JPS61271822A - 連続式気相成長装置 - Google Patents
連続式気相成長装置Info
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- JPS61271822A JPS61271822A JP11503185A JP11503185A JPS61271822A JP S61271822 A JPS61271822 A JP S61271822A JP 11503185 A JP11503185 A JP 11503185A JP 11503185 A JP11503185 A JP 11503185A JP S61271822 A JPS61271822 A JP S61271822A
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- vapor phase
- phase growth
- vapor growth
- growth apparatus
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
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- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｗ４要］
本発明は、連続式気相成長装置であって、成長すべき基
板の表面に、上部から異物の落下による被着を防止する
ために、基板表面を下向きにして気相成長を行うように
したものである。
板の表面に、上部から異物の落下による被着を防止する
ために、基板表面を下向きにして気相成長を行うように
したものである。
本発明は、連続式気相成長装置に係わり、特に基板（以
下基板はシリコンウェハを対象とする）の表面に異物の
被着のない連続式気相成長装置の構造に関するものであ
る。
下基板はシリコンウェハを対象とする）の表面に異物の
被着のない連続式気相成長装置の構造に関するものであ
る。
近時、半導体装置の製造工程では、気相成長方法が広範
囲に利用され、特に常圧下で行われる気相成長装置では
、大量生産に通した連続式気相成長装置が利用されてい
る。
囲に利用され、特に常圧下で行われる気相成長装置では
、大量生産に通した連続式気相成長装置が利用されてい
る。
従来、この連続式気相成長装置では、気相成長がなされ
る基板は上向きに配置されてキャリアで搬送され、反応
ガスは基板の上方向から噴出される構造であったが、こ
のような構造では基板の表面に異物の落下があって、こ
れが成長膜面に異物として被着するため、成長膜面の品
質を損なうという不都合があるため、異物付着の恐れの
ない連続式気相成長装置が要望されている。
る基板は上向きに配置されてキャリアで搬送され、反応
ガスは基板の上方向から噴出される構造であったが、こ
のような構造では基板の表面に異物の落下があって、こ
れが成長膜面に異物として被着するため、成長膜面の品
質を損なうという不都合があるため、異物付着の恐れの
ない連続式気相成長装置が要望されている。
［従来の技術］
第４図は、従来の連続式気相成長装置の模式要部側断面
図、第５図はそのＸ−Ｘ部における正面断面図である。
図、第５図はそのＸ−Ｘ部における正面断面図である。
気相成長管１があり、キャリア２に所定間隔で取りつけ
られた基板ホルダ（図示せず）に、基板３がそれぞれ搭
載され、搬送機構４によって矢印の方向に移動するよう
になっている。
られた基板ホルダ（図示せず）に、基板３がそれぞれ搭
載され、搬送機構４によって矢印の方向に移動するよう
になっている。
気相成長管には、反応ガスの供給孔５があり、供給され
る反応ガスはメツシュ状の孔６から、基板面に上方から
噴射する構造であって、また気相成長管には、基板を加
熱するために、加熱装置７が設けられている。
る反応ガスはメツシュ状の孔６から、基板面に上方から
噴射する構造であって、また気相成長管には、基板を加
熱するために、加熱装置７が設けられている。
この連続式気相成長装置によって、例えば、シリコン基
板の表面に、酸化膜を気相成長によって形成する場合に
は、シラン（ＳｉＨ＜ ）ガスと酸素ガスを混合した反
応ガスを用いて、基板の温度を３００℃〜４５０℃に加
熱を行い、キャリアの速度を１０ｃ■／分程度で移動す
ると、はぼ１５０ｃ＋＋＋の長さの成長管内を通過する
間に、約１μ−の厚みの酸化膜が成長する。
板の表面に、酸化膜を気相成長によって形成する場合に
は、シラン（ＳｉＨ＜ ）ガスと酸素ガスを混合した反
応ガスを用いて、基板の温度を３００℃〜４５０℃に加
熱を行い、キャリアの速度を１０ｃ■／分程度で移動す
ると、はぼ１５０ｃ＋＋＋の長さの成長管内を通過する
間に、約１μ−の厚みの酸化膜が成長する。
然しなから、このような構造の連続式気相成長装置では
、キャリア表面に載置された基板の表面に上方から異物
が落下して、基板の表面に被着するという欠点がある。
、キャリア表面に載置された基板の表面に上方から異物
が落下して、基板の表面に被着するという欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の、連続式気相成長装置では、基板が上向きに配置
されているために、上方から基板表面に異物が落下して
、基板の表面に被着し、基板表面の品質を損なうことが
問題点である。
されているために、上方から基板表面に異物が落下して
、基板の表面に被着し、基板表面の品質を損なうことが
問題点である。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決するために、本発明による気相成長装
置を第１図に示しているが、その解決の手段は、反応ガ
スの雰囲気を含む気相反応管と、基板を所定の温度に加
熱する加熱部と、基板をキャリアに載置して移動させる
連続搬送機構を備えた連続式気相成長装置で、気相成長
がなされる基板面を、従来は上向きに載置したが、本発
明では下向きに載置して、基板面に反応ガスを下方から
供給するようにし、基板表面に上方から落下する異物付
着を無くしたちのである。
置を第１図に示しているが、その解決の手段は、反応ガ
スの雰囲気を含む気相反応管と、基板を所定の温度に加
熱する加熱部と、基板をキャリアに載置して移動させる
連続搬送機構を備えた連続式気相成長装置で、気相成長
がなされる基板面を、従来は上向きに載置したが、本発
明では下向きに載置して、基板面に反応ガスを下方から
供給するようにし、基板表面に上方から落下する異物付
着を無くしたちのである。
［作用］
本発明は、連続式気相成長装置で、従来キャリアの上に
基板を上向きに載置していたが、上方から異物が落下す
るのを防止するために、基板を下向きに保持しながら、
気相成長を行うことにより、基板に落下する上方からの
異物が基板の表面に付着しないために、異物付着のない
高品質の基板の気相成長を可能にしたものである。
基板を上向きに載置していたが、上方から異物が落下す
るのを防止するために、基板を下向きに保持しながら、
気相成長を行うことにより、基板に落下する上方からの
異物が基板の表面に付着しないために、異物付着のない
高品質の基板の気相成長を可能にしたものである。
［実施例］
第１図は、本発明による連続式気相成長装置の模式要部
側断面図であり、第２図は、第１図のＸ−Ｘ部における
正面断面図である。
側断面図であり、第２図は、第１図のＸ−Ｘ部における
正面断面図である。
気相成長管１１があり、キャリア１２に取りつけられた
ウェハホルダ（図示せず）に載置された基板１３が搬送
機構１４によって矢印の方向に移動している。
ウェハホルダ（図示せず）に載置された基板１３が搬送
機構１４によって矢印の方向に移動している。
気相成長管の下部には、反応ガスの供給孔１５があって
、供給された反応ガスはメツシュ１６を介して、基板に
下方から反応ガスを噴射する構造になっている。
、供給された反応ガスはメツシュ１６を介して、基板に
下方から反応ガスを噴射する構造になっている。
気相成長管内の基板が載置されるキャリアの上部には、
基板の温度を上げるために、加熱装置１７が設けられて
いる。
基板の温度を上げるために、加熱装置１７が設けられて
いる。
例えば、この連続式気相成長装置によって、シリコン基
板の表面に酸化膜を形成する場合には、シラン（ＳｉＨ
４）と酸素ガスを混合した反応ガスを用いて、基板の温
度を３００℃〜４００℃の温度にして気相成長を行うこ
とができる。
板の表面に酸化膜を形成する場合には、シラン（ＳｉＨ
４）と酸素ガスを混合した反応ガスを用いて、基板の温
度を３００℃〜４００℃の温度にして気相成長を行うこ
とができる。
第３図は、基板を支持する基板ホルダの一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
キャリア１２には所定間隔の位置に、基板ホルダが、順
次基板ホルダ１８Ａ、１８Ｂと固定されるが、この基板
ホルダには、基板ホルダ１８Ａに示すように、基板の気
相成長面を露出する面積に相当する開口部２０とくその
基板の周辺領域に、基板を載置する載置部２１が段差と
して設けられている。
次基板ホルダ１８Ａ、１８Ｂと固定されるが、この基板
ホルダには、基板ホルダ１８Ａに示すように、基板の気
相成長面を露出する面積に相当する開口部２０とくその
基板の周辺領域に、基板を載置する載置部２１が段差と
して設けられている。
基板ホルダＢは、基板ホルダの基板載置部２１に基板１
３を基板表面を下方向にして載置した状態を示している
。
３を基板表面を下方向にして載置した状態を示している
。
このような気相成長装置の構造と基板の支持方法を採用
することにより、気相成長される基板表面は、気相成長
管内を移動中、常に下向きになっているため、上方から
の異物の落下があっても、基板の裏面に被着するだけな
ので、気相成長された基板表面の品質には全く影響を与
えないという利点がある。
することにより、気相成長される基板表面は、気相成長
管内を移動中、常に下向きになっているため、上方から
の異物の落下があっても、基板の裏面に被着するだけな
ので、気相成長された基板表面の品質には全く影響を与
えないという利点がある。
［発明の効果］
以上、詳細に説明したように、本発明による連続式気相
成長装置を採用することにより、成長される基板表面に
異物被着がなく、その結果良質の基板を得ることが出来
るという効果大なるものがある。
成長装置を採用することにより、成長される基板表面に
異物被着がなく、その結果良質の基板を得ることが出来
るという効果大なるものがある。
第１図は、本発明による連続式気相成長装置の模式要部
側断面図、 第２図は、本発明による連続式気相成長装置の模式要部
正面断面図、 第３図は、基板を支持する基板ホルダの模式平面図、 第４図は、従来の連続式気相成長装置の模式要部側断面
図、 第５図は、従来の連続式気相成長装置の正面断面図であ
る。 図において、 １１は気相成長管、 １２はキャリア、１３は基板
、 １４は搬送機構、１５は反応ガスの供給
孔、１６はメツシュ、１７は加熱装置、 １８Ａ、１８Ｂは基板ホルダ、 ２０は開口部、 ２１は載置部、１それぞれ示
している。 ノド、ｆ’＆ ｔ、ルア゛１１子ｔｂＩ！Ｉ第 ３ 図 第４図 ＝＝＝＝＝＝：＝＝＝コー−２
側断面図、 第２図は、本発明による連続式気相成長装置の模式要部
正面断面図、 第３図は、基板を支持する基板ホルダの模式平面図、 第４図は、従来の連続式気相成長装置の模式要部側断面
図、 第５図は、従来の連続式気相成長装置の正面断面図であ
る。 図において、 １１は気相成長管、 １２はキャリア、１３は基板
、 １４は搬送機構、１５は反応ガスの供給
孔、１６はメツシュ、１７は加熱装置、 １８Ａ、１８Ｂは基板ホルダ、 ２０は開口部、 ２１は載置部、１それぞれ示
している。 ノド、ｆ’＆ ｔ、ルア゛１１子ｔｂＩ！Ｉ第 ３ 図 第４図 ＝＝＝＝＝＝：＝＝＝コー−２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応ガスを含む気相成長管（１１）と加熱装置（１７）
とキャリア（１２）及び搬送機構（１４）を具備した連
続式気相成長装置において、 気相成長がなされる基板（１３）面を下向きに載置して
、 該基板面の下方から反応ガスを供給するようにしたこと
を特徴とする連続式気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115031A JPH0691017B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 連続式気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115031A JPH0691017B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 連続式気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271822A true JPS61271822A (ja) | 1986-12-02 |
| JPH0691017B2 JPH0691017B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14652499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115031A Expired - Lifetime JPH0691017B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 連続式気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691017B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230227A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-13 | Daido Sanso Kk | 半導体の製造方法 |
| JPH01257322A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-10-13 | Daido Sanso Kk | 半導体の製造方法 |
| JPH01273310A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造装置 |
| US6090211A (en) * | 1996-03-27 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for forming semiconductor thin layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113214A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Seiko Epson Corp | Manufacture of amorphous semiconductor film |
| JPS5850735A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型薄膜生成装置 |
| JPS59167012A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60115031A patent/JPH0691017B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113214A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Seiko Epson Corp | Manufacture of amorphous semiconductor film |
| JPS5850735A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 量産型薄膜生成装置 |
| JPS59167012A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230227A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-13 | Daido Sanso Kk | 半導体の製造方法 |
| JPH01257322A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-10-13 | Daido Sanso Kk | 半導体の製造方法 |
| JPH01273310A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造装置 |
| US6090211A (en) * | 1996-03-27 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for forming semiconductor thin layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691017B2 (ja) | 1994-11-14 |
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