JPH0587979U - 半導体レーザモジュール - Google Patents

半導体レーザモジュール

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JPH0587979U
JPH0587979U JP2886392U JP2886392U JPH0587979U JP H0587979 U JPH0587979 U JP H0587979U JP 2886392 U JP2886392 U JP 2886392U JP 2886392 U JP2886392 U JP 2886392U JP H0587979 U JPH0587979 U JP H0587979U
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 ケース内に収納された半導体レーザ素子等の
個々の光学素子に固有な制御定数を外部駆動装置で設定
することなく光学系への組み込みや交換作業ができるよ
うにする。 【構成】 半導体レーザ素子12を含む光学素子に固有
な制御定数を記憶した制御定数記憶装置18をケース内
に設けたことにより、ケース内に収納された半導体レー
ザ素子等の個々の光学素子に固有な制御定数を外部駆動
装置で設定することなく光学系への組み込みや交換作業
をできるようにした。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、少なくとも半導体レーザ素子を含む光学素子及びこの半導体レー ザ素子の温度を制御する温度制御器をケース内に収納してなる半導体レーザモジ ュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
図9は従来の半導体レーザモジュールの構成を示す断面図である。図9に示さ れるように、従来の半導体レーザモジュール100は、ホルダー104内に装着 固定された半導体レーザ素子102とこの半導体レーザ素子102の基部に取り 付けたペルチェ素子103とをケ−ス101内に収納したものである。ペルチェ 素子103は、半導体レーザ素子102に取り付けられた温度検出素子107に よって検出される温度が所定の温度になるように温度制御する。また、半導体レ ーザ素子102の出射部102aからの出射レーザ光はホルダー104に設けら れた出射レンズ105及びケース101に設けられた出射窓106を通じて外部 に出射される。
【0003】 ところで、半導体レーザ素子102から出射されるレーザ光の波長及び光パワ ーもしくは光出力は、半導体レーザ素子102に加えられる駆動電流及び半導体 レーザ素子102の温度に依存して変動する。しかも、その変動の特性は個々の 半導体レーザ素子毎にバラツキがあるのが普通であり、個々の半導体レーザ素子 毎に固有なものである。それゆえ、所定の波長及び光パワーもしくは光出力を有 するレーザ光を得るためには、半導体レーザ素子102に加える駆動電流及び温 度を個々の半導体レーザ素子に固有な所定の値に制御する必要がある。この制御 は半導体レーザモジュール100の外部に設けられた駆動装置によって行われる 。
【0004】 ここで、一定の光パワーもしくは光出力を得る方法として、半導体レーザ素子 102に加える駆動電流を固有の一定の値に保持する方法と、半導体レーザ素子 102から出射されるレーザ光の強度をフォトダイオード等の光検出器によって 検出し、この検出出力が一定になるように駆動電流を制御する方法とがある。ま た、温度を所定の値に保持するには温度検出素子107の出力が固有な所定の値 になるようにペルチェ素子103に加える電流を制御する必要がある。このよう な制御を行うためには個々の半導体レーザ素子に固有なそれぞれの制御定数を設 定して与える必要がある。すなわち、例えば、上述の駆動電流を固有の一定の値 に保持する方法を実施するためには、この固有の駆動電流値を指示するための駆 動電流制御定数を与える必要がある。この駆動電流制御定数は、通常、固有の電 圧値で与えられる。すなわち、この電圧値に比例する電流値を半導体レーザ素子 102の固有の駆動電流値とする。また、光検出器の検出出力が固有な所定の値 になるように駆動電流を制御する方法を実施するためにはこの固有な所定の値を 指示する駆動電流制御定数を与える必要がある。この駆動電流制御定数も固有の 電圧値で与えられるのが普通である。さらに、温度検出素子107の出力が固有 な所定の値になるようにペルチェ素子103に加える電流を制御するためには、 この固有な所定の値を指示する温度制御定数を与える必要がある。この温度制御 定数も固有の電圧値で与えられるのが普通である。従来は、このような制御定数 を全て外部の駆動装置内に設けられた回路によって設定していた。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
ところが、例えば、上述の従来の半導体レーザモジュールを特定の目的を遂行 する光学系の構成要素として組み込んだ場合には次のような問題があった。すな わち、半導体レーザモジュール又はこれを駆動する駆動装置が故障あるいは寿命 等の理由で交換しなければならない事態が生じた場合、駆動装置内で設定される 各種の制御定数を個々の半導体レーザモジュールに固有な制御定数に設定し直さ なければならない。このため、交換作業が煩雑であるとともに、光学系に複数の 半導体レーザモジュールを用いている場合等には個々のモジュール毎に異なる設 定が必要であるので著しい手間と時間を要していた。
【0006】 この考案は、上述の背景のもとでなされたものであり、ケース内に収納された 半導体レーザ素子等の個々の光学素子に固有な制御定数を個々のモジュール毎に 外部駆動装置で設定することなく光学系への組み込みや交換作業ができる半導体 レーザモジュールを提供することを目的としたものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために本考案にかかる半導体レーザモジュールは、 (1) 少なくとも半導体レーザ素子を含む光学素子及びこの半導体レーザ素子 の温度を制御する温度制御器をケース内に収納してなる半導体レーザモジュール において、 前記半導体レーザ素子を含む光学素子に固有な制御定数を記憶した制御定数記 憶装置を前記ケース内に設けたことを特徴とする構成とした。
【0008】 また、構成1の態様として、 (2) 構成1の半導体レーザモジュールにおいて、 前記制御定数記憶装置は、前記半導体レーザ素子から発振されるレーザ光の波 長及び光パワーが設定された値を維持するために該半導体レーザ装置に印加すべ き固有な値の駆動電流を指示する駆動電流制御定数、前記半導体レーザ素子から 発振されるレーザ光の波長及び光パワーが設定された値を維持するために前記温 度制御器によって保持されるべき固有の温度を指示する温度制御定数及び前記半 導体レーザ素子から発振されるレーザ光の光出力が設定された値を維持するため の基準となる定出力制御定数のうちのいずれか1又は2以上の制御定数を記憶し たものであることを特徴とした構成とした。
【0009】 さらに、構成1又は2の態様として、 (3) 構成1又は2の半導体レーザモジュールにおいて、 前記半導体レーザ素子から射出されたレーザ光を分割する光分割器と、前記半 導体レーザ素子から射出されたレーザ光及び前記光分割器によって分割されたレ ーザ光のうちのいずれか1又は2以上のレーザ光に変調を加える1又は2以上の 光変調器を前記ケース内に設けたことを特徴とする構成とした。
【0010】
【作用】
上述の構成1及び2によれば、半導体レーザ素子に固有な制御定数を記憶した 制御定数記憶装置がケース内に設けられてあるので、この半導体レーザ素子に固 有な制御定数を個々のモジュール毎に外部駆動装置で設定する必要がない。この ため、この半導体レーザモジュールを用いれば、半導体レーザ素子等の光学素子 に固有な制御定数を個々のモジュール毎に外部駆動装置で設定することなく光学 系への組み込みや交換作業ができる。
【0011】 また、構成3によれば、変調を受けた複数のレーザ光が得られる。しかもこの 場合、半導体レーザモジュールに記憶する制御定数として光変調器の特性も考慮 にいれた定数とすれば、ケース内に収納された半導体レーザ素子及び光変調器に 固有な制御定数を個々のモジュール毎に外部駆動装置で設定することなく光学系 への組み込みや交換作業ができる半導体レーザモジュールを得ることができる。
【0012】
【実施例】第1実施例 図1はこの考案の第1実施例にかかる半導体レーザモジュールの断面図、図2 は制御定数記憶装置の回路構成を示す図、図3は外部駆動装置の回路構成を示す 図である。以下、これらの図面を参照にしながら第1実施例にかかる半導体レー ザモジュールを説明する。
【0013】 図1において、符号10は半導体レーザモジュール、符号11はケース、符号 12半導体レーザ素子、符号13は温度制御器たるペルチェ素子、符号14はホ ルダー、符号15は出射レンズ、符号16は出射窓、符号17温度検出素子たる サーミスタ、符号18制御定数記憶装置、符号19はコネクタである。
【0014】 ケース11は、内部に収納部を備えた箱状体であり、内部収納部にペルチェ素 子13、半導体レーザ素子12及び制御定数記憶装置18を保持したホルダー1 4を収納固定するとともに、図中右方の側壁部にレーザ光を出射する出射窓16 を設け、また、左方の側壁部にコネクタ19を取り付けたものである。
【0015】 ホルダー14は、半導体レーザ素子12を収納保持するレーザ素子収納部14 aと、このレーザ素子収納部14aの下側の壁部を延長して形成された基部14 bとを有する。レーザ素子収納部14aの図中右方の側壁部にはレーザ光取出窓 14cが設けられ、このレーザ光取出窓14cに出射レンズ15が嵌め込まれて いる。また、基部14bの上側には保持台18aを介して制御定数記憶装置18 が固定され、下側にはペルチェ素子13が固定されている。このペルチェ素子1 3はケース11の内部底面に固定されている。したがって、ホルダー14はこの ペルチェ素子13を介してケース11に固定される。
