JPH0474319A - 光学式ピックアップ - Google Patents
光学式ピックアップInfo
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- JPH0474319A JPH0474319A JP2187669A JP18766990A JPH0474319A JP H0474319 A JPH0474319 A JP H0474319A JP 2187669 A JP2187669 A JP 2187669A JP 18766990 A JP18766990 A JP 18766990A JP H0474319 A JPH0474319 A JP H0474319A
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- light
- beam splitter
- split prism
- semiconductor laser
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 abstract description 2
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、円盤状記録媒体に各種情報を光学的に記録φ
再生のみを行なう装置の光学式ピックアップに関する。
再生のみを行なう装置の光学式ピックアップに関する。
［従来の技術］
従来この種の装置は、第７図および第８図に示すような
構成により、半導体レーザ１を出射した光束はコリメー
トレンズ２により平行光とされた後、前方に配置された
ビーム整形プリズム３に入射し、半導体レーザ１のその
ＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍程度拡大された円形
光束となって偏光ビームスプリッタ４に入射する。この
とき、偏光ビームスプリッタ４はコリメートレンズ出射
後の光束がＳ偏光で入射するように配置されているので
、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束はその誘電体
多層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ
／４板５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円盤
状記録媒体７上に集光される。
構成により、半導体レーザ１を出射した光束はコリメー
トレンズ２により平行光とされた後、前方に配置された
ビーム整形プリズム３に入射し、半導体レーザ１のその
ＰＮ接合面に平行な方向に２．５倍程度拡大された円形
光束となって偏光ビームスプリッタ４に入射する。この
とき、偏光ビームスプリッタ４はコリメートレンズ出射
後の光束がＳ偏光で入射するように配置されているので
、偏光ビームスプリッタ４に入射した光束はその誘電体
多層膜をコートした接合面により１００％反射され、λ
／４板５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円盤
状記録媒体７上に集光される。
かかる後に、円盤状記録媒体７によって反射された光束
は再び対物レンズ６を透過しλ／４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角が９０’ とな
る直線偏光となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射
する。このとき、この光束は偏光ビームスプリッタ４に
対してＰ偏光で入射するため、１００％透過しλ／４板
５を透過後、円偏光となり凹面鏡８によって集光されな
がら反射し、再びλ／４板５を透過後Ｓ偏光となり、今
度は偏光ビームスプリッタ４の誘電体多層膜をコートシ
た接合面により１００％反射されビームスプリッタ９に
入射する。
は再び対物レンズ６を透過しλ／４板５を透過し、半導
体レーザ１出射後の光束となす方位角が９０’ とな
る直線偏光となり、再び偏光ビームスプリッタ４に入射
する。このとき、この光束は偏光ビームスプリッタ４に
対してＰ偏光で入射するため、１００％透過しλ／４板
５を透過後、円偏光となり凹面鏡８によって集光されな
がら反射し、再びλ／４板５を透過後Ｓ偏光となり、今
度は偏光ビームスプリッタ４の誘電体多層膜をコートシ
た接合面により１００％反射されビームスプリッタ９に
入射する。
ビームスプリッタ９に入射した光束はその５０％がコリ
メートレンズ２の光軸と平行な方向に透過し、残り５０
％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッタ９
のコリメートレンズ２の光軸と平行な方向に出射した光
束は前方にあるナイフ１０により更に５０％が遮光され
、受光素子１２によって捕らえられ、その差動出力によ
りフォーカシング制御を行ない、残りの、コリメートレ
ンズ２の光軸と直交する方向に出射した光束は受光素子
１１によって捕らえられ、トラッキング制御および再生
信号検出を行なっていた。
メートレンズ２の光軸と平行な方向に透過し、残り５０
％はそれと直交する方向に反射し、ビームスプリッタ９
のコリメートレンズ２の光軸と平行な方向に出射した光
束は前方にあるナイフ１０により更に５０％が遮光され
、受光素子１２によって捕らえられ、その差動出力によ
りフォーカシング制御を行ない、残りの、コリメートレ
ンズ２の光軸と直交する方向に出射した光束は受光素子
１１によって捕らえられ、トラッキング制御および再生
信号検出を行なっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の構成装置では、フォーカス検出にシング
ルナイフェツジ法を採用しているため、ナイフ１０の調
整をコリメートレンズの光軸に直交する面内において行
なわなければならないばかりでなく、その調整にかなり
の時間を要する。また、外部からの衝撃および環境変化
などにより受光素子１２の差動出力にオフセットを生じ
た場合、電気的に補正ができるマージンが少ないため、
受光素子１２の調整を再度行なわなければならない。
ルナイフェツジ法を採用しているため、ナイフ１０の調
整をコリメートレンズの光軸に直交する面内において行
なわなければならないばかりでなく、その調整にかなり
の時間を要する。また、外部からの衝撃および環境変化
などにより受光素子１２の差動出力にオフセットを生じ
た場合、電気的に補正ができるマージンが少ないため、
受光素子１２の調整を再度行なわなければならない。
さらに、光学系の構成として、ビーム整形プリズム３、
偏光ビームスプリッタ４およびビームスプリッタ９を直
線的に接合しているため装置全体の形状が大きくなって
しまう。
偏光ビームスプリッタ４およびビームスプリッタ９を直
線的に接合しているため装置全体の形状が大きくなって
しまう。
［課題を解決するための手段］
本発明の光学式ピックアップは、円盤状記録媒体に各種
情報を光学的に記録・再生のみを行なう装置において、
光源の半導体レーザと、前記半導体レーザから出射した
光束を平行光とするコリメートレンズと、前記コリメー
トレンズの出射面の前方に配置され、前記コリメートレ
ンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平行
な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズムと、
前記コリメートレンズの光軸と直交する方向の２つの出
射面にそれぞれλ／４板が接合され、かつ、その一方の
前記λ／４板に凹面鏡ハーフミラ−が接合され、前記フ
リメートレンズの光軸と平行な出射面においてその２本
の対角線により４分割された部分のうち、前記ビーム整
形プリズムのビーム拡大方向と平行な２つの三角形部分
が砂すり面でしかも、光吸収用の黒色塗装を施した偏光
ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタの前記
部分的に黒色塗装を施した面に接合されたスプリットプ
リズムと、前記スプリットプリズムの前方に配置された
少なくとも４分割以上の第１の受光素子と、前記凹面鏡
ハーフミラ−の前方に少なくとも４分割以上の第２の受
光素子とを配置したことを特徴とする。
情報を光学的に記録・再生のみを行なう装置において、
光源の半導体レーザと、前記半導体レーザから出射した
光束を平行光とするコリメートレンズと、前記コリメー
トレンズの出射面の前方に配置され、前記コリメートレ
ンズ出射の光束を前記半導体レーザのＰＮ接合面と平行
な方向に任意の倍率で拡大するビーム整形プリズムと、
前記コリメートレンズの光軸と直交する方向の２つの出
射面にそれぞれλ／４板が接合され、かつ、その一方の
前記λ／４板に凹面鏡ハーフミラ−が接合され、前記フ
リメートレンズの光軸と平行な出射面においてその２本
の対角線により４分割された部分のうち、前記ビーム整
形プリズムのビーム拡大方向と平行な２つの三角形部分
が砂すり面でしかも、光吸収用の黒色塗装を施した偏光
ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタの前記
部分的に黒色塗装を施した面に接合されたスプリットプ
リズムと、前記スプリットプリズムの前方に配置された
少なくとも４分割以上の第１の受光素子と、前記凹面鏡
ハーフミラ−の前方に少なくとも４分割以上の第２の受
光素子とを配置したことを特徴とする。
［実施例コ
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は同実施例
を対物レンズ６の光軸に平行な方向のファーフィールド
より眺めた場合の図である。
を対物レンズ６の光軸に平行な方向のファーフィールド
より眺めた場合の図である。
半導体レーザ１を出射した光束はコリメートレンズ２に
よって平行光とされた後、前方に配置されたビーム整形
プリズム３に入射し、半導体レーザ１のそのＰＮ接合面
に平行な方向に２．５倍程度拡大され、円形光束となっ
て偏光ビームスプリツタ４に入射する。このとき、偏光
ビームスプリッタ４は半導体レーザ１出射の光束に対し
ては、例えばＰ偏光を１００％透過、Ｓ偏光を１００％
反射するような特性を持たせであるが、いまの場合偏光
ビームスプリッタ４はコリメートレンズ２出射後の光束
がＳ偏光で入射するように配置されているため、偏光ビ
ームスプリッタ４に入射した光束は、その誘電体多層膜
をコートした接合面により１００％反射され、λ／４板
５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円盤状記録
媒体７上に集光される。
よって平行光とされた後、前方に配置されたビーム整形
プリズム３に入射し、半導体レーザ１のそのＰＮ接合面
に平行な方向に２．５倍程度拡大され、円形光束となっ
て偏光ビームスプリツタ４に入射する。このとき、偏光
ビームスプリッタ４は半導体レーザ１出射の光束に対し
ては、例えばＰ偏光を１００％透過、Ｓ偏光を１００％
反射するような特性を持たせであるが、いまの場合偏光
ビームスプリッタ４はコリメートレンズ２出射後の光束
がＳ偏光で入射するように配置されているため、偏光ビ
ームスプリッタ４に入射した光束は、その誘電体多層膜
をコートした接合面により１００％反射され、λ／４板
５を透過後円偏光となり対物レンズ６により円盤状記録
媒体７上に集光される。
かかる後に、円盤状記録媒体７によって反射された光束
は再び対物レンズ６とλ／４板５を透過し、半導体レー
ザ１出射後の光束となす方位角が９０° となる直線偏
光となり再び偏光ビームスプリッタ４に入射するため、
その誘電体多層膜とコートした接合面を今度は透過し、
λ／４板５を透過して円偏光となり凹面鏡ハーフミラ−
１３に入射する。
は再び対物レンズ６とλ／４板５を透過し、半導体レー
ザ１出射後の光束となす方位角が９０° となる直線偏
光となり再び偏光ビームスプリッタ４に入射するため、
その誘電体多層膜とコートした接合面を今度は透過し、
λ／４板５を透過して円偏光となり凹面鏡ハーフミラ−
１３に入射する。
凹面鏡ハーフミラ−１３に入射した光束は、５０％の光
量は集光されながら透過し、前方に配置された受光素子
１５により捕らえられる。第４図は受光素子１５に入射
する光束を示しており、同図のＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈはそれぞ
れ４つの受光面である。トラック検出には（Ｈ−Ｆ）の
差動出力により行ない、再生信号検出は（Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋
Ｈ）の出力にて検出する。
量は集光されながら透過し、前方に配置された受光素子
１５により捕らえられる。第４図は受光素子１５に入射
する光束を示しており、同図のＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈはそれぞ
れ４つの受光面である。トラック検出には（Ｈ−Ｆ）の
差動出力により行ない、再生信号検出は（Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋
Ｈ）の出力にて検出する。
凹面鏡ハーフミラ−１３に入射した残りの５０％の光量
は、その凹面鏡により集光されながら反射しλ／４板５
を透過し再びＳ偏光となるため、偏光ビームスプリッタ
４の誘電体多層膜をコートした接合面により反射され、
第６図に示すようなスプリットプリズム１４に入射する
が、このとき、偏光ビームスプリッタ４の出射面は第３
図に示すように、その２本の対角線により４分割された
４つの三角形部分のうち鉛直方向の２つの三角形部分１
７が砂ずり処理および黒色塗装が施しであるため、円形
光束から２つの扇形となり、スプリットプリズム１４に
入射する。
は、その凹面鏡により集光されながら反射しλ／４板５
を透過し再びＳ偏光となるため、偏光ビームスプリッタ
４の誘電体多層膜をコートした接合面により反射され、
第６図に示すようなスプリットプリズム１４に入射する
が、このとき、偏光ビームスプリッタ４の出射面は第３
図に示すように、その２本の対角線により４分割された
４つの三角形部分のうち鉛直方向の２つの三角形部分１
７が砂ずり処理および黒色塗装が施しであるため、円形
光束から２つの扇形となり、スプリットプリズム１４に
入射する。
スプリットプリズム１４に入射した２つの扇形光束はス
プリットプリズムのその任意の角度の２つのくさびプリ
ズムにより横ズラシを受けて出射し前方にある受光素子
１６によって捕らえられる。
プリットプリズムのその任意の角度の２つのくさびプリ
ズムにより横ズラシを受けて出射し前方にある受光素子
１６によって捕らえられる。
第５図は受光素子１６に入射する２つの扇形光束を示し
ており、同図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄはそれぞれ４つの受光面
である。フォーカス検出はダブルナイフェツジ法を採用
し、例えば（Ａ＋Ｄ） −（Ｂ＋Ｃ）のような差動出力
により行なう。
ており、同図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄはそれぞれ４つの受光面
である。フォーカス検出はダブルナイフェツジ法を採用
し、例えば（Ａ＋Ｄ） −（Ｂ＋Ｃ）のような差動出力
により行なう。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、偏光ビームスプリ
ッタの２つの出射面に部分的なマスキングを施しさらに
スプリットプリズムを接合してフォーカス検出系を構成
することにより、装置の小型軽量化、フォーカス検出系
の調整時間の短縮および環境変化に対するフォーカス検
出系のオフセット補正のマージンの拡大を簡単に行なう
ことができるという効果がある。
ッタの２つの出射面に部分的なマスキングを施しさらに
スプリットプリズムを接合してフォーカス検出系を構成
することにより、装置の小型軽量化、フォーカス検出系
の調整時間の短縮および環境変化に対するフォーカス検
出系のオフセット補正のマージンの拡大を簡単に行なう
ことができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は第１図の
実施例を対物レンズ６の光軸に平行な方向のファーフィ
ールドより眺めた場合の図、第３図は同実施例の偏光ビ
ームスプリッタのマスキング部分を説明するための図、
第４図は同実施例のトラック検出系の受光素子の受光状
態を説明するための図、第５図は同実施例のフォーカス
、検出系の受光素子の受光状態を説明するための図、第
６図は同実施例に用いられるスプリットプリズムを説明
するための図、第７図は従来例を示す図、第８図は従来
例の対物レンズの光軸に平行な方向のファーフィールド
より眺めた場合の図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビーム整形プリズム、４・・・偏光ビームスプリ
ッタ、５・・・λ／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円盤状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・・ビームス
プリッタ、１０・・・ナイフ、１１，１２，１５．ＩＦ
５・・・受光素子、１３・・・凹面鏡ハーフミラ−１４
・・・スプリットプリズム、１７・・・光吸収用マスキ
ング部分。
実施例を対物レンズ６の光軸に平行な方向のファーフィ
ールドより眺めた場合の図、第３図は同実施例の偏光ビ
ームスプリッタのマスキング部分を説明するための図、
第４図は同実施例のトラック検出系の受光素子の受光状
態を説明するための図、第５図は同実施例のフォーカス
、検出系の受光素子の受光状態を説明するための図、第
６図は同実施例に用いられるスプリットプリズムを説明
するための図、第７図は従来例を示す図、第８図は従来
例の対物レンズの光軸に平行な方向のファーフィールド
より眺めた場合の図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビーム整形プリズム、４・・・偏光ビームスプリ
ッタ、５・・・λ／４板、６・・・対物レンズ、７・・
・円盤状記録媒体、８・・・凹面鏡、９・・・ビームス
プリッタ、１０・・・ナイフ、１１，１２，１５．ＩＦ
５・・・受光素子、１３・・・凹面鏡ハーフミラ−１４
・・・スプリットプリズム、１７・・・光吸収用マスキ
ング部分。
Claims (1)
- 円盤状記録媒体に各種情報を光学的に記録・再生のみ
を行なう装置において、光源の半導体レーザと、前記半
導体レーザから出射した光束を平行光とするコリメート
レンズと、前記コリメートレンズの出射面の前方に配置
され、前記コリメートレンズ出射の光束を前記半導体レ
ーザのＰＮ接合面と平行な方向に任意の倍率で拡大する
ビーム整形プリズムと、前記コリメートレンズの光軸と
直交する方向の２つの出射面にそれぞれλ／４板が接合
され、かつ、その一方の前記λ／４板に凹面鏡ハーフミ
ラーが接合され、前記コリメートレンズの光軸と平行な
出射面においてその２本の対角線により４分割された部
分のうち、前記ビーム整形プリズムのビーム拡大方向と
平行な２つの三角形部分が砂ずり面でしかも、光吸収用
の黒色塗装を施した偏光ビームスプリッタと、前記偏光
ビームスプリッタの前記部分的に黒色塗装を施した面に
接合されたスプリットプリズムと、前記スプリットプリ
ズムの前方に配置された少なくとも４分割以上の第１の
受光素子と、前記凹面鏡ハーフミラーの前方に少なくと
も４分割以上の第２の受光素子とを配置したことを特徴
とする光学式ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187669A JPH0474319A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光学式ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187669A JPH0474319A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光学式ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474319A true JPH0474319A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16210090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187669A Pending JPH0474319A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 光学式ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7480625B2 (en) | 2003-03-07 | 2009-01-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Sales data processing device and program |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2187669A patent/JPH0474319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7480625B2 (en) | 2003-03-07 | 2009-01-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Sales data processing device and program |
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