JPH06203420A - 光磁気検出器 - Google Patents
光磁気検出器Info
- Publication number
- JPH06203420A JPH06203420A JP4360203A JP36020392A JPH06203420A JP H06203420 A JPH06203420 A JP H06203420A JP 4360203 A JP4360203 A JP 4360203A JP 36020392 A JP36020392 A JP 36020392A JP H06203420 A JPH06203420 A JP H06203420A
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- Japan
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- magneto
- light
- splitter film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】所定の光ビームを光磁気デイスクに照射し、当
該光磁気デイスクからの戻り光を受光素子に入射させる
ことによつて光磁気検出信号を得る光磁気検出器におい
て、光学部品の煩雑な位置決め工程を回避すると共に、
一段と小型化する。 【構成】光磁気デイスクからの戻り光の偏光面を回転さ
せる媒体の第１及び第２の面にビームスプリツタ膜及び
偏光ビームスプリツタ膜を接合することにより、光磁気
デイスクからの戻り光を受光素子に入射させる光学系を
一体化することができ、これにより光学部品の煩雑な位
置決め工程を回避し得ると共に当該光磁気検出器を一段
と小型化し得る。
該光磁気デイスクからの戻り光を受光素子に入射させる
ことによつて光磁気検出信号を得る光磁気検出器におい
て、光学部品の煩雑な位置決め工程を回避すると共に、
一段と小型化する。 【構成】光磁気デイスクからの戻り光の偏光面を回転さ
せる媒体の第１及び第２の面にビームスプリツタ膜及び
偏光ビームスプリツタ膜を接合することにより、光磁気
デイスクからの戻り光を受光素子に入射させる光学系を
一体化することができ、これにより光学部品の煩雑な位
置決め工程を回避し得ると共に当該光磁気検出器を一段
と小型化し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気検出器に関し、特
に複合プリズムを用いた光磁気検出器に適用して好適な
ものである。
に複合プリズムを用いた光磁気検出器に適用して好適な
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光磁気検出器においては
図４に示すように、１は全体として光磁気検出器を示
し、半導体レーザ２から射出光ビームＬＡ１を射出す
る。ここで光磁気検出器１においては、射出光ビームＬ
Ａ１をリレーレンズ４及び波形整形プリズム５によつて
平行光線に変換した後、ビームスプリツタ６を透過さ
せ、対物レンズ８を介して光磁気デイスク１０に焦光す
る。
図４に示すように、１は全体として光磁気検出器を示
し、半導体レーザ２から射出光ビームＬＡ１を射出す
る。ここで光磁気検出器１においては、射出光ビームＬ
Ａ１をリレーレンズ４及び波形整形プリズム５によつて
平行光線に変換した後、ビームスプリツタ６を透過さ
せ、対物レンズ８を介して光磁気デイスク１０に焦光す
る。
【０００３】また当該光磁気デイスク１０に焦光した射
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２はビームスプリツタ６に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板１４を透過する。当該戻り光ＬＡ２は 1/2
波長板１４を透過する際、 1/2波長板１４の偏光特性に
より、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプリツタ
１６に導かれる。
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２はビームスプリツタ６に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板１４を透過する。当該戻り光ＬＡ２は 1/2
波長板１４を透過する際、 1/2波長板１４の偏光特性に
より、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプリツタ
１６に導かれる。
【０００４】従つて当該偏光ビームスプリツタ１６にお
いて、戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ１８及び２０を介して受光素子２２及
び２４に入射される。
いて、戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ１８及び２０を介して受光素子２２及
び２４に入射される。
【０００５】このように戻り光ＬＡ２を２つの受光素子
２２及び２４において受光することにより、当該２つの
受光素子２２及び２４の検出結果から、光磁気検出信
号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号等
を得るようになされている。
２２及び２４において受光することにより、当該２つの
受光素子２２及び２４の検出結果から、光磁気検出信
号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号等
を得るようになされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
光磁気検出器１においては、それぞれ別体でなる光学部
品（６、１４、１６）によつて構成されていることによ
り、各光学部品の位置決め精度を高精度化する必要があ
り、この分構成が複雑化して大型化することを避け得な
いと共に、各光学部品の位置決め調整作業が煩雑化する
問題があつた。
光磁気検出器１においては、それぞれ別体でなる光学部
品（６、１４、１６）によつて構成されていることによ
り、各光学部品の位置決め精度を高精度化する必要があ
り、この分構成が複雑化して大型化することを避け得な
いと共に、各光学部品の位置決め調整作業が煩雑化する
問題があつた。
【０００７】また環境変化等によつて光学部品の組み立
て部分が変形し、光学特性が変化し易い等の問題があつ
た。
て部分が変形し、光学特性が変化し易い等の問題があつ
た。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、一段と小型かつ調整工数を低減し得る光磁気検出器
を提案しようとするものである。
で、一段と小型かつ調整工数を低減し得る光磁気検出器
を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定の光ビームＬＡ１を射出する
光源２と、光ビームＬＡ１を光磁気デイスク方向１０に
反射させると共に、光磁気デイスク１０において反射し
た戻り光ＬＡ２を透過させるビームスプリツタ膜３２
と、ビームスプリツタ膜３２に接合され、ビームスプリ
ツタ膜３２を透過した戻り光ＬＡ２の偏光面を45度回転
させて透過する媒体３３と、媒体３３に接合され、媒体
３３を透過した戻り光ＬＡ２をそれぞれ異なる偏光方向
でなる第１及び第２の偏光成分に分離し、第１の偏光成
分を第１の受光素子２２に入射させると共に第２の偏光
成分をビームスプリツタ膜３２において反射させた後、
第２の受光素２４子に入射させる偏光ビームスプリツタ
膜３４とを備えるようにする。
め本発明においては、所定の光ビームＬＡ１を射出する
光源２と、光ビームＬＡ１を光磁気デイスク方向１０に
反射させると共に、光磁気デイスク１０において反射し
た戻り光ＬＡ２を透過させるビームスプリツタ膜３２
と、ビームスプリツタ膜３２に接合され、ビームスプリ
ツタ膜３２を透過した戻り光ＬＡ２の偏光面を45度回転
させて透過する媒体３３と、媒体３３に接合され、媒体
３３を透過した戻り光ＬＡ２をそれぞれ異なる偏光方向
でなる第１及び第２の偏光成分に分離し、第１の偏光成
分を第１の受光素子２２に入射させると共に第２の偏光
成分をビームスプリツタ膜３２において反射させた後、
第２の受光素２４子に入射させる偏光ビームスプリツタ
膜３４とを備えるようにする。
【００１０】また本発明においては、媒体３３は、第１
の面４１にビームスプリツタ膜３２を形成し、第１の面
４１の一部にビームスプリツタ膜３２を介して非晶質媒
体３１を接合し、非晶質媒体３１を介して光磁気デイス
ク１０からの戻り光を入射すると共に、非晶質媒体３１
が接合されていない領域に形成されたビームスプリツタ
膜３２に、偏光ビームスプリツタ膜３４において反射し
た第２の偏光成分を入射するようにする。
の面４１にビームスプリツタ膜３２を形成し、第１の面
４１の一部にビームスプリツタ膜３２を介して非晶質媒
体３１を接合し、非晶質媒体３１を介して光磁気デイス
ク１０からの戻り光を入射すると共に、非晶質媒体３１
が接合されていない領域に形成されたビームスプリツタ
膜３２に、偏光ビームスプリツタ膜３４において反射し
た第２の偏光成分を入射するようにする。
【００１１】
【作用】媒体３３にビームスプリツタ膜３２及び偏光ビ
ームスプリツタ膜３４を接合することにより、これら光
学系を一体化することができる。従つて光学部品の煩雑
な位置決め工程を回避することができる。
ームスプリツタ膜３４を接合することにより、これら光
学系を一体化することができる。従つて光学部品の煩雑
な位置決め工程を回避することができる。
【００１２】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１３】図４との対応部分に同一符号を付して示す
図１において３０は全体として光磁気検出器を示し、第
１の面に光分岐用のビームスプリツタ膜３２を形成する
と共に第２の面に偏光ビームスプリツタ膜３４を形成し
た水晶等の複屈折又は旋光性を有する結晶部材３３の第
１の面の一部にガラス部材３１、ガラス部材３５を固着
した複合プリズム４０を受光素子２２及び２４が設けら
れた基板３６上に固着する。
図１において３０は全体として光磁気検出器を示し、第
１の面に光分岐用のビームスプリツタ膜３２を形成する
と共に第２の面に偏光ビームスプリツタ膜３４を形成し
た水晶等の複屈折又は旋光性を有する結晶部材３３の第
１の面の一部にガラス部材３１、ガラス部材３５を固着
した複合プリズム４０を受光素子２２及び２４が設けら
れた基板３６上に固着する。
【００１４】結晶部材３３におけるガラス部材３１を固
着する領域は、当該結晶部材３３の傾斜面４１の略半分
の領域とする。
着する領域は、当該結晶部材３３の傾斜面４１の略半分
の領域とする。
【００１５】以上の構成において、半導体レーザ２から
射出された射出光ビームＬＡ１は、ガラス部材３１を透
過してビームスプリツタ膜３２において反射され、さら
に対物レンズ８を介して光磁気デイスク１０に焦光す
る。
射出された射出光ビームＬＡ１は、ガラス部材３１を透
過してビームスプリツタ膜３２において反射され、さら
に対物レンズ８を介して光磁気デイスク１０に焦光す
る。
【００１６】また当該光磁気デイスク１０に焦光した射
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２は再びガラス部材３１を介してビームスプリツタ膜
３２に入射され、これを透過した後、結晶部材３３に入
射する。
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２は再びガラス部材３１を介してビームスプリツタ膜
３２に入射され、これを透過した後、結晶部材３３に入
射する。
【００１７】当該戻り光ＬＡ２は結晶部材３３を透過す
る際、当該結晶部材３３の偏光特性（複屈折及び旋光
性）により、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプ
リツタ膜３４に導かれる。
る際、当該結晶部材３３の偏光特性（複屈折及び旋光
性）により、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプ
リツタ膜３４に導かれる。
【００１８】従つて45°傾いた偏光方向で偏光ビームス
プリツタ膜３４に入射した戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ
偏光に分離され、Ｐ偏光成分はガラス部材３５を透過し
て受光素子２２に入射する。これに対して偏光ビームス
プリツタ膜３４において反射したＳ偏光成分は、結晶部
材３３内を透過してビームスプリツタ膜３２に入射す
る。ここで当該ビームスプリツタ膜３２は結晶部材３３
及び空気中の境界に形成されていることにより、結晶部
材３３内部を透過した戻り光ＬＡ２ののＳ偏光成分を全
反射させ、これにより当該戻り光ＬＡ２のＳ偏光成分は
受光素子２４に導びかれる。
プリツタ膜３４に入射した戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ
偏光に分離され、Ｐ偏光成分はガラス部材３５を透過し
て受光素子２２に入射する。これに対して偏光ビームス
プリツタ膜３４において反射したＳ偏光成分は、結晶部
材３３内を透過してビームスプリツタ膜３２に入射す
る。ここで当該ビームスプリツタ膜３２は結晶部材３３
及び空気中の境界に形成されていることにより、結晶部
材３３内部を透過した戻り光ＬＡ２ののＳ偏光成分を全
反射させ、これにより当該戻り光ＬＡ２のＳ偏光成分は
受光素子２４に導びかれる。
【００１９】偏光ビームスプリツタ膜３４において分離
されたＰ偏光成分及びＳ偏光成分はそれぞれ光磁気デイ
スク１０における磁気カー効果によつて生じた偏光面の
回転を逆成分として含むため、受光素子２２及び２４に
入射する光束の差を検出することにより、光磁気デイス
ク１０上の記録磁区を検出することができる。
されたＰ偏光成分及びＳ偏光成分はそれぞれ光磁気デイ
スク１０における磁気カー効果によつて生じた偏光面の
回転を逆成分として含むため、受光素子２２及び２４に
入射する光束の差を検出することにより、光磁気デイス
ク１０上の記録磁区を検出することができる。
【００２０】すなわち図２は受光素子２２及び２４の受
光部を示し、それぞれ３つの受光部２２Ａ、２２Ｂ、２
２Ｃ及び２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃを有し、それぞれの受
光部における受光量に応じて光磁気デイスク１０に対す
るトラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号、Ｒ
Ｆ和信号（位相ピツト検出信号）、ＲＦ差信号（光磁気
検出信号）を検出することができる。
光部を示し、それぞれ３つの受光部２２Ａ、２２Ｂ、２
２Ｃ及び２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃを有し、それぞれの受
光部における受光量に応じて光磁気デイスク１０に対す
るトラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号、Ｒ
Ｆ和信号（位相ピツト検出信号）、ＲＦ差信号（光磁気
検出信号）を検出することができる。
【００２１】ここで受光部２４Ａにおける受光量をＡ、
受光部２４Ｂにおける受光量をＢ、受光部２４Ｃに於け
る受光量をＣ、受光部２２Ａにおける受光量をＤ、受光
部２２Ｂにおける受光量をＥ、受光部２２Ｃにおける受
光量をＦとすると、トラツキングエラー信号は（Ａ−
Ｃ）＋（Ｆ−Ｄ）によつて表され、フオーカスエラー信
号は（Ａ＋Ｃ−Ｂ）−（Ｄ＋Ｆ−Ｅ）によつて表され、
ＲＦ和信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）＋（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）によつて
表され、ＲＦ差信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）
によつて表される。
受光部２４Ｂにおける受光量をＢ、受光部２４Ｃに於け
る受光量をＣ、受光部２２Ａにおける受光量をＤ、受光
部２２Ｂにおける受光量をＥ、受光部２２Ｃにおける受
光量をＦとすると、トラツキングエラー信号は（Ａ−
Ｃ）＋（Ｆ−Ｄ）によつて表され、フオーカスエラー信
号は（Ａ＋Ｃ−Ｂ）−（Ｄ＋Ｆ−Ｅ）によつて表され、
