JPH06105555B2 - Ram回路 - Google Patents

Ram回路

Info

Publication number
JPH06105555B2
JPH06105555B2 JP61275953A JP27595386A JPH06105555B2 JP H06105555 B2 JPH06105555 B2 JP H06105555B2 JP 61275953 A JP61275953 A JP 61275953A JP 27595386 A JP27595386 A JP 27595386A JP H06105555 B2 JPH06105555 B2 JP H06105555B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
switch means
data
sense amplifier
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61275953A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63129595A (ja
Inventor
繁徳 長良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61275953A priority Critical patent/JPH06105555B2/ja
Publication of JPS63129595A publication Critical patent/JPS63129595A/ja
Publication of JPH06105555B2 publication Critical patent/JPH06105555B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は論理集積回路に内蔵されるRAM回路に関する。
〔従来の技術〕
RAM回路を含む論理集積回路を実現した場合にその試験
をいかに効率良く行なうかが大きな問題となっている。
従来は内蔵されたRAM回路とこのRAM回路にデータ入力信
号,アドレス信号及び各種制御信号(ライトイネーブ
ル,チップセレクト信号など)を供給すると共にRAM回
路からデータ出力信号を受ける論理回路とのインタフェ
ース信号を外部端子に取出して直接外部端子から制御及
び観測を行なう方法(物理的方法)と、セレクタなどを
介して論理回路とRAM回路とを論理的に分離する方法
(論理的方法)とが用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した物理的方法は端子数の増加を招き、論理的方法
はセレクタなどの挿入によりパフォーマンスの低下を免
れ得ない。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のRAM回路はデータ,アドレス信号及び各種制御
信号を供給する論理回路を含む論理集積回路に内蔵さ
れ、書込み時に存在しないアドレス指定が行なわれると
全てのメモリセルを非選択状態にしてデータ書込みを禁
止する第1のスイッチ手段と、書込みデータをセンスア
ンプを介して前記論理回路に出力させる第2のスイッチ
手段とを備え、前記メモリセル,前記第1のスイッチ手
段,前記センスアンプ及び前記第2のスイッチ手段を列
方向に順次接続した構成である。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
本発明の一実施例を示す図を参照すると、アドレス信号
入力端子30及びアドレス信号入力端子31,32はデコーダ
6及びデコーダ7の入力に接続される。アドレス信号2
0,21,22のうちのアドレス信号22は存在しないメモリセ
ルアドレスを指定する信号である。アドレス信号22によ
り存在しないアドレスが指定されると、デコーダ6及び
デコーダ7の出力の全てが非選択となり、MOSトランス
ファゲート12,13,14,15をオフ状態にさせてメモリセル
8を全て非選択とする。一方、アドレス信号22は書込み
制御回路4を動作させる。書込み制御回路4は信号29に
よって書込みドライバ回路3を動作させると共に、信号
25によってMOSトランスファゲート10,11をオン状態にさ
せる。さらに、アドレス信号22はセンスアンプ制御回路
2を動作させ、信号26によってセンスアンプ回路1を動
作させる。従って、書込みデータ入力端子35から入力さ
れる書込みデータ40が書込みドライバ回路3、MOSトラ
ンスファゲート10,11及びセンスアンプ回路1を経てテ
ータ出力端子33に出力される。データ出力端子33からの
出力データは図示省略の論理回路に入力される。この
時、メモリセル8は非選択となっているため、データ書
込みは行なわれない。即ち、書込みデータ40はメモリセ
ル8に書込まれることなくセンスアンプ回路1を介して
出力される。なお、通常の書込み及び読出しはアドレス
信号20,21により存在するメモリセルアドレスを指定す
ることにより行なわれる。図中、参照数字5はディジッ
ト線負荷回路、34は書込み制御信号入力端子及び41は書
込み制御信号である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、論理集積回路に内
蔵され、存在しないアドレス信号の入力を可能とし、書
込み時に存在しないアドレス指定が行なわれると全ての
メモリセルを非選択状態として書込みを禁止し、書込み
データをセンスアンプを介して論理回路に出力すること
により、メモリセルに記憶されたデータを破壊すること
なく書込みデータを通過させることができる。したがっ
て、このデータスルーモードを利用して論理回路とRAM
回路とを分離しパフォーマンスを低下させることなく試
験を遂行できる。また、データスルーモードにより、既
に書込まれているデータの破壊を招くことはないため、
装置に組み込んだ状態で試験(オンライン試験)をする
ことが可能となる。更に、RAM回路内部のセンスアンプ
なども同時に試験できる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す構成図である。 1…センスアンプ回路、2…センスアンプ制御回路、3
…書込みドライバ回路、4…書込み制御回路、6,7…デ
コーダ、8…メモリセル、10〜15…MOSトランスファゲ
ート、20〜22…アドレス信号、30〜32…アドレス信号入
力端子、33…データ出力端子、35…書込みデータ入力端
子、40…書込みデータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】データ,アドレス信号及び各種制御信号を
    供給する論理回路を含む論理集積回路に内蔵され、書込
    み時に存在しないアドレス指定が行なわれると全てのメ
    モリセルを非選択状態にしてデータ書込みを禁止する第
    1のスイッチ手段と、書込みデータをセンスアンプを介
    して前記論理回路に出力させる第2のスイッチ手段とを
    備え、前記メモリセル,前記第1のスイッチ手段,前記
    センスアンプ及び前記第2のスイッチ手段を列方向に順
    次接続したことを特徴とするRAM回路。
JP61275953A 1986-11-18 1986-11-18 Ram回路 Expired - Lifetime JPH06105555B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61275953A JPH06105555B2 (ja) 1986-11-18 1986-11-18 Ram回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61275953A JPH06105555B2 (ja) 1986-11-18 1986-11-18 Ram回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63129595A JPS63129595A (ja) 1988-06-01
JPH06105555B2 true JPH06105555B2 (ja) 1994-12-21

Family

ID=17562726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61275953A Expired - Lifetime JPH06105555B2 (ja) 1986-11-18 1986-11-18 Ram回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06105555B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01249982A (ja) * 1988-03-30 1989-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 求心型送風機

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63129595A (ja) 1988-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900007225B1 (ko) 출력데이타의 주기가 증가된 반도체 메모리장치
US5808946A (en) Parallel processing redundancy scheme for faster access times and lower die area
KR100386442B1 (ko) 메모리디바이스회로 및 멀티뱅크메모리어레이의 멀티뱅크컬럼의동시어드레스방법
US4866676A (en) Testing arrangement for a DRAM with redundancy
EP0030245A1 (en) Semiconductor memory device
US5122987A (en) Semiconductor memory device with individually addressable space cells capable of driving a data bus
KR870000598A (ko) 메모리 테스트 회로
JPH05151070A (ja) パーソナルコンピユータ
US5666312A (en) Column redundancy scheme for a random access memory incorporating multiplexers and demultiplexers for replacing defective columns in any memory array
JPH06105555B2 (ja) Ram回路
JPS6211382B2 (ja)
JPH0785693A (ja) 半導体記憶装置
JP2793184B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH073757B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2805853B2 (ja) 半導体メモリ
JPH09213092A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6131558B2 (ja)
JP2702259B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH07312099A (ja) デュアルポートramのテスト方法
JPS6031038B2 (ja) 半導体記憶装置
JPS59113600A (ja) 高信頼記憶回路装置
JPS6315673B2 (ja)
JPS63140499A (ja) 半導体記憶装置
JPS6396797A (ja) 半導体メモリ
JPH0729378A (ja) メモリおよびその制御回路