JPH06163413A - 成膜時の基板加熱方法および成膜装置の基板加熱機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＢＥ等成膜時の基板の加熱を均一化する。 【構成】 基板１を複数保持するサセプター３に基板を
個別に加熱するヒーター付プレート２を設けそのヒータ
ー付プレート２に基板１を接して加熱する。 【効果】 ヒータ付プレート２に基板２を接するので基
板内の温度が均一となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体結晶基板の加
熱機構に関し、特に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等の
結晶成長装置の基板加熱方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の結晶成長装置における基
板の加熱方式は、図４に示すようにサセプター３に複数
枚の基板２をのせ、上部に設置されたヒーター部６から
の輻射熱によって基板２を加熱する構造になっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の加熱機構では、
輻射熱により加熱する構造になっているので、熱が直接
基板に伝わらなく、基板内での温度が不均一になるとい
う欠点があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】この発明の加熱機構は、
基板を複数枚保持できるサセプターと、基板に接して基
板を個別に加熱するヒーター付プレートから構成されて
いる。

【０００５】

【作用】上記の構成によると、ヒーター付プレートを直
接基板に接触できるため基板内および基板間の温度均一
性を向上させることができる。

【０００６】

【実施例】以下、この発明について図面を参照に説明す
る。

【０００７】図１に、この発明の一実施例の則断面図、
図２にこの発明の上面図、図３に上面図の拡大図を図
す。１は基板、２はヒーター付プレート、３は複数枚処
理できるサセプター、４は回転軸、５はプレートに付い
たヒーター、６はサセプターに付いたヒーターである。
図３に示すように、ヒーター付プレート２は、プレート
２ａにヒーター５がコーティングされてなる。各々の基
板１に対して、ヒーター付プレート２で加熱するため、
基板間の温度差を小さく、基板内の温度均一性を向上す
ることができ、ＣＤＶ膜、結晶膜等、各基板一様の特性
が得られるという利点がある。また、サセプターに堆積
した膜等は、サセプター３下部に設置されているヒータ
ー６を用いて除去することができる。

【０００８】

【実施例２】上記実施例においては、基板を上向きに配
置する場合に付して説明したが、図４に示すような基板
を下向きに配置する場合も、基板の上にヒーター付プレ
ートを置くことで同様に実施できる。

【０００９】

【発明の効果】以上、説明したように、この発明は基板
内の温度分布を均一にしたことにより、半導体結晶に関
する特性（膜厚、濃度、移動度ｅｔｃ）の面内分布をよ
り均一に出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の側断面図である。

【図２】 図１の上面図である。

【図３】 図２中ヒーター付プレートの拡大図である。

【図４】 従来の加熱方法例。

【符号の説明】

１ 基板 ２ ヒーター付プレート ３ サセプター ４ 回転軸 ５ ヒーター ６ ヒーター（サセプター）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を複数枚保持できるサセプターに基板
   を個別に加熱するヒーター付プレートを個別に配置し、
   そのヒーター付プレートに基板を接触配置する成膜時の
   基板加熱方法。
2. 【請求項２】基板を複数枚保持するサセプターと基板に
   接して基板を個別に加熱するヒーター付プレートを有す
   る成膜装置の基板加熱機構。
3. 【請求項３】前記ヒーターは、前記プレートにコーティ
   ング形成されていることを特徴とする請求項２の基板加
   熱機構。