JPH04393A - はんだ付けのフラックスの洗浄方法 - Google Patents
はんだ付けのフラックスの洗浄方法Info
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- JPH04393A JPH04393A JP10018990A JP10018990A JPH04393A JP H04393 A JPH04393 A JP H04393A JP 10018990 A JP10018990 A JP 10018990A JP 10018990 A JP10018990 A JP 10018990A JP H04393 A JPH04393 A JP H04393A
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Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
はんだ付けのフラックスの洗浄方法に関し、安全に且つ
十分に良好な洗浄を行うことのできるようにすることを
目的とし、 フラックスをはんだ付け後に洗浄するためにＮメチルピ
ロリドンを溶剤に用いる構成とする。
十分に良好な洗浄を行うことのできるようにすることを
目的とし、 フラックスをはんだ付け後に洗浄するためにＮメチルピ
ロリドンを溶剤に用いる構成とする。
本発明ははんだ付けのフラックスの洗浄方法に関する。
近年の電子回路機器では種々の部品が小型化され、そし
て小型化された多数の微小部品を確実に接合するために
多様のはんだ付け技術が使用されている。特に電子回路
を構成する薄膜多層基板では絶縁層を介して厚さが３μ
はどの導体層が積層してあり、そのような薄い導体層を
接合するためにペーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ
）が採用される。通常、はんだ付けにはフラックスが使
用される。フラックスは例えば松脂に活性化剤を混合し
てなり、母材表面や溶融はんだの表面の酸化膜化を防止
する等の作用によってはんだ付けが良好に行われるよう
にするものである。はんだ付け作業が終了すると、はん
だ付け部の表面を洗浄し、フラックスを除去する場合が
多い。すなわち、はんだ付けの後では、フラックスに含
まれる活性化剤がはんだ付け途中とは逆にはんだ付け部
分に悪影響を及ぼすようになることが多く、フラックス
の洗浄を十分に行なうことが望ましい。特に電子回路を
構成する薄膜多層基板では表面の導体層が非常に薄く、
フラックスが少しでも残っていると表面の導体層が腐食
して耐久性が低下しゃすくなるので、はんだ付け後にフ
ラックスを十分に洗浄することが必要である。しかし、
フラックスは、はんだ付けが終わると固化して除去しに
くくなり、フラックスの微小な部分も残らないように十
分に良好に洗浄するのが難しかった。
て小型化された多数の微小部品を確実に接合するために
多様のはんだ付け技術が使用されている。特に電子回路
を構成する薄膜多層基板では絶縁層を介して厚さが３μ
はどの導体層が積層してあり、そのような薄い導体層を
接合するためにペーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ
）が採用される。通常、はんだ付けにはフラックスが使
用される。フラックスは例えば松脂に活性化剤を混合し
てなり、母材表面や溶融はんだの表面の酸化膜化を防止
する等の作用によってはんだ付けが良好に行われるよう
にするものである。はんだ付け作業が終了すると、はん
だ付け部の表面を洗浄し、フラックスを除去する場合が
多い。すなわち、はんだ付けの後では、フラックスに含
まれる活性化剤がはんだ付け途中とは逆にはんだ付け部
分に悪影響を及ぼすようになることが多く、フラックス
の洗浄を十分に行なうことが望ましい。特に電子回路を
構成する薄膜多層基板では表面の導体層が非常に薄く、
フラックスが少しでも残っていると表面の導体層が腐食
して耐久性が低下しゃすくなるので、はんだ付け後にフ
ラックスを十分に洗浄することが必要である。しかし、
フラックスは、はんだ付けが終わると固化して除去しに
くくなり、フラックスの微小な部分も残らないように十
分に良好に洗浄するのが難しかった。
このため、従来は溶剤を使用してはんだ付け後のフラッ
クスを洗浄していた。しかし、はんだ付け後のフラック
スを十分に洗浄できる溶剤の種類は限られており、例え
ば、これまで使用されていたのはトリクロロエチレン（
トリクレン）、トリクロロエタン、又はフレオンのみで
あった。最近は、はんだ付け後のフラックスを洗浄する
ための溶剤として、果実の皮（オレンジビール等）から
抽出した果実オイルとアルコールとを混合した果実オイ
ル系の溶剤が使用され始めている。
クスを洗浄していた。しかし、はんだ付け後のフラック
スを十分に洗浄できる溶剤の種類は限られており、例え
ば、これまで使用されていたのはトリクロロエチレン（
トリクレン）、トリクロロエタン、又はフレオンのみで
あった。最近は、はんだ付け後のフラックスを洗浄する
ための溶剤として、果実の皮（オレンジビール等）から
抽出した果実オイルとアルコールとを混合した果実オイ
ル系の溶剤が使用され始めている。
上記したトリクロロエチレン、トリクロロエタン、又は
フレオン等ははんだ付け後のフラックスを洗浄するため
に比較的に良好な溶剤であるが、これらの溶剤を用いて
もフラックスの種類によってはよく落ちないものもある
。それに、これらの溶剤は人体や環境に対する悪影響の
ために最近では使用を制限されるようになってきている
ので、使用対象から外さなくてはならなくなっている。
フレオン等ははんだ付け後のフラックスを洗浄するため
に比較的に良好な溶剤であるが、これらの溶剤を用いて
もフラックスの種類によってはよく落ちないものもある
。それに、これらの溶剤は人体や環境に対する悪影響の
ために最近では使用を制限されるようになってきている
ので、使用対象から外さなくてはならなくなっている。
そこで果実オイル系の溶剤が最近注目を集めているので
ある。しかし、果実オイル系の溶剤は無害であるが、洗
浄力が比較的に低い。そこで、従来のように固化して除
去しにくくなっているフラックスを洗浄するためには溶
剤の温度を上げて洗浄する必要があるが、果実オイル系
の溶剤は温度を上げると異臭を放つために周囲の環境を
悪化させ、よって洗浄温度を上げることができない問題
点がある。このために例えば薄膜多層基板のように微小
な部分まで清浄にすることを要求されるような場合には
、果実オイル系の溶剤でははんだ付けのフラックスを十
分に洗浄できるとは言えない。
ある。しかし、果実オイル系の溶剤は無害であるが、洗
浄力が比較的に低い。そこで、従来のように固化して除
去しにくくなっているフラックスを洗浄するためには溶
剤の温度を上げて洗浄する必要があるが、果実オイル系
の溶剤は温度を上げると異臭を放つために周囲の環境を
悪化させ、よって洗浄温度を上げることができない問題
点がある。このために例えば薄膜多層基板のように微小
な部分まで清浄にすることを要求されるような場合には
、果実オイル系の溶剤でははんだ付けのフラックスを十
分に洗浄できるとは言えない。
本発明は安全性に優れ且つ十分に良好な洗浄を行うこと
のできるはんだ付けのフラックスの洗浄方法を提供する
ことを目的とする。
のできるはんだ付けのフラックスの洗浄方法を提供する
ことを目的とする。
本発明によるはんだ付けのフラックスの洗浄方法は、は
んだ付けに用いたフラックスをはんだ付け後に洗浄する
ためにＮ−メチルピロリドンを溶剤に用いることを特徴
とするものである。
んだ付けに用いたフラックスをはんだ付け後に洗浄する
ためにＮ−メチルピロリドンを溶剤に用いることを特徴
とするものである。
Ｎ−メチルピロリドンは、人体及び環境に対して無害で
あり、はとんどの種類のフラックスをよく溶かし、しか
も引火点が比較的に高いので高温で洗浄を行うことがで
き、はんだ付けのフラックスの洗浄に好適であることが
分かった。さらに、Ｎ−メチルピロリドンは水との親和
性も高いので、Ｎ−メチルピロリドンによる洗浄の後に
水洗いをすることができ、イオン残渣も完全になくすこ
とができる。
あり、はとんどの種類のフラックスをよく溶かし、しか
も引火点が比較的に高いので高温で洗浄を行うことがで
き、はんだ付けのフラックスの洗浄に好適であることが
分かった。さらに、Ｎ−メチルピロリドンは水との親和
性も高いので、Ｎ−メチルピロリドンによる洗浄の後に
水洗いをすることができ、イオン残渣も完全になくすこ
とができる。
第１図は本発明の実施例を示し、Ｎ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）を満たした槽１０内で電子部品１２を洗浄し
ているところを示す図である。電子部品工２は例えば電
子回路を形成する薄膜多層基板であり、これはセラミッ
ク基板１４の表面に薄い導体層１６を形成し、導体層１
６の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層１８を形成し、
さらに絶縁層１８の表面に薄い導体層２０を形成してな
る。各層の導体層１６．２０はセラミック基板１４や絶
縁層１８に設けたバイアホール（図示せず）等によって
相互に接続されることができ、最上層の導体層２０がは
んだ付けによってリードやその他の電気素子に接続され
る。第１図においては、チップ部品２２が導体層２０の
上に配置され、はんだ付け部２４においてはんだ付けさ
れた例が示されている。はんだは例えば錫と鉛（Ｓｎ／
Ｐｂ）系のものであり、松脂に活性化剤を混ぜたフラッ
クスが使用される。
（ＮＭＰ）を満たした槽１０内で電子部品１２を洗浄し
ているところを示す図である。電子部品工２は例えば電
子回路を形成する薄膜多層基板であり、これはセラミッ
ク基板１４の表面に薄い導体層１６を形成し、導体層１
６の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層１８を形成し、
さらに絶縁層１８の表面に薄い導体層２０を形成してな
る。各層の導体層１６．２０はセラミック基板１４や絶
縁層１８に設けたバイアホール（図示せず）等によって
相互に接続されることができ、最上層の導体層２０がは
んだ付けによってリードやその他の電気素子に接続され
る。第１図においては、チップ部品２２が導体層２０の
上に配置され、はんだ付け部２４においてはんだ付けさ
れた例が示されている。はんだは例えば錫と鉛（Ｓｎ／
Ｐｂ）系のものであり、松脂に活性化剤を混ぜたフラッ
クスが使用される。
本発明においてはフラックスの溶剤としてＮ−メチルピ
ロリドン（ＮＭＰ）を使用する。Ｎ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）は次に示す構造を有する。
ロリドン（ＮＭＰ）を使用する。Ｎ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）は次に示す構造を有する。
ｔｈｅ −ＣＨ。
次の表は従来技術の洗浄処理と本発明の洗浄処理との比
較試験の結果を示す図である。
較試験の結果を示す図である。
ＣＨ３
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）は、人体及び環境に対
して安全であり、フラックスの溶解性が優れ、しかも引
火点が９５℃、沸点が２０２°Ｃ１発火点が３４６℃で
ある。このように引火点が比較的に高いので高温で洗浄
を行うことができる。実施例ではＮ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）を６０°Ｃにして洗浄を行い、良好な結果を
得ている。
して安全であり、フラックスの溶解性が優れ、しかも引
火点が９５℃、沸点が２０２°Ｃ１発火点が３４６℃で
ある。このように引火点が比較的に高いので高温で洗浄
を行うことができる。実施例ではＮ−メチルピロリドン
（ＮＭＰ）を６０°Ｃにして洗浄を行い、良好な結果を
得ている。
第２図に示すように、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
は水との親和性に優れているので、Ｎ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）による洗浄後に電子部品１２を純水または
純水とアルコールの混合液で洗浄することができる。そ
のため、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）による洗浄で
はイオン残渣が残っている場合でも、その後の水洗によ
ってイオン残渣を完全に取り除くことができる。
は水との親和性に優れているので、Ｎ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）による洗浄後に電子部品１２を純水または
純水とアルコールの混合液で洗浄することができる。そ
のため、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）による洗浄で
はイオン残渣が残っている場合でも、その後の水洗によ
ってイオン残渣を完全に取り除くことができる。
○極良好
△良 好
Ｘやや良好
試験においては、ＡからＦまで６種類のフラックスを用
いてそれぞれはんだ付けを行い、はんだ付け後のフラッ
クスを洗浄した。また、結果ははんだ付け部を顕微鏡で
検査し、フラックス残渣を視覚的に判定した。
いてそれぞれはんだ付けを行い、はんだ付け後のフラッ
クスを洗浄した。また、結果ははんだ付け部を顕微鏡で
検査し、フラックス残渣を視覚的に判定した。
従来処理イは、トリクロロエタン系の溶剤を使用し、最
初に例えばはんだ付け部２４を有する電子部品１２を６
０℃のトリクロロエタン系の溶剤中に入れ、１０分間洗
浄した。次に同じ６０℃のトリクロロエタン系の溶剤中
で５分間超音波洗浄を行い、最後に窒素ガスでブローし
た。その結果は上記表に示されている通りであり、ある
種のフラックス（例えば有機酸系フラックス）はよく洗
浄されるが、別のフラックスはよく浄化されるとは言え
ない。
初に例えばはんだ付け部２４を有する電子部品１２を６
０℃のトリクロロエタン系の溶剤中に入れ、１０分間洗
浄した。次に同じ６０℃のトリクロロエタン系の溶剤中
で５分間超音波洗浄を行い、最後に窒素ガスでブローし
た。その結果は上記表に示されている通りであり、ある
種のフラックス（例えば有機酸系フラックス）はよく洗
浄されるが、別のフラックスはよく浄化されるとは言え
ない。
従来処理口は、果実オイル系の溶剤を使用し、最初には
んだ付け部２４を有する電子部品１２を室温の果実オイ
ル系の溶剤に入れ、１０分間洗浄した。
んだ付け部２４を有する電子部品１２を室温の果実オイ
ル系の溶剤に入れ、１０分間洗浄した。
さらに電子部品１２を取り出した後、再び室温の果実オ
イル系の溶剤に入れ、２分間洗浄した。次に、６０°Ｃ
の純水で２分間洗浄し、再び６０°Ｃの純水で２分間洗
浄した後、最後に窒素ガスでブローした。
イル系の溶剤に入れ、２分間洗浄した。次に、６０°Ｃ
の純水で２分間洗浄し、再び６０°Ｃの純水で２分間洗
浄した後、最後に窒素ガスでブローした。
この処理の結果は、はとんどのフラックスが十分に落ち
ないことを示している。この原因の１つは、果実オイル
系の溶剤は温度を上げると異臭を放つために洗浄温度を
上げることができないことによるものである。
ないことを示している。この原因の１つは、果実オイル
系の溶剤は温度を上げると異臭を放つために洗浄温度を
上げることができないことによるものである。
本発明の処理では、最初にはんだ付け部２４を有する電
子部品１２を６０°ＣのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ
）の溶剤に入れ、１０分間洗浄した。さらに電子部品１
２を取り出した後、再び室温のＮ−メチルピロリドン（
ＮＭＰ）に入れ、２分間洗浄した。次に、室温の純水で
２分間洗浄し、再び室温の純水で２分間洗浄した後、最
後に窒素ガスでブローした。
子部品１２を６０°ＣのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ
）の溶剤に入れ、１０分間洗浄した。さらに電子部品１
２を取り出した後、再び室温のＮ−メチルピロリドン（
ＮＭＰ）に入れ、２分間洗浄した。次に、室温の純水で
２分間洗浄し、再び室温の純水で２分間洗浄した後、最
後に窒素ガスでブローした。
この処理の結果、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）の溶
剤はほとんどのフラックスを良く落とすことが分かった
。はんだ付け部を顕微鏡で検査した結果では、Ｎ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）での洗浄後に微小なフラックス
残渣が認められたが、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
で洗浄した後の水洗により、フラックス残渣がさらに落
ちるとともに、微小な残渣が認められる場合でもフラッ
クスのイオン残渣はほぼ０となっていた。
剤はほとんどのフラックスを良く落とすことが分かった
。はんだ付け部を顕微鏡で検査した結果では、Ｎ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）での洗浄後に微小なフラックス
残渣が認められたが、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
で洗浄した後の水洗により、フラックス残渣がさらに落
ちるとともに、微小な残渣が認められる場合でもフラッ
クスのイオン残渣はほぼ０となっていた。
なお、以上はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）が純粋な
場合について説明したが、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）に他の有機溶剤、例えばアルコールジメチルアミド
、ジメチルホルムアルデヒド等を数パーセント加えて使
用してもよい。
場合について説明したが、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）に他の有機溶剤、例えばアルコールジメチルアミド
、ジメチルホルムアルデヒド等を数パーセント加えて使
用してもよい。
要するに、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を溶剤とし
て使用することは従来から知られていたが、Ｎ−メチル
ピロリドン（ＮＭＰ）は従来は特殊の溶剤として使用さ
れており、−船釣に使用されるものではなかった。例え
ば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）は従来は薄膜多層
基板の絶縁層１８を形成するポリイミド樹脂の前駆体の
溶剤として使用され、或いは、ポジ型レジストの剥離剤
として使用されていたものである。このように特殊な場
合しか使用されないＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を
はんだ付けのフラックスの洗浄に使用することに想到し
、且つ試験を重ねた結果、はんだ付けのフラックスの洗
浄に好適であることを確認するに到ったものである。
て使用することは従来から知られていたが、Ｎ−メチル
ピロリドン（ＮＭＰ）は従来は特殊の溶剤として使用さ
れており、−船釣に使用されるものではなかった。例え
ば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）は従来は薄膜多層
基板の絶縁層１８を形成するポリイミド樹脂の前駆体の
溶剤として使用され、或いは、ポジ型レジストの剥離剤
として使用されていたものである。このように特殊な場
合しか使用されないＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を
はんだ付けのフラックスの洗浄に使用することに想到し
、且つ試験を重ねた結果、はんだ付けのフラックスの洗
浄に好適であることを確認するに到ったものである。
以上説明したように、本発明によれば、はんだ付けに用
いたフラックスをはんだ付け後に洗浄するためにＮ−メ
チルピロリドンを溶剤に用いることにより、はんだ付け
のフラックスを安全且つ十分によく洗浄できるようにな
った。
いたフラックスをはんだ付け後に洗浄するためにＮ−メ
チルピロリドンを溶剤に用いることにより、はんだ付け
のフラックスを安全且つ十分によく洗浄できるようにな
った。
第１図は本発明の実施例のはんだ付け部品のフラックス
をＮＭＰで洗浄するところを示す図、第２図は第１図の
はんだ付け部品をＮＭＰで洗浄した後に水洗するところ
を示す図である。 １０・・・槽、 １２・・・電子部品、１６
、２０・・・導体層、 ２２・・・チップ部品、２
４・・・はんだ付け部。
をＮＭＰで洗浄するところを示す図、第２図は第１図の
はんだ付け部品をＮＭＰで洗浄した後に水洗するところ
を示す図である。 １０・・・槽、 １２・・・電子部品、１６
、２０・・・導体層、 ２２・・・チップ部品、２
４・・・はんだ付け部。
Claims (1)
- はんだ付けに用いたフラックスをはんだ付け後に洗浄す
るためにＮ−メチルピロリドンを溶剤に用いることを特
徴とするはんだ付けのフラックスの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018990A JPH04393A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | はんだ付けのフラックスの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018990A JPH04393A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | はんだ付けのフラックスの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04393A true JPH04393A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14267358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018990A Pending JPH04393A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | はんだ付けのフラックスの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04393A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062182A (ja) * | 1992-04-20 | 1994-01-11 | Mitsubishi Kasei Corp | 油付着物の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄剤 |
| FR2735408A1 (fr) * | 1995-06-19 | 1996-12-20 | Sony Corp | Fondant de soudure employant des preformes de brasage |
| JP2013023534A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ粉末用洗浄剤及びはんだ粉末の製造方法 |
| DE112020000679T5 (de) | 2019-02-05 | 2021-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Gewickelter Magnetkern, Legierungskern und Verfahren zur Herstellung eines gewickelten Magnetkerns |
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1990
- 1990-04-18 JP JP10018990A patent/JPH04393A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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