JPH0582524A - 電極の製造方法およびその接続方法 - Google Patents
電極の製造方法およびその接続方法Info
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- JPH0582524A JPH0582524A JP24362991A JP24362991A JPH0582524A JP H0582524 A JPH0582524 A JP H0582524A JP 24362991 A JP24362991 A JP 24362991A JP 24362991 A JP24362991 A JP 24362991A JP H0582524 A JPH0582524 A JP H0582524A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体素子の細密実装で用いる突
起形状電極を無電解めっき法で製造する際、電極予定部
分以外を感光性樹脂で覆い、乾式めっき前処理を行うこ
とで、電極同士の短絡が抑えられる製造方法を実現す
る。 【構成】 本発明は、回路を形成した半導体基板１に感
光性樹脂層５を塗布した後、アルミニウム層３の電極上
にニッケル・リン層６および金層７を積層することを特
徴とする。
起形状電極を無電解めっき法で製造する際、電極予定部
分以外を感光性樹脂で覆い、乾式めっき前処理を行うこ
とで、電極同士の短絡が抑えられる製造方法を実現す
る。 【構成】 本発明は、回路を形成した半導体基板１に感
光性樹脂層５を塗布した後、アルミニウム層３の電極上
にニッケル・リン層６および金層７を積層することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の細密実装
で用いられる突起形状の電極の製造方法およびその接続
方法に関する。
で用いられる突起形状の電極の製造方法およびその接続
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体または絶縁体を使った素子を外部
回路に接続する方法は、ＴＡＢ（テープオートメイテッ
ドボンディング）に代表される薄膜実装法やパッケージ
で広く使われているワイヤーボンディング法がある。中
でもＴＡＢは、小型軽量実装が可能であることから利用
分野を拡大している。
回路に接続する方法は、ＴＡＢ（テープオートメイテッ
ドボンディング）に代表される薄膜実装法やパッケージ
で広く使われているワイヤーボンディング法がある。中
でもＴＡＢは、小型軽量実装が可能であることから利用
分野を拡大している。
【０００３】このＴＡＢで必要となる半導体素子側への
突起電極（バンプ）は、従来乾式めっき法例えば蒸着や
スパッタリング等と湿式めっき法とフォトリソグラフィ
ー法を用いて製造されていた。そのため製造工程が長く
なり、コストや製造歩留まりに課題があった。そこでこ
れらの課題を解決するため、無電解めっき法を使った突
起電極の製造方法が考案され、特開昭６３−３０５５３
２のようにパラジウムを活性化金属としてニッケル合金
めっき膜を積層する方法が考案された。またこのバンプ
は、等方的にめっきが成長するためマッシュルーム形状
であった。
突起電極（バンプ）は、従来乾式めっき法例えば蒸着や
スパッタリング等と湿式めっき法とフォトリソグラフィ
ー法を用いて製造されていた。そのため製造工程が長く
なり、コストや製造歩留まりに課題があった。そこでこ
れらの課題を解決するため、無電解めっき法を使った突
起電極の製造方法が考案され、特開昭６３−３０５５３
２のようにパラジウムを活性化金属としてニッケル合金
めっき膜を積層する方法が考案された。またこのバンプ
は、等方的にめっきが成長するためマッシュルーム形状
であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術は、次のような課題を有した。
術は、次のような課題を有した。
【０００５】まずＩＣの端子数が増加すると、電極の面
積及び電極間隔は狭くなる。その結果、従来のマッシュ
ルーム形状の突起電極では、高さが電極間隔の約１／２
よりも高くなると短絡してしまい、接続機能が得られな
