JPH0590318A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0590318A JPH0590318A JP3249529A JP24952991A JPH0590318A JP H0590318 A JPH0590318 A JP H0590318A JP 3249529 A JP3249529 A JP 3249529A JP 24952991 A JP24952991 A JP 24952991A JP H0590318 A JPH0590318 A JP H0590318A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- fixing member
- stage
- semiconductor device
- lead frame
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は樹脂モールドされる半導体装置に関
し、樹脂モールド時のチップの変位を防止することを目
的とする。 【構成】 半導体チップ４の表面に、第１の固定部材１
２を接着剤１３により固着する。また、半導体チップ４
を搭載するステージ３の裏面に第２の固定部材１４を接
着剤１３により固着する。
し、樹脂モールド時のチップの変位を防止することを目
的とする。 【構成】 半導体チップ４の表面に、第１の固定部材１
２を接着剤１３により固着する。また、半導体チップ４
を搭載するステージ３の裏面に第２の固定部材１４を接
着剤１３により固着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールドされる半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置の軽量、小型化に伴い、
パッケージの薄型化が要求されている。そのため、パッ
ケージ内部に搭載された半導体チップを変位させずに樹
脂モールドを行う必要がある。
パッケージの薄型化が要求されている。そのため、パッ
ケージ内部に搭載された半導体チップを変位させずに樹
脂モールドを行う必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図４（Ａ），（Ｂ）に、従来の半導体装
置の断面図を示す。図４（Ａ）は平面断面図、図４
（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４
（Ａ），（Ｂ）において、半導体装置１A はいわゆるＱ
ＦＰ（QuadFlat Package)型のもので、リードフレーム
２の中央部分のステージ（アイランド）３上に半導体チ
ップ４が搭載される。そして、半導体チップ４とリード
フレーム２のインナーリード５とがワイヤ６によりボン
ディングされ、封止樹脂７によりパッケージングされ
る。例えば表面実装用にするためには、リードフレーム
２のアウタリード８がＬ型形状に加工される。ここで、
図５に、図４の製造を説明するための図を示す。図５
（Ａ）に示すように、上述の半導体装置１A は、リード
フレーム２に半導体チップ４を搭載し、ワイヤ６により
ボンディングが行われた後、該半導体チップ４周辺部分
を上金型９ａ及び下金型９ｂで形成されるキャビディ１
０にセットされる。そして、ゲート１１より封止樹脂７
を封入してモールドを行うものである。
置の断面図を示す。図４（Ａ）は平面断面図、図４
（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４
（Ａ），（Ｂ）において、半導体装置１A はいわゆるＱ
ＦＰ（QuadFlat Package)型のもので、リードフレーム
２の中央部分のステージ（アイランド）３上に半導体チ
ップ４が搭載される。そして、半導体チップ４とリード
フレーム２のインナーリード５とがワイヤ６によりボン
ディングされ、封止樹脂７によりパッケージングされ
る。例えば表面実装用にするためには、リードフレーム
２のアウタリード８がＬ型形状に加工される。ここで、
図５に、図４の製造を説明するための図を示す。図５
（Ａ）に示すように、上述の半導体装置１A は、リード
フレーム２に半導体チップ４を搭載し、ワイヤ６により
ボンディングが行われた後、該半導体チップ４周辺部分
を上金型９ａ及び下金型９ｂで形成されるキャビディ１
０にセットされる。そして、ゲート１１より封止樹脂７
を封入してモールドを行うものである。
【０００４】この場合、ステージ３は、リードフレーム
２のクレードール（図示せず）にサポートバー１６（図
４（Ａ）参照）により支持されているのみであり、樹脂
モールド時に半導体チップ４が変位し易い。従って、半
導体チップ４の位置や封止樹脂７の注入速度等をコント
ロールしてゲート１１からの封止樹脂７が半導体チップ
４を変位させようとする圧力を減らし、変位を防止して
いる。
２のクレードール（図示せず）にサポートバー１６（図
４（Ａ）参照）により支持されているのみであり、樹脂
モールド時に半導体チップ４が変位し易い。従って、半
導体チップ４の位置や封止樹脂７の注入速度等をコント
ロールしてゲート１１からの封止樹脂７が半導体チップ
４を変位させようとする圧力を減らし、変位を防止して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５（Ａ）
に示すように、封止樹脂７の注入初期には半導体チップ
４に変位はない。しかし、封止樹脂７がある程度注入さ
れると、リードフレーム２の製造精度のバラツキや封止
樹脂７の注入速度のバラツキにより十分なコントロール
を行っても、図５（Ｂ）に示すように注入圧力で半導体
チップ４が変位する。すなわち、これによりワイヤ６や
ステージ３がパッケージ面に表出して、基板への実装時
に外部との電気的ショートを惹き起こすという問題があ
る。
に示すように、封止樹脂７の注入初期には半導体チップ
４に変位はない。しかし、封止樹脂７がある程度注入さ
れると、リードフレーム２の製造精度のバラツキや封止
樹脂７の注入速度のバラツキにより十分なコントロール
を行っても、図５（Ｂ）に示すように注入圧力で半導体
チップ４が変位する。すなわち、これによりワイヤ６や
ステージ３がパッケージ面に表出して、基板への実装時
に外部との電気的ショートを惹き起こすという問題があ
る。
【０００６】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、樹脂モールド時の半導体チップの変位を防止す
る半導体装置を提供することを目的とする。
もので、樹脂モールド時の半導体チップの変位を防止す
る半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、リードフレ
ームのステージ上に半導体チップが搭載され、該リード
フレームとの接続後、樹脂モールドされる半導体装置に
おいて、前記半導体チップの樹脂モールド時の位置固定
のために、該半導体チップ表面に第１の固定部材を取着
すると共に、前記ステージ裏面に第２の固定部材を取着
することにより解決される。
ームのステージ上に半導体チップが搭載され、該リード
フレームとの接続後、樹脂モールドされる半導体装置に
おいて、前記半導体チップの樹脂モールド時の位置固定
のために、該半導体チップ表面に第１の固定部材を取着
すると共に、前記ステージ裏面に第２の固定部材を取着
することにより解決される。
【０００８】
【作用】上述のように、半導体チップ表面に第１の固定
部材を取着し、ステージ裏面に第２の固定部材を取着す
る。
部材を取着し、ステージ裏面に第２の固定部材を取着す
る。
【０００９】これにより、金型内にセットして樹脂モー
ルドを行う場合、封止樹脂の注入圧力で半導体チップが
力を受けても、第１の固定部材が上金型との距離を規制
し、第２の固定部材が下金型との距離を規制する。
ルドを行う場合、封止樹脂の注入圧力で半導体チップが
力を受けても、第１の固定部材が上金型との距離を規制
し、第２の固定部材が下金型との距離を規制する。
【００１０】すなわち、第１及び第２の固定部材により
ワイヤやステージがパッケージ面に表出するのを防止す
ることが可能となる。これにより、実装時に外部との電
気的ショートを防止することが可能となる。
ワイヤやステージがパッケージ面に表出するのを防止す
ることが可能となる。これにより、実装時に外部との電
気的ショートを防止することが可能となる。
【００１１】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
なお、図４と同一の構成部分には同一の符号を付す。図
１において、半導体装置１B は、所定パターンのリード
フレーム２のステージ３上に半導体チップ４が搭載さ
れ、該半導体チップ４の表面上に形成されたパッド（図
示せず）とリードフレーム２のインナリード５とがワイ
ヤ６によりボンディングされる。
なお、図４と同一の構成部分には同一の符号を付す。図
１において、半導体装置１B は、所定パターンのリード
フレーム２のステージ３上に半導体チップ４が搭載さ
れ、該半導体チップ４の表面上に形成されたパッド（図
示せず）とリードフレーム２のインナリード５とがワイ
ヤ６によりボンディングされる。
【００１２】半導体チップ４の表面であって、ボンディ
ングされたパッドの内側に、例えばエポキシ樹脂等の高
分子材料で形成されたブロック状の第１の固定部材１２
が、例えばシリコーン樹脂等の高分子材料の接着剤１３
により固着される。
ングされたパッドの内側に、例えばエポキシ樹脂等の高
分子材料で形成されたブロック状の第１の固定部材１２
が、例えばシリコーン樹脂等の高分子材料の接着剤１３
により固着される。
【００１３】一方、リードフレーム２のステージ３の裏
面には、該第１の固定部材１２と同材質の第２の固定部
材１４が、前記接着剤１３と同材質の接着剤１３により
固着される。
面には、該第１の固定部材１２と同材質の第２の固定部
材１４が、前記接着剤１３と同材質の接着剤１３により
固着される。
【００１４】そして、封止樹脂７によりモールドされ
る。この場合、第１及び第２の固定部材１２，１４はそ
の表面がパッケージと同一表面に表出される。なお、第
１及び第２の固定部材１３，１４を固着する接着剤１３
は前述のように絶縁性のものであり、パッケージ面に表
出しても電気的ショートを惹起することがない。
る。この場合、第１及び第２の固定部材１２，１４はそ
の表面がパッケージと同一表面に表出される。なお、第
１及び第２の固定部材１３，１４を固着する接着剤１３
は前述のように絶縁性のものであり、パッケージ面に表
出しても電気的ショートを惹起することがない。
【００１５】また、樹脂モールド後、リードフレーム２
のアウタリード８が表面実装用のＬ型に折曲される。な
お、本実施例以下では総て表面実装用のリードを示して
いるが、Ｌ型に折曲せずにリード挿入用としても同様で
ある。
のアウタリード８が表面実装用のＬ型に折曲される。な
お、本実施例以下では総て表面実装用のリードを示して
いるが、Ｌ型に折曲せずにリード挿入用としても同様で
ある。
【００１６】ここで、図２に、図１の製造を説明するた
めの図を示す。図２において、まず、リードフレーム２
のステージ３上に半導体チップ４を搭載してワイヤ６に
よるボンディング後、半導体チップ４の表面に接着剤１
３により第１の固定部材１２を固着すると共に、ステー
ジ３の裏面に接着剤１３により第２の固定部材１４を固
着する。なお、第１の固定部材１２の半導体チップ４表
面への固着はワイヤボンディング前であってもよく、ス
テージ３上に半導体チップ４を搭載する前でも良い。
又、第２の固定部材１４は、ステージ３上に半導体チッ
プ４を搭載する前でも良い。
めの図を示す。図２において、まず、リードフレーム２
のステージ３上に半導体チップ４を搭載してワイヤ６に
よるボンディング後、半導体チップ４の表面に接着剤１
３により第１の固定部材１２を固着すると共に、ステー
ジ３の裏面に接着剤１３により第２の固定部材１４を固
着する。なお、第１の固定部材１２の半導体チップ４表
面への固着はワイヤボンディング前であってもよく、ス
テージ３上に半導体チップ４を搭載する前でも良い。
又、第２の固定部材１４は、ステージ３上に半導体チッ
プ４を搭載する前でも良い。
【００１７】そこで、下金型９ｂのキャビティ１０内
に、半導体チップ４周辺のモールド部分を位置させ、第
２の固定部材１４を載置する。また、上金型９ａを覆う
ことにより、第１の固定部１２が該上金型９ａに当接す
る。すなわち、キャビディ１０内で上金型９ａ及び下金
型９ｂにより挟み込んだ時の圧力を、第１及び第２の固
定部材１２，１４及び接着剤１３が変形することにより
緩和して、半導体チップ４に加わる圧力を減少させて保
護しつつ固定するものである。
に、半導体チップ４周辺のモールド部分を位置させ、第
２の固定部材１４を載置する。また、上金型９ａを覆う
ことにより、第１の固定部１２が該上金型９ａに当接す
る。すなわち、キャビディ１０内で上金型９ａ及び下金
型９ｂにより挟み込んだ時の圧力を、第１及び第２の固
定部材１２，１４及び接着剤１３が変形することにより
緩和して、半導体チップ４に加わる圧力を減少させて保
護しつつ固定するものである。
【００１８】そして、ゲート１１より封止樹脂７を封入
することにより樹脂モールドを行う。この場合、半導体
チップ４は固定されていることから、注入速度及び圧力
をコントロールする必要がなく、モールド時間を短縮さ
せることができる。
することにより樹脂モールドを行う。この場合、半導体
チップ４は固定されていることから、注入速度及び圧力
をコントロールする必要がなく、モールド時間を短縮さ
せることができる。
【００１９】このように、第１及び第２の固定部材１
２，１４により、樹脂モールド時に半導体チップ４が変
位することなく、ワイヤ６やステージ３がパッケージ面
に表出することがないことから、基板への実装時に電気
的ショートを惹起することを防止することができる。
２，１４により、樹脂モールド時に半導体チップ４が変
位することなく、ワイヤ６やステージ３がパッケージ面
に表出することがないことから、基板への実装時に電気
的ショートを惹起することを防止することができる。
【００２０】なお、上記実施例では、第１及び第２の固
定部材１２，１４をパッケージ面に表出させる場合を示
したが、必ずしも表出させる必要はなく、樹脂モールド
時に半導体チップ４の変位によってワイヤ６やステージ
３がパッケージ面に表出しない程度に、該第１及び第２
の固定部材１２，１４の厚さを設定すればよい。
定部材１２，１４をパッケージ面に表出させる場合を示
したが、必ずしも表出させる必要はなく、樹脂モールド
時に半導体チップ４の変位によってワイヤ６やステージ
３がパッケージ面に表出しない程度に、該第１及び第２
の固定部材１２，１４の厚さを設定すればよい。
【００２１】次に、図３に、本発明の他の実施例の構成
図を示す。図３に示す半導体装置１ B は、第１の固定部
材１２ａを、例えばアルミニウム等の放熱良好な材質で
逆凸型に形成し、パッケージの一方面の全面に表出させ
るようにしたものである。同様に、第２の固定部材１４
ａにおいても放熱良好な材質を用いて、パッケージの他
方面の全面に表出させるようにしたものである。
図を示す。図３に示す半導体装置１ B は、第１の固定部
材１２ａを、例えばアルミニウム等の放熱良好な材質で
逆凸型に形成し、パッケージの一方面の全面に表出させ
るようにしたものである。同様に、第２の固定部材１４
ａにおいても放熱良好な材質を用いて、パッケージの他
方面の全面に表出させるようにしたものである。
【００２２】これにより、半導体チップ４の駆動時の発
熱を効率よく放熱することができる。また、より高効率
の放熱性を得るために、表出した第１及び第２の固定部
材１２ａ，１４ａ表面にスリット１５を形成して表面積
の拡大を図ってもよい。
熱を効率よく放熱することができる。また、より高効率
の放熱性を得るために、表出した第１及び第２の固定部
材１２ａ，１４ａ表面にスリット１５を形成して表面積
の拡大を図ってもよい。
【００２３】なお、図３における半導体装置１B の製造
は図１における場合と同様であるが、この場合、第１の
固定部材１２ａは半導体チップ４とインナリード５との
ワイヤボンディング後に固着する必要がある。
は図１における場合と同様であるが、この場合、第１の
固定部材１２ａは半導体チップ４とインナリード５との
ワイヤボンディング後に固着する必要がある。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体チ
ップ表面に第１の固定部材を取着すると共に、ステージ
裏面に第２の固定部材を取着することにより、樹脂モー
ルド時の半導体チップの変位を防止してワイヤ等の露出
を防止することができ、薄型半導体装置の性能向上を図
ることができる。
ップ表面に第１の固定部材を取着すると共に、ステージ
裏面に第２の固定部材を取着することにより、樹脂モー
ルド時の半導体チップの変位を防止してワイヤ等の露出
を防止することができ、薄型半導体装置の性能向上を図
ることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１の製造を説明するための図である。
【図３】本発明の他の実施例の構成図である。
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
【図５】図４の製造を説明するための図である。
１A ，１B 半導体装置 ２ リードフレーム ３ ステージ ４ 半導体チップ ７ 封止樹脂 ９ａ 上金型 ９ｂ 下金型 １２，１２ａ 第１の固定部材 １３ 接着剤 １４，１４ａ 第２の固定部材
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレーム（２）のステージ（３）
上に半導体チップ（４）が搭載され、該リードフレーム
（２）との接続後、樹脂モールドされる半導体装置にお
いて、 前記半導体チップ（４）の樹脂モールド時の位置固定の
ために、該半導体チップ（４）表面に第１の固定部材
（１２，１２ａ）を取着すると共に、前記ステージ
（３）裏面に第２の固定部材（１４，１４ａ）を取着す
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の固定部材（１２ａ）を、断面
逆凸形状に形成することを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249529A JPH0590318A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249529A JPH0590318A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590318A true JPH0590318A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17194340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249529A Withdrawn JPH0590318A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471366A (en) * | 1993-08-19 | 1995-11-28 | Fujitsu Limited | Multi-chip module having an improved heat dissipation efficiency |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249529A patent/JPH0590318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471366A (en) * | 1993-08-19 | 1995-11-28 | Fujitsu Limited | Multi-chip module having an improved heat dissipation efficiency |
| US5592735A (en) * | 1993-08-19 | 1997-01-14 | Fujitsu Limited | Method of making a multi-chip module having an improved heat dissipation efficiency |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |