JPH0582652A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0582652A JPH0582652A JP24224291A JP24224291A JPH0582652A JP H0582652 A JPH0582652 A JP H0582652A JP 24224291 A JP24224291 A JP 24224291A JP 24224291 A JP24224291 A JP 24224291A JP H0582652 A JPH0582652 A JP H0582652A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- terminal
- cell
- lsi
- uppermost layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】未使用セル1のNチャネルMOSトランジスタ
2のソース領域に接続して最上層のGND配線7の近傍
に設けた端子4と、PチャネルMOSトランジスタ3の
ソース領域に接続して最上層の電源配線8の近傍に設け
た端子5と、トランジスタ2,3のゲート電極に接続し
て最上層に設けた端子6とを備えて構成される。 【効果】FIB装置等で最上層に選択的に配線層を設
け、未使用セルとGND,電源及び内部論理セルとを接
続することにより、任意の内部論理セルの出力を取出せ
る。
2のソース領域に接続して最上層のGND配線7の近傍
に設けた端子4と、PチャネルMOSトランジスタ3の
ソース領域に接続して最上層の電源配線8の近傍に設け
た端子5と、トランジスタ2,3のゲート電極に接続し
て最上層に設けた端子6とを備えて構成される。 【効果】FIB装置等で最上層に選択的に配線層を設
け、未使用セルとGND,電源及び内部論理セルとを接
続することにより、任意の内部論理セルの出力を取出せ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】ゲートアレイ方式等のLSIでは、近年
の論理規模の増大に伴い、論理設計ミス等による再設計
の度合が増加している。
の論理規模の増大に伴い、論理設計ミス等による再設計
の度合が増加している。
【0003】従来の半導体集積回路装置は、設計上で設
定された論理信号のみがLSI外部に出力されており、
任意の内部論理信号をLSI外部に出力することができ
ないため、論理動作不良が発生したような場合には、そ
の解析に必要な論理信号を内部論理セルの出力線上にプ
ローブを当てて直接信号を取り出していた。
定された論理信号のみがLSI外部に出力されており、
任意の内部論理信号をLSI外部に出力することができ
ないため、論理動作不良が発生したような場合には、そ
の解析に必要な論理信号を内部論理セルの出力線上にプ
ローブを当てて直接信号を取り出していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路は、内部セルの電源駆動能力が低く、内部論理セル
の出力線より取出した信号は測定器の負荷容量や接続抵
抗等の影響を受け正確な測定ができないため、解析が困
難であった。
回路は、内部セルの電源駆動能力が低く、内部論理セル
の出力線より取出した信号は測定器の負荷容量や接続抵
抗等の影響を受け正確な測定ができないため、解析が困
難であった。
【0005】また、未使用の外部出力バッファを利用し
て充分な出力を得ようとする場合には測定回路を構成す
るために複数のマスクを再設計しなければならず、開発
期間の増大を招くという問題点があった。
て充分な出力を得ようとする場合には測定回路を構成す
るために複数のマスクを再設計しなければならず、開発
期間の増大を招くという問題点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、内部セル領域を有するLSIの外部インターフ
ェースバッファ領域に設けたCMOSトランジスタから
なる未使用セルと、最上層に設けたGND及び電源配線
と、前記未使用セルの一方のトランジスタに接続して前
記GND配線近傍の最上層に設けた第1の端子と、他方
のトランジスタに接続して前記電源配線近傍の最上層に
設けた第2の端子と、前記未使用セルの入力信号配線に
接続して最上層に設けた第3の端子とを備えている。
装置は、内部セル領域を有するLSIの外部インターフ
ェースバッファ領域に設けたCMOSトランジスタから
なる未使用セルと、最上層に設けたGND及び電源配線
と、前記未使用セルの一方のトランジスタに接続して前
記GND配線近傍の最上層に設けた第1の端子と、他方
のトランジスタに接続して前記電源配線近傍の最上層に
設けた第2の端子と、前記未使用セルの入力信号配線に
接続して最上層に設けた第3の端子とを備えている。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示すレイアウト図
である。
である。
【0008】図1に示すように、ゲートアレイ方式等の
内部セル領域を有するLSIの外部インターフェースバ
ッファ領域に設けたNチャネルMOSトランジスタ2及
びPチャネルトランジスタ3と、NチャネルMOSトラ
ンジスタ2のソース領域に接続した下層配線10に接続
して最上層のGND配線7の近傍に設けた端子4と、P
チャネルMOSトランジスタ3のソース領域に接続した
下層配線11に接続して最上層の電源配線8の近傍に設
けた端子5と、Nチャネル及びPチャネルMOSトラン
ジスタ2,3のゲート電極に接続した下層の入力信号配
線12に接続して最上層に設けた端子6と、Nチャネル
及びPチャネルMOSトランジスタ2,3のドレイン領
域に接続した下層の出力配線13に接続して最上層に設
けたボンディングパッド9とを備えて未使用セル1が構
成されている。
内部セル領域を有するLSIの外部インターフェースバ
ッファ領域に設けたNチャネルMOSトランジスタ2及
びPチャネルトランジスタ3と、NチャネルMOSトラ
ンジスタ2のソース領域に接続した下層配線10に接続
して最上層のGND配線7の近傍に設けた端子4と、P
チャネルMOSトランジスタ3のソース領域に接続した
下層配線11に接続して最上層の電源配線8の近傍に設
けた端子5と、Nチャネル及びPチャネルMOSトラン
ジスタ2,3のゲート電極に接続した下層の入力信号配
線12に接続して最上層に設けた端子6と、Nチャネル
及びPチャネルMOSトランジスタ2,3のドレイン領
域に接続した下層の出力配線13に接続して最上層に設
けたボンディングパッド9とを備えて未使用セル1が構
成されている。
【0009】図2は本発明の応用例を示すレイアウト図
である。
である。
【0010】図2に示すように、最上層に設けた端子4
とGND配線7との間,端子5と電源配線8との間及び
端子6と任意の内部論理セルの出力線との間の夫々にF
IB(Focus Ion Beam)装置を用いて選
択的に配線層を形成して接続部4a,5a,6aを設
け、外部出力バッファとほぼ同じ電圧駆動能力を有する
インバータ回路を構成して内部論理セルの出力反転信号
をボンディングパッド9に出力させる。
とGND配線7との間,端子5と電源配線8との間及び
端子6と任意の内部論理セルの出力線との間の夫々にF
IB(Focus Ion Beam)装置を用いて選
択的に配線層を形成して接続部4a,5a,6aを設
け、外部出力バッファとほぼ同じ電圧駆動能力を有する
インバータ回路を構成して内部論理セルの出力反転信号
をボンディングパッド9に出力させる。
【0011】なお、FIBの使用の代りに最上層の配線
形成用マスクのみを修正しても良い。
形成用マスクのみを修正しても良い。
【0012】また、本発明の技術を応用して任意の内部
論理セルの出力を取出し、回路の一部修正や他のLSI
との組合せにより、再設計をともなわずに回路補正や新
機種への転換が可能になるという利点を有する。
論理セルの出力を取出し、回路の一部修正や他のLSI
との組合せにより、再設計をともなわずに回路補正や新
機種への転換が可能になるという利点を有する。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、最上層の
配線の一部を修正することにより、外部インターフェー
スバッファ領域の未使用セルを任意の内部論理セルの出
力に接続した出力回路として構成でき、LSI上で論理
動作不良が発生した時の解析に必要となる論理信号を、
LSI外部に出力して信号の正確な測定を可能とし、解
析の時間短縮を実現できるという効果を有する。
配線の一部を修正することにより、外部インターフェー
スバッファ領域の未使用セルを任意の内部論理セルの出
力に接続した出力回路として構成でき、LSI上で論理
動作不良が発生した時の解析に必要となる論理信号を、
LSI外部に出力して信号の正確な測定を可能とし、解
析の時間短縮を実現できるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例を示すレイアウト図。
【図2】本発明の応用例を示すレイアウト図。
1 未使用セル 2 NチャネルMOSトランジスタ 3 PチャネルMOSトランジスタ 4,5,6 端子 4a,5a,6a 接続部 7 GND配線 8 電源配線 9 ボンディングパット 10,11 下層配線 12,13 信号配線
Claims (2)
- 【請求項1】 内部セル領域を有するLSIの外部イン
ターフェースバッファ領域に設けたCMOSトランジス
タからなる未使用セルと、最上層に設けたGND及び電
源配線と、前記未使用セルの一方のトランジスタに接続
して前記GND配線近傍の最上層に設けた第1の端子
と、他方のトランジスタに接続して前記電源配線近傍の
最上層に設けた第2の端子と前記未使用セルの入力信号
配線に接続して最上層に設けた第3の端子とを備えたこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 第1の端子とGND配線,第2の端子と
電源配線,第3の端子と内部論理セルの夫々を接続して
内部論理セルの出力回路を構成する接続部を備えた請求
項1記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3242242A JP2752815B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3242242A JP2752815B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582652A true JPH0582652A (ja) | 1993-04-02 |
JP2752815B2 JP2752815B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17086361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3242242A Expired - Lifetime JP2752815B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2752815B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100397609C (zh) * | 2006-08-04 | 2008-06-25 | 北京中星微电子有限公司 | 一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路 |
DE102016205294A1 (de) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ford Global Technologies, Llc | Schaltkonsole für ein Kraftfahrzeug |
DE102016205295A1 (de) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ford Global Technologies, Llc | Schaltkonsole für ein Kraftfahrzeug |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6080250A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3242242A patent/JP2752815B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6080250A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100397609C (zh) * | 2006-08-04 | 2008-06-25 | 北京中星微电子有限公司 | 一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路 |
DE102016205294A1 (de) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ford Global Technologies, Llc | Schaltkonsole für ein Kraftfahrzeug |
DE102016205295A1 (de) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ford Global Technologies, Llc | Schaltkonsole für ein Kraftfahrzeug |
US10118570B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-06 | Ford Global Technologies, Llc | Shift console for a motor vehicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2752815B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980127 |