場合は、ややオーバーエッチングを行うか、予
め、補助形状のマスク層の幅をさらに狭めておくとよ
い。

【００４１】又、マスク層の開口部で被加工層を完全に
除去せず、ある厚さの膜を残したまま、テーパー加工を
したい場合にも、それに応じて補助形状のマスク層５４
の幅を予め減じておけばよい。

【００４２】本例では、補助形状のマスク下での被加工
層の残膜を低減あるいは解消できるので、その部分で、
補助形状のマスク層を用いない場合と同様の断面形状が
得られる。

【００４３】例５．請求項５に対応する実施例本例は以上に述べた全ての実施例に適用できるもので、
補助形状のマスク層のうち、所定平面形状の開口を有す
るマスク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸
法程度としたものである。

【００４４】本例は、所定平面形状と補助形状マスク層
とが接する部分でのテーパー形状の変化が問題となる場
合に有効である。テーパー比が小（緩傾斜）の場合、テ
ーパー部分の平面方向の寸法は、マスク層の最小形成寸
法（例えばマスク層がフォトレジストのとき、露光の解
像度等で定まる値）に比べ十分に大きい。

【００４５】そこで、前記所定平面形状と補助形状マス
ク層とが接する部分での補助形状のマスク層の幅をマス
ク層の最小形成寸法程度としておくことにより、その両
側からのエッチャントの回り込みによって、エッチング
が進行し、その部分でのテーパー形状の差異は無視し得
るほど、小さくすることができる。

【００４６】因みに、前記図６に示した補助形状のマス
ク層５４のうち、所定平面形状に接する部分の幅を前記
最小形成寸法程度以下とした場合を例示したのが図１０
（ａ）に示す補助形状のマスク層５５である。

【００４７】又、前記図５（ｂ）に示した補助形状のマ
スク層５３´のうち、所定形状平面形状に接する部分で
の幅を、前記最小形成寸法程度以下としたのが図１０
（ｂ）に示す補助形状のマスク層５５´である。

【００４８】このように、所定平面形状と補助形状マス
ク層とが接する部分でのテーパー形状の変化が問題とな
る一部分では前記の方法で対処できるが、この一部分以
外であって、形成されるテーパー形状や被加工層の残膜
が不問の場合には、その側で補助形状のマスク層の幅を
大きくすればよく、強度上も有利である。極端な場合に
は、扇状や三角形状の開口部或いは補助形状のマスク層
も考えられる。

【００４９】本例では、補助形状のマスク層の存在によ
り、所定平面形状からのエッチングによるテーパー形成
への悪影響を最小限に抑えることができ、テーパー形状
全体で、実質的に補助形状のマスク層の存在の影響を排
除できる。

【００５０】例６．請求項６に対応する実施例本例は以上に説明した全ての実施例に対して適用が可能
で、テーパー加工を要しない部分と、その近傍には増速
層と設けないようにしたものである。

【００５１】この趣旨に基づき、増速層が設けられない
領域は図１１において符号２００で示す領域であり、こ
の部分ではアンダーカットの進行が少ないので、マスク
層の片持ち状態が出現せず、図１２に示すように領域２
００に接続する補助形状のマスク層５０とで、対向する
側のマスク層４０の片持ち状態を緩和する機能が強化さ
れる。

【００５２】本例では、テーパー加工の不要部側のマス
クの片持ち状態を回避するので、補助形状マスク層とと
もにテーパー形成側の片持ち状態のマスク層を支持する
機能が増し、マスク層の変形を防止する力がさらに強ま
る。

【００５３】これにより、テーパー加工の安定性が更に
増すとともに、より、マスク層に力が加わり易いエッチ
ング法の採用も可能となる。

【００５４】例７．請求項７に対応する実施例本例は、マスク層の厚みを、テーパー形状のアンダーカ
ット長さの１／１０以上の厚みとなるように形成したも
のである。本例では、マスク層４０としてフォトレジス
ト層を用いている。

【００５５】図２７のＣ−Ｃ´断面に相当するエッチン
グ前の断面におけるマスク層４０の厚みｄは、図１４に
示すエッチング後のアンダーカット長さＷに比べ、ｄ＞
Ｗ×１／１０なる条件と満足するように形成している。

【００５６】このような厚みｄで、フォトレジスト層に
よりマスク層４０を形成すると、図２９に示したような
マスク層の垂下はみられなくなることが実験により見出
された。

【００５７】前記の条件を満たした、つまり、ｄ＝１．
３μｍ、Ｗ＝９μｍで実際に行った場合の断面を走査電
子顕微鏡で撮影したのが、図１５に示した写真である。
この図は図１４に対応しており、マスク層の垂下がない
ことがわかる。

【００５８】これに対し、前記条件を満足しない、つま
り、ｄ＝１．５μｍ、Ｗ＝２４μｍで実際に行った場合
には、図１６に示す写真のようにマスク層４０は垂下し
てしまっている。

【００５９】従って、前記条件を満足した本例によれ
ば、マスク層の厚みを厚くしているので、エッチング進
行中及びエッチング後も、マスク層が垂下することがな
く、マスク層の変形によるエッチング異常を防止し、正
確で再現性のよいテーパー加工ができる。

【００６０】例８．請求項８に対応する実施例本例は、前記例７において、マスク層の一部を、増速層
及び被加工層を貫いて基板に接しさせたものである。以
下、図により説明する。

【００６１】工程１（図１７参照）基板１０の上に被加工層２０を、増速層３０をこの順に
積層する。工程２（図１８参照）増速層３０の上に第１のマスク層４０を積層し、その一
部に孔１０００を形成する。工程３（図１９参照）マスク層４０を用いて、孔１０００の部分をドライエッ
チングすることにより、増速層３０、被加工層２０を貫
いて基板１０に達する孔１００１を形成する。工程４（図２０参照）マスク層４０を剥離除去する。

【００６２】工程５（図２１乃至図２３参照）増速層３０上及び孔１００１内にかけて、第２のマスク
層４００を形成する。この時、第２のマスク層４００の
一部４００Ａは孔１００１内にも埋め込まれ、増速層３
０及び被加工層２０を貫いて基板１０に達することによ
り、第２のマスク層４００を支える柱の作用をなし得
る。図２１のＤ−Ｄ´断面は図２２に示すようになり、
図２１のＥ−Ｅ´断面は図２３に示すようになる。

【００６３】工程６（図２４、図２５参照）開口部つまり、マスク層が形成されていない部分からエ
ッチャントを導入し、エッチングを行う。このとき、マ
スク層の一部４００Ａが基板１０に接してマスク層４０
０を支えているので、マスク層４００は片持ちの状態が
改善され、これにより垂下するような変形が防止され
て、エッチングが行われる。これにより、図２４、図２
５に示すようにテーパー加工が行われる。図２４は前記
図２２に対応し、図２５は前記図２３に対応する。

【００６４】工程７（図２６参照）マスク層４００及びマスク層の一部４００Ａとも剥離除
去した後、必要によっては増速層３０も除去する。

【００６５】このとき、図２６に示すように、マスク層
の一部４００Ａが基板１０に接している部分では、エッ
チングの進行も変化して、得られるエッチング形状に突
起７０が現われる。

【００６６】しかし、この突起７０が全体に占める割合
は少なくすることができるので孔１００１を適当に選択
すること等により小さくすることができるので、支障の
ない範囲で使用することができる。又、場合によって
は、やや、オーバーエッチングを行って、この突起７０
の大きさを減少させることもできる。

【００６７】本例では、柱の機能を果たすマスク層の一
部により、マスク層の片持ち状態を緩和しているので、
例５の方法と併せ適用することで、より一層、マスク層
を変形なく、正確かつ、再現性のよいテーパー形状の加
工を行うことができる。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、テーパー比の小さい
（傾斜の緩い）加工を正確に再現性よく安定して行うこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】膜のテーパー加工を行う対象物の平面図であ
る。

【図２】エッチング前における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。

【図３】エッチング後における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。

【図４】補助形状のマスク層を一定周期毎に設けた場合
の説明図である。

【図５】複数の小開口のうち所定のもの同士を略合同形
にした場合の説明図である。

【図６】補助形状のマスク層の幅を形成すべきテーパー
の平面寸法以下にした場合の説明図である。

【図７】エッチング前における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。

【図８】エッチング中における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。

【図９】エッチング後における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。

【図１０】所定部分のマスク層の幅をマスク層の最小形
成寸法程度とした場合の説明図である。

【図１１】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング前の断面図である。

【図１２】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング後の断面図である。

【図１３】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定める場
合のエッチング前の断面図である。

【図１４】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の断面図である。

【図１５】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の断面を電子顕微鏡で拡大し撮影した
写真である。

【図１６】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲外に定めた
場合のエッチング後の断面を電子顕微鏡で拡大し撮影し
た写真である。

【図１７】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成前
の断面図である。

【図１８】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成後
該マスク層に孔を形成後の断面図である。

【図１９】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、孔を増速層、被
加工層にまで及ぼしたときの断面図である。

【図２０】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層を除去
したときの断面図である。

【図２１】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、第２のマスク層
を設けたときの平面図である。

【図２２】エッチング前の説明図で、図２１のＤ−Ｄ´
断面図である。

【図２３】エッチング前の説明図で、図２１のＥ−Ｅ´
断面図である。

【図２４】エッチング後の説明図で、図２２に対応する
図である。

【図２５】エッチング後の説明図で、図２３に対応する
図である。

【図２６】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程後における斜視図であ
る。

【図２７】従来技術の説明図である。

【図２８】従来技術の説明図である。

【図２９】従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１開口１０基板２０被加工層３０増速層４０マスク層５０補助形状のマスク層５２補助形状のマスク層５３補助形状のマスク層補助形状のマスク層５３´ 補助形状のマスク層５４補助形状のマスク層５５補助形状のマスク層１００小開口１００´ 小開口

【手続補正書】

【提出日】平成５年８月９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】膜のテーパー加工を行う対象物の平面図であ
る。

【図１５】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の薄膜の断面を電子顕微鏡で拡大し撮
影した薄膜の写真である。

【図１６】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲外に定めた
場合のエッチング後の薄膜の断面を電子顕微鏡で拡大し
撮影した薄膜の写真である。

【図２７】従来技術の説明図である。

【図２８】従来技術の説明図である。

【図２９】従来技術の説明図である。

【符号の説明】１開口１０基板２０被加工層３０増速層４０マスク層５０補助形状のマスク層５２補助形状のマスク層５３補助形状のマスク層補助形状のマスク層５３´ 補助形状のマスク層５４補助形状のマスク層５５補助形状のマスク層１００小開口１００´ 小開口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された被加工層の上にさら
に、増速層、マスク層の順に各層が積層されていて、前
記増速層は前記被加工層に比し同一エッチャントによる
エッチング速度が大であり、前記マスク層は前記エッチ
ャントに対しエッチング耐性を有するものであり、前記
マスク層にはテーパー状に加工されるべき領域を含めた
ひとつながりの目的の加工領域に対応する形状（以下所
定平面形状という。）の開口が１つ又は複数形成されて
おり、この開口を介して前記エッチャントを導入し、前
記増速層及び前記被加工層をエッチングすることによ
り、前記被加工層の一部をテーパー状に形成するテーパ
ー加工方法において、前記所定平面形状の開口を有するマスク層に端を接する
ように前記開口の一部分に補助形状マスク層を設けるこ
とを特徴とする膜のテーパー加工方法。
【請求項２】請求項１において、複数の補助形状マスク
層を一定周期毎に設けることを特徴とする膜のテーパー
加工方法。
【請求項３】請求項１において、開口を補助形状マスク
層で仕切り、これにより新たに形成された前記開口の一
部たる複数の各小開口のうち、前記所定平面形状の少な
くとも前記テーパ状に加工されるべき領域に接するもの
同士を略合同形とすることを特徴とする膜のテーパー加
工方法。
【請求項４】請求項１乃至請求項３において、補助形状
マスク層の幅を、形成すべきテーパーの平面寸法以下と
することを特徴とする膜のテーパー加工方法。
【請求項５】請求項１乃至請求項４において、補助形状
マスク層のうち、前記所定平面形状の開口を有するマス
ク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸法程度
とすることを特徴とする膜のテーパー形成方法。
【請求項６】請求項１乃至請求項５において、補助形状
マスク層が前記所定形状の開口を有するマスク層に接す
る部分のうち、前記被加工層のテーパー形成を要しない
部分の近傍には、前記増速層を設けないことを特徴とす
る膜のテーパー形成方法。
【請求項７】基板上に形成された被加工層の上にさら
に、増速層、マスク層の順に各層が積層されていて、前
記増速層は前記被加工層に比し同一エッチャントによる
エッチング速度が大であり、前記マスク層は前記エッチ
ャントに対しエッチング耐性を有するものであり、前記
マスク層にはテーパー状に加工されるべき領域を含めた
ひとつながりの目的の加工領域に対応する形状（以下所
定平面形状という。）の開口が１つ又は複数形成されて
おり、この開口を介して前記エッチャントを導入し、前
記増速層及び前記被加工層をエッチングすることによ
り、前記被加工層の一部をテーパー状に形成するテーパ
ー加工方法において、前記マスク層の厚みを、前記テーパー形状のアンダーカ
ット長さの１／１０以上の厚みとなるように形成するこ
とを特徴とする膜のテーパー加工方法。
【請求項８】請求項７において、前記マスク層の一部
は、前記増速層及び前記被加工層を貫いて前記基板に接
していることを特徴とする膜のテーパー加工方法。