JPH0558660B2 - - Google Patents
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- JPH0558660B2 JPH0558660B2 JP14047689A JP14047689A JPH0558660B2 JP H0558660 B2 JPH0558660 B2 JP H0558660B2 JP 14047689 A JP14047689 A JP 14047689A JP 14047689 A JP14047689 A JP 14047689A JP H0558660 B2 JPH0558660 B2 JP H0558660B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に利用される半導体の実
装装置に関するものである。
装装置に関するものである。
従来の技術
従来の技術を第２図ａ，ｂとともに説明する。
まず第２図ａに示すようにセラミツク、ガラス、
ガラスエポキシ等よりなる配線基板１の導体配線
２を有す面に絶縁性の樹脂５を塗布する。導体配
線２はCr−Au、Al、Cu、ito等であり、樹脂５
は熱硬化型又は紫外線硬化型のエポキシ、シリコ
ン、アクリル等である。次に第２図ｂに示すよう
に半導体素子３の電極４と導体配線２とを一致さ
せ、半導体素子３を加圧し、配線基板１に押し当
てる。電極４はAl、Al、Cu等である。この時、
導体配線２上の樹脂５は周囲に押し出され、半導
体素子３の電極４を導体配線２は電気的に接触す
る。次に半導体素子３を加圧体６により加圧した
状態で上部外方により紫外線９を照射することに
より、半導体素子３周縁の樹脂５を硬化させ、仮
固定する。更に半導体素子３を加圧しながら加熱
することにより、樹脂５全体を硬化させ、この時
半導体素子３の電極４と導体配線２は樹脂５の接
着力により電気的接続がなされ、同時に半導体素
子３を配線基板１に固着することができる。
まず第２図ａに示すようにセラミツク、ガラス、
ガラスエポキシ等よりなる配線基板１の導体配線
２を有す面に絶縁性の樹脂５を塗布する。導体配
線２はCr−Au、Al、Cu、ito等であり、樹脂５
は熱硬化型又は紫外線硬化型のエポキシ、シリコ
ン、アクリル等である。次に第２図ｂに示すよう
に半導体素子３の電極４と導体配線２とを一致さ
せ、半導体素子３を加圧し、配線基板１に押し当
てる。電極４はAl、Al、Cu等である。この時、
導体配線２上の樹脂５は周囲に押し出され、半導
体素子３の電極４を導体配線２は電気的に接触す
る。次に半導体素子３を加圧体６により加圧した
状態で上部外方により紫外線９を照射することに
より、半導体素子３周縁の樹脂５を硬化させ、仮
固定する。更に半導体素子３を加圧しながら加熱
することにより、樹脂５全体を硬化させ、この時
半導体素子３の電極４と導体配線２は樹脂５の接
着力により電気的接続がなされ、同時に半導体素
子３を配線基板１に固着することができる。
発明が解決しようとする課題
以上のように従来の技術では、半導体素子３の
電極４を配線基板１の導体配線２に直接接触させ
る方法であるため、多端子、狭ピツチの半導体素
子３の実装に有利な方法であるが、半導体素子３
が加圧体６に対し傾きを生じた時半導体素子３は
不均一に加圧され、そのひずみにより接続の信頼
性が低下すると云う問題があつた。
電極４を配線基板１の導体配線２に直接接触させ
る方法であるため、多端子、狭ピツチの半導体素
子３の実装に有利な方法であるが、半導体素子３
が加圧体６に対し傾きを生じた時半導体素子３は
不均一に加圧され、そのひずみにより接続の信頼
性が低下すると云う問題があつた。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、加圧部
を加圧体をＯリングを介して押圧体で押圧する構
成としたものである。
を加圧体をＯリングを介して押圧体で押圧する構
成としたものである。
作 用
上記構成によれば、弾性体であるＯリングの圧
縮ひずみによつて加圧体で半導体素子を均一に加
圧させることができるので、接続の信頼性の高い
ものとなる。
縮ひずみによつて加圧体で半導体素子を均一に加
圧させることができるので、接続の信頼性の高い
ものとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図ａ，ｂととも
に説明する。
に説明する。
まず第１図ａに示すように、セラミツク、ガラ
ス、エポキシ等によりなる配線基板１１の半導体
素子１３を固着する部分にエポキシ、シリコン、
アクリル等よりなる絶縁性樹脂１５を塗布する。
なお配線基板１１上には導体配線１２が設けられ
ている。この導体配線１２はCr−Au、Al、Ito等
によりなる。次に第１図ｂに示すように半導体素
子１３のAl、Au、Cu等よりなる突起状の電極１
４と導体配線１２を一致させ、加圧体１６により
加圧する。この時加圧体１６はその押圧体１７と
の間にＯリング１８を介在させておりＯリング１
８の弾性によつて半導体素子１３の傾きを吸収
し、平行な状態で加圧体１６で半導体素子１３を
加圧している。なお、加圧体１６はガラス、サフ
アイア等の透明体で形成する。またＯリング１８
はシリコン、フツ素ゴム、CR等の弾性体よりな
る。加圧により導体配線１２上の樹脂１５は周囲
に押し出され、電極１４と導体配線１２が当接
し、この状態で加圧体１６を通して紫外線１９を
照射し、これによつて半導体素子１３の周縁部の
樹脂１５を硬化させ仮固定する。更に半導体素子
１３を加圧しながら加熱することによつて半導体
素子１３の電極１４と導体配線１２の電気的接続
と半導体素子１３の機械的保持が完了される。
ス、エポキシ等によりなる配線基板１１の半導体
素子１３を固着する部分にエポキシ、シリコン、
アクリル等よりなる絶縁性樹脂１５を塗布する。
なお配線基板１１上には導体配線１２が設けられ
ている。この導体配線１２はCr−Au、Al、Ito等
によりなる。次に第１図ｂに示すように半導体素
子１３のAl、Au、Cu等よりなる突起状の電極１
４と導体配線１２を一致させ、加圧体１６により
加圧する。この時加圧体１６はその押圧体１７と
の間にＯリング１８を介在させておりＯリング１
８の弾性によつて半導体素子１３の傾きを吸収
し、平行な状態で加圧体１６で半導体素子１３を
加圧している。なお、加圧体１６はガラス、サフ
アイア等の透明体で形成する。またＯリング１８
はシリコン、フツ素ゴム、CR等の弾性体よりな
る。加圧により導体配線１２上の樹脂１５は周囲
に押し出され、電極１４と導体配線１２が当接
し、この状態で加圧体１６を通して紫外線１９を
照射し、これによつて半導体素子１３の周縁部の
樹脂１５を硬化させ仮固定する。更に半導体素子
１３を加圧しながら加熱することによつて半導体
素子１３の電極１４と導体配線１２の電気的接続
と半導体素子１３の機械的保持が完了される。
なお、加圧体１６にFe、Al、Cu等よりなるリ
ング２０を設けることにより、配線基板１１によ
り反射された紫外線１９がＯリング１８を劣下さ
せ、傾き吸収能力が低下することを防いでいる。
ング２０を設けることにより、配線基板１１によ
り反射された紫外線１９がＯリング１８を劣下さ
せ、傾き吸収能力が低下することを防いでいる。
発明の効果
本発明の効果を以下に示す。
(1) 半導体素子を均一に加圧することにより、半
導体素子に与えるひずみをなくすることができ
るとともに、導体配線との接続の信頼性の高い
ものとすることができる。
導体素子に与えるひずみをなくすることができ
るとともに、導体配線との接続の信頼性の高い
ものとすることができる。
(2) 紫外線の照射と加圧が簡易な構造で実現で
き、量産性に優れたものとなる。
き、量産性に優れたものとなる。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の半導体実装
装置で用いる配線基板の断面図と加圧体部の断面
図、第２図ａ，ｂはともに従来の技術を示す断面
図である。 １１……配線基板、１２……導体配線、１３…
…半導体素子、１４……半導体素子の電極、１５
……絶縁性の樹脂、１６……加圧体、１７……加
圧体の押圧体、１８……Ｏリング、１９……紫外
線、２０……金属リング。
装置で用いる配線基板の断面図と加圧体部の断面
図、第２図ａ，ｂはともに従来の技術を示す断面
図である。 １１……配線基板、１２……導体配線、１３…
…半導体素子、１４……半導体素子の電極、１５
……絶縁性の樹脂、１６……加圧体、１７……加
圧体の押圧体、１８……Ｏリング、１９……紫外
線、２０……金属リング。
Claims (1)
- １ 一端面が加圧面となり、他端面が紫外線の透
照面となつた加圧体と、この加圧体をＯリングを
介して半導体素子に加圧する押圧体とを備えた半
導体実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14047689A JPH034546A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14047689A JPH034546A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体実装装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034546A JPH034546A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH0558660B2 true JPH0558660B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=15269495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14047689A Granted JPH034546A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034546A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2547895B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1996-10-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置の実装方法 |
| JP2662131B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1997-10-08 | 松下電器産業株式会社 | ボンディング装置 |
| WO2000011731A1 (en) * | 1998-08-21 | 2000-03-02 | Eveready Battery Company, Inc. | Battery having printed label |
| JP3603890B2 (ja) | 2002-03-06 | 2004-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP4902229B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-03-21 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 実装方法 |
| JP2010178667A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nissin Frozen Foods Co Ltd | 凍結調味液パック並びに凍結調味液パックを含む冷凍麺及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP14047689A patent/JPH034546A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034546A (ja) | 1991-01-10 |
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