JPS62238374A - 無電解めつきの選択析出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は金属パターン上のみに選択的に無電解めっき
の析出を行うための前処理方法に関する。

（従来の技術） 絶縁基板或は半導体基板に予め設けられた金属パターン
上に多層金属層を設ける場合がある。例えば銅（Ｃｕ）
から成る配線金属パターン上に拡散防止層及び金（Ａｕ
）層を順次に設ける場合がある。その方法の一例として
、従来、金属パターン上のみに無電解めっき金属（以下
、めっき金属とも称す）を選択的に析出させる方法があ
る。

このような無電解めっきの第一の選択析出方法では、フ
ォトリソ技術を用いて金属パターンと関連するレジスト
パターンを形成し、よって基板を部分的に被覆すること
（マスキング工程）によって金属パターンに吸着するパ
ラジウムのみを無電解めっきに寄与させていた。

この方法をさらに詳細に説明すれば、金属パターンが設
けられた基板面の全体をパラジウム処理した後、マスキ
ング工程を経て金属パターンに吸着するバ？ジウムのみ
を露出させるか、或は、最初にマスキング工程で金属パ
ターンを除いた基板面部分をレジストで覆って金属パタ
ーンのみが露出するようにした後、パラジウム処理を行
い、然る後レジストをはく離し、よって金属パターンに
吸着するパラジウムのみを残存させる。然る後、金属パ
ターンに吸着するパラジウムを触媒として金属パターン
上のみに無電解めっきの初期析出を行なっていた。

また第二の方法ではめっき金属及び金属パターンを形成
する被めっき金属の間の置換反応によって金属パターン
上のみに直接初期析出を図っていた。従って、この方法
ではパラジウム処理を必要とせず触媒としてのパラジウ
ムを用いていない。

さらに第三の方法は、これは第二の方法の応用であるが
、被めっき金属上に置換反応によって析出する金属Ｉを
この被めっき金属に対して接触させ、よってイオン化傾
向に起因して生じる局部電池を形成し、この局部電池の
作用によって、本来置換反応によって被めっき金属上に
初期析出を起こさないめっき金属Ｈの初期析出を行うも
のである。この結果、金属パターン上のみに無電解めっ
きの初期析出を起こすことが出来る。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、第一の方法では例えば基板及び金属パタ
ーンの全面に対してパラジウム処理ヲ行なってこのまま
無電解めっき処理を行なえば金属パターン上はもとより
無電解めっきを施したくない基板面に対しても無電解め
っきが行なわれてしまう。従って、この場合バラジウト
処理を行なった後に金属パターン以外の部分はフォトレ
ジストでマスキングする必要がある。このように第一の
方法はパラジウム処理で金属パターン上に吸着させたパ
ラジウムのみを無電解めっきに寄り−させるため、手間
の掛かるマスキング工程が必要であった。

さらに、第二の方法では被めっき金属及びめっき金属の
組み合わせが限られており、また第三の方法も局部電池
を形成する被めっき金属と金属上の組み合わせが限られ
ている。従って、第二及び第三の方法を適用できる金属
は限定され、これがためこれら両方法の利用範囲は狭い
という問題点があった。

この発明の目的は上述した従来技術の問題点を解決し、
従来よりも手間が掛からず、かつ被めっき金属及びめっ
き金属の選択範囲がより広く、従って従来よりも利用範
囲が広い無電解めっきの選択析出方法を提供することに
ある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の無電解めっきの
選択析出方法によれば、絶縁基板或は半導体基板に設け
られた金属パターンに対し選択的に無電解めっきするに
当り、金属パターンの一部分に対しパラジウム処理を行
なった後、この金属パターンの無電解めっき処理を行う
ことを特徴とする。

（作用） この発明の無電解めっきの選択析出方法によれば、金属
パターンの一部分に対しパラジウム処理を行なった後に
金属パターンの無電解めっき処理を行う、よって、無電
解めっき処理において基板を無電解めっき浴に浸漬した
際に、パラジウム処理を施した金属パターンの一部分よ
り初期析出が始まり、パラジウム処理を施していないが
初期析出の始まった金属パターンの一部分と電気的に連
絡した部分の金属パターンにおいても局部電池の作用に
よって無電解めっきの析出を進行させることが出来る。

（実施例） 以下、図を参照しながらこの発明の一実施例につき説明
する。尚、図はこの発明が理解出来る程度に概略的に示
しであるにすぎず、各構成成分の寸法、形状及び配置関
係は図示例に限定されるものではない。

第１図は金属パターンが設けられた基板を示す平面図で
ある。同図において、１１はガラスエポキシ基板を示し
、また１３はガラスエポキシ基板ｌｌ上に設けられ所定
のパターン形状を有する金属パターン例えば銅パターン
を示している。銅パターン１３は銅箔付基板１１を通常
の如くエツチングすることによって形成したものである
。

次に銅パターンＬ３に対し選択的に無電解めっきを行な
うため、銅パターン１３の一部分をパラジウム処理する
。このパラジウム処理に当っては、１　ｇ／１ｃ７）塩
化第一錫５ｎＣ１ｚ及び１　ｍ　、Ｑ、／　ｎの塩酸Ｈ
Ｃ文（通常重版されている塩酸を用いる）を含有する水
溶液Ｉと、ｏ、１ｇ７文の塩化パラジウムＰｄＣＱ２及
びＯ，１ｍ、Ｑ／ｆＬの塩酸Ｈ（１１（通常市販されて
いる塩酸）を含有する水溶液ＩＩとを用いる。パラジウ
ム処理では、まずガラスエポキシ基板１１を基板端部の
パラジウム処理線１５まで水溶液Ｉに１分間浸漬し、次
いで同様にガラスエポキシ基板１１をパラジウム処理線
１５まで水溶液Ｈに１分間浸漬し、よってガラスエポキ
シ基板１１の基板端部にパラジウム処理部分１７（図中
、点を打って示した）を形成する。

次に、このパラジウム処理の後に銅パターン１３の無電
解めっき処理を行う。

銅パターン上にニッケルーリンめっきを行う場合には無
電解めっきニッケルーリン（Ｎ　ｉ　−Ｐ）めっき浴（
Ｎ　Ｉ　ＣＫＡ３１１　、化成品興業製）を８０’Ｃに
加温する。次いで、このめっき浴にパラジウム処理済み
のガラスエポキシ基板１１を浸漬すると、パラジウム処
理部分１７から水素を発生しなからニッケルーリンの析
出が始まり、１０〜２０秒後には無処理（パラジウム処
理を施していない）部分の銅パターン１３にもニッケル
ーリンの析出が起こる。この結果、パラジウム処理を行
なっていない部分の銅パターン１３上のみに選択的にめ
っき金属を析出することが出来る。

パラジウム処理部分１７においては銅パターン１３以外
の基板１１面及び銅パターン１３の一部分に対して無電
解めっきが行なわれているので、銅パターン１３は電気
回路的に短絡状態にある。従ってガラスエポキシ基板１
１の任意好適な場所に設けた切断線１９に沿って基板１
１を切断することによりパラジウム処理部分１７の短絡
部分を除去し、以って回路的に独立した所望の銅パター
ン１３を得る。

上述した実施例ではこの発明の好ましい特定の数値的条
件、材料その他の条件の下で説明したが、これらは単な
る一例であるにすぎず、この発明はこれらの実施例にの
み限定されるものではないことを理解されたい、基板と
して絶縁基板或いは半導体基板を用いても良いし、また
金属パターン及びめっき金属に用いる金属は従来のよう
に限定されるものではなく任意好適な金属を選択出来る
。

パラジウム処理方法は、実施例に述べた２液タイプの方
法以外の方法によっても良い９例えば湿式ではパラジウ
ムコロイドを分散させた溶液（アクチベーター、奥野製
薬製）のみを用いる方法、或ははじめに２価のパラジウ
ムＰｄ２＋を吸着させ次に０価のパラジウムＰｄに還元
する方法（アクチベーターネオガント　（***シェーリ
ング社製）を用いる）によって、さらに乾式ではパラジ
ウムの蒸着或はスパッタリングによってパラジウム処理
を行なっても良い。

さらにパラジウム処理部分は図示例の如く一箇所の基板
端部のみに設けても良く、また基板の中央部に延在させ
或は基板の複数箇所に設けるようにしても良い。従って
無電解めっき処理した基板奢切断して複数個の回路基板
を得ることが出来るように金属パターンを設けて金属パ
ターンの形状に応じた任意好適な位置にパラジウム処理
部分を設けるようにしても良い。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の無電解
めっきの選択析出方法によれば、パラジウム処理を施し
た金属パターンの一部分から無電解めっきの析出が始ま
り、次いでパラジウム処理を施していないが、パラジウ
ム処理を施した部分の金属パターンと電気的に連絡する
部分の金属パターンにおいても局部電池の作用によって
無電解めっきの析出を行うことが出来る。従って、マス
キング工程を経ることなく所望の金属パターン上にのみ
無電解めっきすることが出来る。これと共に金属パター
ン及びめっき金属に用いる金属の選択範囲が従来より広
くなるので１より利用範囲の広い無電解めっきの選択析
出方法を提供出来る。

この発明の無電解めっきの選択析出方法は印刷配線板の
製造において基板に金属回路パターンを形成した後に回
路パターン上のみに無電解めっき膜を析出する工程に適
用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の説明に供する基板の平面図である。 １１・・・基板 １３・・・金属パターン（例えば銅バター〉・）１５・
・・パラジウム処理線 １７・・・パラジウム処理部分 １９・・・切断線。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 １ｔ　、基茅反　　　　　　　　　／、ｆ　パフシ゛フ
ム灯桿様ｆＪ゛４；：為ハ３ターン　　　　１７　パラ
ジウム処理線Ｐす１７°ｔｐＨ￥祿 二の発明の容に明（４宍Ｊろ基」反の平面困第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板或は半導体基板に設けられた金属パター
   ンに対し選択的に無電解めっきするに当り、前記金属パ
   ターンの一部分に対しパラジウム処理を行なった後、前
   記金属パターンの無電解めっき処理を行うことを特徴と
   する無電解めっきの選択析出方法。