ＲＦ和信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）＋（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）によつて
表され、ＲＦ差信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）
によつて表される。
【００２２】かくして光磁気検出器３０においては、一
体化された複合プリズム４０を基板３６上に固着するよ
うにしたことにより、ビームスプリツタ膜３２、偏光ビ
ームスプリツタ膜３４等の光学部材の煩雑な位置決めを
することなく容易に光磁気検出信号等を得ることができ
る。
体化された複合プリズム４０を基板３６上に固着するよ
うにしたことにより、ビームスプリツタ膜３２、偏光ビ
ームスプリツタ膜３４等の光学部材の煩雑な位置決めを
することなく容易に光磁気検出信号等を得ることができ
る。
【００２３】以上の構成によれば、ビームスプリツタ膜
３２及び偏光ビームスプリツタ膜３４等の光学部品を複
合プリズム４０として一体化したことにより、当該光学
部品の煩雑な位置決めの必要性を回避し得る。従つて当
該光磁気検出器３０を一段と小型化し得る。
３２及び偏光ビームスプリツタ膜３４等の光学部品を複
合プリズム４０として一体化したことにより、当該光学
部品の煩雑な位置決めの必要性を回避し得る。従つて当
該光磁気検出器３０を一段と小型化し得る。
【００２４】なお上述の実施例においては、それぞれ３
つの受光部を有する受光素子２２及び２４を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図３
に示すように、それぞれ４つの受光部５２Ａ、５２Ｂ、
５２Ｃ、５２Ｄ及び５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、５４Ｄを
有する受光素子５２及び５４を用いるようにしても良
い。
つの受光部を有する受光素子２２及び２４を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図３
に示すように、それぞれ４つの受光部５２Ａ、５２Ｂ、
５２Ｃ、５２Ｄ及び５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、５４Ｄを
有する受光素子５２及び５４を用いるようにしても良
い。
【００２５】この場合、受光部５４Ａにおける受光量を
Ａ、受光部５４Ｂにおける受光量をＢ、受光部５４Ｃに
おける受光量をＣ、受光部５４Ｄにおける受光量をＤ、
受光部５２Ａにおける受光量をＥ、受光部５２Ｂにおけ
る受光量をＦ、受光部５２Ｃにおける受光量をＧ、受光
部５２Ｄにおける受光量をＨとすると、トラツキングエ
ラー信号は（（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ））＋（（Ｇ＋Ｈ）
−（Ｅ＋Ｆ））によつて表され、フオーカスエラー信号
は（Ａ＋Ｄ−（Ｂ＋Ｃ））−（Ｅ＋Ｈ−（Ｆ＋Ｇ））に
よつて表され、ＲＦ和信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）＋（Ｅ
＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ）によつて表され、ＲＦ差信号は（Ａ＋Ｂ
＋Ｃ＋Ｄ）−（Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ）によつて表される。
Ａ、受光部５４Ｂにおける受光量をＢ、受光部５４Ｃに
おける受光量をＣ、受光部５４Ｄにおける受光量をＤ、
受光部５２Ａにおける受光量をＥ、受光部５２Ｂにおけ
る受光量をＦ、受光部５２Ｃにおける受光量をＧ、受光
部５２Ｄにおける受光量をＨとすると、トラツキングエ
ラー信号は（（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ））＋（（Ｇ＋Ｈ）
−（Ｅ＋Ｆ））によつて表され、フオーカスエラー信号
は（Ａ＋Ｄ−（Ｂ＋Ｃ））−（Ｅ＋Ｈ−（Ｆ＋Ｇ））に
よつて表され、ＲＦ和信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）＋（Ｅ
＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ）によつて表され、ＲＦ差信号は（Ａ＋Ｂ
＋Ｃ＋Ｄ）−（Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈ）によつて表される。
【００２６】また上述の実施例においては、ガラス部材
３１及び３５を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、要は非晶質媒体であれば種々の材質のも
のを用いることができる。
３１及び３５を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、要は非晶質媒体であれば種々の材質のも
のを用いることができる。
【００２７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、光磁気デ
イスクからの戻り光の偏光面を回転させる媒体の第１及
び第２の面にビームスプリツタ膜及び偏光ビームスプリ
ツタ膜を接合することにより、光磁気デイスクからの戻
り光を受光素子に入射させる光学系を一体化することが
でき、これにより光学部品の煩雑な位置決め工程を回避
し得ると共に、一段と小型の光磁気検出器を実現でき
る。
イスクからの戻り光の偏光面を回転させる媒体の第１及
び第２の面にビームスプリツタ膜及び偏光ビームスプリ
ツタ膜を接合することにより、光磁気デイスクからの戻
り光を受光素子に入射させる光学系を一体化することが
でき、これにより光学部品の煩雑な位置決め工程を回避
し得ると共に、一段と小型の光磁気検出器を実現でき
る。
【図１】本発明による光磁気検出器の一実施例を示す側
面図である。
面図である。
【図２】受光素子の構成を示す略線図である。
【図３】受光素子の構成を示す略線図である。
【図４】従来の光磁気検出器を示す略線図である。
２……半導体レーザ、１０……光磁気デイスク、２２、
２４……受光素子、３０……光磁気検出器、３１、３５
……ガラス部材、３２……ビームスプリツタ膜、３３…
…結晶部材、３４……偏光ビームスプリツタ膜、３６…
…基板。
２４……受光素子、３０……光磁気検出器、３１、３５
……ガラス部材、３２……ビームスプリツタ膜、３３…
…結晶部材、３４……偏光ビームスプリツタ膜、３６…
…基板。
Claims (2)
- 【請求項１】所定の光ビームを射出する光源と、 上記光ビームを光磁気デイスク方向に反射させると共
に、上記光磁気デイスクにおいて反射した戻り光を透過
させるビームスプリツタ膜と、 上記ビームスプリツタ膜に接合され、上記ビームスプリ
ツタ膜を透過した上記戻り光の偏光面を45度回転させて
透過する媒体と、 上記媒体に接合され、上記媒体を透過した上記戻り光を
それぞれ異なる偏光方向でなる第１及び第２の偏光成分
に分離し、上記第１の偏光成分を第１の受光素子に入射
させると共に上記第２の偏光成分を上記ビームスプリツ
タ膜において反射させた後、第２の受光素子に入射させ
る偏光ビームスプリツタ膜とを具えたことを特徴とする
光磁気検出器。 - 【請求項２】上記媒体は、第１の面に上記ビームスプリ
ツタ膜を形成し、上記第１の面の一部に上記ビームスプ
リツタ膜を介して非晶質媒体を接合し、上記非晶質媒体
を介して上記光磁気デイスクからの戻り光を入射すると
共に、上記非晶質媒体が接合されていない領域に形成さ
れた上記ビームスプリツタ膜に、上記偏光ビームスプリ
ツタ膜において反射した上記第２の偏光成分を入射する
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36020392A JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36020392A JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203420A true JPH06203420A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3255306B2 JP3255306B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18468355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36020392A Expired - Fee Related JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255306B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751681A (en) * | 1997-03-17 | 1998-05-12 | Nec Corporation | Tracking signal detection with a photodetector receiving one of a ∓1st-order polarized light |
| US5777975A (en) * | 1995-02-20 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup incorporating an integrated optical guide member |
| US5790502A (en) * | 1994-10-06 | 1998-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup with conversion of diffusion angle of outgoing light relative to diffusion angle of incident light |
-
1992
- 1992-12-30 JP JP36020392A patent/JP3255306B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5790502A (en) * | 1994-10-06 | 1998-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup with conversion of diffusion angle of outgoing light relative to diffusion angle of incident light |
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| JP3255306B2 (ja) | 2002-02-12 |
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