い。さらにアルミニウムと接触できる面積が少ないた
め、接続強度も低いという課題がある。
積及び電極間隔は狭くなる。その結果、従来のマッシュ
ルーム形状の突起電極では、高さが電極間隔の約１／２
よりも高くなると短絡してしまい、接続機能が得られな
い。さらにアルミニウムと接触できる面積が少ないた
め、接続強度も低いという課題がある。
【０００６】本発明はこれらの課題を解決するものでそ
の目的は、感光性樹脂を突起高さ予定近くまで塗布し、
めっきの選択性を高め、狭ピッチ化しても電極同士が短
絡せず、接続強度も低下しない電極の製造方法を提供す
るものである。
の目的は、感光性樹脂を突起高さ予定近くまで塗布し、
めっきの選択性を高め、狭ピッチ化しても電極同士が短
絡せず、接続強度も低下しない電極の製造方法を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電極の製造方法
は、半導体基板上にアルミニウムの導電層を積層し、該
導電層上に電気的接続を可能とする接続金属層を積層し
た突起電極の製造方法において、前記接続金属層をａ、
アルミニウムを含む半導体基板上へ感光性樹脂を被覆す
る工程とｂ、電極予定部分の感光性樹脂を除去する工程
とｃ、２００ｎｍ以下の波長の光を照射する工程または
酸化性ガスプラズマを照射する工程とｄ、非酸化性ガス
プラズマを照射する工程とｅ、アルミニウムにパラジウ
ムを吸着させる工程とｆ、無電解めっきへ浸漬し金属を
析出する工程とｇ、感光性樹脂を除去する工程の順に行
い積層することを特徴とする。
は、半導体基板上にアルミニウムの導電層を積層し、該
導電層上に電気的接続を可能とする接続金属層を積層し
た突起電極の製造方法において、前記接続金属層をａ、
アルミニウムを含む半導体基板上へ感光性樹脂を被覆す
る工程とｂ、電極予定部分の感光性樹脂を除去する工程
とｃ、２００ｎｍ以下の波長の光を照射する工程または
酸化性ガスプラズマを照射する工程とｄ、非酸化性ガス
プラズマを照射する工程とｅ、アルミニウムにパラジウ
ムを吸着させる工程とｆ、無電解めっきへ浸漬し金属を
析出する工程とｇ、感光性樹脂を除去する工程の順に行
い積層することを特徴とする。
【０００８】また無電解めっき液がニッケル、ニッケル
・リン、ニッケル・ほう素、金、パラジウム・リンまた
はニッケル・リンまたはニッケル・ほう素のめっき液に
タングステン、モリブデン、マンガン、銅、パラジウ
ム、銀、コバルト、クロム、鉄、レニウム、錫、鉛、イ
ンジウム、亜鉛、タリウム、ビスマスのいずれか一つ以
上の金属イオンを含有するめっき液であることを特徴と
する。
・リン、ニッケル・ほう素、金、パラジウム・リンまた
はニッケル・リンまたはニッケル・ほう素のめっき液に
タングステン、モリブデン、マンガン、銅、パラジウ
ム、銀、コバルト、クロム、鉄、レニウム、錫、鉛、イ
ンジウム、亜鉛、タリウム、ビスマスのいずれか一つ以
上の金属イオンを含有するめっき液であることを特徴と
する。
【０００９】本発明の電極の接続方法は、上記電極の製
造方法により製造した電極を用い回路基板へ接続するこ
とを特徴とする。
造方法により製造した電極を用い回路基板へ接続するこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明の感光性樹脂は、ポジタイプまたは
ネガタイプのいずれでもよく、その塗布方法は、スピン
コート法またはコーター法またはラミネート法または等
速引き上げ法いずれでもよい。さらに感光性樹脂の膜厚
は１層が望ましく、密着改善剤を介して２層以上感光性
樹脂を塗布し突起電極予定高さまで厚付けしてもよい。
ネガタイプのいずれでもよく、その塗布方法は、スピン
コート法またはコーター法またはラミネート法または等
速引き上げ法いずれでもよい。さらに感光性樹脂の膜厚
は１層が望ましく、密着改善剤を介して２層以上感光性
樹脂を塗布し突起電極予定高さまで厚付けしてもよい。
【００１１】また紫外線の照射は、露光、現像後取りき
れない感光性樹脂を除去する目的で行う。そしてその波
長は、２００ｎｍ以下が望ましい。２００ｎｍ以下の波
長の光は、空気中の酸素をオゾン化する。オゾンは酸化
剤であるため、樹脂を除去できるのである。尚、感光性
樹脂の除去は、酸化性ガス例えば酸素のプラズマ照射に
よっても実現できる。
れない感光性樹脂を除去する目的で行う。そしてその波
長は、２００ｎｍ以下が望ましい。２００ｎｍ以下の波
長の光は、空気中の酸素をオゾン化する。オゾンは酸化
剤であるため、樹脂を除去できるのである。尚、感光性
樹脂の除去は、酸化性ガス例えば酸素のプラズマ照射に
よっても実現できる。
【００１２】また非酸化性ガス例えばアルゴン、窒素、
アンモニア、水素を含むアルゴンまたは窒素のプラズマ
照射は、オゾンの作用で酸化したアルミニウム表面を清
浄化する目的で行う。
アンモニア、水素を含むアルゴンまたは窒素のプラズマ
照射は、オゾンの作用で酸化したアルミニウム表面を清
浄化する目的で行う。
【００１３】また無電解めっきは、突起電極形状を作る
目的で行い、例えばニッケル、ニッケル・リン、ニッケ
ル・ほう素、パラジウム・リンまたはニッケル・リンま
たはニッケル・ほう素のめっき液にタングステン、モリ
ブデン、マンガン、銅、パラジウム、銀、コバルト、ク
ロム、鉄、レニウム、錫、鉛、インジウム、亜鉛、タリ
ウム、ビスマスのいずれか一つ以上の金属イオンを含有
するめっき液を使うことが望ましい。さらにめっき液の
ｐＨは、感光性樹脂を残しながらめっきするため、弱ア
ルカリから酸性側が望ましい。
目的で行い、例えばニッケル、ニッケル・リン、ニッケ
ル・ほう素、パラジウム・リンまたはニッケル・リンま
たはニッケル・ほう素のめっき液にタングステン、モリ
ブデン、マンガン、銅、パラジウム、銀、コバルト、ク
ロム、鉄、レニウム、錫、鉛、インジウム、亜鉛、タリ
ウム、ビスマスのいずれか一つ以上の金属イオンを含有
するめっき液を使うことが望ましい。さらにめっき液の
ｐＨは、感光性樹脂を残しながらめっきするため、弱ア
ルカリから酸性側が望ましい。
【００１４】ＴＡＢ接続を実現するため、金めっきまた
ははんだめっきが突起電極の最表面に必要である。そし
て金めっきは、置換タイプの液及び還元厚付けタイプの
液を使い無電解めっき法で形成することができる。また
はんだめっきは、無電解めっき法や、感光性樹脂を除去
した後溶融したはんだ槽へ浸漬して形成する方法があ
る。
ははんだめっきが突起電極の最表面に必要である。そし
て金めっきは、置換タイプの液及び還元厚付けタイプの
液を使い無電解めっき法で形成することができる。また
はんだめっきは、無電解めっき法や、感光性樹脂を除去
した後溶融したはんだ槽へ浸漬して形成する方法があ
る。
【００１５】
【作用】本発明の表面へ感光性樹脂を残してめっきする
方法は、等方的なめっきの成長を防止できるので、電極
間隔が狭くても電極同士を短絡させない。さらに等方的
なめっき成長を考慮して電極面積を小さくする必要がな
いため、感光性樹脂を用いない方法に比べ電極間隔が狭
くなっても強度が低下しない。
方法は、等方的なめっきの成長を防止できるので、電極
間隔が狭くても電極同士を短絡させない。さらに等方的
なめっき成長を考慮して電極面積を小さくする必要がな
いため、感光性樹脂を用いない方法に比べ電極間隔が狭
くなっても強度が低下しない。
【００１６】
【実施例】以下実施例に基づいて、本発明の効果を説明
する。
する。
【００１７】（実施例１）図１は、本実施例の電極の製
造工程別の断面図である。
造工程別の断面図である。
【００１８】図１（ａ）のように酸化膜２を形成したシ
リコン基板１へスパッタ法または蒸着法を用い約１ミク
ロン厚みのアルミニウム層３を形成する。そして約１ミ
クロンのリンまたはほう素含有の酸化シリコン、ポリイ
ミドまたは窒化シリコンの絶縁層４をスピンコートまた
はＣＶＤ法により形成し、複数個の８０ミクロン間隔、
６０ミクロン角の電極予定部分をフォトフィソグラフィ
ー法及びエッチング法により加工する。
リコン基板１へスパッタ法または蒸着法を用い約１ミク
ロン厚みのアルミニウム層３を形成する。そして約１ミ
クロンのリンまたはほう素含有の酸化シリコン、ポリイ
ミドまたは窒化シリコンの絶縁層４をスピンコートまた
はＣＶＤ法により形成し、複数個の８０ミクロン間隔、
６０ミクロン角の電極予定部分をフォトフィソグラフィ
ー法及びエッチング法により加工する。
【００１９】次に図１（ｂ）のようにネガタイプの感光
性樹脂５を約３０ミクロン、アルミニウム層３及び絶縁
層４の上に塗布し、溶剤乾燥、電極予定部分の感光性樹
脂が除去できるように露光現像する。
性樹脂５を約３０ミクロン、アルミニウム層３及び絶縁
層４の上に塗布し、溶剤乾燥、電極予定部分の感光性樹
脂が除去できるように露光現像する。
【００２０】続いて図１（ｃ）のように電極予定部分の
アルミニウム層上に残留する感光樹脂を１８５ｎｍの波
長の紫外線照射または０．２Ｔｏｒｒ、１００Ｗの酸素
プラズマ照射により除去し、さらにアルゴンまたは窒素
またはその他の非酸化性ガスを使った０．２Ｔｏｒｒ、
１００Ｗのプラズマ照射を続けて行い、２０ｐｐｍの塩
化パラジウムを主成分とする水溶液へ浸漬することでア
ルミニウムを無電解めっき活性化し、つぎに示す無電解
ニッケルリンめっき液で約２０ミクロンの高さのニッケ
ル・リン層６を形成する。
アルミニウム層上に残留する感光樹脂を１８５ｎｍの波
長の紫外線照射または０．２Ｔｏｒｒ、１００Ｗの酸素
プラズマ照射により除去し、さらにアルゴンまたは窒素
またはその他の非酸化性ガスを使った０．２Ｔｏｒｒ、
１００Ｗのプラズマ照射を続けて行い、２０ｐｐｍの塩
化パラジウムを主成分とする水溶液へ浸漬することでア
ルミニウムを無電解めっき活性化し、つぎに示す無電解
ニッケルリンめっき液で約２０ミクロンの高さのニッケ
ル・リン層６を形成する。
【００２１】 ＜めっき組成＞ 硫酸ニッケル・６水和物 ３０ｇ／ｌ 次亜りん酸ナトリウム・２水和物 １０ｇ／ｌ くえん酸三ナトリウム・２水和物 １０ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム ６６ｇ／ｌ チオジグリコール酸 １０ｐｐｍ ＜めっき条件＞ ｐＨ ５．５ 温度 ７０度（摂氏） 最後にＴＡＢ接続のため金層７を市販の置換めっき液に
よりめっきして、感光性樹脂を剥離液で除去し電極を製
造した。
よりめっきして、感光性樹脂を剥離液で除去し電極を製
造した。
【００２２】（実施例２）図２は、本実施例の電極の製
造工程別の断面図である。
造工程別の断面図である。
【００２３】図２（ａ）のように酸化膜２２を形成した
シリコン基板２１へスパッタ法または蒸着法を用い約１
ミクロン厚みのアルミニウム層２３を形成する。そして
約１ミクロンのリンまたはほう素含有の酸化シリコン、
ポリイミドまたは窒化シリコンの絶縁層２４をスピンコ
ートまたはＣＶＤ法により形成し、複数個の８０ミクロ
ン間隔、６０ミクロン角の電極予定部分をフォトフィソ
グラフィー法及びエッチング法により加工する。
シリコン基板２１へスパッタ法または蒸着法を用い約１
ミクロン厚みのアルミニウム層２３を形成する。そして
約１ミクロンのリンまたはほう素含有の酸化シリコン、
ポリイミドまたは窒化シリコンの絶縁層２４をスピンコ
ートまたはＣＶＤ法により形成し、複数個の８０ミクロ
ン間隔、６０ミクロン角の電極予定部分をフォトフィソ
グラフィー法及びエッチング法により加工する。
【００２４】次に図２（ｂ）のようにネガタイプの感光
性樹脂２５を約３０ミクロン能動面のアルミニウム層２
３及び絶縁層２４の上に塗布し、溶剤乾燥、電極予定部
分の感光性樹脂が除去できるように露光現像する。
性樹脂２５を約３０ミクロン能動面のアルミニウム層２
３及び絶縁層２４の上に塗布し、溶剤乾燥、電極予定部
分の感光性樹脂が除去できるように露光現像する。
【００２５】続いて図２（ｃ）のように電極予定部分の
アルミニウム層上に残留する感光樹脂を１８５ｎｍの波
長の紫外線照射または０．２Ｔｏｒｒ、１００Ｗ、酸素
プラズマ照射により除去し、２０ｐｐｍの塩化パラジウ
ムを主成分とする水溶液へ浸漬することでアルミニウム
を無電解めっき活性化し、つぎに示す無電解ニッケル・
リンめっき液で約２０ミクロンの高さのニッケル・リン
層２６を形成する。
アルミニウム層上に残留する感光樹脂を１８５ｎｍの波
長の紫外線照射または０．２Ｔｏｒｒ、１００Ｗ、酸素
プラズマ照射により除去し、２０ｐｐｍの塩化パラジウ
ムを主成分とする水溶液へ浸漬することでアルミニウム
を無電解めっき活性化し、つぎに示す無電解ニッケル・
リンめっき液で約２０ミクロンの高さのニッケル・リン
層２６を形成する。
【００２６】 ＜めっき組成＞ 硫酸ニッケル・６水和物 ３０ｇ／ｌ 次亜りん酸ナトリウム・２水和物 １０ｇ／ｌ くえん酸三ナトリウム・２水和物 １０ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム ６６ｇ／ｌ チオジグリコール酸 １０ｐｐｍ ＜めっき条件＞ ｐＨ ５．５ 温度 ７０度（摂氏） 次に図３（ｄ）のように金層２７を市販の置換めっき液
によりめっきして、剥離液で感光性樹脂を除去した後、
無電解厚付け金めっき液で金層２８を約１から１０ミク
ロンめっきして電極を製造した。
によりめっきして、剥離液で感光性樹脂を除去した後、
無電解厚付け金めっき液で金層２８を約１から１０ミク
ロンめっきして電極を製造した。
【００２７】（比較例１）実施例１の感光性樹脂の塗布
及び露光を省いた以外、実施例１と同様の方法で電極を
製造した。図３は、本比較例の電極の断面図である。
及び露光を省いた以外、実施例１と同様の方法で電極を
製造した。図３は、本比較例の電極の断面図である。
【００２８】（比較例２）実施例１の１８５ｎｍの紫外
線照射または酸素ＲＦプラズマ照射プロセスを省いた以
外、実施例１と同様の方法で電極を製造した。
線照射または酸素ＲＦプラズマ照射プロセスを省いた以
外、実施例１と同様の方法で電極を製造した。
【００２９】（比較例３）実施例１のアルゴンまたは窒
素またはその他の非酸化性ガスを使ったプラズマ照射を
省いた以外、実施例１と同様の方法で電極を製造した。
素またはその他の非酸化性ガスを使ったプラズマ照射を
省いた以外、実施例１と同様の方法で電極を製造した。
【００３０】以上実施例１から２及び比較例１から３の
電極の金属被覆状態を顕微鏡で調べ、電極高さを段差計
で調べた。その結果、表１のように実施例１から２は選
択的にアルミニウム上へめっきが形成できたが、比較例
１は、電極形状がマッシュルームであるため電極同士短
絡した。さらに比較例２、３は、めっきの形成されてい
ない電極部分を有した。
電極の金属被覆状態を顕微鏡で調べ、電極高さを段差計
で調べた。その結果、表１のように実施例１から２は選
択的にアルミニウム上へめっきが形成できたが、比較例
１は、電極形状がマッシュルームであるため電極同士短
絡した。さらに比較例２、３は、めっきの形成されてい
ない電極部分を有した。
【００３１】
【表１】
【００３２】また比較例１は表面に出ているシリコンへ
もめっきがついた。そのため無駄な金属の消費が増え、
めっき液の寿命が短くなった。
もめっきがついた。そのため無駄な金属の消費が増え、
めっき液の寿命が短くなった。
【００３３】次に錫めっきしたテープへ、実施例１から
２及び比較例２から３の電極を従来の方式でＴＡＢ接続
した。そして接続強度の最小値が２０ｇ／電極未満を不
良、２０ｇ／電極以上を良として比較した結果、表２の
ように比較例に比べて実施例の電極は、良好な接続状態
を示した。
２及び比較例２から３の電極を従来の方式でＴＡＢ接続
した。そして接続強度の最小値が２０ｇ／電極未満を不
良、２０ｇ／電極以上を良として比較した結果、表２の
ように比較例に比べて実施例の電極は、良好な接続状態
を示した。
【００３４】
【表２】
【００３５】またワイヤーボンディング法や半導体素子
をフリップチップ接続する方法によっても良好な接続状
態が得られ、長期信頼性も良好であった。
をフリップチップ接続する方法によっても良好な接続状
態が得られ、長期信頼性も良好であった。
【００３６】なお本実施例で示した処理条件やバンプの
高さ、電極各組成や半導体基板材料以外でも、本発明の
効果に変わりがなかった。
高さ、電極各組成や半導体基板材料以外でも、本発明の
効果に変わりがなかった。
【００３７】また無電解めっき液は、ｐＨが弱アルカリ
よりも酸性側ならば、ニッケル・リンの他ニッケル・ほ
う素、ニッケル・リン、パラジウム・リンまたはニッケ
ル・ほう素のめっき液にタングステン、モリブデン、マ
ンガン、銅、パラジウム、銀、コバルト、クロム、鉄、
レニウム、錫、鉛、インジウム、亜鉛、タリウム、ビス
マスのいずれか一つ以上の金属イオンを含有するめっき
液でも効果に変わりはなかった。
よりも酸性側ならば、ニッケル・リンの他ニッケル・ほ
う素、ニッケル・リン、パラジウム・リンまたはニッケ
ル・ほう素のめっき液にタングステン、モリブデン、マ
ンガン、銅、パラジウム、銀、コバルト、クロム、鉄、
レニウム、錫、鉛、インジウム、亜鉛、タリウム、ビス
マスのいずれか一つ以上の金属イオンを含有するめっき
液でも効果に変わりはなかった。
【００３８】ニッケルめっき液は、本発明以外に公知の
無電解めっき液組成や他の市販めっき液を用いても効果
に変わりがなかった。
無電解めっき液組成や他の市販めっき液を用いても効果
に変わりがなかった。
【００３９】紫外線波長が２００ｎｍ以下及び、プラズ
マ処理の圧力が変化しても、効果は変わらなかった。
マ処理の圧力が変化しても、効果は変わらなかった。
【００４０】また感光性樹脂は、ポジタイプでも効果に
変わりはなかった。
変わりはなかった。
【００４１】さらにニッケル合金または金めっき上へ、
はんだを無電解めっき法または溶融したはんだ槽への浸
漬法で積層しても効果に変わりがなかった。
はんだを無電解めっき法または溶融したはんだ槽への浸
漬法で積層しても効果に変わりがなかった。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
極の製造方法として電極予定部分以外を感光性樹脂でめ
っき前に被覆することでアルミニウムへの選択めっき性
が改善し、電極間隔を狭くしたＴＡＢやフリップチップ
やワイヤーボンディング法でも安定に接続するという効
果がある。さらにアルミニウムの表面汚れを紫外線及び
プラズマ照射により除去するため、めっきバンプの高さ
ばらつきが抑えられるという効果も有する。そしてめっ
き液へ半導体素子表面を浸漬しないため、品質低下を防
ぐ効果がある。
極の製造方法として電極予定部分以外を感光性樹脂でめ
っき前に被覆することでアルミニウムへの選択めっき性
が改善し、電極間隔を狭くしたＴＡＢやフリップチップ
やワイヤーボンディング法でも安定に接続するという効
果がある。さらにアルミニウムの表面汚れを紫外線及び
プラズマ照射により除去するため、めっきバンプの高さ
ばらつきが抑えられるという効果も有する。そしてめっ
き液へ半導体素子表面を浸漬しないため、品質低下を防
ぐ効果がある。
【図１】本発明実施例１の電極の製造工程別の断面図。
【図２】本発明実施例２の電極の製造工程別の断面図。
【図３】本発明比較例１の電極の断面図。
１ シリコン基板 ２ 酸化膜 ３ アルミニウム層 ４ 絶縁膜 ５ 感光性樹脂層 ６ ニッケル・リン層 ７ 金層 ２１ シリコン基板 ２２ 酸化膜 ２３ アルミニウム層 ２４ 絶縁膜 ２５ 感光性樹脂層 ２６ ニッケル・リン層 ２７ 金層 ２８ 金層 ４１ シリコン基板 ４２ 酸化膜 ４３ アルミニウム層 ４４ 絶縁膜 ４５ ニッケル・リン層 ４６ 金層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上にアルミニウムの導電層を
積層し、該導電層上に電気的接続を可能とする接続金属
層を積層した突起電極の製造方法において、前記接続金
属層をａ、アルミニウムを含む半導体基板上へ感光性樹
脂を被覆する工程とｂ、電極予定部分の感光性樹脂を除
去する工程とｃ、２００ｎｍ以下の波長の光を照射する
工程または酸化性ガスプラズマを照射する工程とｄ、非
酸化性ガスプラズマを照射する工程とｅ、アルミニウム
にパラジウムを吸着させる工程とｆ、無電解めっき液へ
浸漬し金属を析出する工程とｇ、感光性樹脂を除去する
工程の順に行い積層することを特徴とする電極の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の無電解めっき液がニッケ
ル、ニッケル・リン、ニッケル・ほう素、金、パラジウ
ム・リンまたはニッケル・リンまたはニッケル・ほう素
のめっき液にタングステン、モリブデン、マンガン、
銅、パラジウム、銀、コバルト、クロム、鉄、レニウ
ム、錫、鉛、インジウム、亜鉛、タリウム、ビスマスの
いずれか一つ以上の金属イオンを含有するめっき液であ
ることを特徴とする電極の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の電極の製造方法により製
造した電極を用い回路基板へ接続することを特徴とする
電極の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24362991A JPH0582524A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 電極の製造方法およびその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24362991A JPH0582524A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 電極の製造方法およびその接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582524A true JPH0582524A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17106670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24362991A Pending JPH0582524A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 電極の製造方法およびその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002256444A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 配線基板 |
| WO2004057054A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Japan Kanigen Co.,Ltd. | 異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長バンプの形成方法、異方成長バンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤 |
| US6818313B2 (en) | 2002-07-24 | 2004-11-16 | University Of Dayton | Corrosion-inhibiting coating |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24362991A patent/JPH0582524A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002256444A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 配線基板 |
| US6818313B2 (en) | 2002-07-24 | 2004-11-16 | University Of Dayton | Corrosion-inhibiting coating |
| US7537663B2 (en) | 2002-07-24 | 2009-05-26 | University Of Dayton | Corrosion-inhibiting coating |
| WO2004057054A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Japan Kanigen Co.,Ltd. | 異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長バンプの形成方法、異方成長バンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤 |
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