JPH05273137A - 表面欠陥検査装置 - Google Patents
表面欠陥検査装置Info
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- JPH05273137A JPH05273137A JP4100596A JP10059692A JPH05273137A JP H05273137 A JPH05273137 A JP H05273137A JP 4100596 A JP4100596 A JP 4100596A JP 10059692 A JP10059692 A JP 10059692A JP H05273137 A JPH05273137 A JP H05273137A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】透明平板材料の表面のみに存在する微粒子やキ
ズ等の異物を高精度で検出し、裏面からの散乱光の誤検
出を防止する。 【構成】ガラス基板Ｇの表面Ｓに検出光を照射し、表面
Ｓに存在する異物Ｄによる散乱光Ｌ2を検出用光学系１
４により検出して異物Ｄを欠陥として検出する表面欠陥
検査装置において、表面Ｓ上で検出光Ｌが照射される検
出位置Ｐよりも前方であってこの検出位置Ｐに異物が存
在した場合にその散乱光Ｌ2を検出可能な位置であり、
かつ、表面Ｓに対しガラス基板Ｇの全反射の臨界角θｃ
により区画される範囲内に検出用光学系１４を配置す
る。
ズ等の異物を高精度で検出し、裏面からの散乱光の誤検
出を防止する。 【構成】ガラス基板Ｇの表面Ｓに検出光を照射し、表面
Ｓに存在する異物Ｄによる散乱光Ｌ2を検出用光学系１
４により検出して異物Ｄを欠陥として検出する表面欠陥
検査装置において、表面Ｓ上で検出光Ｌが照射される検
出位置Ｐよりも前方であってこの検出位置Ｐに異物が存
在した場合にその散乱光Ｌ2を検出可能な位置であり、
かつ、表面Ｓに対しガラス基板Ｇの全反射の臨界角θｃ
により区画される範囲内に検出用光学系１４を配置す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板のような透
明平板材料の表面に存在する微粒子（塵）やキズ、ヒビ
等（以下、これらをまとめて異物という）による欠陥を
検出するための表面欠陥検査装置に関する。
明平板材料の表面に存在する微粒子（塵）やキズ、ヒビ
等（以下、これらをまとめて異物という）による欠陥を
検出するための表面欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体製造工程では、シ
リコンウェハ表面の異物による欠陥を除去するため、極
めて厳密な研磨工程及び洗浄工程が要求される。この洗
浄工程において、ウェハ表面の微粒子を検出するために
従来から様々な表面欠陥検査装置が提案されている。
リコンウェハ表面の異物による欠陥を除去するため、極
めて厳密な研磨工程及び洗浄工程が要求される。この洗
浄工程において、ウェハ表面の微粒子を検出するために
従来から様々な表面欠陥検査装置が提案されている。
【０００３】図４はこの種の検査装置の第１の従来技術
を原理的に示したものである。図において、Ｓは検査す
るべきシリコンウェハの表面、Ｄは表面Ｓに存在する異
物、Ｌはレーザ光源（図示せず）から照射されるレーザ
検出光、１１，１２はレンズ、１３はホトトランジスタ
等からなるホトデテクタである。ここで、レーザ検出光
は例えば０．５ｍｍ径のビームに制御されている。その
測定原理としては、仮りに表面Ｓに異物Ｄが存在しなけ
れば、レーザ検出光Ｌは表面Ｓから所定の反射角にてＬ
1のように反射するだけであるが、異物Ｄが存在する場
合には異物Ｄによる散乱光Ｌ2が発生する。従って、例
えば検出位置の上方にレンズ１１，１２及びホトデテク
タ１３を配置しておけば上記散乱光Ｌ2を検出でき、換
言すれば異物Ｄを検出することができる。
を原理的に示したものである。図において、Ｓは検査す
るべきシリコンウェハの表面、Ｄは表面Ｓに存在する異
物、Ｌはレーザ光源（図示せず）から照射されるレーザ
検出光、１１，１２はレンズ、１３はホトトランジスタ
等からなるホトデテクタである。ここで、レーザ検出光
は例えば０．５ｍｍ径のビームに制御されている。その
測定原理としては、仮りに表面Ｓに異物Ｄが存在しなけ
れば、レーザ検出光Ｌは表面Ｓから所定の反射角にてＬ
1のように反射するだけであるが、異物Ｄが存在する場
合には異物Ｄによる散乱光Ｌ2が発生する。従って、例
えば検出位置の上方にレンズ１１，１２及びホトデテク
タ１３を配置しておけば上記散乱光Ｌ2を検出でき、換
言すれば異物Ｄを検出することができる。
【０００４】図５も、同一の原理に基づく第２の従来技
術である。この例では、検査箇所の真上からレーザ検出
光Ｌを照射し、異物Ｄによる散乱光Ｌ2を斜め上方のレ
ンズ１１，１２及びホトデテクタ１３により検出するも
のである。なお、図４、図５に示した検査装置により検
出可能な異物Ｄの直径は、製品の歩留まりを考慮して
０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ等となっている。
また、レーザ光源やレンズ１１，１２、ホトデテクタ１
３等からなる検出用光学系は表面Ｓ上を一定の速度でス
キャン可能であり、これによって表面Ｓの全域につき欠
陥を検査できるように構成されている。
術である。この例では、検査箇所の真上からレーザ検出
光Ｌを照射し、異物Ｄによる散乱光Ｌ2を斜め上方のレ
ンズ１１，１２及びホトデテクタ１３により検出するも
のである。なお、図４、図５に示した検査装置により検
出可能な異物Ｄの直径は、製品の歩留まりを考慮して
０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ等となっている。
また、レーザ光源やレンズ１１，１２、ホトデテクタ１
３等からなる検出用光学系は表面Ｓ上を一定の速度でス
キャン可能であり、これによって表面Ｓの全域につき欠
陥を検査できるように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年ではパネル
型ディスプレイの製造技術が飛躍的に進歩しつつある。
周知のように液晶パネルやＥＬ（エレクトロルミネセン
ス）パネル、ＰＤ（プラズマディスプレイ）パネルのご
とくガラス基板上に電極を形成する構造のものにおいて
は、前述の半導体ウェハと同様にガラス基板表面に欠陥
がないことが要請される。ここで、図４、図５に示した
検査装置をウェハの検査に用いる場合には、ウェハが不
透明であるためその表面Ｓに照射したレーザ検出光Ｌが
ウェハ内部を透過することはない。しかるに、これらの
検査装置をガラス基板表面の欠陥検査に転用した場合、
レーザ検出光Ｌが透明なガラス基板内を透過し、その裏
面に付着している種々の異物からの散乱光まで表面側の
ホトデテクタ１３により検出してしまう場合がある。
型ディスプレイの製造技術が飛躍的に進歩しつつある。
周知のように液晶パネルやＥＬ（エレクトロルミネセン
ス）パネル、ＰＤ（プラズマディスプレイ）パネルのご
とくガラス基板上に電極を形成する構造のものにおいて
は、前述の半導体ウェハと同様にガラス基板表面に欠陥
がないことが要請される。ここで、図４、図５に示した
検査装置をウェハの検査に用いる場合には、ウェハが不
透明であるためその表面Ｓに照射したレーザ検出光Ｌが
ウェハ内部を透過することはない。しかるに、これらの
検査装置をガラス基板表面の欠陥検査に転用した場合、
レーザ検出光Ｌが透明なガラス基板内を透過し、その裏
面に付着している種々の異物からの散乱光まで表面側の
ホトデテクタ１３により検出してしまう場合がある。
【０００６】この不都合はガラス基板が薄いほど生じ易
く、液晶パネルのようにガラス基板が０．７ｍｍほどの
薄さである場合には、ホトデテクタによって検出してい
る散乱光がガラス基板表面の異物によるものなのか、あ
るいは裏面の異物によるものなのか判別できず、正確な
検査は不可能であった。このため、例えば４００ｍｍ×
４００ｍｍ程度の大きさのガラス基板に対しては有効な
表面欠陥検査手段がなく、未だに目視による検査に頼ら
ざるを得ない現状である。本発明は上記問題点を解決す
るためになされたもので、その目的とするところは、ガ
ラス基板等の透明平板材料の表面に存在する異物による
欠陥のみを高精度で検出することができる表面欠陥検査
装置を提供することにある。
く、液晶パネルのようにガラス基板が０．７ｍｍほどの
薄さである場合には、ホトデテクタによって検出してい
る散乱光がガラス基板表面の異物によるものなのか、あ
るいは裏面の異物によるものなのか判別できず、正確な
検査は不可能であった。このため、例えば４００ｍｍ×
４００ｍｍ程度の大きさのガラス基板に対しては有効な
表面欠陥検査手段がなく、未だに目視による検査に頼ら
ざるを得ない現状である。本発明は上記問題点を解決す
るためになされたもので、その目的とするところは、ガ
ラス基板等の透明平板材料の表面に存在する異物による
欠陥のみを高精度で検出することができる表面欠陥検査
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、透明平板材料の表面に検出光を照射し、
前記表面に存在する異物による散乱光を検出用光学系に
より検出して前記異物を欠陥として検出する表面欠陥検
査装置において、前記表面上で検出光が照射される検出
位置よりも前方であってこの検出位置に異物が存在した
場合にその散乱光を検出可能な位置であり、かつ、表面
に対し前記透明平板材料の全反射の臨界角近傍以内の範
囲に検出用光学系を配置するものである。
め、本発明は、透明平板材料の表面に検出光を照射し、
前記表面に存在する異物による散乱光を検出用光学系に
より検出して前記異物を欠陥として検出する表面欠陥検
査装置において、前記表面上で検出光が照射される検出
位置よりも前方であってこの検出位置に異物が存在した
場合にその散乱光を検出可能な位置であり、かつ、表面
に対し前記透明平板材料の全反射の臨界角近傍以内の範
囲に検出用光学系を配置するものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、検出用光学系を上述したよう
な特定の位置に配置するため、透明平板材料の裏面に存
在する異物からの散乱光が検出用光学系に入射すること
はない。従って、検出用光学系により検出されるのは、
ほぼ表面の異物による散乱光のみとなる。
な特定の位置に配置するため、透明平板材料の裏面に存
在する異物からの散乱光が検出用光学系に入射すること
はない。従って、検出用光学系により検出されるのは、
ほぼ表面の異物による散乱光のみとなる。
【０００９】
【実施例】以下、図に沿って本発明の一実施例を説明す
る。まず、図２は本発明の原理を示すものである。Ｇは
透明平板材料としてのガラス基板であり、このガラス基
板Ｇの表面Ｓ上の位置Ｐ1に図示されていないレーザ光
源からレーザ検出光Ｌが入射角θ1で入射したとする。
なお、Ｌ1は位置Ｐ1からの反射光である。いま、位置Ｐ
1に異物が存在したとすると（以下、便宜上、異物につ
いてもその位置と同符号を用いる）、前述の図４と同様
の原理により、検出用光学系を適宜な位置に配置するこ
とによって異物Ｐ1による散乱光を検出することができ
るため、異物Ｐ1の検出が可能である。
る。まず、図２は本発明の原理を示すものである。Ｇは
透明平板材料としてのガラス基板であり、このガラス基
板Ｇの表面Ｓ上の位置Ｐ1に図示されていないレーザ光
源からレーザ検出光Ｌが入射角θ1で入射したとする。
なお、Ｌ1は位置Ｐ1からの反射光である。いま、位置Ｐ
1に異物が存在したとすると（以下、便宜上、異物につ
いてもその位置と同符号を用いる）、前述の図４と同様
の原理により、検出用光学系を適宜な位置に配置するこ
とによって異物Ｐ1による散乱光を検出することができ
るため、異物Ｐ1の検出が可能である。
【００１０】一方、レーザ検出光Ｌが屈折角θ2でガラ
ス基板Ｇ内を透過したとし、そのとき、レーザ検出光Ｌ
が通過する裏面Ｓ´の位置Ｐ2にも異物があったとする
と、その異物Ｐ2による散乱光がガラス基板Ｇ内を介し
て表面Ｓの光学系側に透過する。従って、検出用光学系
の位置によっては、この裏面Ｓ´の異物Ｐ2による散乱
光も検出してしまう恐れがある。そこで本発明では、裏
面Ｓ´の異物Ｐ2による散乱光が全反射する臨界角θｃ
を考慮して検出用光学系を特定の位置に配置することと
した。
ス基板Ｇ内を透過したとし、そのとき、レーザ検出光Ｌ
が通過する裏面Ｓ´の位置Ｐ2にも異物があったとする
と、その異物Ｐ2による散乱光がガラス基板Ｇ内を介し
て表面Ｓの光学系側に透過する。従って、検出用光学系
の位置によっては、この裏面Ｓ´の異物Ｐ2による散乱
光も検出してしまう恐れがある。そこで本発明では、裏
面Ｓ´の異物Ｐ2による散乱光が全反射する臨界角θｃ
を考慮して検出用光学系を特定の位置に配置することと
した。
【００１１】図１は本発明の一実施例を示しており、図
２と同一の構成要素には同一符号を付してある。なお、
図１において、１４はレンズ１１，１２及びホトデテク
タ１３からなる検出用光学系を示す。ここで、レンズ１
１，１２としては非球面レンズが用いられている。ま
た、ホトデテクタ１３としては例えばシリコンホトダイ
オード等のソリッドステート受光素子や、ホトマル等で
あればよい。集光方式としては、レンズの他に楕円ミラ
ーや光ファイバ等を用いたものであってもよい。レーザ
光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のガスレーザ、半導
体レーザ及びＹＡＧレーザ等の複合素子レーザ等、その
種類を問わない。更に、上記光源や検出用光学系１４の
種類はあくまで例示的なものであり、本発明はこれら以
外の光源や検出用光学系を用いる場合も含むものであ
る。なお、ガラス基板Ｇの厚さは０．７ｍｍ、屈折率ｎ
＝１．５であり、その全反射の臨界角θｃは４１．８°
である。
２と同一の構成要素には同一符号を付してある。なお、
図１において、１４はレンズ１１，１２及びホトデテク
タ１３からなる検出用光学系を示す。ここで、レンズ１
１，１２としては非球面レンズが用いられている。ま
た、ホトデテクタ１３としては例えばシリコンホトダイ
オード等のソリッドステート受光素子や、ホトマル等で
あればよい。集光方式としては、レンズの他に楕円ミラ
ーや光ファイバ等を用いたものであってもよい。レーザ
光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のガスレーザ、半導
体レーザ及びＹＡＧレーザ等の複合素子レーザ等、その
種類を問わない。更に、上記光源や検出用光学系１４の
種類はあくまで例示的なものであり、本発明はこれら以
外の光源や検出用光学系を用いる場合も含むものであ
る。なお、ガラス基板Ｇの厚さは０．７ｍｍ、屈折率ｎ
＝１．５であり、その全反射の臨界角θｃは４１．８°
である。
【００１２】本実施例では、前述の原理に基づき、ガラ
ス基板Ｇの表面Ｓ上でレーザ検出光Ｌが照射される検出
位置Ｐよりも前方であってこの検出位置Ｐに異物Ｄが存
在した場合にその散乱光を検出可能な位置であり、か
つ、表面Ｓに対しガラス基板Ｇの全反射の臨界角θｃ近
傍以内の範囲に検出用光学系１４を配置するようにした
ものである。
ス基板Ｇの表面Ｓ上でレーザ検出光Ｌが照射される検出
位置Ｐよりも前方であってこの検出位置Ｐに異物Ｄが存
在した場合にその散乱光を検出可能な位置であり、か
つ、表面Ｓに対しガラス基板Ｇの全反射の臨界角θｃ近
傍以内の範囲に検出用光学系１４を配置するようにした
ものである。
【００１３】このような範囲に検出用光学系１４を配置
することにより、ガラス基板Ｇの裏面Ｓ´の異物による
散乱光であってガラス基板Ｇを表面Ｓ方向に透過したも
ののうち、臨界角θｃ以下の角度で表面Ｓに達したもの
は表面Ｓの外部に漏れ出すが、臨界角θｃ近傍以内の範
囲にある検出用光学系１４には入射しない。また、臨界
角θｃ以上の角度で表面Ｓに達したものは、図２にＬ3
で示すようにガラス基板Ｇ内で全反射を繰り返しながら
その端面方向に進んでいき、やはり検出用光学系１４に
は入射しないことになる。
することにより、ガラス基板Ｇの裏面Ｓ´の異物による
散乱光であってガラス基板Ｇを表面Ｓ方向に透過したも
ののうち、臨界角θｃ以下の角度で表面Ｓに達したもの
は表面Ｓの外部に漏れ出すが、臨界角θｃ近傍以内の範
囲にある検出用光学系１４には入射しない。また、臨界
角θｃ以上の角度で表面Ｓに達したものは、図２にＬ3
で示すようにガラス基板Ｇ内で全反射を繰り返しながら
その端面方向に進んでいき、やはり検出用光学系１４に
は入射しないことになる。
【００１４】従って、検出用光学系１４が裏面Ｓ´の異
物を誤検出する恐れは極めて小さくなり、表面Ｓに存在
する異物Ｄのみを検出可能となる。なお、検出用光学系
１４による検出信号（パルス）の個数は異物の個数を示
し、振幅は異物の大きさ（粒径）を示す。検出用光学系
１４の出力信号はマイコンによって処理され、必要に応
じてプリンタやディスプレイにより異物の個数や大きさ
が印字ないし表示される。
物を誤検出する恐れは極めて小さくなり、表面Ｓに存在
する異物Ｄのみを検出可能となる。なお、検出用光学系
１４による検出信号（パルス）の個数は異物の個数を示
し、振幅は異物の大きさ（粒径）を示す。検出用光学系
１４の出力信号はマイコンによって処理され、必要に応
じてプリンタやディスプレイにより異物の個数や大きさ
が印字ないし表示される。
【００１５】本実施例において、レーザ光源と検出用光
学系１４との位置関係は一定であるため、これらを同一
フレームに固定して一体的に移動させ、ガラス基板Ｇの
表面Ｓの全域をスキャンするようにすればよい。ここ
で、本実施例が適用されるガラス基板Ｇの大きさは例え
ば４００ｍｍ四方から１００ｍｍ四方であり、スキャン
速度としては８０ｍｍ／秒程度に設定するとよい。ま
た、場合によってはレーザ光源及び検出用光学系１４を
固定しておき、ガラス基板Ｇを水平方向に移動させても
よい。
学系１４との位置関係は一定であるため、これらを同一
フレームに固定して一体的に移動させ、ガラス基板Ｇの
表面Ｓの全域をスキャンするようにすればよい。ここ
で、本実施例が適用されるガラス基板Ｇの大きさは例え
ば４００ｍｍ四方から１００ｍｍ四方であり、スキャン
速度としては８０ｍｍ／秒程度に設定するとよい。ま
た、場合によってはレーザ光源及び検出用光学系１４を
固定しておき、ガラス基板Ｇを水平方向に移動させても
よい。
【００１６】図３は、本実施例の概略的な構造の一例を
示すもので、図において１５はレーザ光源、１６は検出
用光学系１４及びレーザ光源１５の駆動部、１７はハウ
ジング、１８は開閉可能なメクラ板である。この装置全
体はクリーンルームのクリーンブース内に設置されるも
のであるが、図示するように、ガラス基板Ｇの検査する
べき表面Ｓを下方に向けてセットすることにより、浮遊
ダストや駆動部１６等により発生する塵が表面Ｓに付着
するのを防止することができる。また、ガラス基板Ｇ等
にはセッティング時にたわみが生じるため、図示しない
が、基板Ｇのコーナー部を真空吸着する等の手段により
基板Ｇにテンションを加えれば、上記たわみを除去する
ことが可能であり、測定精度を向上させることができ
る。
示すもので、図において１５はレーザ光源、１６は検出
用光学系１４及びレーザ光源１５の駆動部、１７はハウ
ジング、１８は開閉可能なメクラ板である。この装置全
体はクリーンルームのクリーンブース内に設置されるも
のであるが、図示するように、ガラス基板Ｇの検査する
べき表面Ｓを下方に向けてセットすることにより、浮遊
ダストや駆動部１６等により発生する塵が表面Ｓに付着
するのを防止することができる。また、ガラス基板Ｇ等
にはセッティング時にたわみが生じるため、図示しない
が、基板Ｇのコーナー部を真空吸着する等の手段により
基板Ｇにテンションを加えれば、上記たわみを除去する
ことが可能であり、測定精度を向上させることができ
る。
【００１７】更に、本実施例ではレーザ検出光Ｌのビー
ム径を例えば１０ｍｍ，１．２ｍｍ，０．５ｍｍという
ように選択することができ、各ビーム径につき直径が
１．０μｍ，０．５μｍ，０．３μｍの異物を検出する
ことができる。このようにビーム径が小さいほど微細な
異物の検出が可能となるが、その反面、表面Ｓの全域を
スキャンするのに要する時間が長くなるため、これら両
者の兼ね合いでビーム径等を設定することが望ましい。
ム径を例えば１０ｍｍ，１．２ｍｍ，０．５ｍｍという
ように選択することができ、各ビーム径につき直径が
１．０μｍ，０．５μｍ，０．３μｍの異物を検出する
ことができる。このようにビーム径が小さいほど微細な
異物の検出が可能となるが、その反面、表面Ｓの全域を
スキャンするのに要する時間が長くなるため、これら両
者の兼ね合いでビーム径等を設定することが望ましい。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、検出用光
学系を所定の範囲内に配置して透明平板材料の裏面に存
在する異物からの散乱光を誤検出しないようにしたた
め、ガラス基板等の表面に存在する微粒子、キズ、ヒビ
等の個数や大きさを高精度で検出することができる。従
って、通常は２０〜３０％といわれるこの種のガラス基
板の歩留まりを大幅に向上させることが可能であり、液
晶パネル等のコスト低減にも寄与することができる。ま
た、従来装置に新たに付加する部材も特になく、極めて
低コストで提供できる等の効果がある。なお、本発明は
ガラス基板ばかりでなく、プラスチック基板等の透明材
料のほか、薄膜を形成したシリコンウェハ等に対しても
適用可能である。
学系を所定の範囲内に配置して透明平板材料の裏面に存
在する異物からの散乱光を誤検出しないようにしたた
め、ガラス基板等の表面に存在する微粒子、キズ、ヒビ
等の個数や大きさを高精度で検出することができる。従
って、通常は２０〜３０％といわれるこの種のガラス基
板の歩留まりを大幅に向上させることが可能であり、液
晶パネル等のコスト低減にも寄与することができる。ま
た、従来装置に新たに付加する部材も特になく、極めて
低コストで提供できる等の効果がある。なお、本発明は
ガラス基板ばかりでなく、プラスチック基板等の透明材
料のほか、薄膜を形成したシリコンウェハ等に対しても
適用可能である。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の原理を示す説明図である。
【図３】実施例の概略的な構造の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図４】第１の従来技術を示す原理図である。
【図５】第２の従来技術を示す原理図である。
１１，１２ レンズ １３ ホトデテクタ １４ 検出用光学系 １５ レーザ光源 １６ 駆動部 １７ ハウジング １８ メクラ板 Ｇ ガラス基板 Ｓ 表面 Ｓ′ 裏面 Ｌ レーザ検出光 Ｌ1 反射光 Ｌ2 散乱光 Ｄ 異物 Ｐ 検出位置 θｃ 臨界角
Claims (1)
- 【請求項１】 透明平板材料の表面に検出光を照射し、
前記表面に存在する異物による散乱光を検出用光学系に
より検出して前記異物を欠陥として検出する表面欠陥検
査装置において、 前記表面上で検出光が照射される検出位置よりも前方で
あってこの検出位置に異物が存在した場合にその散乱光
を検出可能な位置であり、かつ、表面に対し前記透明平
板材料の全反射の臨界角近傍以内の範囲に検出用光学系
を配置することを特徴とする表面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100596A JPH05273137A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100596A JPH05273137A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 表面欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273137A true JPH05273137A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14278253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4100596A Withdrawn JPH05273137A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273137A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020040582A (ko) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | 구사마 사부로 | 액정 패널의 평가 방법 및 평가 장치 |
| JP2011076669A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 磁気ディスクの両面欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2011096305A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式磁気ディスク両面欠陥検査装置及びその方法 |
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| KR20110097182A (ko) | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | 이물질 검사 장치 및 검사 방법 |
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1992
- 1992-03-26 JP JP4100596A patent/JPH05273137A/ja not_active Withdrawn
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