【0016】 半導体レーザ素子12は、本体部12aに形成された凹部に保持部材12bを 固定し、この保持部材12bに半導体レーザチップ12c及びフォトダイオード 12dを固定したものである。また、凹部の口部にはカバーガラス12eが取り 付けられ、半導体レーザチップ12cから前方に出射したレーザ光を外部に取り 出すようになっている。なお、フォトダイオード12dは半導体レーザチップ1 2cから後方に出射したレーザ光を検出し、その光パワーもしくは光出力をモニ タするものである。サーミスタ17は半導体レーザ素子の温度を検出し、検出温 度に比例した出力電圧を送出する。ペルチェ素子13はホルダー14を冷却(又 は加熱)するもので、この冷却(又は加熱)の加減は該ペルチェ素子13に流す 電流を加減することにより制御する。
【0017】 制御定数記憶装置18は、要するに、半導体レーザモジュール10を外部駆動 装置に接続したとき、半導体レーザ素子12に固有な温度制御定数たる電圧V01 と、半導体レーザ素子12に固有な駆動電流定数たる電圧V02とを外部駆動装置 に送出するものである。外部駆動装置は、サーミスタ17の出力電圧がV01に等 しくなるようにペルチェ素子に流す電流を加減し、また、V02に比例する値の駆 動電流を半導体レーザ素子12に流す。図2に示されるように、この制御定数記 憶装置18は、端子C1 ,C2 を通じて印加される電圧Vをツェナーダイオード D1 によって定電圧V0 に変換し、この定電圧V0 から2つの半固定ボリューム VR1,VR2を通じて半導体レーザ素子12に固有な温度制御定数たる電圧V01と 、半導体レーザ素子12に固有な駆動電流定数たる電圧V02とを得るようにした ものである。なお、抵抗R1 はツェナーダイオードD1 に流す電流を決める抵抗 である。この電圧V01とV02とは端子C3 ,C4 を通じて外部駆動装置に送出さ れる。
【0018】 図3は外部駆動装置の回路構成例を示すもので、図における端子C1 ,C2 , C3 ,C4 は制御定数記憶装置18の同符号の端子に対応する。この外部駆動装 置においては端子C1 ,C2 を通じて制御定数記憶装置18に電圧Vを送出する 。なお、図においてはこの電圧Vの発生回路は省略してある。また、端子C3 を 通じて制御定数記憶装置18から与えられた電圧V02は、電流・電圧変換器(V ーI変換器)によってこの電圧V02に比例する電流に変換され、増幅器A2 によ って増幅された後、半導体レーザ素子12に駆動電流として加えられる。さらに 、端子C4 を通じて制御定数記憶装置18から与えられた電圧V01は、差動増幅 器S1 によってサーミスタ17の出力電圧との差がとられ、この差の値が演算回 路(CPU)加えられる。CPUでは差の大きさに比例する成分(P成分)、差 の変化の所定時間の積分値の成分(I成分)及び差の変化の微分値の成分(D成 分)等のいわゆるPID係数等を演算してペルチェ素子13に加える電流に比例 する信号を算出する。この算出された信号は増幅器A1 によって増幅されてペル チェ素子13に加えられる。
【0019】 上述の構成によれば、半導体レーザ素子12に固有な制御定数を記憶した制御 定数記憶装置18がケース11内に設けられてあるので、この半導体レーザ素子 12に固有な制御定数を個々のモジュール毎に外部駆動装置で設定する必要がな い。このため、この半導体レーザモジュール10を用いれば半導体レーザ素子1 2に固有な制御定数を外部駆動装置で設定することなく光学系への組み込みや交 換作業ができる。
【0020】 なお、制御定数記憶装置18を構成する回路としては、図2に示した外に、例 えば、図4及び図5に示したような回路構成のものであってもよい。図4に示し た例は、図2におけるツェナーダイオードD1 に流す電流を定電流回路から供給 するようにして電圧Vの変動に対するツェナーダイオードD1 の降伏電圧の変動 を小さくし、制御定数の設定精度を高めるようにしたものである。この場合、ツ ェナーダイオードD1 の代わりに定電圧ICを用いればさらに精度を上げること ができる。また、図5に示される例はそれぞれの制御定数を読みだし専用メモリ (ROM)にデジタル量として憶させておき、これを読み出してD/A変換器で アナログ量に変換するようにしたものである。これによれば、容易に複数種類の 制御定数を記憶させておくことが可能となる。
【0021】 さらに、以上の例では、半導体レーザ素子12に加える駆動電流を固有の一定 の値にすることにより光出力等を所定の値にする例についてのべたが、半導体レ ーザ素子12から出射されるレーザ光の光出力をフォトダイーオード12dでモ ニタしてそのモニタ出力が一定になるように駆動電流を制御するようにしてもよ い。その場合には、制御定数記憶装置にそのモニタ出力の基準となる電圧を制御 定数として記憶させるようにすればよい。
【0022】 また、図6に示したように、半導体レーザモジュールからのレーザ光を光ファ イバを通じて外部に取り出すようにしてもよい。この半導体レーザモジュール2 0は、ケース11の出射窓16に光ファイバ21の入射部を挿入固定し、ファイ バ素線21aの先端部をホルダー14に設けた固定孔14fまで延長してこれを フェルール24で固定したものである。出射窓16への光ファイバ21の固定は 、光ファイバ21の被覆部21bの外周に光ファイバ保持部材22を被せ、これ を出射窓16に装着して固定する。さらに、出射窓16と外部との境部にはスリ ーブ23を被着して補強する。これにより、光ファイバによるレーザ光取り出し が可能となる。
【0023】第2実施例 図7はこの考案の第2実施例にかかる半導体レーザモジュールの縦断面図、図 8は第2実施例の横断面図である。この実施例はケース11内に2つの音響光学 素子33,34をも収納するようにし、半導体レーザ素子12から射出されたレ ーザ光を無偏光ビームスプリッタ31で2つに分離した後、直進するレーザ光を 音響光学素子33に入射し、一方、分離して90°方向に進行するレーザ光をミ ラー32を介して音響光学素子34に入射させて各々光周波数シフトを施すこと により2周波レーザ光を得るようにしたものである。なお、ホルダー14の基部 14bが大きいので2つのペルチェ素子13a,13bを用いている。その外の 構成は上述の第1実施例と同じである。この実施例によると、制御定数記憶装置 に記憶する制御定数として音響光学素子33,34の特性も考慮にいれた定数と すれば、ケース内に収納された半導体レーザ素子12及び音響光学素子33,3 4に固有な制御定数を個々のモジュール毎に外部駆動装置で設定することなく光 学系への組み込みや交換作業ができる2周波の半導体レーザモジュールを得るこ とができる。
【0024】
【考案の効果】
以上詳述したように、本考案にかかる半導体レーザモジュールは、半導体レー ザ素子を含む光学素子に固有な制御定数を記憶した制御定数記憶装置をケース内 に設けたことにより、ケース内に収納された半導体レーザ素子等の個々の光学素 子に固有な制御定数を外部駆動装置で設定することなく光学系への組み込みや交 換作業をできるようにしたものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の第1実施例にかかる半導体レーザモ
ジュールの断面図である。
【図2】制御定数記憶装置の回路構成を示す図である。
【図3】外部駆動装置の回路構成を示す図である。
【図4】制御定数記憶装置のたの回路構成例を示す図で
ある。
【図5】制御定数記憶装置のたの回路構成例を示す図で
ある。
【図6】第1実施例の変形例を示す断面図である。
【図7】この考案の第2実施例にかかる半導体レーザモ
ジュールの縦断面図である。
【図8】この考案の第2実施例にかかる半導体レーザモ
ジュールの横断面図である。
【図9】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
10…半導体レーザモジュール、11…ケース、12…
半導体レーザ素子、13…ペルチェ素子、18…制御定
数記憶装置。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも半導体レーザ素子を含む光学
    素子及びこの半導体レーザ素子の温度を制御する温度制
    御器をケース内に収納してなる半導体レーザモジュール
    において、 前記半導体レーザ素子を含む光学素子に固有な制御定数
    を記憶した制御定数記憶装置を前記ケース内に設けたこ
    とを特徴とする半導体レーザモジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザモジュー
    ルにおいて、 前記制御定数記憶装置は、前記半導体レーザ素子から発
    振されるレーザ光の波長及び光パワーが設定された値を
    維持するために該半導体レーザ装置に印加すべき固有な
    値の駆動電流を指示する駆動電流制御定数、前記半導体
    レーザ素子から発振されるレーザ光の波長及び光パワー
    が設定された値を維持するために前記温度制御器によっ
    て保持されるべき固有の温度を指示する温度制御定数及
    び前記半導体レーザ素子から発振されるレーザ光の光出
    力が設定された値を維持するための基準となる定出力制
    御定数のうちのいずれか1又は2以上の制御定数を記憶
    したものであることを特徴とした半導体レーザモジュー
    ル。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の半導体レーザモ
    ジュールにおいて、 前記半導体レーザ素子から射出されたレーザ光を分割す
    る光分割器と、前記半導体レーザ素子から射出されたレ
    ーザ光及び前記光分割器によって分割されたレーザ光の
    うちのいずれか1又は2以上のレーザ光に光変調を加え
    る1又は2以上の光変調器を前記ケース内に設けたこと
    を特徴とする半導体レーザモジュール。
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