JPH05251509A - フィルムキャリアテープの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアテープの製造方法Info
- Publication number
- JPH05251509A JPH05251509A JP4649492A JP4649492A JPH05251509A JP H05251509 A JPH05251509 A JP H05251509A JP 4649492 A JP4649492 A JP 4649492A JP 4649492 A JP4649492 A JP 4649492A JP H05251509 A JPH05251509 A JP H05251509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- metal
- layer
- carrier tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルムキャリアテープのリード等の導電膜の
形成を無電解めっき法を用いて形成しコストを低減す
る。 【構成】絶縁フィルム１上に還元剤層１８ａをスクリー
ン印刷法を用いて形成した後、活性剤液により置換さ
せ、触媒金属層１８ｂを形成し、無電解めっき法により
触媒金属層１８ｂ上に金属膜１９を形成してリード等の
導体膜を形成することにより、従来のフォトリソグラフ
ィー技術を用いた製造方法に比べ工程が簡単となり、コ
ストの低減ができる。又、従来のフォトリソグラフィー
技術ではパターンを１個ずつ露光する必要があったが、
本発明のスクリーン印刷法では一度に複数個のパターン
を作ることができるため、生産性が向上し、コストを低
減できる。
形成を無電解めっき法を用いて形成しコストを低減す
る。 【構成】絶縁フィルム１上に還元剤層１８ａをスクリー
ン印刷法を用いて形成した後、活性剤液により置換さ
せ、触媒金属層１８ｂを形成し、無電解めっき法により
触媒金属層１８ｂ上に金属膜１９を形成してリード等の
導体膜を形成することにより、従来のフォトリソグラフ
ィー技術を用いた製造方法に比べ工程が簡単となり、コ
ストの低減ができる。又、従来のフォトリソグラフィー
技術ではパターンを１個ずつ露光する必要があったが、
本発明のスクリーン印刷法では一度に複数個のパターン
を作ることができるため、生産性が向上し、コストを低
減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリアテープ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア型半導体装置の
一例は、図３（ａ），（ｂ）に示す様に、ポリイミド等
の絶縁フィルム１の両側縁部に搬送及び位置決め用のス
プロケットホール２が一定間隔で設けられている。ま
た、絶縁フィルム１の中央部には矩形に開口されたデバ
イスホール３ａが絶縁フィルム１の長手方向に所定のピ
ッチで設けられている。各デバイスホール３ａの周囲に
はリード４が配置されている。このリード４のデバイス
ホール３ａ側の端部はデバイスホール３ａ内に延在し、
リード４の他端部には電気的選別用のパッド５が形成さ
れている。デバイスホール３ａの周囲には絶縁フィルム
１の枠であるサスペンダ６が設けられており、このサス
ペンダ６の外側にはアウターリードボンディングホール
（以下ＯＬＢホールと記す）３ｂが設けられている。そ
の先端部がデバイスホール３ａ内に突出しているリード
４はその中間部がサスペンダ６に支持されることにより
変形が防止されている。
一例は、図３（ａ），（ｂ）に示す様に、ポリイミド等
の絶縁フィルム１の両側縁部に搬送及び位置決め用のス
プロケットホール２が一定間隔で設けられている。ま
た、絶縁フィルム１の中央部には矩形に開口されたデバ
イスホール３ａが絶縁フィルム１の長手方向に所定のピ
ッチで設けられている。各デバイスホール３ａの周囲に
はリード４が配置されている。このリード４のデバイス
ホール３ａ側の端部はデバイスホール３ａ内に延在し、
リード４の他端部には電気的選別用のパッド５が形成さ
れている。デバイスホール３ａの周囲には絶縁フィルム
１の枠であるサスペンダ６が設けられており、このサス
ペンダ６の外側にはアウターリードボンディングホール
（以下ＯＬＢホールと記す）３ｂが設けられている。そ
の先端部がデバイスホール３ａ内に突出しているリード
４はその中間部がサスペンダ６に支持されることにより
変形が防止されている。
【０００３】図４（ａ）〜（ｄ）は従来のフィルムキャ
リアテープの製造方法を説明するための工程順に示した
断面図てある。
リアテープの製造方法を説明するための工程順に示した
断面図てある。
【０００４】まず、図４（ａ）に示すように、ポリイミ
ド等の絶縁フィルムの一主面にスパッタ法，蒸着法ある
いは無電解めっき法にて銅等の第１の金属膜１３を１μ
ｍの厚さに形成する。
ド等の絶縁フィルムの一主面にスパッタ法，蒸着法ある
いは無電解めっき法にて銅等の第１の金属膜１３を１μ
ｍの厚さに形成する。
【０００５】次に、図４（ｂ）に示すように、金属膜１
３を形成した絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜
１４を形成した後、金属膜１３を有する表面及び裏面の
フォトレジスト膜１４にそれぞれ露光，現像処理を行な
い、それぞれ所望のパターンを形成する。次に、金属膜
１３をカソード電極としてフォトレジスト膜１４の開口
部に電気めっき法により銅等の第２の金属膜１５を３５
μｍの厚さに形成する。 次に、図４（ｃ）に示すよう
に、フォトレジスト膜１４及び金属膜１５をマスクとし
て絶縁フィルム１の裏面をエッチングし、デバイスホー
ル３ａ及びスプロケットホール，ＯＬＢホールを形成す
る。
３を形成した絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜
１４を形成した後、金属膜１３を有する表面及び裏面の
フォトレジスト膜１４にそれぞれ露光，現像処理を行な
い、それぞれ所望のパターンを形成する。次に、金属膜
１３をカソード電極としてフォトレジスト膜１４の開口
部に電気めっき法により銅等の第２の金属膜１５を３５
μｍの厚さに形成する。 次に、図４（ｃ）に示すよう
に、フォトレジスト膜１４及び金属膜１５をマスクとし
て絶縁フィルム１の裏面をエッチングし、デバイスホー
ル３ａ及びスプロケットホール，ＯＬＢホールを形成す
る。
【０００６】次に、図４（ｄ）に示すように、フォトレ
ジスト膜１４を除去した後、金属膜１５をマスクとして
金属膜１３をエッチング除去し、フィルムキャリアテー
プを構成する。ここで耐腐食性又はボンディングの接合
性の向上を目的として、リード４の表面に金膜又は錫半
田膜をめっきすることが一般的に行なわれている。尚、
金属膜１３をエッチング除去する際、金属膜１３と金属
膜１５が同一の金属の場合には金属膜１５の一部が金属
膜１３のエッチング液で同時にエッチングされることに
なるが、金属膜１５の膜厚が金属膜１３に比べ十分厚い
ため問題はない。
ジスト膜１４を除去した後、金属膜１５をマスクとして
金属膜１３をエッチング除去し、フィルムキャリアテー
プを構成する。ここで耐腐食性又はボンディングの接合
性の向上を目的として、リード４の表面に金膜又は錫半
田膜をめっきすることが一般的に行なわれている。尚、
金属膜１３をエッチング除去する際、金属膜１３と金属
膜１５が同一の金属の場合には金属膜１５の一部が金属
膜１３のエッチング液で同時にエッチングされることに
なるが、金属膜１５の膜厚が金属膜１３に比べ十分厚い
ため問題はない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のフィルムキ
ャリアテープの製造方法ては、めっき電極用の第１の金
属膜上にリード等のパターンを有するフォトレジスト膜
を選択的に形成し、このフォトレジスト膜をマスクとし
て電気めっき法によりリード等を形成しているため、フ
ォトレジスト膜の塗布，露光，現像，フォトレジスト膜
の除去等のフォトリソグラフィ工程が必要であり、コス
トが高くなるという欠点を有している。
ャリアテープの製造方法ては、めっき電極用の第１の金
属膜上にリード等のパターンを有するフォトレジスト膜
を選択的に形成し、このフォトレジスト膜をマスクとし
て電気めっき法によりリード等を形成しているため、フ
ォトレジスト膜の塗布，露光，現像，フォトレジスト膜
の除去等のフォトリソグラフィ工程が必要であり、コス
トが高くなるという欠点を有している。
【０００８】さらに、パターンの露光はフィルムキャリ
アテープのパターン単位毎に１個ずつ行なう為、生産性
が低くコスト高となる欠点を有している。
アテープのパターン単位毎に１個ずつ行なう為、生産性
が低くコスト高となる欠点を有している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アテープの製造方法は、絶縁フィルム上にスクリーン印
刷法によりゲル状の還元剤液を選択的に塗布して前記絶
縁フィルムの表面に還元剤層を形成する工程と、前記還
元剤層に活性剤液を反応させて触媒金属層に置換する工
程と、前記触媒金属層の表面に無電解めっき法で金属膜
を堆積しリード等の導体膜を形成する工程と、前記絶縁
フィルムを選択的にエッチングしてデバイスホール等の
開口部を設ける工程とを含んで構成される。
アテープの製造方法は、絶縁フィルム上にスクリーン印
刷法によりゲル状の還元剤液を選択的に塗布して前記絶
縁フィルムの表面に還元剤層を形成する工程と、前記還
元剤層に活性剤液を反応させて触媒金属層に置換する工
程と、前記触媒金属層の表面に無電解めっき法で金属膜
を堆積しリード等の導体膜を形成する工程と、前記絶縁
フィルムを選択的にエッチングしてデバイスホール等の
開口部を設ける工程とを含んで構成される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、パンチン
グ法によりスプロケットホールを形成した絶縁フィルム
１の表面にリードや電気選別用パッド等の所望のパター
ンを開口した金属マスク１６を密着させ、スクリーン印
刷法によりゲル状にした還元剤液１７を選択的に塗布す
る。ここで、還元剤液１７としては水１リットル中に塩
酸を４０ｍｌとＳｎＣｌ2 を１０ｇ添加するか、又は塩
酸を５５ｍｌと、ＳｎＣｌ2 を９０ｇ添加した塩酸酸性
第１スズ水溶液又は水１リットル中にＳｎＣｌ2 を１０
０ｇ，ロッシェル塩を１７５ｇ，ＮａＯＨを１５０ｇ添
加した水溶液又は水１リットル中にＴｉＣｌ2 を５０ｇ
と塩酸を５０ｍｌ加えた水溶液等であり、一般的に非金
属材料に無電解めっきで金属膜を形成する際の金属の析
出核となる触媒活性金属の微粒子を被めっき面に均一に
還元分布させるために行なわれるセンシタイジングと呼
ばれる工程で使用される液である。この還元剤液１７の
塗布により絶縁フィルム１の表面には還元剤層１８ａが
形成される。この還元剤層１８ａは還元剤液１７中に存
在する金属（Ｓｎ又はＴｉ）イオンが絶縁フィルム１の
表面に吸着されることにより形成される層である。
グ法によりスプロケットホールを形成した絶縁フィルム
１の表面にリードや電気選別用パッド等の所望のパター
ンを開口した金属マスク１６を密着させ、スクリーン印
刷法によりゲル状にした還元剤液１７を選択的に塗布す
る。ここで、還元剤液１７としては水１リットル中に塩
酸を４０ｍｌとＳｎＣｌ2 を１０ｇ添加するか、又は塩
酸を５５ｍｌと、ＳｎＣｌ2 を９０ｇ添加した塩酸酸性
第１スズ水溶液又は水１リットル中にＳｎＣｌ2 を１０
０ｇ，ロッシェル塩を１７５ｇ，ＮａＯＨを１５０ｇ添
加した水溶液又は水１リットル中にＴｉＣｌ2 を５０ｇ
と塩酸を５０ｍｌ加えた水溶液等であり、一般的に非金
属材料に無電解めっきで金属膜を形成する際の金属の析
出核となる触媒活性金属の微粒子を被めっき面に均一に
還元分布させるために行なわれるセンシタイジングと呼
ばれる工程で使用される液である。この還元剤液１７の
塗布により絶縁フィルム１の表面には還元剤層１８ａが
形成される。この還元剤層１８ａは還元剤液１７中に存
在する金属（Ｓｎ又はＴｉ）イオンが絶縁フィルム１の
表面に吸着されることにより形成される層である。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、金属マス
ク１６を除いた後、還元剤液１７を水洗により除去す
る。このとき、還元剤層１８ａは絶縁フィルム１の表面
に吸着されたまま残る。次いで還元剤層１８ａを含む絶
縁フィルム１を活性剤液に浸漬する。この活性剤液は水
１リットルに対しＨＡｕＣｌ4 ・４Ｈ2 Ｏを１ｇ，ＨＣ
ｌを２ｍｌの割合で溶解した水溶液又は水１リットルに
対しＰｄＣｌ2 を０．１５〜０．２５ｇ，ＨＣｌを２．
５ｍｌの割合で溶解した水溶液又は水１リットルに対し
てＡｇＮＯ3 を１．５ｇ，ＮＨ4 ＯＨを１．２ｍｌの割
合で溶解した水溶液等であり、一般的に無電解めっきの
表面活性化を行なう為に用いられる液である。ここで、
還元剤層１８ａの還元作用により絶縁フィルム１の上の
還元剤層１８ａが活性剤液中の触媒金属に置換され、触
媒金属層１８ｂが形成される。触媒金属層１８ｂは前述
の活性剤液を用いた場合、金，パラジウム，銀等の微粒
子による層となる。次に、水洗を行ない、余分な活性剤
液を除去して乾燥させる。
ク１６を除いた後、還元剤液１７を水洗により除去す
る。このとき、還元剤層１８ａは絶縁フィルム１の表面
に吸着されたまま残る。次いで還元剤層１８ａを含む絶
縁フィルム１を活性剤液に浸漬する。この活性剤液は水
１リットルに対しＨＡｕＣｌ4 ・４Ｈ2 Ｏを１ｇ，ＨＣ
ｌを２ｍｌの割合で溶解した水溶液又は水１リットルに
対しＰｄＣｌ2 を０．１５〜０．２５ｇ，ＨＣｌを２．
５ｍｌの割合で溶解した水溶液又は水１リットルに対し
てＡｇＮＯ3 を１．５ｇ，ＮＨ4 ＯＨを１．２ｍｌの割
合で溶解した水溶液等であり、一般的に無電解めっきの
表面活性化を行なう為に用いられる液である。ここで、
還元剤層１８ａの還元作用により絶縁フィルム１の上の
還元剤層１８ａが活性剤液中の触媒金属に置換され、触
媒金属層１８ｂが形成される。触媒金属層１８ｂは前述
の活性剤液を用いた場合、金，パラジウム，銀等の微粒
子による層となる。次に、水洗を行ない、余分な活性剤
液を除去して乾燥させる。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、触媒金属
層１８ｂを含む絶縁フィルム１を無電解めっき液に浸漬
する。ここで、触媒金属層１８ｂがめっき成長の核とな
り触媒金属層１８ｂの表面に金属膜１９が成長する。金
属膜１９としては銅，ニッケル等が適当である。この無
電解めっきにより、触媒金属層１８ｂと金属膜１９から
成るリードや電気選別用パッド等の導体パターンを絶縁
フィルム１上に形成する。
層１８ｂを含む絶縁フィルム１を無電解めっき液に浸漬
する。ここで、触媒金属層１８ｂがめっき成長の核とな
り触媒金属層１８ｂの表面に金属膜１９が成長する。金
属膜１９としては銅，ニッケル等が適当である。この無
電解めっきにより、触媒金属層１８ｂと金属膜１９から
成るリードや電気選別用パッド等の導体パターンを絶縁
フィルム１上に形成する。
【００１５】次に、図１（ｄ）に示すように、金属膜１
９を含む絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜を塗
布し、フォトリソグラフィー技術により絶縁フィルム１
の導体パターンが形成されていない側のフォトレジスト
