JP2582012Y2 - ウェーハ加熱用ヒータ - Google Patents
ウェーハ加熱用ヒータInfo
- Publication number
- JP2582012Y2 JP2582012Y2 JP1991109573U JP10957391U JP2582012Y2 JP 2582012 Y2 JP2582012 Y2 JP 2582012Y2 JP 1991109573 U JP1991109573 U JP 1991109573U JP 10957391 U JP10957391 U JP 10957391U JP 2582012 Y2 JP2582012 Y2 JP 2582012Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- electrode terminal
- heater wire
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Temperature (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体製造装置におい
て、例えば枚葉式拡散・ＣＶＤ装置に係り、特にそのウ
ェーハ加熱用ヒータに関する。
て、例えば枚葉式拡散・ＣＶＤ装置に係り、特にそのウ
ェーハ加熱用ヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来ヒータの１例の構成の１部を
示す説明図、図４は従来例のヒータ位置に対するウェー
ハ面内温度分布を示す図である。従来の枚葉式拡散・Ｃ
ＶＤ装置を図１（Ａ）を参照して説明すると、１は反応
室（水冷式チャンバ）、５はヒータカバー、２，３はそ
れぞれヒータカバー５の上面及び内部に設けたウェーハ
置台及びヒータである。
示す説明図、図４は従来例のヒータ位置に対するウェー
ハ面内温度分布を示す図である。従来の枚葉式拡散・Ｃ
ＶＤ装置を図１（Ａ）を参照して説明すると、１は反応
室（水冷式チャンバ）、５はヒータカバー、２，３はそ
れぞれヒータカバー５の上面及び内部に設けたウェーハ
置台及びヒータである。
【０００３】４はウェーハ置台２上に載置されたウェー
ハ、６は反応室１内に反応ガスを噴出するガス噴出ノズ
ル、７は反応室１にウェーハ４を搬入出するウェーハ搬
送口、８はゲートバルブ、９は排気口、１０はゲートバ
ルブである。
ハ、６は反応室１内に反応ガスを噴出するガス噴出ノズ
ル、７は反応室１にウェーハ４を搬入出するウェーハ搬
送口、８はゲートバルブ、９は排気口、１０はゲートバ
ルブである。
【０００４】従来ヒータは、このような枚葉式拡散・Ｃ
ＶＤ装置において、図３に示すようにヒータ線３Ａと、
これを複数ゾーンに分けた各ゾーンに電力を印加する電
極端子３Ｂをビス，ナット等の固定部品１１で固定して
なる。
ＶＤ装置において、図３に示すようにヒータ線３Ａと、
これを複数ゾーンに分けた各ゾーンに電力を印加する電
極端子３Ｂをビス，ナット等の固定部品１１で固定して
なる。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、ヒータ３の各ゾーンに電極端子３Ｂを介して印加す
る電力を変化させることによりウェーハ４の面内温度を
制御する場合、電極端子３Ｂにヒータ線３Ａを固定部品
１１で固定しているため、該固定部品１１がその真下の
ヒータ線部分の発光，発熱による輻射を遮ぎるから、該
部分の輻射が、その他のヒータ線部分よりも著しく小さ
く、固定部品１１の真上にあたるウェーハ４の部分の温
度が図４のａに示すように低下してしまい、ウェーハ４
の面内温度均一性が悪化するという課題がある。
は、ヒータ３の各ゾーンに電極端子３Ｂを介して印加す
る電力を変化させることによりウェーハ４の面内温度を
制御する場合、電極端子３Ｂにヒータ線３Ａを固定部品
１１で固定しているため、該固定部品１１がその真下の
ヒータ線部分の発光，発熱による輻射を遮ぎるから、該
部分の輻射が、その他のヒータ線部分よりも著しく小さ
く、固定部品１１の真上にあたるウェーハ４の部分の温
度が図４のａに示すように低下してしまい、ウェーハ４
の面内温度均一性が悪化するという課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本考案は、反応室内にウェーハ置台を設け、該ウ
ェーハ置台により水平に支持されるウェーハ下方位置に
ヒータを設け、前記ウェーハを加熱するようにしたウェ
ーハ加熱用ヒータにおいて、前記ヒータは、ヒータ線
と、該ヒータ線を複数ゾーンに分けてなる各ゾーンに電
力を印加する電極端子とにより構成されて、前記ウェー
ハ面の垂直下方領域内における前記ウェーハ近傍に設け
られ、且つ、前記電極端子は前記ヒータ線に対して、前
記ウェーハの位置する方向とは逆の方向から導入され
て、前記ヒータ線より前記ウェーハ面方向に照射される
輻射熱が前記電極端子により遮蔽されないように接着し
て接続されているものである。
ため、本考案は、反応室内にウェーハ置台を設け、該ウ
ェーハ置台により水平に支持されるウェーハ下方位置に
ヒータを設け、前記ウェーハを加熱するようにしたウェ
ーハ加熱用ヒータにおいて、前記ヒータは、ヒータ線
と、該ヒータ線を複数ゾーンに分けてなる各ゾーンに電
力を印加する電極端子とにより構成されて、前記ウェー
ハ面の垂直下方領域内における前記ウェーハ近傍に設け
られ、且つ、前記電極端子は前記ヒータ線に対して、前
記ウェーハの位置する方向とは逆の方向から導入され
て、前記ヒータ線より前記ウェーハ面方向に照射される
輻射熱が前記電極端子により遮蔽されないように接着し
て接続されているものである。
【０００７】
【作 用】このようにヒータ線３Ａと電極端子３Ｂを固
定部品を用いずに接着することにより電極端子３Ｂ上の
ヒータ線部分の発光，発熱による輻射が遮ぎられること
がなくなるので、電極端子３Ｂ上にあたるウェーハ４の
部分の温度低下が極めて小さくなり、ウェーハ４の面内
温度均一性が改善されることになる。
定部品を用いずに接着することにより電極端子３Ｂ上の
ヒータ線部分の発光，発熱による輻射が遮ぎられること
がなくなるので、電極端子３Ｂ上にあたるウェーハ４の
部分の温度低下が極めて小さくなり、ウェーハ４の面内
温度均一性が改善されることになる。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ）は本考案ヒータを実施する枚葉式
拡散・ＣＶＤ装置の１例の構成を示す説明図、図１
（Ｂ）は本考案ヒータの１実施例の構成の１部を示す説
明図、図２は本考案例のヒータ位置に対するウェーハ面
内温度分布を示す図である。本実施例は、図１（Ａ）に
示す上述の枚葉式拡散・ＣＶＤ装置において、図１
（Ｂ）に示すようにヒータ線３Ａに、これを複数ゾーン
に分けた各ゾーンに電力を印加する電極端子３Ｂを嵌込
み、ヒータ線と同材質の接着剤で接着してなる。
拡散・ＣＶＤ装置の１例の構成を示す説明図、図１
（Ｂ）は本考案ヒータの１実施例の構成の１部を示す説
明図、図２は本考案例のヒータ位置に対するウェーハ面
内温度分布を示す図である。本実施例は、図１（Ａ）に
示す上述の枚葉式拡散・ＣＶＤ装置において、図１
（Ｂ）に示すようにヒータ線３Ａに、これを複数ゾーン
に分けた各ゾーンに電力を印加する電極端子３Ｂを嵌込
み、ヒータ線と同材質の接着剤で接着してなる。
【０００９】このようにヒータ線３Ａと電極端子３Ｂを
固定部品を用いずに接着することにより電極端子３Ｂ上
のヒータ線部分の発光，発熱による輻射が遮ぎられるこ
とがなくなるので、電極端子３Ｂ上にあたるウェーハ４
の部分の温度低下が図２のａに示すように極めて小さく
なり、ウェーハ４の面内温度均一性が改善されることに
なる。
固定部品を用いずに接着することにより電極端子３Ｂ上
のヒータ線部分の発光，発熱による輻射が遮ぎられるこ
とがなくなるので、電極端子３Ｂ上にあたるウェーハ４
の部分の温度低下が図２のａに示すように極めて小さく
なり、ウェーハ４の面内温度均一性が改善されることに
なる。
【００１０】
【考案の効果】上述のように本考案によれば、ヒータ線
３Ａと電極端子３Ｂを固定部品を用いることなく接着す
ることによりウェーハ４を均一に加熱することができる
ので、ウェーハ面内温度を均一にでき、拡散・ＣＶＤ工
程においてウェーハ面内に均一に成膜及び処理をするこ
とができる。
３Ａと電極端子３Ｂを固定部品を用いることなく接着す
ることによりウェーハ４を均一に加熱することができる
ので、ウェーハ面内温度を均一にでき、拡散・ＣＶＤ工
程においてウェーハ面内に均一に成膜及び処理をするこ
とができる。
【図１】（Ａ）は本考案ヒータを実施する枚葉式拡散・
ＣＶＤ装置の１例の構成を示す説明図、（Ｂ）は本考案
ヒータの１実施例の構成の１部を示す説明図である。
ＣＶＤ装置の１例の構成を示す説明図、（Ｂ）は本考案
ヒータの１実施例の構成の１部を示す説明図である。
【図２】本考案例のヒータ位置に対するウェーハ面内温
度分布を示す図である。
度分布を示す図である。
【図３】従来ヒータの１例の構成の１部を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】従来例のヒータ位置に対するウェーハ面内温度
分布を示す図である。
分布を示す図である。
１ 反応室 ２ ウェーハ置台 ３Ａ ヒータ線 ３Ｂ 電極端子 ３ ヒータ ４ ウェーハ ５ ヒータカバー ６ ガス噴出ノズル ７ ウェーハ搬送口 ９ 排気口
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内にウェーハ置台を設け、該ウェ
ーハ置台により水平に支持されるウェーハ下方位置にヒ
ータを設け、前記ウェーハを加熱するようにしたウェー
ハ加熱用ヒータにおいて、前記ヒータは、ヒータ線と、該ヒータ線を複数ゾーンに
分けてなる各ゾーンに電力を印加する電極端子とにより
構成されて、前記ウェーハ面の垂直下方領域内における
前記ウェーハ近傍に設けられ、且つ、前記電極端子は前
記ヒータ線に対して、前記ウェーハの位置する方向とは
逆の方向から導入されて、前記ヒータ線より前記ウェー
ハ面方向に照射される輻射熱が前記電極端子により遮蔽
されないように接着して接続されていることを特徴とす
る ウェーハ加熱用ヒータ。 - 【請求項２】 前記ヒータ線と前記電極端子とは同材質
