JPS62293543A - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
- Publication number
- JPS62293543A JPS62293543A JP13590386A JP13590386A JPS62293543A JP S62293543 A JPS62293543 A JP S62293543A JP 13590386 A JP13590386 A JP 13590386A JP 13590386 A JP13590386 A JP 13590386A JP S62293543 A JPS62293543 A JP S62293543A
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- light
- beam splitter
- polarized
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 28
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録情報再生光学系に係り、特に光磁
気ディスクや光磁気カードなどの光学ヘッドに用いる情
報再生光学系に関する。
気ディスクや光磁気カードなどの光学ヘッドに用いる情
報再生光学系に関する。
光磁気記録再生装置では、ディスクやカードなどの記録
媒体の垂直磁化膜の磁化方向を反転させることにより情
報の記録を行う。再生は、直線偏光を垂直磁化膜に照射
して、その反射光の偏光面が回転する現象(カー効果)
を用いる。例えば、水平直線偏光を垂直磁化膜の未記録
部分に照射すると反射光の偏光面は一〇に回転し、記録
部分に照射すると偏光面は十〇8回転する。そこで、反
射光の偏光成分をもとの水平直線偏光の偏光面の方向(
水平方向)に対して±45度傾むいた2つの方向に分離
すると、未記録部分に照射した場合−45度方向の偏光
成分が多くなり、記録部分に照射した場合+45度方向
の偏光成分が多くなるので、分離した2つの偏光成分を
光検出器でそれぞれ受光した後、2つの光検出器の出力
の差を取る、いわゆる差動法によって再生信号が得られ
る。
媒体の垂直磁化膜の磁化方向を反転させることにより情
報の記録を行う。再生は、直線偏光を垂直磁化膜に照射
して、その反射光の偏光面が回転する現象(カー効果)
を用いる。例えば、水平直線偏光を垂直磁化膜の未記録
部分に照射すると反射光の偏光面は一〇に回転し、記録
部分に照射すると偏光面は十〇8回転する。そこで、反
射光の偏光成分をもとの水平直線偏光の偏光面の方向(
水平方向)に対して±45度傾むいた2つの方向に分離
すると、未記録部分に照射した場合−45度方向の偏光
成分が多くなり、記録部分に照射した場合+45度方向
の偏光成分が多くなるので、分離した2つの偏光成分を
光検出器でそれぞれ受光した後、2つの光検出器の出力
の差を取る、いわゆる差動法によって再生信号が得られ
る。
差動法は、特にノイズ低減に有効である。反射光を2つ
の偏光成分に分離するには、ウオーラストンプリズム、
トムソンプリズム、ロションプリズ!1などの結晶を用
いた偏光ビームスプリッタ等が用いられるが、コスト的
、量産的に薄膜型偏光ビームスプリッタが好ましい。
の偏光成分に分離するには、ウオーラストンプリズム、
トムソンプリズム、ロションプリズ!1などの結晶を用
いた偏光ビームスプリッタ等が用いられるが、コスト的
、量産的に薄膜型偏光ビームスプリッタが好ましい。
しかしながら、差動法を利用する場合、特開昭5111
−191156号に記載のように、偏光ビームスプリッ
タを45度傾むける必要があり、その結果1分層された
2本の中心光軸は水平面内にはなくなり、ねじれた配置
になる。特に薄膜型偏光ビームスプリッタを用いた場合
、薄膜型偏光ビームスプリッタによづて分離された反射
光成分の中心光軸は水平面と45度をなす、一般に、中
心光軸を90度以外の角度に配置することは、加工や組
立て調整などの点で好ましくない、また、差動出力のバ
ランスをとってノイズを低減する目的で、薄膜型偏光ビ
ームスプリッタの回転調整が必要であるが、薄膜型偏光
ビームスプリッタの回転調整によって、反射光成分の中
心光軸が45度からずれるので、反射光成分を受光する
光検出器の位置調整も同時に行わなくてはならず、調整
が困難になる。
−191156号に記載のように、偏光ビームスプリッ
タを45度傾むける必要があり、その結果1分層された
2本の中心光軸は水平面内にはなくなり、ねじれた配置
になる。特に薄膜型偏光ビームスプリッタを用いた場合
、薄膜型偏光ビームスプリッタによづて分離された反射
光成分の中心光軸は水平面と45度をなす、一般に、中
心光軸を90度以外の角度に配置することは、加工や組
立て調整などの点で好ましくない、また、差動出力のバ
ランスをとってノイズを低減する目的で、薄膜型偏光ビ
ームスプリッタの回転調整が必要であるが、薄膜型偏光
ビームスプリッタの回転調整によって、反射光成分の中
心光軸が45度からずれるので、反射光成分を受光する
光検出器の位置調整も同時に行わなくてはならず、調整
が困難になる。
そこで、特開昭59−191156号に記載のように、
2分の1波長板やファラデーローテータなどを偏光ビー
ムスプリッタの前に配置し、偏光ビームスプリッタに入
射する光の偏光方向を45度向回転せておく方式が提案
されている。この方式では、分離された2本の中心光軸
は水平面内にあり、また、偏光ビームスプリッタの回転
調整のかわりに2分の1波長板を回転することにより差
動出力のバランス調整が行えるので、加工や組立て調整
などが改良されている。しかし、薄膜型偏光ビームスプ
リッタを用いた場合、2つの分割された偏光成分の中心
光軸が90度になるため、2つの光検出器を一体化する
ことは困難である。さらに、各各の光検出器の位置調整
を行わなくてはならない。
2分の1波長板やファラデーローテータなどを偏光ビー
ムスプリッタの前に配置し、偏光ビームスプリッタに入
射する光の偏光方向を45度向回転せておく方式が提案
されている。この方式では、分離された2本の中心光軸
は水平面内にあり、また、偏光ビームスプリッタの回転
調整のかわりに2分の1波長板を回転することにより差
動出力のバランス調整が行えるので、加工や組立て調整
などが改良されている。しかし、薄膜型偏光ビームスプ
リッタを用いた場合、2つの分割された偏光成分の中心
光軸が90度になるため、2つの光検出器を一体化する
ことは困難である。さらに、各各の光検出器の位置調整
を行わなくてはならない。
また、2分の1波長板は、特定の波長にのみ2分の1波
長の位相差を与えるものであるから、光源の波長のばら
つきや環境変化による波長変動に対して2分の1波長の
位相差からずれを生じ、また、2分の1波長板自体のば
らつきもあり、その結果、差動出力のバランスをくずし
、特にノイズが増加する。
長の位相差を与えるものであるから、光源の波長のばら
つきや環境変化による波長変動に対して2分の1波長の
位相差からずれを生じ、また、2分の1波長板自体のば
らつきもあり、その結果、差動出力のバランスをくずし
、特にノイズが増加する。
以上述べたように、上記従来技術は、薄膜型偏光ビーム
スプリッタによって反射された偏光光束の中心光軸が水
平面と45度をなし、さらに薄膜型偏光ビームスプリッ
タの回転調整によって反射光束の中心光軸が45度から
ずれるので光検出器の位置調整を必要とするなど、加工
や組立調整などに問題があった。また、薄膜型偏光ビー
ムスプリッタによって分離された2つの偏光光束の中心
光軸が90度になるため、2つの光検出器を一体化でき
ず、さらに、2分の1波長板のばらつきや波長の変化に
よってノイズが増加するという問題があった。
スプリッタによって反射された偏光光束の中心光軸が水
平面と45度をなし、さらに薄膜型偏光ビームスプリッ
タの回転調整によって反射光束の中心光軸が45度から
ずれるので光検出器の位置調整を必要とするなど、加工
や組立調整などに問題があった。また、薄膜型偏光ビー
ムスプリッタによって分離された2つの偏光光束の中心
光軸が90度になるため、2つの光検出器を一体化でき
ず、さらに、2分の1波長板のばらつきや波長の変化に
よってノイズが増加するという問題があった。
本発明の目的は、2分の1波長板などを用いず、薄膜型
偏光ビームスプリッタによって分離された2つの偏光光
束を同一方向に出射することにより。
偏光ビームスプリッタによって分離された2つの偏光光
束を同一方向に出射することにより。
2つの光検出器の一体化を可能とし、しかも薄膜型偏光
ビー11スプリツタの回転調整を行っても光検出器の位
置7I4整を必要としない光磁気記録情報再生光学系を
提供することにある。
ビー11スプリツタの回転調整を行っても光検出器の位
置7I4整を必要としない光磁気記録情報再生光学系を
提供することにある。
上記目的は、薄膜型偏光ビームスプリッタに偏光分離の
ための反射面とは異なる他の反射面を設け、薄膜型偏光
ビームスプリッタと光検出器の間にレンズを配置し、レ
ンズによる2つの偏光光束の集束面内に光検出器受光面
を配置することにより、達成される。
ための反射面とは異なる他の反射面を設け、薄膜型偏光
ビームスプリッタと光検出器の間にレンズを配置し、レ
ンズによる2つの偏光光束の集束面内に光検出器受光面
を配置することにより、達成される。
薄膜型偏光ビーl〜スプリッタに設けられた偏光分離面
とは異なる他の反射面は、偏光分離された2つの光束を
同一方向に出射する作用があり、そのため、2つの光検
出器を一体化することができる。又、レンズは、平行光
束を一点に集束させろ作用があり、そのため、偏光ビー
ムズブリッタの回転調整により偏光ビームスプリッタか
らの出射光に平行ずれが生じても、集束点は光検出器受
光面からずれることはない。
とは異なる他の反射面は、偏光分離された2つの光束を
同一方向に出射する作用があり、そのため、2つの光検
出器を一体化することができる。又、レンズは、平行光
束を一点に集束させろ作用があり、そのため、偏光ビー
ムズブリッタの回転調整により偏光ビームスプリッタか
らの出射光に平行ずれが生じても、集束点は光検出器受
光面からずれることはない。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は、本発明を光磁気ディスクの光学ヘッドに用いたも
ので、半導体レーザ1から出射した水平直線偏光2をコ
リメートレンズ3で平行光束にし、ハーフプリズム4を
通過してフォーカスレンズ5によりディスク6の垂直磁
化膜7に照射させる。反射光8は、再度フォーカスレン
ズ5により平行光束になり、ハーフプリズム4で反射さ
れる。反射光9は、本発明による。平行型偏光ビームス
プリッタ10と複合レンズ1.1と2つの光検出素子1
2aと12bを有する光検出器12とからなる光磁気記
録情報再生光学系に導かれ、差動回路13によって光検
索子1.28と】2bの出力の差を取って、再生信号1
4を得る。
図は、本発明を光磁気ディスクの光学ヘッドに用いたも
ので、半導体レーザ1から出射した水平直線偏光2をコ
リメートレンズ3で平行光束にし、ハーフプリズム4を
通過してフォーカスレンズ5によりディスク6の垂直磁
化膜7に照射させる。反射光8は、再度フォーカスレン
ズ5により平行光束になり、ハーフプリズム4で反射さ
れる。反射光9は、本発明による。平行型偏光ビームス
プリッタ10と複合レンズ1.1と2つの光検出素子1
2aと12bを有する光検出器12とからなる光磁気記
録情報再生光学系に導かれ、差動回路13によって光検
索子1.28と】2bの出力の差を取って、再生信号1
4を得る。
第2図は、平行型偏光ビームスプリッタ10を水平面に
置き上から見た図である0例えば、入射偏光15は、薄
膜型の偏光分離面16によってP偏光17とS偏光18
に分離される。、S偏光18は、反射面19によって反
射され、P偏光17と同一方向に出射される。第3図は
、第2図の平行型偏光ビー11スプリツタ10を、出射
光側から見た図である。第1図における実施例では、第
3図のP偏光17の中心光軸を中心に平行型偏光ビーム
スプリッタ10を45度回転して配置する。第4図は、
第1図の平行型偏光ビームスプリッタ10と複合レンズ
1コを光検出器12側から見た図である。第1図の反射
光9は平行型偏光ビー11スプリツタ10で偏光分離面
16に対するP偏光20とS偏光21に分離され、複合
レンズ]1に入射する。
置き上から見た図である0例えば、入射偏光15は、薄
膜型の偏光分離面16によってP偏光17とS偏光18
に分離される。、S偏光18は、反射面19によって反
射され、P偏光17と同一方向に出射される。第3図は
、第2図の平行型偏光ビー11スプリツタ10を、出射
光側から見た図である。第1図における実施例では、第
3図のP偏光17の中心光軸を中心に平行型偏光ビーム
スプリッタ10を45度回転して配置する。第4図は、
第1図の平行型偏光ビームスプリッタ10と複合レンズ
1コを光検出器12側から見た図である。第1図の反射
光9は平行型偏光ビー11スプリツタ10で偏光分離面
16に対するP偏光20とS偏光21に分離され、複合
レンズ]1に入射する。
第5図は、第1図の反射光9の偏光方向9′と。
平行型°偏光ビームスプリッタ10を出射するP偏光2
0の偏光方向20′と、Si光21の偏光方向21′を
示す。ディスク6の垂直磁化膜7の磁化方向のちがいに
より、反射光9の偏光方向9′は、例えば、情報の未記
録部では一〇に傾き、P偏光方向20′のP偏光成分が
増え、逆に、情報記録部では+θに傾きS偏光方向21
′のS偏光成分が増える。そこで、光検出素子12aと
12bの出力の差を差動回路13で取って再生信号14
が得られろ。又1本発明による差動方式では、平行型偏
光ビームスプリッタ10を反射光9の中心光軸を中心に
回転調整を行い、P偏光2oとS偏光21の平均光量を
等しくすることによってノイズを減少することができる
。
0の偏光方向20′と、Si光21の偏光方向21′を
示す。ディスク6の垂直磁化膜7の磁化方向のちがいに
より、反射光9の偏光方向9′は、例えば、情報の未記
録部では一〇に傾き、P偏光方向20′のP偏光成分が
増え、逆に、情報記録部では+θに傾きS偏光方向21
′のS偏光成分が増える。そこで、光検出素子12aと
12bの出力の差を差動回路13で取って再生信号14
が得られろ。又1本発明による差動方式では、平行型偏
光ビームスプリッタ10を反射光9の中心光軸を中心に
回転調整を行い、P偏光2oとS偏光21の平均光量を
等しくすることによってノイズを減少することができる
。
複合レンズ11は、第4図に示す対角線22で分割され
た2つのレンズ素子からなる。それらのレンズ光軸を2
3と24で示す、P偏光20とS偏光2]はともに平行
光束であるから、平行型偏光ビームスプリッタ10の回
転調整を行っても、P偏光2oとS偏光21の集束点は
レンズ光軸23と24上にあって変動しない。よって、
光検出器12の2つの光検出素子12aと」21)がレ
ンズ光@23と24上の集束点にあるようにあらかじめ
調整しておけば、その後の平行型偏光ビームスプリッタ
の回転調整時にも、光検出器12の位置調整は不要にな
る6 本発明は、第1図に示す実施例に限られることはない。
た2つのレンズ素子からなる。それらのレンズ光軸を2
3と24で示す、P偏光20とS偏光2]はともに平行
光束であるから、平行型偏光ビームスプリッタ10の回
転調整を行っても、P偏光2oとS偏光21の集束点は
レンズ光軸23と24上にあって変動しない。よって、
光検出器12の2つの光検出素子12aと」21)がレ
ンズ光@23と24上の集束点にあるようにあらかじめ
調整しておけば、その後の平行型偏光ビームスプリッタ
の回転調整時にも、光検出器12の位置調整は不要にな
る6 本発明は、第1図に示す実施例に限られることはない。
例えば、半導体レーザ1の偏光方向やハーフプリズ11
4の設定角に充分注意をはらえば、平行型偏光ビームス
プリッタ10の回転調整範囲は、数度程度になり、ノイ
ズ増加をある程度許容すれば、調整を不要にすることも
可能である。平行型偏光ビームスプリッタ10の回転調
整範囲が小さいか、又は不要な場合、第1図の複合レン
ズ11を取り除くことも出来る。第6図の破線10は平
行型偏光ビー11スプリツタを示し、25はP偏光平行
光束の外径、2GはS偏光平行光束の外径を示す。この
場合、回転調整によってずれろS偏光平行光束の外径(
破線の丸で示す26′)の位置より大きな受光部〕2a
′と12b′を持つ光検出器を用いれば良い。
4の設定角に充分注意をはらえば、平行型偏光ビームス
プリッタ10の回転調整範囲は、数度程度になり、ノイ
ズ増加をある程度許容すれば、調整を不要にすることも
可能である。平行型偏光ビームスプリッタ10の回転調
整範囲が小さいか、又は不要な場合、第1図の複合レン
ズ11を取り除くことも出来る。第6図の破線10は平
行型偏光ビー11スプリツタを示し、25はP偏光平行
光束の外径、2GはS偏光平行光束の外径を示す。この
場合、回転調整によってずれろS偏光平行光束の外径(
破線の丸で示す26′)の位置より大きな受光部〕2a
′と12b′を持つ光検出器を用いれば良い。
又、平行偏光ビー11スプリツタは、第2図、第3図に
示された形状に限らず、例えば、第7図の】0′で示す
ようなものでも良い。入射光9は、薄11’tm型偏光
分離面16でSP偏光成分にそれぞれ分離され、P偏光
20は透過する。S偏光21は、反射面27と28で反
射された後、P偏光20と同一方向に出射する。
示された形状に限らず、例えば、第7図の】0′で示す
ようなものでも良い。入射光9は、薄11’tm型偏光
分離面16でSP偏光成分にそれぞれ分離され、P偏光
20は透過する。S偏光21は、反射面27と28で反
射された後、P偏光20と同一方向に出射する。
又、複合レンズは、第8図の11′で示すようにP偏光
20が入射する領域の光軸が23′で、S偏光21の入
射する光軸が24′であるものでも良い、このような複
合レンズ11′を用いると。
20が入射する領域の光軸が23′で、S偏光21の入
射する光軸が24′であるものでも良い、このような複
合レンズ11′を用いると。
光検出素子12aと12bに入射する光は斜め入射にな
るので、光検出素子面からの反射光が、もとの光学系を
通ってレーザに戻ることがないので、戻り光によるレー
ザノイズを低減することができる。
るので、光検出素子面からの反射光が、もとの光学系を
通ってレーザに戻ることがないので、戻り光によるレー
ザノイズを低減することができる。
又、第9図に示すように、平行型偏光ビームスプリンタ
10や10′のS偏光反射面19′を傾むけてS偏光2
1がP偏光20に対して傾くような偏光ビームスプリッ
タ10′を用いることもできる。この場合、レンズ11
′は通常の単レンズ(光軸は23′)で良く、S偏光2
1とP偏光20が傾むいているため、単レンズ1,1′
によって集束点を分離できる。
10や10′のS偏光反射面19′を傾むけてS偏光2
1がP偏光20に対して傾くような偏光ビームスプリッ
タ10′を用いることもできる。この場合、レンズ11
′は通常の単レンズ(光軸は23′)で良く、S偏光2
1とP偏光20が傾むいているため、単レンズ1,1′
によって集束点を分離できる。
又、本発明では、偏光ビー11スプリツタの前に2分の
1波長板などを配置する必要がないので、従来技術のよ
うに、偏光ビーIsスプリッタの前にざ 配置様れた偏光素子のバラツキや性能変動によるノイズ
の増加がない。
1波長板などを配置する必要がないので、従来技術のよ
うに、偏光ビーIsスプリッタの前にざ 配置様れた偏光素子のバラツキや性能変動によるノイズ
の増加がない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、偏光ビームスプリッタによって分離さ
れた2つの偏光成分を同一方向に出射することができる
ので、2つの光検出器を一体化して部品点数と調整箇所
を低減できる、又、偏光ビームスプリッタの回転調整に
伴う光検出器の位置調整が不要なため、調整を容易に行
うことができる、さらに、2分の1波長板などを用いな
いので2分の1波長板などのばらつきや波長変化によっ
てノイズが増加することがない、などの効果がある。
れた2つの偏光成分を同一方向に出射することができる
ので、2つの光検出器を一体化して部品点数と調整箇所
を低減できる、又、偏光ビームスプリッタの回転調整に
伴う光検出器の位置調整が不要なため、調整を容易に行
うことができる、さらに、2分の1波長板などを用いな
いので2分の1波長板などのばらつきや波長変化によっ
てノイズが増加することがない、などの効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図と第3図は
平行型偏光ビームスプリッタの作用を示す図、第4図は
平行型偏光ビームスプリッタと複合レンズの配置を示す
図、第5図は偏光方向を示す図、第6図は本発明の他の
実施例における光検出器形状を示す図、第7図は他の平
行型偏光ビームスプリッタを示す図、第8図と第9図は
それぞれ本発明の別の実施例を示す図である。
平行型偏光ビームスプリッタの作用を示す図、第4図は
平行型偏光ビームスプリッタと複合レンズの配置を示す
図、第5図は偏光方向を示す図、第6図は本発明の他の
実施例における光検出器形状を示す図、第7図は他の平
行型偏光ビームスプリッタを示す図、第8図と第9図は
それぞれ本発明の別の実施例を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光磁気記録媒体からの反射偏光を方向が互いに直交
する2成分の直線偏光に分離する偏光ビームスプリッタ
と、該分離された2つの直線偏光をそれぞれ受光する光
検出素子を有する光磁気記録情報再生光学系において、
上記偏光ビームスプリッタに偏光分離反射面とは異なる
反射面を設けたことを特徴とする光磁気記録情報再生光
学系。 2、上記偏光ビームスプリッタと上記光検出器との間に
レンズを設け、上記分離された2つの直線偏光の該レン
ズによるほぼ集束位置に上記光検出器を配置したことを
特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録情
報再生光学系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61135903A JP2574763B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61135903A JP2574763B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気記録装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62293543A true JPS62293543A (ja) | 1987-12-21 |
JP2574763B2 JP2574763B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=15162517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61135903A Expired - Fee Related JP2574763B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2574763B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63302452A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-12-09 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気信号検出装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992457A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式再生装置 |
JPS6077021U (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | オリンパス光学工業株式会社 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
JPS61198456A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Canon Inc | 光ピツクアツプ |
JPS61261837A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Toshiba Corp | 消去可能な光ヘツド |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61135903A patent/JP2574763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992457A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式再生装置 |
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JPS61198456A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Canon Inc | 光ピツクアツプ |
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JPS63302452A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-12-09 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気信号検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2574763B2 (ja) | 1997-01-22 |
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