膜をパターニングしてデバイスホール，ＯＬＢホール等
の所望のパターンを有する開口部を形成した後、フォト
レジスト膜をマスクとして絶縁フィルム１をエッチング
し、デバイスホール３ａ，ＯＬＢホール（図示せず）等
を形成した後、フォトレジスト膜を除去してフィルムキ
ャリアテープを構成する。
９を含む絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜を塗
布し、フォトリソグラフィー技術により絶縁フィルム１
の導体パターンが形成されていない側のフォトレジスト
膜をパターニングしてデバイスホール，ＯＬＢホール等
の所望のパターンを有する開口部を形成した後、フォト
レジスト膜をマスクとして絶縁フィルム１をエッチング
し、デバイスホール３ａ，ＯＬＢホール（図示せず）等
を形成した後、フォトレジスト膜を除去してフィルムキ
ャリアテープを構成する。
【００１６】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、第１の実
施例と同様の工程により、絶縁フィルム１の上に触媒金
属層１８ｂ及び金属膜１９によるリードやパッドを形成
する。
施例と同様の工程により、絶縁フィルム１の上に触媒金
属層１８ｂ及び金属膜１９によるリードやパッドを形成
する。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、金属膜１
９をカソードとして金属膜１９の表面にさらに電気めっ
き法により金属膜２０を形成する。
９をカソードとして金属膜１９の表面にさらに電気めっ
き法により金属膜２０を形成する。
【００１９】次に、図２（ｃ）に示すように、第１の実
施例と同様に絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜
１４を塗布してパターニングし、フォトレジスト膜１４
をマスクとして絶縁フィルム１をエッチングし、デバイ
スホール３ａ等を形成する。
施例と同様に絶縁フィルム１の両面にフォトレジスト膜
１４を塗布してパターニングし、フォトレジスト膜１４
をマスクとして絶縁フィルム１をエッチングし、デバイ
スホール３ａ等を形成する。
【００２０】次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレ
ジスト膜１４を除去することによりフィルムキャリアテ
ープを構成する。
ジスト膜１４を除去することによりフィルムキャリアテ
ープを構成する。
【００２１】第１の実施例では無電解めっきのみで導体
パターンを形成していたが、一般的に無電解めっきで
は、あまり厚いめっき層を施すことができないため、電
気抵抗が高くなる等、電気的特性が確保できない場合が
あるが、本実施例の様にさらに電気めっきを行ない導体
パターンの厚みを増すことによりこれらの問題は解決で
きる。
パターンを形成していたが、一般的に無電解めっきで
は、あまり厚いめっき層を施すことができないため、電
気抵抗が高くなる等、電気的特性が確保できない場合が
あるが、本実施例の様にさらに電気めっきを行ない導体
パターンの厚みを増すことによりこれらの問題は解決で
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁フィ
ルム上にスクリーン印刷法でゲル状の還元剤液を選択滴
に塗布して触媒金属層に置換することにより、無電解め
っき法でリード等の導体膜を形成できるので、工程が簡
略化でき、フィルムキャリアテープの製造コストを低減
できるという効果を有する。
ルム上にスクリーン印刷法でゲル状の還元剤液を選択滴
に塗布して触媒金属層に置換することにより、無電解め
っき法でリード等の導体膜を形成できるので、工程が簡
略化でき、フィルムキャリアテープの製造コストを低減
できるという効果を有する。
【００２３】また、スクリーン印刷法を用いることによ
り、絶縁フィルム上にリード等のパターンを複数個同時
に形成できるため、生産性が高くフィルムキャリアテー
プの製造コストを低減できるという効果を有する。
り、絶縁フィルム上にリード等のパターンを複数個同時
に形成できるため、生産性が高くフィルムキャリアテー
プの製造コストを低減できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図３】従来のフィルムキャリア型半導体装置の一例を
示す平面図及び模式的断面図。
示す平面図及び模式的断面図。
【図４】従来のフィルムキャリアテープの製造方法を説
明するための工程順に示した断面図。
明するための工程順に示した断面図。
１ 絶縁フィルム ２ スプロケットホール ３ａ デバイスホール ３ｂ アウターリードホール ４ リード ５ パッド ６ サスペンダ ７ 半導体チップ ８ バンプ １３，１５，１９ 金属膜 １４ フォトレジスト膜 １６ 金属マスク １７ 還元剤液 １８ａ 還元剤層 １８ｂ 触媒金属層
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁フィルム上にスクリーン印刷法によ
りゲル状の還元剤液を選択的に塗布して前記絶縁フィル
ムの表面に還元剤層を形成する工程と、前記還元剤層に
活性剤液を反応させて触媒金属層に置換する工程と、前
記触媒金属層の表面に無電解めっき法で金属膜を堆積し
リード等の導体膜を形成する工程と、前記絶縁フィルム
を選択的にエッチングしてデバイスホール等の開口部を
設ける工程とを含むことを特徴とするフィルムキャリア
テープの製造方法。 - 【請求項２】 触媒金属層が金，パラジウム，銀のいず
れかの微粒子を含む請求項１記載のフィルムキャリアテ
ープの製造方法。 - 【請求項３】 金属膜が銅又はニッケルからなる請求項
１又は請求項２記載のフィルムキャリアテープの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4649492A JPH05251509A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4649492A JPH05251509A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251509A true JPH05251509A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12748780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4649492A Withdrawn JPH05251509A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251509A (ja) |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4649492A patent/JPH05251509A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5380560A (en) | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition | |
| JPH0575246A (ja) | プリント回路の作成法 | |
| JP4464527B2 (ja) | 半導体搭載用部材およびその製造方法 | |
| JPH10335569A (ja) | リードフレーム、その製造方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3728572B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| EP0083458B1 (en) | Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns | |
| JP3171093B2 (ja) | リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 | |
| JP2004019003A (ja) | プリント回路基板及びそのメッキ方法 | |
| JP2000133763A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用の回路部材およびその製造方法 | |
| JPH077243A (ja) | プリント配線板のボンディングパッド及び導体パターンの無電解金メッキ方法 | |
| JPH05251509A (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法 | |
| US3839083A (en) | Selective metallization process | |
| JP2000038682A (ja) | ニッケルめっき方法及び半導体装置 | |
| US5074969A (en) | Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| JP2004323885A (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JPH04144190A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0888305A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2002164390A (ja) | テープキャリア及びその製造方法 | |
| JPH07202382A (ja) | 導体層パターンの形成方法 | |
| JPH0582524A (ja) | 電極の製造方法およびその接続方法 | |
| JP3037447B2 (ja) | 非金属基板の選択めっき方法 | |
| JPH04102341A (ja) | Ｔａｂテープの製造方法 | |
| JPH05183083A (ja) | リードフレーム及びその製造法 | |
| JPS62241345A (ja) | バンプ付フィルムキャリヤの製造法 | |
| JPS62238374A (ja) | 無電解めつきの選択析出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |