JPS5932123A - 気相成長法 - Google Patents
気相成長法Info
- Publication number
- JPS5932123A JPS5932123A JP14280982A JP14280982A JPS5932123A JP S5932123 A JPS5932123 A JP S5932123A JP 14280982 A JP14280982 A JP 14280982A JP 14280982 A JP14280982 A JP 14280982A JP S5932123 A JPS5932123 A JP S5932123A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- gas
- vapor phase
- phase growth
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば半導体装置の製造技術としての半導体
ウェファ−１或いは絶縁性ないしは反絶縁性ウェファー
等の試料薄板に対する各種材料、例えば半導体制料のエ
ピタキシャル成長に適用して好適な気相成長法に係る。
ウェファ−１或いは絶縁性ないしは反絶縁性ウェファー
等の試料薄板に対する各種材料、例えば半導体制料のエ
ピタキシャル成長に適用して好適な気相成長法に係る。
試料薄板、例えばウェファ−上にシリコン等の半導体材
料を気相成長によってエピタキシャル成長させる場合、
サセプタ上に複数の試料薄板を配列し、これを所要の温
度に加熱した状態で気相成長材料ガスを送り込んでこの
試料薄板表面で材料ガスを熱分解させて、この表面に例
えばシリコン等の半導体材料層のエピタキシャル成長を
行わしめる。この場合、試料薄板は例えば高周波コイル
により加熱されたサセプタからの熱伝導により加熱させ
る。このように試料薄板を、サセプタに接触する下面側
の一方の面から加熱させる片面加熱方式による気相成長
法では、試料薄板はその下面が加熱され、上面はガスの
流れによって放熱される状態になるために試料薄板の表
裏に関して熱的不均衡が生じ、これがためこの気相成長
処理に隙して第１図に示すようにサセプタ（１）上に載
置された試料薄板（２）には反りが発生し、試料薄板（
２）の周辺がサセプタ（２）の表面から持ち上がって離
間するために、ここにおけるサセプタからの熱伝導が低
下し、試料薄板（２）の中心部と周辺部との加熱温度に
犬なる差が生じ、これによる熱ストレス罠よってこの試
料薄板（２）上に成長される例えば半導体層には例えば
スリップラインが発生しやず（各種結晶欠陥の発生を招
来する。
料を気相成長によってエピタキシャル成長させる場合、
サセプタ上に複数の試料薄板を配列し、これを所要の温
度に加熱した状態で気相成長材料ガスを送り込んでこの
試料薄板表面で材料ガスを熱分解させて、この表面に例
えばシリコン等の半導体材料層のエピタキシャル成長を
行わしめる。この場合、試料薄板は例えば高周波コイル
により加熱されたサセプタからの熱伝導により加熱させ
る。このように試料薄板を、サセプタに接触する下面側
の一方の面から加熱させる片面加熱方式による気相成長
法では、試料薄板はその下面が加熱され、上面はガスの
流れによって放熱される状態になるために試料薄板の表
裏に関して熱的不均衡が生じ、これがためこの気相成長
処理に隙して第１図に示すようにサセプタ（１）上に載
置された試料薄板（２）には反りが発生し、試料薄板（
２）の周辺がサセプタ（２）の表面から持ち上がって離
間するために、ここにおけるサセプタからの熱伝導が低
下し、試料薄板（２）の中心部と周辺部との加熱温度に
犬なる差が生じ、これによる熱ストレス罠よってこの試
料薄板（２）上に成長される例えば半導体層には例えば
スリップラインが発生しやず（各種結晶欠陥の発生を招
来する。
このように試料薄板が、その周辺部においてサセプタか
ら持ち上がりこれから離間することによって生ずる温度
分布の不均一性を排除するために種々の工夫がなされて
おり、例えばサセプタの試料薄板が載置される面をその
気相成長処理時における試料薄板の反りを予想した湾曲
面として試料薄板の各部においてほぼ均一にサセプタが
接触して均一な熱伝導性を付与させるようにしたものが
例えば特開昭５０−１２９７１号公報等に開示されてい
る。これに開示された一す゛セグタにおいては、そのサ
セプタ表面の各試料薄板を載置する部分に夫々凹曲面を
形成する態様を採っている。このような凹曲面を複数の
試料薄板に対して個々に設けることは、その製作が類４
イ［であり、また谷ウェファ−に関ｔ、−’ｃその曲面
な均一に形成することが離ｊ２い。またその試料薄板の
配置位置が決められてしまうＩ３二めに１つのザセフ゛
りに関して、すなわち１回の気相成長処理にお１づ゛る
試料薄板の枚数が制限を受りるという欠点がある。更に
加えてこの気相成長作業を繰り返し行う場合、サセプタ
に段差が生じて来てこれに曲面を設けた効果が失われる
場合もあイ）。
ら持ち上がりこれから離間することによって生ずる温度
分布の不均一性を排除するために種々の工夫がなされて
おり、例えばサセプタの試料薄板が載置される面をその
気相成長処理時における試料薄板の反りを予想した湾曲
面として試料薄板の各部においてほぼ均一にサセプタが
接触して均一な熱伝導性を付与させるようにしたものが
例えば特開昭５０−１２９７１号公報等に開示されてい
る。これに開示された一す゛セグタにおいては、そのサ
セプタ表面の各試料薄板を載置する部分に夫々凹曲面を
形成する態様を採っている。このような凹曲面を複数の
試料薄板に対して個々に設けることは、その製作が類４
イ［であり、また谷ウェファ−に関ｔ、−’ｃその曲面
な均一に形成することが離ｊ２い。またその試料薄板の
配置位置が決められてしまうＩ３二めに１つのザセフ゛
りに関して、すなわち１回の気相成長処理にお１づ゛る
試料薄板の枚数が制限を受りるという欠点がある。更に
加えてこの気相成長作業を繰り返し行う場合、サセプタ
に段差が生じて来てこれに曲面を設けた効果が失われる
場合もあイ）。
本発明に」６いては、このような欠点を解消して結晶欠
陥の発生が小さく確実なエビクキシャル気相成長を行う
ことかできるようにした気相成長法を提供するものであ
る。
陥の発生が小さく確実なエビクキシャル気相成長を行う
ことかできるようにした気相成長法を提供するものであ
る。
すなわち本発明においては片面加熱方式によって試料薄
板への気相成長を行うようにした気相成長法において、
そのサセプタに全体として連続し、複数の試料薄板に関
して共通の１つの凹曲面を形成する。
板への気相成長を行うようにした気相成長法において、
そのサセプタに全体として連続し、複数の試料薄板に関
して共通の１つの凹曲面を形成する。
第２図は本発明による気相成長法を適用する気相成長装
置の一例を示すもので、この場合反応答器圓内に、例・
えば高周波加熱、そのほか任意の方法で加熱されるサセ
プタ０渇が配置され、これの」二にエピタキシーＶル成
長処理を行わんとする試料薄板（１３１、例えばシリコ
ンウェファ−を複数個配置するものであるが、特に本発
明にＪ、３いて１１２、サセプタ（１３の少くともこの
複数の試料薄板０３）が配置される面を連続した凹曲面
例えば球面或いは放物曲面等の所要の連続した１つの凹
曲面を形成する。図示の例ではザセプタａ急の中心部に
キャリアガスのＨ２ガスと共に気相成長を行５Ｕ料ガス
を送り込むノズル０４ノが配化される構造のものにおい
ては、このノズル（１４）が貝通ずる中心軸に対して回
転対称的に連続した１つの凹曲面（１２ａ）を形成する
。
置の一例を示すもので、この場合反応答器圓内に、例・
えば高周波加熱、そのほか任意の方法で加熱されるサセ
プタ０渇が配置され、これの」二にエピタキシーＶル成
長処理を行わんとする試料薄板（１３１、例えばシリコ
ンウェファ−を複数個配置するものであるが、特に本発
明にＪ、３いて１１２、サセプタ（１３の少くともこの
複数の試料薄板０３）が配置される面を連続した凹曲面
例えば球面或いは放物曲面等の所要の連続した１つの凹
曲面を形成する。図示の例ではザセプタａ急の中心部に
キャリアガスのＨ２ガスと共に気相成長を行５Ｕ料ガス
を送り込むノズル０４ノが配化される構造のものにおい
ては、このノズル（１４）が貝通ずる中心軸に対して回
転対称的に連続した１つの凹曲面（１２ａ）を形成する
。
この凹曲面（１２ａ）の形状曲率は、試料薄板に発生ず
る反りの曲率に対応して選ばれる。このウェファ−の反
りにおける曲率半径Ｒは で表わされる。
る反りの曲率に対応して選ばれる。このウェファ−の反
りにおける曲率半径Ｒは で表わされる。
ここに、α“は試料薄板例えばシリコンの熱膨張係数、
喝は試オ・（薄板の厚さ、０２は試料薄板の表面（カイ
ロ成長層を形成すべき面）の温度、θｌは試Ｖ目Ｖｔ板
の裏面（サセプタと対接−する側の面）の温度である。
喝は試オ・（薄板の厚さ、０２は試料薄板の表面（カイ
ロ成長層を形成すべき面）の温度、θｌは試Ｖ目Ｖｔ板
の裏面（サセプタと対接−する側の面）の温度である。
