JPS63204618A - 気相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシヤル成長装置Info
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- JPS63204618A JPS63204618A JP3699187A JP3699187A JPS63204618A JP S63204618 A JPS63204618 A JP S63204618A JP 3699187 A JP3699187 A JP 3699187A JP 3699187 A JP3699187 A JP 3699187A JP S63204618 A JPS63204618 A JP S63204618A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 13
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
高周波誘導加熱方式を用いた気相エピタキシャル成長装
置のサセプタの改良であって、このサセプタを形成する
グラファイトに於いて、基板の設置領域と、その該基板
設置領域の周囲の領域とではサセプタを構成するグラフ
ァイトの抵抗値を異ならせて形成することで、基板が全
面にわたって均一な温度で加熱されるようにした気相エ
ピタキシャル成長装置。
置のサセプタの改良であって、このサセプタを形成する
グラファイトに於いて、基板の設置領域と、その該基板
設置領域の周囲の領域とではサセプタを構成するグラフ
ァイトの抵抗値を異ならせて形成することで、基板が全
面にわたって均一な温度で加熱されるようにした気相エ
ピタキシャル成長装置。
本発明は気相エピタキシャル成長装置の改良に係り、特
に基板を設置して高周波誘導加熱するサセプタの改良に
関する。
に基板を設置して高周波誘導加熱するサセプタの改良に
関する。
赤外線検知素子の材料としては水銀・カドミウム・テル
ルの結晶が用いられており−１このような水銀・カドミ
ウム・テルルの結晶を薄層状態にかつ大面積に形成する
には気相エピタキシャル成長方法が採られている。
ルの結晶が用いられており−１このような水銀・カドミ
ウム・テルルの結晶を薄層状態にかつ大面積に形成する
には気相エピタキシャル成長方法が採られている。
このような気相エピタキシャル成長方法を用いて水銀・
カドミウム・テルルの結晶を基板上に形成する場合、第
３図に示すように、平板状で導入ガスの方向に対してテ
ーパを有するグラファイトよりなるサセプタ１の上にカ
ドミウムテルル（ＣｄＴｅ）の基板２を設置した状態で
、反応管３内に導入した後、反応管内部を排気する。
カドミウム・テルルの結晶を基板上に形成する場合、第
３図に示すように、平板状で導入ガスの方向に対してテ
ーパを有するグラファイトよりなるサセプタ１の上にカ
ドミウムテルル（ＣｄＴｅ）の基板２を設置した状態で
、反応管３内に導入した後、反応管内部を排気する。
次いで反応管３内にキャリアガスとしての水素ガスと、
ジメチルカドミウムを担持した水素ガス、ジエチルテル
ルを担持した水素ガス、水銀のガスを反応ガスとして導
入するとともに、反応管３の周囲に設けた高周波加熱コ
イル４に高周波電圧を印加することで、サセプタ１を高
周波誘導加熱し、それによって基板２の温度を上昇させ
ると共に、基板２の周囲の反応管内部の温度を上昇させ
、この温度上昇によって反応管３内に導入された反応ガ
スを分解し、その分解した成分を基板上にエピタキシャ
ル成長させている。
ジメチルカドミウムを担持した水素ガス、ジエチルテル
ルを担持した水素ガス、水銀のガスを反応ガスとして導
入するとともに、反応管３の周囲に設けた高周波加熱コ
イル４に高周波電圧を印加することで、サセプタ１を高
周波誘導加熱し、それによって基板２の温度を上昇させ
ると共に、基板２の周囲の反応管内部の温度を上昇させ
、この温度上昇によって反応管３内に導入された反応ガ
スを分解し、その分解した成分を基板上にエピタキシャ
ル成長させている。
ところが、このような高周波誘導加熱されたサセプタの
温度分布について調べると、第４図に示すように、基板
が設置されるでいる領域５Ａは、その周囲の領域５Ｂの
熱輻射の影響を受けて、周囲の領域５Ｂよりも加熱温度
が上昇する傾向がある。
温度分布について調べると、第４図に示すように、基板
が設置されるでいる領域５Ａは、その周囲の領域５Ｂの
熱輻射の影響を受けて、周囲の領域５Ｂよりも加熱温度
が上昇する傾向がある。
上記の影響を受けることで、更に基板が設置されている
領域５Ａの中央部Ａと、その領域５Ａの周辺部Ｂでは８
００℃±３℃と、加熱温度が異なる状態にあり、そのた
め、基板が均一な温度に加熱されない欠点がある。
領域５Ａの中央部Ａと、その領域５Ａの周辺部Ｂでは８
００℃±３℃と、加熱温度が異なる状態にあり、そのた
め、基板が均一な温度に加熱されない欠点がある。
本発明は上記した問題点を解決するもので、サセプタの
基板の設置されている領域と、その基板の設置領域の周
辺部の領域が異なった抵抗値を有する部材で形成するこ
とで、その異なった抵抗値を有する部材間では、その部
材間に誘導される高周波誘導電流が異なることで、各部
材間の加熱温度が異なる現象を利用して、基板が均一な
温度で加熱されるような気相エピタキシャル成長装置の
提供を目的とする。
基板の設置されている領域と、その基板の設置領域の周
辺部の領域が異なった抵抗値を有する部材で形成するこ
とで、その異なった抵抗値を有する部材間では、その部
材間に誘導される高周波誘導電流が異なることで、各部
材間の加熱温度が異なる現象を利用して、基板が均一な
温度で加熱されるような気相エピタキシャル成長装置の
提供を目的とする。
本発明の気相エピタキシャル成長装置は、反応管内に基
板を設置したサセプタを設置し、該反応管内に反応ガス
を導入し、前記反応管の周囲に設けた高周波コイルに高
周波電圧を印加して前記サセプタを高周波誘導加熱する
ことで、基板を加熱し、前記導入した反応ガスの反応に
より前記基板上にエピタキシャル結晶を形成する装置に
於いて、前記サセプタの基板が設置される領域と、該基
板の設置箇所の周囲の領域とが、それぞれ抵抗値が異な
った高周波誘導加熱部材にて形成されている。
板を設置したサセプタを設置し、該反応管内に反応ガス
を導入し、前記反応管の周囲に設けた高周波コイルに高
周波電圧を印加して前記サセプタを高周波誘導加熱する
ことで、基板を加熱し、前記導入した反応ガスの反応に
より前記基板上にエピタキシャル結晶を形成する装置に
於いて、前記サセプタの基板が設置される領域と、該基
板の設置箇所の周囲の領域とが、それぞれ抵抗値が異な
った高周波誘導加熱部材にて形成されている。
本発明の気相エピタキシャル成長装置は、この装置に用
いるサセプタの基板を設置する領域と、その基板を設置
する領域の周囲の領域とを抵抗値を異ならせたグラファ
イトで形成し、この抵抗値の異なることで、各領域のグ
ラファイト板に誘導される高周波電力の値を異ならせ、
それによってサセプタの全領域が均一な温度で加熱され
るようにし、これによって基板が設置されるサセプタの
領域の温度が均一な温度となるようにし、それによって
基板の全領域が均一な温度で加熱されるようにする。
いるサセプタの基板を設置する領域と、その基板を設置
する領域の周囲の領域とを抵抗値を異ならせたグラファ
イトで形成し、この抵抗値の異なることで、各領域のグ
ラファイト板に誘導される高周波電力の値を異ならせ、
それによってサセプタの全領域が均一な温度で加熱され
るようにし、これによって基板が設置されるサセプタの
領域の温度が均一な温度となるようにし、それによって
基板の全領域が均一な温度で加熱されるようにする。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の装置に用いるサセプタ１１の斜視図で
、第２図は第１図のｎ−ｎ ”線に沿った断面図である
。
、第２図は第１図のｎ−ｎ ”線に沿った断面図である
。
第１図および第２図に図示するように、本発明のサセプ
タ１１に於いて、基板を設置する領域１２を比抵抗が１
７００Ω−ロの円板状のグラファイト板１２で形成する
。
タ１１に於いて、基板を設置する領域１２を比抵抗が１
７００Ω−ロの円板状のグラファイト板１２で形成する
。
またこの基板設置領域１２の周囲の基板設置周囲領域１
３を、比抵抗が９００Ω−ｃｍの平板状のグラファイト
板１３で形成する。
３を、比抵抗が９００Ω−ｃｍの平板状のグラファイト
板１３で形成する。
このようなサセプタを形成するには、Ｓｉ原子を添加し
て形成した炭化珪素よりなり、比抵抗値が１７００Ω−
Ｇと高いグラファイトを、前記基板設置領域１２として
円板状に加工する。そしてそれを上記円板状のグラファ
イト板１２が挿入される凹部を有し、縦の寸法がｌ５、
横の寸法が１２、反応ガスの導入側の厚さがＪ、、反応
ガスの出口側の厚さが１４であり抵抗値が９００Ω−値
と前記した円板状グラファイト板１２より低い値の平板
状グラファイト板１３に挿入する。
て形成した炭化珪素よりなり、比抵抗値が１７００Ω−
Ｇと高いグラファイトを、前記基板設置領域１２として
円板状に加工する。そしてそれを上記円板状のグラファ
イト板１２が挿入される凹部を有し、縦の寸法がｌ５、
横の寸法が１２、反応ガスの導入側の厚さがＪ、、反応
ガスの出口側の厚さが１４であり抵抗値が９００Ω−値
と前記した円板状グラファイト板１２より低い値の平板
状グラファイト板１３に挿入する。
このように導入ガスの流れの方向によって平板状のグラ
ファイト板１３の厚さを変化させるのは、その上にエピ
タキシャル成長時に形成される境界層の厚さを均一に保
つためである。
ファイト板１３の厚さを変化させるのは、その上にエピ
タキシャル成長時に形成される境界層の厚さを均一に保
つためである。
このグラファイト板１３は、基板設置領域となる円板状
グラファイト板１２が挿入される凹部を有しており、ま
た前記した円板状グラファイト板１２には基板が設置さ
れる窪み１４を予め設けて置く。
グラファイト板１２が挿入される凹部を有しており、ま
た前記した円板状グラファイト板１２には基板が設置さ
れる窪み１４を予め設けて置く。
このようにすれば、比抵抗値の低い基板設置周囲領域１
３では、比抵抗値の高い基板設置領域１２に比して高周
波電流の流れる量が多くなり、そのため基板設置周囲領
域１３の加熱による熱輻射の影響を受けた場合でも、基
板設置領域１２に流れる高周波電流の値が少ないため、
サセプタの全領域にわたって加熱温度が均一となる。
３では、比抵抗値の高い基板設置領域１２に比して高周
波電流の流れる量が多くなり、そのため基板設置周囲領
域１３の加熱による熱輻射の影響を受けた場合でも、基
板設置領域１２に流れる高周波電流の値が少ないため、
サセプタの全領域にわたって加熱温度が均一となる。
このようにして形成した本発明のサセプタに１２０ＫＨ
ｚの周波数で、１８０ｖの電圧で１５Ａの高周波電流で
誘導加熱すると、このサセプタの温度が上昇し、基板の
設置領域１１の全域内に於いて、８００°Ｃ±１℃の均
一な温度が得られた。
ｚの周波数で、１８０ｖの電圧で１５Ａの高周波電流で
誘導加熱すると、このサセプタの温度が上昇し、基板の
設置領域１１の全域内に於いて、８００°Ｃ±１℃の均
一な温度が得られた。
以上述べたように本発明の気相エピタキシャル成長装置
によれば、基板の設置領域が均一な温度で加熱されるた
め、基板上に形成されるエピタキシャル結晶の厚さ、お
よび組成が均一なものが得られる。
によれば、基板の設置領域が均一な温度で加熱されるた
め、基板上に形成されるエピタキシャル結晶の厚さ、お
よび組成が均一なものが得られる。
以上述べたように、本発明の気相エピタキシャル成長装
置によれば、基板が均一な温度で加熱されるため、組成
および厚さが均一なエピタキシャル結晶が得られる効果
がある。
置によれば、基板が均一な温度で加熱されるため、組成
および厚さが均一なエピタキシャル結晶が得られる効果
がある。
第１図は本発明の装置に用いるサセプタの斜視図、
第２図は第１図のｎ−ｎ”線に沿った断面図、第３図は
気相エピタキシャル装置を示す概略構成図、 第４図は従来の装置に用いるサセプタの平面図である。 図に於いて、 １１はサセプタ、１２は基板設置領域（円板状グラファ
イト板）、１３は基板設置周囲領域（平板状グラファイ
ト板）、１４は窪み、ｊ’ｌ 、’２，１２＋ ’４は
平板状グラファイトの厚さの寸法を示す。 半発朗−メ’１ｒ＝ｆＷ−・コサせアク−斜視図第１図 −ｔｒ図／１’ｌ −ＦｊＪ’＋＝；Ｉｔ フｒ＝ ｆ
ｆ１ｍ第２図
気相エピタキシャル装置を示す概略構成図、 第４図は従来の装置に用いるサセプタの平面図である。 図に於いて、 １１はサセプタ、１２は基板設置領域（円板状グラファ
イト板）、１３は基板設置周囲領域（平板状グラファイ
ト板）、１４は窪み、ｊ’ｌ 、’２，１２＋ ’４は
平板状グラファイトの厚さの寸法を示す。 半発朗−メ’１ｒ＝ｆＷ−・コサせアク−斜視図第１図 −ｔｒ図／１’ｌ −ＦｊＪ’＋＝；Ｉｔ フｒ＝ ｆ
ｆ１ｍ第２図
Claims (1)
- 反応管（３）内に基板（２）を設置したサセプタ（１
）を設置し、該反応管（３）内に反応ガスを導入し、前
記反応管の周囲に設けた高周波コイル（４）に高周波電
圧を印加して前記サセプタ（１）を高周波誘導加熱する
ことで、基板（２）を加熱し、前記導入した反応ガスの
反応により前記基板（２）上にエピタキシャル結晶を形
成する装置に於いて、前記サセプタ（１１）の基板設置
領域（１２）と、該基板設置領域の周囲領域（１３）と
が、それぞれ抵抗値が異なった高周波誘導加熱部材にて
形成されていることを特徴とする気相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699187A JPS63204618A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699187A JPS63204618A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204618A true JPS63204618A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12485210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3699187A Pending JPS63204618A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273660A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP3699187A patent/JPS63204618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273660A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
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