JPH06238481A - フラックス - Google Patents
フラックスInfo
- Publication number
- JPH06238481A JPH06238481A JP2642493A JP2642493A JPH06238481A JP H06238481 A JPH06238481 A JP H06238481A JP 2642493 A JP2642493 A JP 2642493A JP 2642493 A JP2642493 A JP 2642493A JP H06238481 A JPH06238481 A JP H06238481A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- printed circuit
- flux
- halogen
- solder
- Prior art date
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品をクリーム半田でプリント基板に半
田付けした後、プリント基板の表面に残存するハロゲン
化合物をフロンで洗浄除去するのを不要にできるフラッ
クスを提供すること。 【構成】 半田粒子２の溶融温度よりも高い溶融温度を
有する熱可塑性合成樹脂５で表面を被覆したハロゲン捕
捉剤６をフラックス３に含有させた。 【効果】 半田付けのためにプリント基板８を半田粒子
２の溶融温度以上に加熱すると、熱可塑性合成樹脂５は
溶融してハロゲン捕捉剤６が溶出し、ハロゲンを捕捉す
るので、半田付け後のフロンによるプリント基板８の洗
浄を不要にできる。
田付けした後、プリント基板の表面に残存するハロゲン
化合物をフロンで洗浄除去するのを不要にできるフラッ
クスを提供すること。 【構成】 半田粒子２の溶融温度よりも高い溶融温度を
有する熱可塑性合成樹脂５で表面を被覆したハロゲン捕
捉剤６をフラックス３に含有させた。 【効果】 半田付けのためにプリント基板８を半田粒子
２の溶融温度以上に加熱すると、熱可塑性合成樹脂５は
溶融してハロゲン捕捉剤６が溶出し、ハロゲンを捕捉す
るので、半田付け後のフロンによるプリント基板８の洗
浄を不要にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の電極をプリン
ト基板の回路パターンの電極に半田付けするためのフラ
ックスに関するものである。
ト基板の回路パターンの電極に半田付けするためのフラ
ックスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサチップ、抵抗チップ、リード
付チップなどの電子部品の電極をプリント基板の回路パ
ターンの電極に半田付けするための半田としてクリーム
半田が多様されている。図４に示すようにクリーム半田
１は、直径が数１０μｍ程度の半田粒子２とフラックス
３を混合して生成されているが、半田粒子２やプリント
基板の回路パターンなどの表面は空気中の酸素に触れて
酸化膜が生じやすく、この酸化膜は半田付けに悪影響を
及ぼすことから、従来のフラックス３には、通常、酸化
膜を還元して除去するためにロジンや有機酸塩酸、有機
酸臭酸などのハロゲン化合物が混合されている。
付チップなどの電子部品の電極をプリント基板の回路パ
ターンの電極に半田付けするための半田としてクリーム
半田が多様されている。図４に示すようにクリーム半田
１は、直径が数１０μｍ程度の半田粒子２とフラックス
３を混合して生成されているが、半田粒子２やプリント
基板の回路パターンなどの表面は空気中の酸素に触れて
酸化膜が生じやすく、この酸化膜は半田付けに悪影響を
及ぼすことから、従来のフラックス３には、通常、酸化
膜を還元して除去するためにロジンや有機酸塩酸、有機
酸臭酸などのハロゲン化合物が混合されている。
【０００３】このハロゲン化合物は、電子部品をプリン
ト基板に半田付けした後もプリント基板の表面に残存
し、プリント基板の回路パターンのオープンやショート
を生じやすいことから、従来は電子部品をプリント基板
に半田付けした後、プリント基板をフロンで洗浄してハ
ロゲン化合物を除去することが行われていた。
ト基板に半田付けした後もプリント基板の表面に残存
し、プリント基板の回路パターンのオープンやショート
を生じやすいことから、従来は電子部品をプリント基板
に半田付けした後、プリント基板をフロンで洗浄してハ
ロゲン化合物を除去することが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらフロンは
環境上の問題を生じることから、その使用を中止するこ
とが望まれている。
環境上の問題を生じることから、その使用を中止するこ
とが望まれている。
【０００５】そこで本発明は、フロンによるプリント基
板の洗浄を不要にできるフラックスを提供することを目
的とする。
板の洗浄を不要にできるフラックスを提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明のフラ
ックスは、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する
熱可塑性合成樹脂で表面を被覆したハロゲン捕捉剤を含
有させたものである。
ックスは、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する
熱可塑性合成樹脂で表面を被覆したハロゲン捕捉剤を含
有させたものである。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、電子部品を半田付けするた
めにプリント基板を加熱すると、半田粒子は溶融し、溶
融した半田はフラックスにより活性化され、電子部品の
電極にヌレ性よく付着するとともに、半田粒子や回路パ
ターンの表面の酸化膜はロジンやハロゲン化合物により
還元されて除去される。更にプリント基板を高温に加熱
すると、熱可塑性合成樹脂は溶融してその内部からハロ
ゲン捕捉剤が溶出する。
めにプリント基板を加熱すると、半田粒子は溶融し、溶
融した半田はフラックスにより活性化され、電子部品の
電極にヌレ性よく付着するとともに、半田粒子や回路パ
ターンの表面の酸化膜はロジンやハロゲン化合物により
還元されて除去される。更にプリント基板を高温に加熱
すると、熱可塑性合成樹脂は溶融してその内部からハロ
ゲン捕捉剤が溶出する。
【０００８】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例におけるフラック
スを含むクリーム半田の拡大図である。このクリーム半
田４は、半田粒子２と熱可塑性合成樹脂５で表面を被覆
したハロゲン捕捉剤６を含むフラックス３を混合して生
成されている。フラックス３はロジンと有機酸塩酸や有
機酸臭酸などのハロゲン化合物を含有している。ハロゲ
ン捕捉剤６はイオン化した塩素や臭素などのハロゲン原
子を捕捉するものであり、例えば東亜合成化学工業株式
会社製、商品名ＩＸＥ−５００，ＩＸＥ−７０３，ＩＸ
Ｅ−８００が知られている。また熱可塑性合成樹脂５の
溶融温度は１８３℃〜２３０℃程度であり、例えばポリ
フェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、
ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスル
ホン、ポリエーテルエーテルケトン等が知られている。
半田粒子２の溶融温度は一般に約１８３℃であり、熱可
塑性合成樹脂５の溶融温度はこれよりも高く、半田粒子
２が溶融した後で溶融する。
スを含むクリーム半田の拡大図である。このクリーム半
田４は、半田粒子２と熱可塑性合成樹脂５で表面を被覆
したハロゲン捕捉剤６を含むフラックス３を混合して生
成されている。フラックス３はロジンと有機酸塩酸や有
機酸臭酸などのハロゲン化合物を含有している。ハロゲ
ン捕捉剤６はイオン化した塩素や臭素などのハロゲン原
子を捕捉するものであり、例えば東亜合成化学工業株式
会社製、商品名ＩＸＥ−５００，ＩＸＥ−７０３，ＩＸ
Ｅ−８００が知られている。また熱可塑性合成樹脂５の
溶融温度は１８３℃〜２３０℃程度であり、例えばポリ
フェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、
ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスル
ホン、ポリエーテルエーテルケトン等が知られている。
半田粒子２の溶融温度は一般に約１８３℃であり、熱可
塑性合成樹脂５の溶融温度はこれよりも高く、半田粒子
２が溶融した後で溶融する。
【００１０】図２は本発明における一実施例のフラック
スを用いて電子部品を半田付けしたプリント基盤の断面
図を示している。電子部品７の電極であるリード９は、
プリント基板８の上面に形成された回路パターン１０の
電極に半田付けされている。図３はこの半田付けを行う
ためにプリント基板８を加熱する加熱炉の代表的な温度
プロファイルを示している。縦軸は温度（℃）、横軸は
時間（秒）である。プリント基板８は常温（ポイント
ａ）から１５０℃（ポイントｂ）程度まで比較的急速に
加熱される。次に１５０℃（ポイントｂ）から１７０℃
（ポイントｃ）までゆっくり加熱され、プリント基板８
全体の温度を均一化する。
スを用いて電子部品を半田付けしたプリント基盤の断面
図を示している。電子部品７の電極であるリード９は、
プリント基板８の上面に形成された回路パターン１０の
電極に半田付けされている。図３はこの半田付けを行う
ためにプリント基板８を加熱する加熱炉の代表的な温度
プロファイルを示している。縦軸は温度（℃）、横軸は
時間（秒）である。プリント基板８は常温（ポイント
ａ）から１５０℃（ポイントｂ）程度まで比較的急速に
加熱される。次に１５０℃（ポイントｂ）から１７０℃
（ポイントｃ）までゆっくり加熱され、プリント基板８
全体の温度を均一化する。
【００１１】次に１７０℃（ポイントｃ）から２３０℃
（ポイントｆ）まで急激に加熱されるが、その間、１８
３℃（ポイントｄ）で半田粒子２は溶融し、フラックス
３中のロジンやハロゲン化合物は半田粒子２やプリント
基板８の回路パターン１０の表面の酸化膜を還元して除
去するとともに、溶融した半田はフラックス３で活性化
されてリード９にヌレ性よく付着する。続いてポイント
ｅで熱可塑性合成樹脂５が溶融してハロゲン捕捉剤６は
溶出し、溶融した半田中にイオン化して浮遊する塩素イ
オンや臭素イオンなどを捕捉する。次にプリント基板８
は加熱炉から搬出されて常温になるまで冷却され、溶融
したクリーム半田４は固化して図２に示すように電子部
品７のリード９は半田付けされる。
（ポイントｆ）まで急激に加熱されるが、その間、１８
３℃（ポイントｄ）で半田粒子２は溶融し、フラックス
３中のロジンやハロゲン化合物は半田粒子２やプリント
基板８の回路パターン１０の表面の酸化膜を還元して除
去するとともに、溶融した半田はフラックス３で活性化
されてリード９にヌレ性よく付着する。続いてポイント
ｅで熱可塑性合成樹脂５が溶融してハロゲン捕捉剤６は
溶出し、溶融した半田中にイオン化して浮遊する塩素イ
オンや臭素イオンなどを捕捉する。次にプリント基板８
は加熱炉から搬出されて常温になるまで冷却され、溶融
したクリーム半田４は固化して図２に示すように電子部
品７のリード９は半田付けされる。
【００１２】次に、本発明の実施例と従来の比較例を
（表１）に示す。
（表１）に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】（表１）において、カプセル型ハロゲン捕
捉剤は、上記したＩＸＥ−７０３を熱可塑性合成樹脂で
あるポリエーテルスルホン（溶融温度２００℃）でカプ
セル化したものである。また広がり率、絶縁抵抗、腐食
性の試験は、ＪＩＳ．Ｚ３１９７に従った。また残渣中
のハロゲン含有量は、メタノールで可溶分を抽出後、Ｊ
ＩＳ．Ｚ３１９７に従った。（表１）から明らかなよう
に、本発明は腐食性で比較例よりすぐれており、また半
田付け後のハロゲン含有量は著しく減少する。
捉剤は、上記したＩＸＥ−７０３を熱可塑性合成樹脂で
あるポリエーテルスルホン（溶融温度２００℃）でカプ
セル化したものである。また広がり率、絶縁抵抗、腐食
性の試験は、ＪＩＳ．Ｚ３１９７に従った。また残渣中
のハロゲン含有量は、メタノールで可溶分を抽出後、Ｊ
ＩＳ．Ｚ３１９７に従った。（表１）から明らかなよう
に、本発明は腐食性で比較例よりすぐれており、また半
田付け後のハロゲン含有量は著しく減少する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフラックス
は、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する熱可塑
性合成樹脂で表面を被覆したハロゲン捕捉剤を含有して
いるので、半田付けのためにプリント基板を半田粒子の
溶融温度以上の高温に加熱すると、熱可塑性合成樹脂は
溶融してその内部からハロゲン捕捉剤が溶出し、イオン
化したハロゲン化合物中の塩素や臭素などのハロゲンを
捕捉するので、従来のフラックスに必要であった半田付
け後のフロンによる洗浄を不要にできる。
は、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する熱可塑
性合成樹脂で表面を被覆したハロゲン捕捉剤を含有して
いるので、半田付けのためにプリント基板を半田粒子の
溶融温度以上の高温に加熱すると、熱可塑性合成樹脂は
溶融してその内部からハロゲン捕捉剤が溶出し、イオン
化したハロゲン化合物中の塩素や臭素などのハロゲンを
捕捉するので、従来のフラックスに必要であった半田付
け後のフロンによる洗浄を不要にできる。
【図１】本発明の一実施例のフラックスを含むクリーム
半田の拡大図
半田の拡大図
【図２】本発明の一実施例におけるフラックスを用いて
電子部品を半田付けしたプリント基板の断面図
電子部品を半田付けしたプリント基板の断面図
【図３】本発明の一実施例における加熱炉の温度プロフ
ァイル図
ァイル図
【図４】従来のフラックスを含むクリーム半田の拡大図
２ 半田粒子 ３ フラックス ４ クリーム半田 ５ 熱可塑性合成樹脂 ６ ハロゲン捕捉剤
Claims (1)
- 【請求項１】半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有す
る熱可塑性合成樹脂で表面を被覆したハロゲン捕捉剤を
含有することを特徴とするフラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02642493A JP3156420B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02642493A JP3156420B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | フラックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06238481A true JPH06238481A (ja) | 1994-08-30 |
| JP3156420B2 JP3156420B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=12193146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02642493A Expired - Fee Related JP3156420B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | フラックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3156420B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010137283A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-06-24 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ用フラックス組成物及び鉛フリーはんだペースト |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101746965B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-06-27 | 최형진 | 동력 전달 장치 |
| KR101746964B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-06-13 | 최형진 | 동력 전달 장치 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP02642493A patent/JP3156420B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010137283A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-06-24 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ用フラックス組成物及び鉛フリーはんだペースト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3156420B2 (ja) | 2001-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080209 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090209 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 10 |
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