従ってサセプタＯ３の凹曲面（１２ａ）もこれに対応し
た曲率半径に設定する。
た曲率半径に設定する。
尚、この凹曲面（１，２ａ）は装（ｇの形状や気相成長
条件、すなわちガスの光景や処理温度等によってその実
際の曲率半径がａ違してくるものであるか、通常この曲
率半径は１０〜１００ｍとなる。今、この曲率半径を３
０１’ｎに選定した場合についてみると、サセプタの中
心部と周辺部との厚さの差は４００μｌηとなり、サセ
プタの厚さは一般に１８〜１２１１１１１１程度である
から、上述した程度の厚み差が存在してその中心部が薄
（なっても、これによって生ずる支障はない。
条件、すなわちガスの光景や処理温度等によってその実
際の曲率半径がａ違してくるものであるか、通常この曲
率半径は１０〜１００ｍとなる。今、この曲率半径を３
０１’ｎに選定した場合についてみると、サセプタの中
心部と周辺部との厚さの差は４００μｌηとなり、サセ
プタの厚さは一般に１８〜１２１１１１１１程度である
から、上述した程度の厚み差が存在してその中心部が薄
（なっても、これによって生ずる支障はない。
」二連したように本発明方法によれば、サセプタ（ｌｚ
に複数の試料薄板０Ｊに対して共通の１の連わ１１シた
凹曲面（１２ａ）を形成するようにしたので、その凹曲
面（１２ａ）の形成を簡単確実に行５ことができると共
にこの凹曲面に対する複数の試料薄板の配置位置の自由
度が増すので、その気相成長を行う試料薄板の枚数の自
由度も増す。そして上述したように本発明方法において
も薄板の反りに浴うような凹曲面（１２ａ）を形成した
こ′とによってサセプタとウェファ−の裏面との接触性
すｌＺわち熱的結合を各部一様に行うことができるので
、各試料薄板（１３１に関して、また試料薄板における
各部分において、その加熱温度を均一化することができ
、これに伴って熱ストレスの発生を回避でき転位等の発
生、従って結晶欠陥の発生を格段的に減少させることか
できる。またこれに伴って、この試料薄板に形成する例
えば半導体素子の歩留りな向上させろことができる。
に複数の試料薄板０Ｊに対して共通の１の連わ１１シた
凹曲面（１２ａ）を形成するようにしたので、その凹曲
面（１２ａ）の形成を簡単確実に行５ことができると共
にこの凹曲面に対する複数の試料薄板の配置位置の自由
度が増すので、その気相成長を行う試料薄板の枚数の自
由度も増す。そして上述したように本発明方法において
も薄板の反りに浴うような凹曲面（１２ａ）を形成した
こ′とによってサセプタとウェファ−の裏面との接触性
すｌＺわち熱的結合を各部一様に行うことができるので
、各試料薄板（１３１に関して、また試料薄板における
各部分において、その加熱温度を均一化することができ
、これに伴って熱ストレスの発生を回避でき転位等の発
生、従って結晶欠陥の発生を格段的に減少させることか
できる。またこれに伴って、この試料薄板に形成する例
えば半導体素子の歩留りな向上させろことができる。
尚、実際上サセプタの凹曲面（１２ａ）の設計に当って
は、供給ガスの流れ方、すなわちこの供給ガスによる試
料薄板からの熱の放散の態様を考慮した形状にする心安
があり、例えば第２図で説明したようにサセプタ（１２
１の中心から供給ガスを発射するノズル（１４）を設け
た場合、中心部における冷却が最も大であるので、第３
図に示すように中心部においては曲率半径がｉ４にも小
さく・、ずなわち曲率が血、な曲面（１２ａ１）と１．
、周辺においては曲率半径が犬で緩やかな曲率とした曲
面（ｉ２ａ２）とすることが望まれる。或いは例えば断
面が放物曲線を有し、ノズルｆ＋４）が配置される中心
軸に対して回転対称的な凹曲面を形成することが望まれ
るなど種々の断面形状に選ばれる。更にまた第４図に示
すようにサセプタ（１２５の裏面すなわち試料薄板ａ′
３Ｉの載置される側どけ反対の主面にも凹曲面（１２ｂ
）を形成してサセプタｔｔａにおける熱容皿を各部にお
いて例えば周辺部と中心部で相違させて、より各試料薄
板に対する加熱の均一化を図るようにすることもできる
。
は、供給ガスの流れ方、すなわちこの供給ガスによる試
料薄板からの熱の放散の態様を考慮した形状にする心安
があり、例えば第２図で説明したようにサセプタ（１２
１の中心から供給ガスを発射するノズル（１４）を設け
た場合、中心部における冷却が最も大であるので、第３
図に示すように中心部においては曲率半径がｉ４にも小
さく・、ずなわち曲率が血、な曲面（１２ａ１）と１．
、周辺においては曲率半径が犬で緩やかな曲率とした曲
面（ｉ２ａ２）とすることが望まれる。或いは例えば断
面が放物曲線を有し、ノズルｆ＋４）が配置される中心
軸に対して回転対称的な凹曲面を形成することが望まれ
るなど種々の断面形状に選ばれる。更にまた第４図に示
すようにサセプタ（１２５の裏面すなわち試料薄板ａ′
３Ｉの載置される側どけ反対の主面にも凹曲面（１２ｂ
）を形成してサセプタｔｔａにおける熱容皿を各部にお
いて例えば周辺部と中心部で相違させて、より各試料薄
板に対する加熱の均一化を図るようにすることもできる
。
上述したように本発明方法によれば、複数の試料薄板（
１３１に対して共通の曲面を有するサセプタ（＋２１を
用いたので、サセプタ（１３の凹曲面の形成が有利とな
ると共Ｋ例えば大口径の試料薄板に対してのエピタキシ
ャル成長を行う場合においても、同一のサセプタを用い
てその気相成長を行うことができ、使用態様、使用目的
の自由度が向上する。
１３１に対して共通の曲面を有するサセプタ（＋２１を
用いたので、サセプタ（１３の凹曲面の形成が有利とな
ると共Ｋ例えば大口径の試料薄板に対してのエピタキシ
ャル成長を行う場合においても、同一のサセプタを用い
てその気相成長を行うことができ、使用態様、使用目的
の自由度が向上する。
尚、上述した例にお℃゛ては、サセプタの中心にガス供
給ノズル（１４１が貫通植立されたいわゆる縦型炉によ
る場合であるが、ガスをサセプタの面方向に７行って流
すいわゆる横型炉に適用する場合においては、ガスの上
流側と下流側とでその凹曲面（１２ａ）の曲率を変化さ
せるような態様を採る。
給ノズル（１４１が貫通植立されたいわゆる縦型炉によ
る場合であるが、ガスをサセプタの面方向に７行って流
すいわゆる横型炉に適用する場合においては、ガスの上
流側と下流側とでその凹曲面（１２ａ）の曲率を変化さ
せるような態様を採る。
第１図は本発明の説明に供する半導体ウェファ−の試料
薄板の反りを示す図、第２図は本発明方法を適用する気
相成長装置の一例の路線的断面図、紀３図及び第４図は
夫々本発明方法を実施するサセプタの構成図である。 ０７Ｊはサセプタ、（１２ａ）はその凹曲面、ＯＪは試
料薄板、（１４）はノズルである。 １１３ 手続補正書 ５ 昭和５８年１月 日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １４２８０９ 号２、発明の名
称 気相成長法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名（ｈ、（
２１８） ソニー株式会社代表取締役 大 賀 典
碓 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の月 象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、補正の内容 （１）明細書中、第７頁１４〜１６行［放物曲線・・・
種々の」を［放物曲線または双曲線をイーし、曲率が中
心から周辺に向って連続的に太き（なるように変化する
など種々の」と訂正する。 （２）同、同頁末行〜第１頁３行１ザセグタ（］２）に
おける・・・できる。」を「ザセプタ（１２１の画面を
利用することができる。」と削正する。 以」二 昭和５７年特許願第１４２８０９ 号２． 光１１
月 の 名（４、今ンウ２イチ“ウホウ
＋ ′つ２４チ“つ′ウチ気相成長法とその気相成長
装置 ３、ｒ重重をする菖 十ｒ’ｌとの関（系 １−冒＋′ｌ出柄″１人１−
Ｉ 所 東ｊｉＪ部品用区北品用６丁目７番３５−りと
１（４、（２＋８１ ソ ニ − 体一式 会 ｔ−
１代表取イｊｊ’：没 大 ｊｎ、＋ １１１ ノ
・１［４、代 ）ｌｊ 人 東車都？１１宿区西ヱ１
１′宿１’Ｊ目８香１号（１’ｌｒ’＋１１ヒル）゛Ｉ
゛１仁Ｌ１Ｊｆ Ｉ、’！、ｆ０３）３４３− ５８２
１ Ｆ 代ノ」）（３３８８） 弁理士 伊
藤 貞δ＋ｑｌｉ止の内外 （２１明＋ＭＩＩ書中、特許請求の範囲を別紙のように
補正する。 （３） 明細書中、第１頁、１３行及び第４頁、２行
「気相成長法Ｊの次に「気相成長法とその気相成長装置
」と訂正する。 （４） 同、第４頁、９行「乞適用」を「に使用」と
訂正する。 以上 特許請求の範囲 １、−主面の大部分に渡って連続した凹曲面を有するサ
セプタを具備し、該サセプタの上記主面に複数の試料薄
板を配して該各試お１薄板に対して気相成長処理な行う
ことを特徴とする気相成長法。 ２、−主面に複数の試料薄板を配するサセプタと上記試
料薄板に気相成長を行なわせるためのガスを供給するノ
ズルとを有する気相成長装置ばにおいて、上記サセプタ
の少な（とも−主面が大部分に渡って連転：した凹ｔｉ
ｌｔ面形状であること乞特徴とする気相成長装置。 １１５
薄板の反りを示す図、第２図は本発明方法を適用する気
相成長装置の一例の路線的断面図、紀３図及び第４図は
夫々本発明方法を実施するサセプタの構成図である。 ０７Ｊはサセプタ、（１２ａ）はその凹曲面、ＯＪは試
料薄板、（１４）はノズルである。 １１３ 手続補正書 ５ 昭和５８年１月 日 １、事件の表示 昭和５７年特許願第 １４２８０９ 号２、発明の名
称 気相成長法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名（ｈ、（
２１８） ソニー株式会社代表取締役 大 賀 典
碓 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の月 象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、補正の内容 （１）明細書中、第７頁１４〜１６行［放物曲線・・・
種々の」を［放物曲線または双曲線をイーし、曲率が中
心から周辺に向って連続的に太き（なるように変化する
など種々の」と訂正する。 （２）同、同頁末行〜第１頁３行１ザセグタ（］２）に
おける・・・できる。」を「ザセプタ（１２１の画面を
利用することができる。」と削正する。 以」二 昭和５７年特許願第１４２８０９ 号２． 光１１
月 の 名（４、今ンウ２イチ“ウホウ
＋ ′つ２４チ“つ′ウチ気相成長法とその気相成長
装置 ３、ｒ重重をする菖 十ｒ’ｌとの関（系 １−冒＋′ｌ出柄″１人１−
Ｉ 所 東ｊｉＪ部品用区北品用６丁目７番３５−りと
１（４、（２＋８１ ソ ニ − 体一式 会 ｔ−
１代表取イｊｊ’：没 大 ｊｎ、＋ １１１ ノ
・１［４、代 ）ｌｊ 人 東車都？１１宿区西ヱ１
１′宿１’Ｊ目８香１号（１’ｌｒ’＋１１ヒル）゛Ｉ
゛１仁Ｌ１Ｊｆ Ｉ、’！、ｆ０３）３４３− ５８２
１ Ｆ 代ノ」）（３３８８） 弁理士 伊
藤 貞δ＋ｑｌｉ止の内外 （２１明＋ＭＩＩ書中、特許請求の範囲を別紙のように
補正する。 （３） 明細書中、第１頁、１３行及び第４頁、２行
「気相成長法Ｊの次に「気相成長法とその気相成長装置
」と訂正する。 （４） 同、第４頁、９行「乞適用」を「に使用」と
訂正する。 以上 特許請求の範囲 １、−主面の大部分に渡って連続した凹曲面を有するサ
セプタを具備し、該サセプタの上記主面に複数の試料薄
板を配して該各試お１薄板に対して気相成長処理な行う
ことを特徴とする気相成長法。 ２、−主面に複数の試料薄板を配するサセプタと上記試
料薄板に気相成長を行なわせるためのガスを供給するノ
ズルとを有する気相成長装置ばにおいて、上記サセプタ
の少な（とも−主面が大部分に渡って連転：した凹ｔｉ
ｌｔ面形状であること乞特徴とする気相成長装置。 １１５
Claims (1)
- 一生面の大部分に渡って連続した凹曲面を有するサセプ
タを具備し、該サセプタの上記主面に複数の試料薄板を
配して該各試料薄板に対して気相成長処理を行うことを
特徴とする気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14280982A JPS5932123A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14280982A JPS5932123A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932123A true JPS5932123A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15324134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14280982A Pending JPS5932123A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932123A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1982
- 1982-08-18 JP JP14280982A patent/JPS5932123A/ja active Pending
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