JPH0627340A - Taper working method for film - Google Patents
Taper working method for filmInfo
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- JPH0627340A JPH0627340A JP21393391A JP21393391A JPH0627340A JP H0627340 A JPH0627340 A JP H0627340A JP 21393391 A JP21393391 A JP 21393391A JP 21393391 A JP21393391 A JP 21393391A JP H0627340 A JPH0627340 A JP H0627340A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、膜のテーパー加工方法
に関し、詳細には、主としてウエットエッチングにより
エッチング速度の異なる２層の積層創造を用いてテーパ
ー構造を形成する薄膜、圧膜などの膜のテーパー加工方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a taper processing method for a film, and more particularly to a film such as a thin film or a pressure film for forming a taper structure mainly by wet etching to create a laminated structure of two layers having different etching rates. The present invention relates to a taper processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２８、図２９を参照するに、電子素
子、光素子、光電子素子等、特に導波路光学素子におい
て、膜のテーパー加工方法として次の方法がある。2. Description of the Related Art Referring to FIGS. 28 and 29, there are the following methods for tapering a film in an electronic device, an optical device, an optoelectronic device, etc., particularly a waveguide optical device.
【０００３】それは、基板１０上に被加工層２０を設
け、この被加工層の上にさらに、この被加工層２０に比
し同一エッチャントによるエッチング速度が大なる増速
層３０、エッチャントに対しエッチング耐性を有するマ
スク層４０の順に各層を積層し、マスク層には予めテー
パー状に加工されるべき領域を含めたひとつながりの目
的の加工領域に対応する形状（以下所定平面形状をい
う。）の開口１を１つ又は複数形成しておき、この開口
を介してエッチャントを導入し、増速層３０及び被加工
層２０をエッチングすることにより、図２９に示すよう
に被加工層の一部をテーパー状に加工するものである。
（工業調査会発行の「最新ＬＳＩプロセス技術」参
照）。This is because a layer to be processed 20 is provided on a substrate 10, and etching is further performed on the layer to be processed and the acceleration layer 30 and the etchant having a higher etching rate with the same etchant than the layer to be processed 20. Each layer is laminated in the order of the mask layer 40 having resistance, and the mask layer has a shape (hereinafter, referred to as a predetermined plane shape) corresponding to a series of target processing regions including a region to be tapered in advance. One or a plurality of openings 1 are formed, an etchant is introduced through the openings, and the acceleration layer 30 and the layer to be processed 20 are etched to remove a part of the layer to be processed as shown in FIG. It is processed into a taper shape.
(See "Latest LSI Process Technology" published by the Industrial Research Board).
【０００４】ここで、被加工層２０としては熱酸化シリ
コン、増速層３０としてはＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，
ＳＯＧ，ＬＴＯその他のＣＶＤ酸化あるいは熱酸化シリ
コンの表面側をイオン注入等により改質したものの例が
ある。Here, the processed layer 20 is made of thermally oxidized silicon, and the speed-up layer 30 is made of PSG, BSG, BPSG,
There is an example in which the surface side of SOG, LTO or other CVD oxide or thermal silicon oxide is modified by ion implantation or the like.
【０００５】あるいは、酸化シリコン、窒化シリコン、
ポリシリコン、アモルファスシリコン、シリサイドその
他の誘電体膜、金属膜、半導体膜等をＰＶＤ法やＣＶＤ
法により成膜条件を変えて積層して、エッチング速度の
違いにより、増速層と被加工層を構成する例もある。Alternatively, silicon oxide, silicon nitride,
Polysilicon, amorphous silicon, silicide and other dielectric films, metal films, semiconductor films, etc. are subjected to PVD and CVD.
There is also an example in which the film formation conditions are changed by the method, and the layers are laminated to form the acceleration layer and the layer to be processed depending on the difference in etching rate.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の中で
も、特に導波路光学素子等の形成に関るもの等は、テー
パー比（膜圧方向寸法：平面方向寸法）が１：数から
１：数十以下のものを形成する場合がある。Among the above-mentioned prior arts, the taper ratio (dimension in the film pressure direction: dimension in the plane direction) of the waveguide optical element and the like is 1: 1: to 1: Some dozens or less may be formed.
【０００７】このようなエッチングにおいては、増速層
の存在により２層膜の表層側のアンダーカットが急速に
進行してゆくにつれ、その上側のマスク層は図２９に示
すように片持ち状態になる。これは、特に緩傾斜状を呈
する小さなテーパー比の加工を行う場合に著しい。In such etching, as the undercut on the surface side of the two-layer film rapidly progresses due to the existence of the speed-up layer, the mask layer on the upper side becomes cantilevered as shown in FIG. Become. This is particularly remarkable when machining with a small taper ratio that exhibits a gentle inclination.
【０００８】この状態が更に進むと、例えばフォトレジ
スト等で形成されているマスク層は、膜自身の持つ応力
やエッチャントの撹拌による外力等により、元の平面内
に留まることができなくなり、反り上がったり、垂下し
たりする等の変形を生じてしまう。When this state progresses further, the mask layer formed of photoresist or the like cannot stay in the original plane due to the stress of the film itself or the external force due to stirring of the etchant, so that the mask layer warps. Deformation such as hanging may occur.
【０００９】こうなると、エッチングの進行が一定でな
くなり、所望の形状のテーパーが形成できなくなってし
まう。In this case, the progress of etching is not constant, and it becomes impossible to form a taper having a desired shape.
【００１０】従って、本発明はテーパー比の小さい（傾
斜の緩い）加工を正確に再現性よく安定して行う、膜の
テーパー加工方法を提供することを目的をする。Therefore, it is an object of the present invention to provide a film taper processing method capable of accurately and reproducibly and stably processing with a small taper ratio (a gentle inclination).
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては、 （１）．所定平面形状の開口を有するマスク層に端を接
するように開口の一部分に補助形状マスク層を設けるこ
ととした。In order to achieve the above object, in the present invention, (1). The auxiliary shape mask layer is provided in a part of the opening so that the edge of the mask layer having the opening having a predetermined plane shape is in contact with the mask layer.
【００１２】（２）．（１）において、複数の補助形状
マスク層を一定周期毎に設けることもできる。(2). In (1), it is also possible to provide a plurality of auxiliary shape mask layers at regular intervals.
【００１３】（３）．（１）において、開口を補助形状
マスク層で仕切り、これにより新たに形成された開口の
一部たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少なく
ともテーパー状に加工されるべき領域に接するもの同士
を略合同形にすると効果的である。(3). In (1), the opening is partitioned by an auxiliary-shape mask layer, and among the plurality of small openings that are a part of the opening newly formed by this, the opening is in contact with at least a region to be tapered in a predetermined plane shape. It is effective to make the two substantially congruent.
【００１４】（４）．（１）乃至（３）において、補助
形状マスク層の幅を、形成すべきテーパーの平面寸法以
下とすることもできる。(4). In (1) to (3), the width of the auxiliary shape mask layer may be set to be equal to or smaller than the plane dimension of the taper to be formed.
【００１５】（５）．（１）乃至（４）において、補助
形状マスク層のうち、所定平面形状の開口を有するマス
ク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸法程度
とすることもできる。(5). In (1) to (4), the width of the portion of the auxiliary shape mask layer that is in contact with the mask layer having the opening of the predetermined plane shape may be set to the minimum formation dimension of the mask layer.
【００１６】（６）．（１）乃至（５）において、補助
形状マスク層が所定形状の開口を有するマスク層に接す
る部分のうち、被加工層のテーパー形成を要しない部分
の近傍には、増速層を設けないこともできる。(6). In (1) to (5), the acceleration layer is not provided in the vicinity of the portion of the layer to be processed that does not require taper formation, in the portion where the auxiliary shape mask layer contacts the mask layer having the opening of the predetermined shape. You can also
【００１７】（７）．マスク層の厚みを、テーパー形状
のアンダーカット長さの１／１０以上の厚みとなるよう
に形成するもできる。(7). The mask layer may be formed to have a thickness that is 1/10 or more of the taper-shaped undercut length.
【００１８】（８）．（７）において、マスク層の一部
を、増速層及び被加工層を貫いて基板に接する構成とす
ることもできる。(8). In (7), a part of the mask layer may be in contact with the substrate through the speed-up layer and the layer to be processed.
【００１９】[0019]
【作用】アンダーカット部に対応するマスク層の部分が
橋状機能を果たすマスク層により補強される。The portion of the mask layer corresponding to the undercut portion is reinforced by the mask layer having a bridge function.
【００２０】[0020]
例１．請求項１に対応する実施例 本例は、エッチャントを導入するためマスク層に形成さ
れた開口であって、テーパー状に加工されるべき領域を
含めたひとつながりの目的の加工領域に対応する形状
（所定平面形状）の開口部分に、補助形状のマスク層を
形成したものである。Example 1. Example corresponding to claim 1 This example is an opening formed in a mask layer for introducing an etchant, and has a shape corresponding to a series of target processing regions including a region to be processed in a tapered shape. A mask layer having an auxiliary shape is formed in the opening of (predetermined plane shape).
【００２１】この補助形状のマスク層は前記開口のマス
ク層の端間で橋状構造として機能し、これらが互いに支
持しあうため、従来技術におけるが如き、エッチングの
進行に伴うマスク層の片持ち状態を緩和し、マスク層の
変形を防止するものである。Since the mask layer having the auxiliary shape functions as a bridge structure between the ends of the mask layer of the opening and supports each other, as in the prior art, the mask layer is cantilevered as the etching progresses. This is to alleviate the condition and prevent the mask layer from being deformed.
【００２２】かかる、開口が形成されるマスク層と補助
形状のマスク層とは別々に形成される必要はなく、同一
のマスク層を同時にパターニングすることにより一体的
に形成することができる。It is not necessary to separately form the mask layer in which the opening is formed and the mask layer having the auxiliary shape, and they can be integrally formed by simultaneously patterning the same mask layer.
【００２３】図を以って説明すれば、本例に係る図１、
図２において、図２７おける従来例と同じ形状大きさの
開口があり、この開口のうち、長手方向に延びて対向す
るマスク層に端を接するようにして補助形状のマスク層
５０が架橋状に２つ設けられている。Referring to the drawings, FIG.
In FIG. 2, there is an opening having the same shape and size as the conventional example in FIG. 27. Among these openings, the mask layer 50 of the auxiliary shape is cross-linked so that the mask layer 50 extends in the longitudinal direction and is in contact with the facing mask layer. Two are provided.
【００２４】そこで、補助形状のマスク層５０で仕切ら
れることで新たに形成された３つの開口よりエッチャン
トを導入し、エッチングを行う。Therefore, etching is performed by introducing etchants through the three openings newly formed by being partitioned by the mask layer 50 having the auxiliary shape.
【００２５】エッチングが行われている間、補助形状の
マスク層５０によりマスク層４０の両端は支持されてい
るので、図３に示すように、テーパー加工がなされると
同時に形成されるオーバーハング状のマスク層には何等
変形を生ずることなくエッチングが終了する。Since both ends of the mask layer 40 are supported by the mask layer 50 having the auxiliary shape during the etching, as shown in FIG. 3, an overhang shape formed simultaneously with the taper processing is performed. Etching is completed without any deformation of the mask layer.
【００２６】かかる例では、補助形状のマスク層５０と
マスク層４０とが接している部分では、マスクする形状
が、補助形状のマスク層を設けない場合と比べて当然異
なることとなり、この部分からのエッチングの進行も変
化して、得られるテーパー形状が補助形状のマスク層を
設けない場合と比べて部分的に変わる。In such an example, in the portion where the mask layer 50 having the auxiliary shape and the mask layer 40 are in contact with each other, the masking shape is naturally different from that in the case where the mask layer having the auxiliary shape is not provided, and from this portion. The etching progress also changes, and the obtained taper shape is partially changed as compared with the case where the auxiliary shape mask layer is not provided.
【００２７】しかし、この部分の全体に占める割合は小
さくすることができるので、支障のない範囲で使用する
ことができる。However, since the ratio of this portion to the whole can be made small, it can be used in a range where there is no hindrance.
【００２８】本例によれば、テーパー比の小さなテーパ
ー形状の加工を行なう際のアンダーカットの進行による
マスク層の片持ち状態を緩和するので、マスク層の変形
によるエッチングの異常を防止し、正確で再現性のよい
テーパー形状の再現が可能となる。According to this example, the cantilever state of the mask layer due to the progress of undercut when processing a taper shape with a small taper ratio is alleviated, so that the etching abnormality due to the deformation of the mask layer can be prevented, and The taper shape can be reproduced with good reproducibility.
【００２９】例２．請求項２に対応する実施例 本例は、図４に示すように、３つの補助形状のマスク層
５２を一定周期毎に配置したものである。Example 2. Example Corresponding to Claim 2 In this example, as shown in FIG. 4, three auxiliary shape mask layers 52 are arranged at regular intervals.
【００３０】これにより、補助形状のマスク層による支
持部材としての機能が最も効率よく発揮される。図４の
例は、開口の形状が一方向に長い場合に有効である。所
定平面形状の二次元的な広がりが大きく開口も大きい場
合は、二方向の周期毎、即ち、格子状に補助形状のマス
ク層を設けるのが有効である。As a result, the function of the auxiliary shape mask layer as a support member is most efficiently exhibited. The example of FIG. 4 is effective when the shape of the opening is long in one direction. When the two-dimensional spread of the predetermined plane shape is large and the opening is also large, it is effective to provide the mask layer having an auxiliary shape in every two directions, that is, in a lattice shape.
【００３１】本例では、補助形状のマスク層を効率よく
配置できるので、配置個所数を最小限にでき、補助形状
のマスク層の配置による弊害を最小にできる。In this example, since the mask layer having the auxiliary shape can be efficiently arranged, the number of arrangement positions can be minimized, and the adverse effect due to the arrangement of the mask layer having the auxiliary shape can be minimized.
【００３２】例３．請求項３に対応する実施例 エッチング工程には、ドライエッチング、ウエットエッ
チングがあるが、ともに、エッチングレートその他の特
性がエッチング面積により変化することが一般に知られ
ている。Example 3. Embodiments corresponding to claim 3 The etching process includes dry etching and wet etching, and it is generally known that the etching rate and other characteristics change depending on the etching area.
【００３３】そこで、本例は、開口を補助形状マスク層
で仕切り、これにより新たに形成された前記開口の一部
たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少なくとも
テーパ状に加工されるべき領域に接するもの同士を略合
同形とするものである。Therefore, in this example, the opening is partitioned by the auxiliary shape mask layer, and among the plurality of small openings that are a part of the opening newly formed by this, at least a predetermined plane shape is processed into a tapered shape. Those which are in contact with the power region are substantially congruent.
【００３４】図５（ａ）に示す例では、開口を補助形状
マスク層で仕切り、これにより新たに形成された前記開
口の一部たる複数の各小開口のうち、所定平面形状の少
なくともテーパ状に加工されるべき領域に接するものを
符号１００で示している。In the example shown in FIG. 5A, the opening is partitioned by an auxiliary shape mask layer, and among the plurality of small openings newly formed by this, at least a taper shape of a predetermined plane shape is formed. What is in contact with the area to be processed is indicated by reference numeral 100.
【００３５】これら小開口１００は所定平面形状に沿っ
て形成され、略同形状で略等面積であり、これらに囲ま
れた領域が補助形状のマスク層５３となる。These small openings 100 are formed along a predetermined plane shape and have substantially the same shape and substantially the same area, and the region surrounded by these becomes the mask layer 53 of the auxiliary shape.
【００３６】一方、所定平面形状とはいっても、テーパ
ー形状に加工したいのは、その一部分である場合もあ
る。例えば、所定平面形状の一部を構成するものが図５
（ｂ）に鎖線で示す円弧であるとして、この円弧に沿わ
せて複数の小開口１００´を形成し、これら各小開口１
００´を略合同形に形成する。各小開口１００´には補
助形状のマスク層５３´が形成される。On the other hand, although it is a predetermined plane shape, it may be a part of it that is desired to be processed into a tapered shape. For example, FIG. 5 shows a part of a predetermined plane shape.
Assuming that the circular arc is shown by a chain line in (b), a plurality of small openings 100 ′ are formed along the circular arc, and each of these small openings 1
00 'is formed into a substantially congruent shape. A mask layer 53 'having an auxiliary shape is formed in each small opening 100'.
【００３７】図５（ａ）、（ｂ）の各例において、少な
くとも所定平面形状に接する部分は全て同じ条件でエッ
チングが進むので、得られるテーパー形状の均一性、再
現性に優れる。In each of the examples of FIGS. 5 (a) and 5 (b), at least the portion in contact with the predetermined plane shape is etched under the same conditions, so that the obtained taper shape is excellent in uniformity and reproducibility.
【００３８】例４．請求項４に対応する実施例 以上説明した各例において、もし、形成する補助形状の
マスク層の幅があまりに広いと該マスク層の下側にテー
パー形状の被加工層が残留することになる。この被加工
層の残膜が問題となる場合には、これを残さないように
する必要があり、この為の手段として本例が有効であ
る。本例では、補助形状のマスク層の幅を、形成すべき
テーパーの平面寸法以下とする。Example 4. Embodiment corresponding to claim 4 In each of the examples described above, if the width of the mask layer having the auxiliary shape to be formed is too wide, the tapered layer to be processed remains below the mask layer. When the residual film of the layer to be processed becomes a problem, it is necessary not to leave it, and this example is effective as a means for this. In this example, the width of the mask layer having the auxiliary shape is set to be equal to or smaller than the plane dimension of the taper to be formed.
【００３９】図６の例では、補助形状のマスク層５４を
至る所で、その幅が、形成されるべきテーパーの平面方
向の寸法以下としたものである。これにより、補助形状
のマスク層５４の下では全エッチング時間の１／２以下
の時間で増速層が両側よりエッチング除去されるので、
残りの時間に被加工層の残膜は減少していき、所要のテ
ーパー加工がなされる。図６のＢ−Ｂ´断面についてこ
のプロセスを示すと図７乃至図９のようになる。In the example shown in FIG. 6, the width of the mask layer 54 having the auxiliary shape is set to be equal to or smaller than the dimension of the taper to be formed in the plane direction. As a result, under the mask layer 54 having the auxiliary shape, the speed-up layer is removed by etching from both sides in a time less than half the total etching time.
The remaining film of the layer to be processed decreases during the remaining time, and the required taper processing is performed. This process is shown in FIGS. 7 to 9 for the BB ′ cross section of FIG. 6.
【００４０】かかるプロセスにおいて、補助形状のマス
ク層５４の幅中央付近で多少の残膜があって、これが問
題になる場合は、ややオーバーエッチングを行うか、予
め、補助形状のマスク層の幅をさらに狭めておくとよ
い。In this process, if there is some residual film in the vicinity of the width center of the auxiliary shape mask layer 54 and this becomes a problem, overetching is performed a little or the width of the auxiliary shape mask layer is previously set. It is better to narrow it further.
【００４１】又、マスク層の開口部で被加工層を完全に
除去せず、ある厚さの膜を残したまま、テーパー加工を
したい場合にも、それに応じて補助形状のマスク層５４
の幅を予め減じておけばよい。Also, when it is desired to perform taper processing without completely removing the layer to be processed at the opening of the mask layer and leaving a film of a certain thickness, the mask layer 54 having an auxiliary shape is correspondingly formed.
You just have to reduce the width in advance.
【００４２】本例では、補助形状のマスク下での被加工
層の残膜を低減あるいは解消できるので、その部分で、
補助形状のマスク層を用いない場合と同様の断面形状が
得られる。In this example, since the residual film of the layer to be processed under the mask having the auxiliary shape can be reduced or eliminated, at that portion,
A cross-sectional shape similar to the case where the mask layer having the auxiliary shape is not used can be obtained.
【００４３】例５．請求項５に対応する実施例 本例は以上に述べた全ての実施例に適用できるもので、
補助形状のマスク層のうち、所定平面形状の開口を有す
るマスク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸
法程度としたものである。Example 5. Embodiment corresponding to claim 5 This embodiment is applicable to all the embodiments described above,
In the auxiliary shape mask layer, the width of a portion in contact with the mask layer having an opening of a predetermined plane shape is set to about the minimum formation dimension of the mask layer.
【００４４】本例は、所定平面形状と補助形状マスク層
とが接する部分でのテーパー形状の変化が問題となる場
合に有効である。テーパー比が小（緩傾斜）の場合、テ
ーパー部分の平面方向の寸法は、マスク層の最小形成寸
法（例えばマスク層がフォトレジストのとき、露光の解
像度等で定まる値）に比べ十分に大きい。This example is effective when the change in the taper shape at the portion where the predetermined plane shape and the auxiliary shape mask layer are in contact is a problem. When the taper ratio is small (gradient inclination), the dimension of the tapered portion in the plane direction is sufficiently larger than the minimum formation dimension of the mask layer (for example, when the mask layer is a photoresist, a value determined by the exposure resolution or the like).
【００４５】そこで、前記所定平面形状と補助形状マス
ク層とが接する部分での補助形状のマスク層の幅をマス
ク層の最小形成寸法程度としておくことにより、その両
側からのエッチャントの回り込みによって、エッチング
が進行し、その部分でのテーパー形状の差異は無視し得
るほど、小さくすることができる。Therefore, by setting the width of the mask layer of the auxiliary shape at the portion where the predetermined planar shape and the auxiliary shape mask layer are in contact with each other to be about the minimum formation dimension of the mask layer, etching is performed by sneaking in the etchant from both sides thereof. , And the difference in taper shape at that portion can be made small enough to be ignored.
【００４６】因みに、前記図６に示した補助形状のマス
ク層５４のうち、所定平面形状に接する部分の幅を前記
最小形成寸法程度以下とした場合を例示したのが図１０
（ａ）に示す補助形状のマスク層５５である。Incidentally, FIG. 10 exemplifies a case in which the width of the portion of the auxiliary shape mask layer 54 shown in FIG. 6 which is in contact with a predetermined plane shape is set to about the minimum formation dimension or less.
It is the mask layer 55 having the auxiliary shape shown in FIG.
【００４７】又、前記図５（ｂ）に示した補助形状のマ
スク層５３´のうち、所定形状平面形状に接する部分で
の幅を、前記最小形成寸法程度以下としたのが図１０
（ｂ）に示す補助形状のマスク層５５´である。Further, in the auxiliary shape mask layer 53 'shown in FIG. 5 (b), the width at the portion in contact with the predetermined shape plane shape is set to be equal to or smaller than the minimum formation dimension as shown in FIG.
It is the mask layer 55 'of the auxiliary shape shown in (b).
【００４８】このように、所定平面形状と補助形状マス
ク層とが接する部分でのテーパー形状の変化が問題とな
る一部分では前記の方法で対処できるが、この一部分以
外であって、形成されるテーパー形状や被加工層の残膜
が不問の場合には、その側で補助形状のマスク層の幅を
大きくすればよく、強度上も有利である。極端な場合に
は、扇状や三角形状の開口部或いは補助形状のマスク層
も考えられる。As described above, the above method can be applied to a portion where the change in the taper shape at the portion where the predetermined plane shape and the auxiliary shape mask layer are in contact with each other can be dealt with. When the shape and the residual film of the layer to be processed are irrelevant, the width of the mask layer having the auxiliary shape may be increased on that side, which is advantageous in strength. In an extreme case, fan-shaped or triangular openings or auxiliary-shaped mask layers are also conceivable.
【００４９】本例では、補助形状のマスク層の存在によ
り、所定平面形状からのエッチングによるテーパー形成
への悪影響を最小限に抑えることができ、テーパー形状
全体で、実質的に補助形状のマスク層の存在の影響を排
除できる。In this example, the presence of the mask layer having the auxiliary shape can minimize the adverse effect on the taper formation due to the etching from the predetermined plane shape, and the mask layer having the auxiliary shape can be substantially formed in the entire tapered shape. The influence of the existence of can be eliminated.
【００５０】例６．請求項６に対応する実施例 本例は以上に説明した全ての実施例に対して適用が可能
で、テーパー加工を要しない部分と、その近傍には増速
層と設けないようにしたものである。Example 6. Embodiment corresponding to claim 6 This embodiment can be applied to all the embodiments described above, and the speed-increasing layer is not provided in the portion not requiring taper processing and in the vicinity thereof. is there.
【００５１】この趣旨に基づき、増速層が設けられない
領域は図１１において符号２００で示す領域であり、こ
の部分ではアンダーカットの進行が少ないので、マスク
層の片持ち状態が出現せず、図１２に示すように領域２
００に接続する補助形状のマスク層５０とで、対向する
側のマスク層４０の片持ち状態を緩和する機能が強化さ
れる。Based on this point, the area where the speed increasing layer is not provided is the area indicated by reference numeral 200 in FIG. 11, and since the undercut progresses little in this area, the cantilever state of the mask layer does not appear, Area 2 as shown in FIG.
With the auxiliary-shaped mask layer 50 connected to 00, the function of alleviating the cantilever state of the mask layer 40 on the opposite side is enhanced.
【００５２】本例では、テーパー加工の不要部側のマス
クの片持ち状態を回避するので、補助形状マスク層とと
もにテーパー形成側の片持ち状態のマスク層を支持する
機能が増し、マスク層の変形を防止する力がさらに強ま
る。In this example, the cantilevered state of the mask on the unnecessary side of the taper process is avoided, so that the function of supporting the mask layer in the cantilevered state on the taper forming side together with the auxiliary shape mask layer is increased, and the mask layer is deformed. The power to prevent is further strengthened.
【００５３】これにより、テーパー加工の安定性が更に
増すとともに、より、マスク層に力が加わり易いエッチ
ング法の採用も可能となる。As a result, the stability of the taper process is further increased, and the etching method in which the force is more easily applied to the mask layer can be adopted.
【００５４】例７．請求項７に対応する実施例 本例は、マスク層の厚みを、テーパー形状のアンダーカ
ット長さの１／１０以上の厚みとなるように形成したも
のである。本例では、マスク層４０としてフォトレジス
ト層を用いている。Example 7. Example corresponding to claim 7 In this example, the thickness of the mask layer is formed to be 1/10 or more of the taper-shaped undercut length. In this example, a photoresist layer is used as the mask layer 40.
【００５５】図２７のＣ−Ｃ´断面に相当するエッチン
グ前の断面におけるマスク層４０の厚みｄは、図１４に
示すエッチング後のアンダーカット長さＷに比べ、ｄ＞
Ｗ×１／１０なる条件と満足するように形成している。The thickness d of the mask layer 40 in the section before etching, which corresponds to the section CC 'in FIG. 27, is greater than the undercut length W after etching shown in FIG.
It is formed so as to satisfy the condition of W × 1/10.
【００５６】このような厚みｄで、フォトレジスト層に
よりマスク層４０を形成すると、図２９に示したような
マスク層の垂下はみられなくなることが実験により見出
された。It has been found by experiments that when the mask layer 40 is formed of a photoresist layer with such a thickness d, the sag of the mask layer as shown in FIG. 29 is not seen.
【００５７】前記の条件を満たした、つまり、ｄ＝１．
３μｍ、Ｗ＝９μｍで実際に行った場合の断面を走査電
子顕微鏡で撮影したのが、図１５に示した写真である。
この図は図１４に対応しており、マスク層の垂下がない
ことがわかる。The above condition is satisfied, that is, d = 1.
The cross section of the case of actually performing at 3 μm and W = 9 μm was photographed by a scanning electron microscope, which is the photograph shown in FIG.
This figure corresponds to FIG. 14, and it can be seen that there is no sag of the mask layer.
【００５８】これに対し、前記条件を満足しない、つま
り、ｄ＝１．５μｍ、Ｗ＝２４μｍで実際に行った場合
には、図１６に示す写真のようにマスク層４０は垂下し
てしまっている。On the other hand, when the above conditions are not satisfied, that is, when d = 1.5 μm and W = 24 μm are actually used, the mask layer 40 hangs down as shown in the photograph of FIG. There is.
【００５９】従って、前記条件を満足した本例によれ
ば、マスク層の厚みを厚くしているので、エッチング進
行中及びエッチング後も、マスク層が垂下することがな
く、マスク層の変形によるエッチング異常を防止し、正
確で再現性のよいテーパー加工ができる。Therefore, according to the present example satisfying the above conditions, the thickness of the mask layer is increased, so that the mask layer does not droop during the etching process and after the etching process. Abnormality can be prevented and accurate and reproducible taper processing can be performed.
【００６０】例８．請求項８に対応する実施例 本例は、前記例７において、マスク層の一部を、増速層
及び被加工層を貫いて基板に接しさせたものである。以
下、図により説明する。Example 8. Example Corresponding to Claim 8 In this example, a part of the mask layer in Example 7 is brought into contact with the substrate through the acceleration layer and the layer to be processed. This will be described below with reference to the drawings.
【００６１】工程１（図１７参照） 基板１０の上に被加工層２０を、増速層３０をこの順に
積層する。 工程２（図１８参照） 増速層３０の上に第１のマスク層４０を積層し、その一
部に孔１０００を形成する。 工程３（図１９参照） マスク層４０を用いて、孔１０００の部分をドライエッ
チングすることにより、増速層３０、被加工層２０を貫
いて基板１０に達する孔１００１を形成する。 工程４（図２０参照） マスク層４０を剥離除去する。Step 1 (see FIG. 17) The layer to be processed 20 and the speed increasing layer 30 are laminated in this order on the substrate 10. Step 2 (see FIG. 18) The first mask layer 40 is laminated on the speed increasing layer 30, and the hole 1000 is formed in a part thereof. Step 3 (see FIG. 19) Using the mask layer 40, the hole 1000 is dry-etched to form a hole 1001 that penetrates the speed-up layer 30 and the layer to be processed 20 and reaches the substrate 10. Step 4 (see FIG. 20) The mask layer 40 is peeled and removed.
【００６２】工程５（図２１乃至図２３参照） 増速層３０上及び孔１００１内にかけて、第２のマスク
層４００を形成する。この時、第２のマスク層４００の
一部４００Ａは孔１００１内にも埋め込まれ、増速層３
０及び被加工層２０を貫いて基板１０に達することによ
り、第２のマスク層４００を支える柱の作用をなし得
る。図２１のＤ−Ｄ´断面は図２２に示すようになり、
図２１のＥ−Ｅ´断面は図２３に示すようになる。Step 5 (see FIGS. 21 to 23) A second mask layer 400 is formed on the speed increasing layer 30 and in the holes 1001. At this time, a part 400A of the second mask layer 400 is also embedded in the hole 1001 and the speed increasing layer 3 is formed.
By reaching the substrate 10 through 0 and the layer 20 to be processed, it can act as a pillar that supports the second mask layer 400. The cross section DD 'of FIG. 21 is as shown in FIG.
The EE ′ cross section of FIG. 21 is as shown in FIG.
【００６３】工程６（図２４、図２５参照） 開口部つまり、マスク層が形成されていない部分からエ
ッチャントを導入し、エッチングを行う。このとき、マ
スク層の一部４００Ａが基板１０に接してマスク層４０
０を支えているので、マスク層４００は片持ちの状態が
改善され、これにより垂下するような変形が防止され
て、エッチングが行われる。これにより、図２４、図２
５に示すようにテーパー加工が行われる。図２４は前記
図２２に対応し、図２５は前記図２３に対応する。Step 6 (see FIGS. 24 and 25) An etchant is introduced from the opening, that is, the portion where the mask layer is not formed, and etching is performed. At this time, a part of the mask layer 400A contacts the substrate 10 and the mask layer 40
Since 0 is supported, the mask layer 400 is improved in a cantilever state, thereby preventing a drooping deformation and performing etching. As a result, FIG.
As shown in FIG. 5, taper processing is performed. 24 corresponds to FIG. 22 and FIG. 25 corresponds to FIG.
【００６４】工程７（図２６参照） マスク層４００及びマスク層の一部４００Ａとも剥離除
去した後、必要によっては増速層３０も除去する。Step 7 (see FIG. 26) After the mask layer 400 and a part of the mask layer 400A are peeled and removed, the speed increasing layer 30 is also removed if necessary.
【００６５】このとき、図２６に示すように、マスク層
の一部４００Ａが基板１０に接している部分では、エッ
チングの進行も変化して、得られるエッチング形状に突
起７０が現われる。At this time, as shown in FIG. 26, in the portion where a part of the mask layer 400A is in contact with the substrate 10, the progress of etching also changes, and the protrusion 70 appears in the obtained etching shape.
【００６６】しかし、この突起７０が全体に占める割合
は少なくすることができるので孔１００１を適当に選択
すること等により小さくすることができるので、支障の
ない範囲で使用することができる。又、場合によって
は、やや、オーバーエッチングを行って、この突起７０
の大きさを減少させることもできる。However, since the ratio of the projection 70 to the whole can be reduced, it can be reduced by appropriately selecting the hole 1001 or the like, so that it can be used in a range without any trouble. In some cases, the protrusions 70 are slightly overetched.
The size of can also be reduced.
【００６７】本例では、柱の機能を果たすマスク層の一
部により、マスク層の片持ち状態を緩和しているので、
例５の方法と併せ適用することで、より一層、マスク層
を変形なく、正確かつ、再現性のよいテーパー形状の加
工を行うことができる。In this example, the cantilevered state of the mask layer is relaxed by a part of the mask layer that functions as a pillar.
By applying this together with the method of Example 5, the mask layer can be processed more accurately and accurately and with good reproducibility.
【００６８】[0068]
【発明の効果】本発明によれば、テーパー比の小さい
（傾斜の緩い）加工を正確に再現性よく安定して行うこ
とができる。According to the present invention, it is possible to accurately and stably perform machining with a small taper ratio (a gentle inclination).
【図１】膜のテーパー加工を行う対象物の平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of an object on which a film is tapered.
【図２】エッチング前における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1 before etching.
【図３】エッチング後における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1 after etching.
【図４】補助形状のマスク層を一定周期毎に設けた場合
の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram when a mask layer having an auxiliary shape is provided at regular intervals.
【図５】複数の小開口のうち所定のもの同士を略合同形
にした場合の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a case where predetermined ones of a plurality of small openings are formed into a substantially congruent shape.
【図６】補助形状のマスク層の幅を形成すべきテーパー
の平面寸法以下にした場合の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram in the case where the width of the mask layer having an auxiliary shape is set to be equal to or smaller than the plane dimension of the taper to be formed.
【図７】エッチング前における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。FIG. 7 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 before etching.
【図８】エッチング中における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。8 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 during etching.
【図９】エッチング後における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。9 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 after etching.
【図１０】所定部分のマスク層の幅をマスク層の最小形
成寸法程度とした場合の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram when the width of the mask layer in a predetermined portion is set to about the minimum formation dimension of the mask layer.
【図１１】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング前の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view before etching when a speed increasing layer is not provided in a predetermined portion.
【図１２】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング後の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view after etching when a speed increasing layer is not provided in a predetermined portion.
【図１３】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定める場
合のエッチング前の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view before etching when the thickness of the mask layer is set within the predetermined range of the present invention in relation to the taper-shaped undercut length.
【図１４】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view after etching when the thickness of the mask layer is set within the predetermined range of the present invention in relation to the taper undercut length.
【図１５】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の断面を電子顕微鏡で拡大し撮影した
写真である。FIG. 15 is a photograph taken by enlarging a cross section after etching with an electron microscope when the thickness of the mask layer is set within a predetermined range of the present invention in relation to the undercut length of the taper shape.
【図１６】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲外に定めた
場合のエッチング後の断面を電子顕微鏡で拡大し撮影し
た写真である。FIG. 16 is a photograph taken by enlarging an electron microscope of a cross section after etching when the thickness of the mask layer is set outside the predetermined range of the present invention in relation to the undercut length of the taper shape.
【図１７】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成前
の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view before a mask layer is formed during a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and the taper process is performed.
【図１８】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成後
該マスク層に孔を形成後の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view after forming a mask layer and forming holes in the mask layer during a series of steps in the case of forming a columnar support portion in a part of the mask layer and performing taper processing.
【図１９】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、孔を増速層、被
加工層にまで及ぼしたときの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view when a hole is extended to the speed-up layer and the layer to be processed during a series of steps in the case of forming a columnar support portion in a part of the mask layer and performing taper processing.
【図２０】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層を除去
したときの断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view when the mask layer is removed during a series of steps in the case of forming a columnar support portion on a part of the mask layer and performing taper processing.
【図２１】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、第２のマスク層
を設けたときの平面図である。FIG. 21 is a plan view when a second mask layer is provided during a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and the taper process is performed.
【図２２】エッチング前の説明図で、図２１のＤ−Ｄ´
断面図である。22 is an explanatory diagram before etching, and is taken along line DD ′ in FIG. 21.
FIG.
【図２３】エッチング前の説明図で、図２１のＥ−Ｅ´
断面図である。FIG. 23 is an explanatory diagram before etching and is taken along line EE ′ of FIG. 21.
FIG.
【図２４】エッチング後の説明図で、図２２に対応する
図である。24 is an explanatory diagram after etching and is a diagram corresponding to FIG. 22. FIG.
【図２５】エッチング後の説明図で、図２３に対応する
図である。FIG. 25 is an explanatory diagram after etching, corresponding to FIG. 23.
【図２６】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程後における斜視図であ
る。FIG. 26 is a perspective view after a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and taper processing is performed.
【図２７】従来技術の説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図２８】従来技術の説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図２９】従来技術の説明図である。FIG. 29 is an explanatory diagram of a conventional technique.
１ 開口 １０ 基板 ２０ 被加工層 ３０ 増速層 ４０ マスク層 ５０ 補助形状のマスク層 ５２ 補助形状のマスク層 ５３ 補助形状のマスク層補助形状のマスク層 ５３´ 補助形状のマスク層 ５４ 補助形状のマスク層 ５５ 補助形状のマスク層 １００ 小開口 １００´ 小開口 1 Aperture 10 Substrate 20 Processed Layer 30 Acceleration Layer 40 Mask Layer 50 Auxiliary Mask Layer 52 Auxiliary Mask Layer 53 Auxiliary Mask Layer Auxiliary Mask Layer 53 'Auxiliary Mask Layer 54 Auxiliary Mask Layer 55 Mask layer of auxiliary shape 100 Small opening 100 'Small opening
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年８月９日[Submission date] August 9, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】膜のテーパー加工を行う対象物の平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of an object on which a film is tapered.
【図２】エッチング前における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1 before etching.
【図３】エッチング後における図１のＡ−Ａ´断面図で
ある。3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1 after etching.
【図４】補助形状のマスク層を一定周期毎に設けた場合
の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram when a mask layer having an auxiliary shape is provided at regular intervals.
【図５】複数の小開口のうち所定のもの同士を略合同形
にした場合の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a case where predetermined ones of a plurality of small openings are formed into a substantially congruent shape.
【図６】補助形状のマスク層の幅を形成すべきテーパー
の平面寸法以下にした場合の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram in the case where the width of the mask layer having an auxiliary shape is set to be equal to or smaller than the plane dimension of the taper to be formed.
【図７】エッチング前における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。FIG. 7 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 before etching.
【図８】エッチング中における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。8 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 during etching.
【図９】エッチング後における図６のＢ−Ｂ´断面図で
ある。9 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. 6 after etching.
【図１０】所定部分のマスク層の幅をマスク層の最小形
成寸法程度とした場合の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram when the width of the mask layer in a predetermined portion is set to about the minimum formation dimension of the mask layer.
【図１１】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング前の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view before etching when a speed increasing layer is not provided in a predetermined portion.
【図１２】所定部分には増速層を設けない場合のエッチ
ング後の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view after etching when a speed increasing layer is not provided in a predetermined portion.
【図１３】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定める場
合のエッチング前の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view before etching when the thickness of the mask layer is set within the predetermined range of the present invention in relation to the taper-shaped undercut length.
【図１４】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view after etching when the thickness of the mask layer is set within the predetermined range of the present invention in relation to the taper undercut length.
【図１５】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲に定めた場
合のエッチング後の薄膜の断面を電子顕微鏡で拡大し撮
影した薄膜の写真である。FIG. 15 is a photograph of a thin film obtained by enlarging a cross section of the thin film after etching with an electron microscope when the thickness of the mask layer is set within a predetermined range of the present invention in relation to the undercut length of the tapered shape.
【図１６】マスク層の厚みをテーパー形状のアンダーカ
ット長さとの関係において本発明所定の範囲外に定めた
場合のエッチング後の薄膜の断面を電子顕微鏡で拡大し
撮影した薄膜の写真である。FIG. 16 is a photograph of a thin film obtained by enlarging a cross section of the thin film after etching with an electron microscope when the thickness of the mask layer is set outside the predetermined range of the present invention in relation to the taper undercut length.
【図１７】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成前
の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view before a mask layer is formed during a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and the taper process is performed.
【図１８】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層形成後
該マスク層に孔を形成後の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view after forming a mask layer and forming holes in the mask layer during a series of steps in the case of forming a columnar support portion in a part of the mask layer and performing taper processing.
【図１９】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、孔を増速層、被
加工層にまで及ぼしたときの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view when a hole is extended to the speed-up layer and the layer to be processed during a series of steps in the case of forming a columnar support portion in a part of the mask layer and performing taper processing.
【図２０】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、マスク層を除去
したときの断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view when the mask layer is removed during a series of steps in the case of forming a columnar support portion on a part of the mask layer and performing taper processing.
【図２１】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程中の、第２のマスク層
を設けたときの平面図である。FIG. 21 is a plan view when a second mask layer is provided during a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and the taper process is performed.
【図２２】エッチング前の説明図で、図２１のＤ−Ｄ´
断面図である。22 is an explanatory diagram before etching, and is taken along line DD ′ in FIG. 21.
FIG.
【図２３】エッチング前の説明図で、図２１のＥ−Ｅ´
断面図である。FIG. 23 is an explanatory diagram before etching and is taken along line EE ′ of FIG. 21.
FIG.
【図２４】エッチング後の説明図で、図２２に対応する
図である。24 is an explanatory diagram after etching and is a diagram corresponding to FIG. 22. FIG.
【図２５】エッチング後の説明図で、図２３に対応する
図である。FIG. 25 is an explanatory diagram after etching, corresponding to FIG. 23.
【図２６】マスク層の一部に柱状の支持部を形成してテ
ーパー加工する場合の一連の工程後における斜視図であ
る。FIG. 26 is a perspective view after a series of steps in the case where a columnar support portion is formed on a part of the mask layer and taper processing is performed.
【図２７】従来技術の説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図２８】従来技術の説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図２９】従来技術の説明図である。FIG. 29 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【符号の説明】 １ 開口 １０ 基板 ２０ 被加工層 ３０ 増速層 ４０ マスク層 ５０ 補助形状のマスク層 ５２ 補助形状のマスク層 ５３ 補助形状のマスク層補助形状のマスク層 ５３´ 補助形状のマスク層 ５４ 補助形状のマスク層 ５５ 補助形状のマスク層 １００ 小開口 １００´ 小開口[Description of Reference Signs] 1 Opening 10 Substrate 20 Worked layer 30 Acceleration layer 40 Mask layer 50 Mask layer of auxiliary shape 52 Mask layer of auxiliary shape 53 Mask layer of auxiliary shape Mask layer of auxiliary shape 53 'Mask layer of auxiliary shape 54 Mask layer of auxiliary shape 55 Mask layer of auxiliary shape 100 Small opening 100 'Small opening
Claims (8)
に、増速層、マスク層の順に各層が積層されていて、前
記増速層は前記被加工層に比し同一エッチャントによる
エッチング速度が大であり、前記マスク層は前記エッチ
ャントに対しエッチング耐性を有するものであり、前記
マスク層にはテーパー状に加工されるべき領域を含めた
ひとつながりの目的の加工領域に対応する形状（以下所
定平面形状という。）の開口が１つ又は複数形成されて
おり、この開口を介して前記エッチャントを導入し、前
記増速層及び前記被加工層をエッチングすることによ
り、前記被加工層の一部をテーパー状に形成するテーパ
ー加工方法において、 前記所定平面形状の開口を有するマスク層に端を接する
ように前記開口の一部分に補助形状マスク層を設けるこ
とを特徴とする膜のテーパー加工方法。1. A layer to be processed formed on a substrate is further laminated with a speed-up layer and a mask layer in this order, and the speed-up layer is etched by the same etchant as the layer to be processed. The speed is high, the mask layer has etching resistance to the etchant, and the mask layer has a shape corresponding to a series of target processing regions including a region to be tapered. (Hereinafter referred to as a predetermined planar shape), one or more openings are formed, and the etchant is introduced through the openings to etch the speed-up layer and the layer to be processed to form a layer to be processed. In a taper processing method for forming a part in a taper shape, an auxiliary shape mask layer is provided in a part of the opening so that an end is in contact with the mask layer having the opening in the predetermined plane shape. And a method of tapering a film.
層を一定周期毎に設けることを特徴とする膜のテーパー
加工方法。2. A film taper processing method according to claim 1, wherein a plurality of auxiliary shape mask layers are provided at regular intervals.
層で仕切り、これにより新たに形成された前記開口の一
部たる複数の各小開口のうち、前記所定平面形状の少な
くとも前記テーパ状に加工されるべき領域に接するもの
同士を略合同形とすることを特徴とする膜のテーパー加
工方法。3. The opening according to claim 1, wherein the opening is partitioned by an auxiliary shape mask layer, and among the plurality of small openings newly formed by the auxiliary shape mask layer, at least the tapered shape of the predetermined plane shape is formed. A method of tapering a film, characterized in that those in contact with a region to be processed are substantially congruent.
マスク層の幅を、形成すべきテーパーの平面寸法以下と
することを特徴とする膜のテーパー加工方法。4. The method of tapering a film according to claim 1, wherein the width of the auxiliary shape mask layer is set to be equal to or smaller than the plane dimension of the taper to be formed.
マスク層のうち、前記所定平面形状の開口を有するマス
ク層に接する部分の幅を該マスク層の最小形成寸法程度
とすることを特徴とする膜のテーパー形成方法。5. The auxiliary shape mask layer according to any one of claims 1 to 4, wherein a width of a portion of the auxiliary shape mask layer which is in contact with the mask layer having the opening of the predetermined plane shape is set to a minimum formation dimension of the mask layer. Forming method of taper of film.
マスク層が前記所定形状の開口を有するマスク層に接す
る部分のうち、前記被加工層のテーパー形成を要しない
部分の近傍には、前記増速層を設けないことを特徴とす
る膜のテーパー形成方法。6. The method according to claim 1, wherein a portion of the auxiliary shape mask layer in contact with the mask layer having the opening having the predetermined shape is provided in the vicinity of a portion of the processed layer which does not require taper formation. A method for forming a taper of a film, characterized in that the acceleration layer is not provided.
に、増速層、マスク層の順に各層が積層されていて、前
記増速層は前記被加工層に比し同一エッチャントによる
エッチング速度が大であり、前記マスク層は前記エッチ
ャントに対しエッチング耐性を有するものであり、前記
マスク層にはテーパー状に加工されるべき領域を含めた
ひとつながりの目的の加工領域に対応する形状（以下所
定平面形状という。）の開口が１つ又は複数形成されて
おり、この開口を介して前記エッチャントを導入し、前
記増速層及び前記被加工層をエッチングすることによ
り、前記被加工層の一部をテーパー状に形成するテーパ
ー加工方法において、 前記マスク層の厚みを、前記テーパー形状のアンダーカ
ット長さの１／１０以上の厚みとなるように形成するこ
とを特徴とする膜のテーパー加工方法。7. A layer to be processed formed on a substrate, further comprising layers of an accelerating layer and a mask layer in this order, the accelerating layer being etched by the same etchant as the layer to be processed. The speed is high, the mask layer has etching resistance with respect to the etchant, and the mask layer has a shape corresponding to a series of target processing regions including a region to be tapered. (Hereinafter referred to as a predetermined planar shape), one or more openings are formed, and the etchant is introduced through the openings to etch the speed-up layer and the layer to be processed to form a layer to be processed. In a taper processing method of forming a part in a taper shape, the mask layer is formed to have a thickness of 1/10 or more of an undercut length of the taper shape. And a method of tapering a film.
は、前記増速層及び前記被加工層を貫いて前記基板に接
していることを特徴とする膜のテーパー加工方法。8. The method of tapering a film according to claim 7, wherein a part of the mask layer is in contact with the substrate through the acceleration layer and the layer to be processed.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393391A JPH0627340A (en) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Taper working method for film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393391A JPH0627340A (en) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Taper working method for film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627340A true JPH0627340A (en) | 1994-02-04 |
Family
ID=16647452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21393391A Pending JPH0627340A (en) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Taper working method for film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627340A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013022112A1 (en) * | 2011-08-08 | 2015-03-05 | 日本電気株式会社 | Slope and method for forming the slope |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21393391A patent/JPH0627340A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013022112A1 (en) * | 2011-08-08 | 2015-03-05 | 日本電気株式会社 | Slope and method for forming the slope |
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