の接着剤で接着される請求項１のウェーハ加熱用ヒー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991109573U JP2582012Y2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ウェーハ加熱用ヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991109573U JP2582012Y2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ウェーハ加熱用ヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0550726U JPH0550726U (ja) | 1993-07-02 |
| JP2582012Y2 true JP2582012Y2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=14513683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991109573U Expired - Lifetime JP2582012Y2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ウェーハ加熱用ヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582012Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222427A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Fujitsu Ltd | 高温処理炉 |
| JP2974030B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1999-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP1991109573U patent/JP2582012Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550726U (ja) | 1993-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0645261A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2582012Y2 (ja) | ウェーハ加熱用ヒータ | |
| JPH10150050A (ja) | 半導体装置製造用の加熱チャンバーの円形加熱板 | |
| JP3640623B2 (ja) | 半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置 | |
| KR20020011793A (ko) | 반도체 제조용 대면적 가열장치 | |
| JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2701242B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 | |
| JP2003041365A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0383894A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3275330B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05291148A (ja) | 半導体基板の加熱装置および加熱方法 | |
| JPH08148480A (ja) | 半導体製造装置およびこれによる半導体製造方法 | |
| JPH029446B2 (ja) | ||
| JP2001267250A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03211822A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0397222A (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| JPH11140651A (ja) | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ処理方法 | |
| JP2956217B2 (ja) | ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法 | |
| JPH03112132A (ja) | 減圧式短時間熱処理装置 | |
| JP4317602B2 (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JP3156500B2 (ja) | キュア装置 | |
| KR940010152B1 (ko) | 오믹 접속(Ohmic Contact)용 금속확산 시스팀 | |
| JP2002203797A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62290120A (ja) | 多結晶半導体膜の単結晶化方法 | |
| JPS605511A (ja) | 半導体用拡散装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |