JPH05216242A - ホトレジストの現像およびストリップ用溶剤組成物 - Google Patents
ホトレジストの現像およびストリップ用溶剤組成物Info
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- JPH05216242A JPH05216242A JP4234366A JP23436692A JPH05216242A JP H05216242 A JPH05216242 A JP H05216242A JP 4234366 A JP4234366 A JP 4234366A JP 23436692 A JP23436692 A JP 23436692A JP H05216242 A JPH05216242 A JP H05216242A
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- photoresist
- solvent
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- propylene carbonate
- benzyl alcohol
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フリーラジカル開始性の付加重合可能なホト
レジスト、カチオン性の硬化したレジストとハンダマス
クおよびバクレルホトレジストなどのための、単純で環
境に適合した現像液とストリップ剤とを提供する。 【構成】 この現像液とストリップ剤の両者は、すべて
の場合ガンマブチロラクトン、プロピレンカーボネート
およびベンジルアルコールを含み、また任意的に少量の
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、プ
ロピレングリコールモノメチルアセテート、エチレング
リコールモノメチルエーテル、ホルムアミド、ニトロメ
タン、プロピレンオキシド、メチルエチルケトン、アセ
トンおよび水を含有している。
レジスト、カチオン性の硬化したレジストとハンダマス
クおよびバクレルホトレジストなどのための、単純で環
境に適合した現像液とストリップ剤とを提供する。 【構成】 この現像液とストリップ剤の両者は、すべて
の場合ガンマブチロラクトン、プロピレンカーボネート
およびベンジルアルコールを含み、また任意的に少量の
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、プ
ロピレングリコールモノメチルアセテート、エチレング
リコールモノメチルエーテル、ホルムアミド、ニトロメ
タン、プロピレンオキシド、メチルエチルケトン、アセ
トンおよび水を含有している。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はリソグラフの分野に関するもので
あり、ここではホトレジストと呼ばれている放射線−感
光性の材料が基板上に配置され、放射線に対して感光性
である所定区域が露光され、そして溶剤または溶剤混合
物中で現像される。ポジホトレジストの場合、溶剤は放
射線に露光されたホトレジストの区域を選択的に溶解
し；ネガ型ホトレジストの場合は未露光の区域が取り去
られる。ホトリソグラフは、電子部品パッケージングの
技術において微細な配線の回路パターンまたはマイクロ
ミニアチュアの生成に際し特に有用であることが実証さ
れており、またホトリソグラフ印刷、金属の装飾および
ホトミリングなどの分野においても有用なものである。
あり、ここではホトレジストと呼ばれている放射線−感
光性の材料が基板上に配置され、放射線に対して感光性
である所定区域が露光され、そして溶剤または溶剤混合
物中で現像される。ポジホトレジストの場合、溶剤は放
射線に露光されたホトレジストの区域を選択的に溶解
し；ネガ型ホトレジストの場合は未露光の区域が取り去
られる。ホトリソグラフは、電子部品パッケージングの
技術において微細な配線の回路パターンまたはマイクロ
ミニアチュアの生成に際し特に有用であることが実証さ
れており、またホトリソグラフ印刷、金属の装飾および
ホトミリングなどの分野においても有用なものである。
【０００２】
【背景技術】ホトリソグラフは印刷回路パッケージング
の分野において重要である。ネガホトレジストは有機樹
脂バインダー、光開始剤／光増感剤および反応性のモノ
マーを含んでいる。また、これらは任意に有機または無
機の充填材、耐火剤、可塑剤、色素、可撓剤、熱安定剤
およびパッケージの処理特性を改善するためのその他の
添加剤などを含んでいる。代表的に、組成物は全成分の
重量を１００％としたものに対して、バインダー４０〜
７０重量％、モノマー１０〜４０重量％、そして光開始
剤０.５〜１５重量％を含んでいる。このような組成物
の１つの例が米国特許第４,３２６,０１０号中（実施例
１）で述べられている。
の分野において重要である。ネガホトレジストは有機樹
脂バインダー、光開始剤／光増感剤および反応性のモノ
マーを含んでいる。また、これらは任意に有機または無
機の充填材、耐火剤、可塑剤、色素、可撓剤、熱安定剤
およびパッケージの処理特性を改善するためのその他の
添加剤などを含んでいる。代表的に、組成物は全成分の
重量を１００％としたものに対して、バインダー４０〜
７０重量％、モノマー１０〜４０重量％、そして光開始
剤０.５〜１５重量％を含んでいる。このような組成物
の１つの例が米国特許第４,３２６,０１０号中（実施例
１）で述べられている。
【０００３】既知のホトレジストはその組成に応じてＵ
Ｖ−放射線、Ｘ−線、Ｅ−ビーム、その他などに感光性
である。放射線は、エマルジョンマスクまたはクロムマ
スクのようなマスク中のパターンを通じて密着または投
影によりレジストに対して与えることができ、あるいは
放射線ビームをラスター化することもできる。
Ｖ−放射線、Ｘ−線、Ｅ−ビーム、その他などに感光性
である。放射線は、エマルジョンマスクまたはクロムマ
スクのようなマスク中のパターンを通じて密着または投
影によりレジストに対して与えることができ、あるいは
放射線ビームをラスター化することもできる。
【０００４】ホトレジストには基本的にネガとポジの２
つのタイプがある。ネガホトレジストを、それに対して
感光性である特定の放射線に適当な期間選択的に露光
し、ついでその現像液で処理するとき、放射線に露光さ
れされなかったレジストの区域は現像液により取り除か
れるが、放射線に露光された区域は架橋化により硬化さ
れ、そして未露光部に比べて現像液に対してさらに抵抗
性となる。一方ポジ型のレジストは反対に作用し、露光
された区域が専ら取り除かれる。
つのタイプがある。ネガホトレジストを、それに対して
感光性である特定の放射線に適当な期間選択的に露光
し、ついでその現像液で処理するとき、放射線に露光さ
れされなかったレジストの区域は現像液により取り除か
れるが、放射線に露光された区域は架橋化により硬化さ
れ、そして未露光部に比べて現像液に対してさらに抵抗
性となる。一方ポジ型のレジストは反対に作用し、露光
された区域が専ら取り除かれる。
【０００５】ポジホトレジストはシリコンデバイスを作
るために広く使用されている。しかしながら、これらは
苛酷な環境と高温下では作動が劣っている。
るために広く使用されている。しかしながら、これらは
苛酷な環境と高温下では作動が劣っている。
【０００６】一方ネガレジストは、回路配線が不必要な
場所の銅をエッチングにより取り去るというよりも、銅
が必要な場所に付加的なメッキ、すなわち無電解または
無電解と電解メッキにより銅を供給するというようなと
きに使用されている。
場所の銅をエッチングにより取り去るというよりも、銅
が必要な場所に付加的なメッキ、すなわち無電解または
無電解と電解メッキにより銅を供給するというようなと
きに使用されている。
【０００７】パッケージングにおけるホトリソグラフ
は、Tummala氏他編のMicroelectronics Packaging Hand
book、フアンノストランドラインホルド社、１９８９年
刊、第８９８〜９０３頁、およびSeraphim氏他編のPrin
ciples of Electronic Packaging、 マグローヒルブラッ
ク社、１９８９年刊、第１２章、第３７２〜３９３頁、
およびConsidine氏他編のScientific Encyclopedia、第
６版、第II巻、フアンノストランドラインホルド社、１
９８３年刊、第１８７７〜１８８１頁などで述べられて
おり、これらのすべてを参考に挙げておく。
は、Tummala氏他編のMicroelectronics Packaging Hand
book、フアンノストランドラインホルド社、１９８９年
刊、第８９８〜９０３頁、およびSeraphim氏他編のPrin
ciples of Electronic Packaging、 マグローヒルブラッ
ク社、１９８９年刊、第１２章、第３７２〜３９３頁、
およびConsidine氏他編のScientific Encyclopedia、第
６版、第II巻、フアンノストランドラインホルド社、１
９８３年刊、第１８７７〜１８８１頁などで述べられて
おり、これらのすべてを参考に挙げておく。
【０００８】一般に、ネガ型レジストは米国特許第３,
４６９,９８２号、同第４,２７３,８５７号および同第
４,２９３,６３５号などで述べられているタイプの光重
合性材料であり、また米国特許第３,５２６,５０４号中
に示されたタイプの光架橋化性のものである。
４６９,９８２号、同第４,２７３,８５７号および同第
４,２９３,６３５号などで述べられているタイプの光重
合性材料であり、また米国特許第３,５２６,５０４号中
に示されたタイプの光架橋化性のものである。
【０００９】以下に含まれるものは、単独であるいは通
常のホトレジスト中にあるような他のものとの組み合わ
せのいずれかで、使用することのできるモノマーであ
る：ｔ−ブチルアクリレート、１,５−ペンタンジオー
ルジアクリレート、Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノエチルアク
リレート、エチレングリコールジアクリレート、１,４
−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリ
レート、１,３−プロパンジオールジアクリレート、デ
カメチレングリコールジアクリレート、デカメチレング
リコールジメタクリレート、１,４−シクロヘキサンジ
オールジアクリレート、２,２−ジメチロールプロパン
ジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ペンタンエリスリトールトリアクリレート、米国特
許第３,３８０,８３１号中で示されたようなポリオキシ
エチレートトリメチロールプロパントリアクリレートと
トリメタアクリレートおよび類似の化合物類、２,２−
ジ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、２,
２−ジ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
ポリオキシエチル−２,２−ジ−（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）−プロパンジメタクリレート、ビスフェノール−
Ａのジ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）エーテル、ビスフェノール−Ａのジ−（２−メタ
クリルオキシエチル）エーテル、ビスフェノール−Ａの
ジ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）
エーテル、ビスフェノール−Ａのジ−（２−アクリルオ
キシエチル）エーテル、テトラクロロ−ビスフェノール
−Ａのジ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロピル）エーテル、テトラクロロ−ビスフェノール−Ａ
のジ−（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、テト
ラブロモ−ビスフェノール−Ａのジ−（３−メタクリル
オキシ−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラブ
ロモ−ビスフェノール−Ａのジ−（２−メタクリルオキ
シエチル）エーテル、１,４−ブタンジオールのジ−
（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）エ
ーテル、ジフェノール酸のジ−（３−メタクリルオキシ
−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、トリエチレング
リコールジメタクリレート、ポリオキシプロピルトリメ
チロールプロパントリアクリレート、エチレングリコー
ルジメタクリレート、ブチレングリコールジメタクリレ
ート、１,３−プロパンジオールジメタクリレート、１,
２,４−ブタントリオールトリメタクリレート、２,２,
４−トリメチル−１,３−ペンタンジオールジメタクリ
レート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、１
−フェニルエチレン−１,２−ジメタクリレート、ペン
タエリスリトールテトラメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート、１,５−ペンタンジオ
ールジメタクリレート、ジアルリルフマレート、スチレ
ン、１,４−ベンゼンジオールジメタクリレート、１,４
−ジイソプロペニルベンゼンおよび１,３,５−トリイソ
プロペニルベンゼン。
常のホトレジスト中にあるような他のものとの組み合わ
せのいずれかで、使用することのできるモノマーであ
る：ｔ−ブチルアクリレート、１,５−ペンタンジオー
ルジアクリレート、Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノエチルアク
リレート、エチレングリコールジアクリレート、１,４
−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリ
レート、１,３−プロパンジオールジアクリレート、デ
カメチレングリコールジアクリレート、デカメチレング
リコールジメタクリレート、１,４−シクロヘキサンジ
オールジアクリレート、２,２−ジメチロールプロパン
ジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ペンタンエリスリトールトリアクリレート、米国特
許第３,３８０,８３１号中で示されたようなポリオキシ
エチレートトリメチロールプロパントリアクリレートと
トリメタアクリレートおよび類似の化合物類、２,２−
ジ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、２,
２−ジ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
ポリオキシエチル−２,２−ジ−（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）−プロパンジメタクリレート、ビスフェノール−
Ａのジ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）エーテル、ビスフェノール−Ａのジ−（２−メタ
クリルオキシエチル）エーテル、ビスフェノール−Ａの
ジ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）
エーテル、ビスフェノール−Ａのジ−（２−アクリルオ
キシエチル）エーテル、テトラクロロ−ビスフェノール
−Ａのジ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロピル）エーテル、テトラクロロ−ビスフェノール−Ａ
のジ−（２−メタクリルオキシエチル）エーテル、テト
ラブロモ−ビスフェノール−Ａのジ−（３−メタクリル
オキシ−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラブ
ロモ−ビスフェノール−Ａのジ−（２−メタクリルオキ
シエチル）エーテル、１,４−ブタンジオールのジ−
（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）エ
ーテル、ジフェノール酸のジ−（３−メタクリルオキシ
−２−ヒドロキシプロピル）エーテル、トリエチレング
リコールジメタクリレート、ポリオキシプロピルトリメ
チロールプロパントリアクリレート、エチレングリコー
ルジメタクリレート、ブチレングリコールジメタクリレ
ート、１,３−プロパンジオールジメタクリレート、１,
２,４−ブタントリオールトリメタクリレート、２,２,
４−トリメチル−１,３−ペンタンジオールジメタクリ
レート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、１
−フェニルエチレン−１,２−ジメタクリレート、ペン
タエリスリトールテトラメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート、１,５−ペンタンジオ
ールジメタクリレート、ジアルリルフマレート、スチレ
ン、１,４−ベンゼンジオールジメタクリレート、１,４
−ジイソプロペニルベンゼンおよび１,３,５−トリイソ
プロペニルベンゼン。
【００１０】前述のモノマー類に加えて、ホトレジスト
材料は少なくとも約３００の分子量をもつ、フリーラジ
カル開始性の重合可能な物質を１つまたはいくつか含む
ことができる。このタイプのモノマーは、アルキレンま
たはポリアルキレングリコールジアクリレートおよび米
国特許第２,９２７,０２２号中で述べられているもので
ある。
材料は少なくとも約３００の分子量をもつ、フリーラジ
カル開始性の重合可能な物質を１つまたはいくつか含む
ことができる。このタイプのモノマーは、アルキレンま
たはポリアルキレングリコールジアクリレートおよび米
国特許第２,９２７,０２２号中で述べられているもので
ある。
【００１１】活性放射線により活性化され、１８５℃お
よびこれ以下で熱的に不活性であるフリーラジカル開始
剤には以下に記載される置換または未置換の多核キノン
類が含まれる：９,１０−アントラキノン、１−クロロ
アントラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メチ
ルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オ
クタメチルアントラキノン、１,４−ナフトキノン、９,
１０−フェナントレキノン、１,２−ベンズアントラキ
ノン、２,３−ベンズアントラキノン、２−メチル−１,
４−ナフトキノン、２,３−ジクロロナフトキノン、１,
４−ジメチルアントラキノン、２,３−ジメチルアント
ラキノン、２−フェニルアントラキノン、２,３−ジフ
ェニルアントラキノン、アントラキノンアルファ−スル
ホン酸ナトリウム塩、３−クロロ−２−メチルアントラ
キノン、レテンキノン、７,８,９,１０−テトラヒドロ
ナフタセンキノンおよび１,２,３,４−テトラヒドロベ
ンズアントラセン−７,１２−ジオン。
よびこれ以下で熱的に不活性であるフリーラジカル開始
剤には以下に記載される置換または未置換の多核キノン
類が含まれる：９,１０−アントラキノン、１−クロロ
アントラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メチ
ルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オ
クタメチルアントラキノン、１,４−ナフトキノン、９,
１０−フェナントレキノン、１,２−ベンズアントラキ
ノン、２,３−ベンズアントラキノン、２−メチル−１,
４−ナフトキノン、２,３−ジクロロナフトキノン、１,
４−ジメチルアントラキノン、２,３−ジメチルアント
ラキノン、２−フェニルアントラキノン、２,３−ジフ
ェニルアントラキノン、アントラキノンアルファ−スル
ホン酸ナトリウム塩、３−クロロ−２−メチルアントラ
キノン、レテンキノン、７,８,９,１０−テトラヒドロ
ナフタセンキノンおよび１,２,３,４−テトラヒドロベ
ンズアントラセン−７,１２−ジオン。
【００１２】８５℃よりも低い温度で熱的に活性となり
得る他の有用な光開始剤は米国特許第２,７６０,８６３
号中に述べられている。
得る他の有用な光開始剤は米国特許第２,７６０,８６３
号中に述べられている。
【００１３】米国特許第２,８５０,４４５号；同第２,
８７５,０４７号；同第３,０９７,０９６号；同第３,０
７４,９７４号；同第３,０９７,０９７号および同第３,
１４５,１０４号中に述べられている光還元可能な色素
およびその他の還元剤、同様にフェナジン、オキサジン
およびキノン類などの色素；米国特許第３,４２７,１６
１号；同第３,４７９,１８５号および同第３,５４９,３
６７号中で述べられているミヒラーケトン、ベンゾフェ
ノン、２,４,５−トリフェニルイミダゾイルダイマーと
水素供与体およびこれらの混合物などを開始剤として用
いることができる。米国特許第４,３４１,８６０号のシ
クロヘキサジエノン化合物も開始剤として有用である。
この他米国特許第４,１６２,１６２号中に述べられてい
る増感剤は、光開始剤および光抑制剤と組み合わせて有
用である。
８７５,０４７号；同第３,０９７,０９６号；同第３,０
７４,９７４号；同第３,０９７,０９７号および同第３,
１４５,１０４号中に述べられている光還元可能な色素
およびその他の還元剤、同様にフェナジン、オキサジン
およびキノン類などの色素；米国特許第３,４２７,１６
１号；同第３,４７９,１８５号および同第３,５４９,３
６７号中で述べられているミヒラーケトン、ベンゾフェ
ノン、２,４,５−トリフェニルイミダゾイルダイマーと
水素供与体およびこれらの混合物などを開始剤として用
いることができる。米国特許第４,３４１,８６０号のシ
クロヘキサジエノン化合物も開始剤として有用である。
この他米国特許第４,１６２,１６２号中に述べられてい
る増感剤は、光開始剤および光抑制剤と組み合わせて有
用である。
【００１４】単独であるいは同じような他のものとまた
は重合可能なモノマー類と組み合わせて、使用すること
のできるポリマー性バインダーには以下のものが含まれ
る：ポリアクリレートおよびアルファ−アルキルポリア
クリレートエステル類、すなわちポリメチルメタクリレ
ートとポリエチルメタクリレート；ポリビニルエステル
類、すなわちポリビニルアセテート、ポリビニルアセテ
ート／アクリレート、ポリビニルアセテート／メタクリ
レートおよび水和したポリビニルアセテート；エチレン
／ビニルアセテートコポリマー類；ポリスチレンポリマ
ーおよびコポリマー類、すなわち無水マレイン酸および
エステル類との；塩化ビニリデンコポリマー、すなわち
塩化ビニリデン／アクリロニトリル、塩化ビニリデン／
メタクリレートおよび塩化ビニリデン／ビニルアセテー
トコポリマー；ポリ塩化ビニルとコポリマー類、すなわ
ちポリ塩化ビニル／アセテート；飽和および不飽和ポリ
ウレタン類；合成ゴム類、すなわちブタジエン／アクリ
ロニトリル、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレ
ン、メタクリレート／アクリロニトリル／ブタジエン／
スチレンコポリマー、２−クロロブタジエン−１,３ポ
リマー、塩素化ゴムおよびスチレン／ブタジエン／スチ
レン、スチレン／イソプレン／スチレンブロックコポリ
マー類；約４,０００〜１００,０００の平均分子量を有
するポリグリコールの高分子量ポリエチレンオキシド；
エポキシド類、すなわちアクリレートまたはメタクリレ
ート基を含むもの；コポリエステル類；ナイロンまたは
ポリアミド、すなわちＮ−メトキシメチル、ポリヘキサ
メチレンアジパミド；セルロースエステル類、すなわち
セルロースアセテートサクシネートおよびセルロースア
セテートブチレート；セルロースエーテル類、すなわち
メチルセルロース、エチルセルロースおよびベンジルセ
ルロース；ポリカーボネート類；ポリビニルアセター
ル、すなわちポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール；ポリホルムアルデヒド類。
は重合可能なモノマー類と組み合わせて、使用すること
のできるポリマー性バインダーには以下のものが含まれ
る：ポリアクリレートおよびアルファ−アルキルポリア
クリレートエステル類、すなわちポリメチルメタクリレ
ートとポリエチルメタクリレート；ポリビニルエステル
類、すなわちポリビニルアセテート、ポリビニルアセテ
ート／アクリレート、ポリビニルアセテート／メタクリ
レートおよび水和したポリビニルアセテート；エチレン
／ビニルアセテートコポリマー類；ポリスチレンポリマ
ーおよびコポリマー類、すなわち無水マレイン酸および
エステル類との；塩化ビニリデンコポリマー、すなわち
塩化ビニリデン／アクリロニトリル、塩化ビニリデン／
メタクリレートおよび塩化ビニリデン／ビニルアセテー
トコポリマー；ポリ塩化ビニルとコポリマー類、すなわ
ちポリ塩化ビニル／アセテート；飽和および不飽和ポリ
ウレタン類；合成ゴム類、すなわちブタジエン／アクリ
ロニトリル、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレ
ン、メタクリレート／アクリロニトリル／ブタジエン／
スチレンコポリマー、２−クロロブタジエン−１,３ポ
リマー、塩素化ゴムおよびスチレン／ブタジエン／スチ
レン、スチレン／イソプレン／スチレンブロックコポリ
マー類；約４,０００〜１００,０００の平均分子量を有
するポリグリコールの高分子量ポリエチレンオキシド；
エポキシド類、すなわちアクリレートまたはメタクリレ
ート基を含むもの；コポリエステル類；ナイロンまたは
ポリアミド、すなわちＮ−メトキシメチル、ポリヘキサ
メチレンアジパミド；セルロースエステル類、すなわち
セルロースアセテートサクシネートおよびセルロースア
セテートブチレート；セルロースエーテル類、すなわち
メチルセルロース、エチルセルロースおよびベンジルセ
ルロース；ポリカーボネート類；ポリビニルアセター
ル、すなわちポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール；ポリホルムアルデヒド類。
【００１５】以上に列挙したポリマー性バインダーに加
えて、米国特許第３,７５４,９２０号中に述べられたよ
うな特定の増粘剤、すなわちシリカ、クレー、アルミ
ナ、ベントナイト、カロリナイト、その他などを用いる
ことができる。
えて、米国特許第３,７５４,９２０号中に述べられたよ
うな特定の増粘剤、すなわちシリカ、クレー、アルミ
ナ、ベントナイト、カロリナイト、その他などを用いる
ことができる。
【００１６】ホトレジストの水性現像が望まれるとき、
水性現像液中で処理可能な組成物とするために、バイン
ダーは充分に酸性なまたはその他の官能性基を含むべき
である。適当な水性−処理可能なバインダーには、米国
特許第３,４５８,３１１号と同第４,２７３,８５６号中
で述べられたものが含まれる。米国特許第４,２９３,６
３５号中で述べられているような、アミノアルキルアク
リレートまたはメタクリレート、酸性のフィルム形成性
コモノマーおよびアルキルまたはヒドロキシアルキルア
クリレートから導かれたポリマー類を含ますことができ
る。
水性現像液中で処理可能な組成物とするために、バイン
ダーは充分に酸性なまたはその他の官能性基を含むべき
である。適当な水性−処理可能なバインダーには、米国
特許第３,４５８,３１１号と同第４,２７３,８５６号中
で述べられたものが含まれる。米国特許第４,２９３,６
３５号中で述べられているような、アミノアルキルアク
リレートまたはメタクリレート、酸性のフィルム形成性
コモノマーおよびアルキルまたはヒドロキシアルキルア
クリレートから導かれたポリマー類を含ますことができ
る。
【００１７】普通、熱重合抑制剤を存在させて感光性組
成物の保存中の安定性を増加させる。このような抑制剤
にはｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキル
およびアリール置換ヒドロキノンとキノン、ｔ−ブチル
カテコール、ピロガロール、レジン酸銅、ナフチルアミ
ン、ベータ−ナフトール、塩化第一銅、２,６−ｔ−ブ
チル−ｐ−クレゾール、フェノチアジン、ピリジン、ニ
トロベンゼンとジニトロベンゼン、ｐ−トルキノンおよ
びクロラニルなどである。熱重合抑制剤に有用なもの
は、米国特許第４,１６８,９８２号中に述べられている
ニトロソ組成物である。
成物の保存中の安定性を増加させる。このような抑制剤
にはｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキル
およびアリール置換ヒドロキノンとキノン、ｔ−ブチル
カテコール、ピロガロール、レジン酸銅、ナフチルアミ
ン、ベータ−ナフトール、塩化第一銅、２,６−ｔ−ブ
チル−ｐ−クレゾール、フェノチアジン、ピリジン、ニ
トロベンゼンとジニトロベンゼン、ｐ−トルキノンおよ
びクロラニルなどである。熱重合抑制剤に有用なもの
は、米国特許第４,１６８,９８２号中に述べられている
ニトロソ組成物である。
【００１８】レジスト像の可視性を高めるため染料およ
び顔料を加えることもできる。しかしながら、使用され
る着色料はどれも用いられる放射線に対し透明でなけれ
ばならない。
び顔料を加えることもできる。しかしながら、使用され
る着色料はどれも用いられる放射線に対し透明でなけれ
ばならない。
【００１９】このような感光性組成物の実例は米国特許
第４,６９３,９５９号の第１表中に記載されている。
第４,６９３,９５９号の第１表中に記載されている。
【００２０】これらの組成物の調製に際しては、一般に
常圧で揮発性である不活性溶剤が使用される。この例に
はアルコールおよびエーテルアルコール、エステル、芳
香族、ケトン、塩素化炭化水素、脂肪族炭化水素、ジメ
チルスルホオキシド、ピリジン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジシアノシクロブタンおよび１−メチル−
２−オキソ−ヘキサメチレンイミンなどのような各種溶
剤および溶液とするのに必要とされる各種比率でのこれ
ら溶剤混合物などが含まれる。塗膜が支持ファイルに接
着するのを防ぐために粘着防止剤を含ますこともでき
る。
常圧で揮発性である不活性溶剤が使用される。この例に
はアルコールおよびエーテルアルコール、エステル、芳
香族、ケトン、塩素化炭化水素、脂肪族炭化水素、ジメ
チルスルホオキシド、ピリジン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジシアノシクロブタンおよび１−メチル−
２−オキソ−ヘキサメチレンイミンなどのような各種溶
剤および溶液とするのに必要とされる各種比率でのこれ
ら溶剤混合物などが含まれる。塗膜が支持ファイルに接
着するのを防ぐために粘着防止剤を含ますこともでき
る。
【００２１】ある種のポリマーについては、フィルムま
たは塗膜に柔軟性を与えるため、液体または固体のいず
れかの可塑剤を添加することが好ましい。適当な可塑剤
は米国特許第３,６５８,５４３号中に述べられている。
好ましい液体可塑剤はノニルフェノキシポリ（エチレン
オキシ）−エタノールである。好ましい固体の可塑剤は
Ｎ−エチル−ｐ−トルエンスルホンアミドである。
たは塗膜に柔軟性を与えるため、液体または固体のいず
れかの可塑剤を添加することが好ましい。適当な可塑剤
は米国特許第３,６５８,５４３号中に述べられている。
好ましい液体可塑剤はノニルフェノキシポリ（エチレン
オキシ）−エタノールである。好ましい固体の可塑剤は
Ｎ−エチル−ｐ−トルエンスルホンアミドである。
【００２２】光画像化組成物はまた各種の工業的プロセ
ス中でハンダマスクとして利用されている。このような
利用に際して、光画像化組成物は印刷回路板に組成物が
付与され、ついでホトリソグラフにより板上の色々な下
にある図形が露出されるとともに他のものをマスキング
するように用いられる。ハンダ付け工程に際しハンダは
露出された下にある構成要素の上に付着される。ハンダ
マスク用の材料は適切な方法、例えばカーテン塗布法に
より付与できるように処方されることが肝要である。エ
ポキシを使用する多くのものを含めて、適当な光画像化
組成物が以下の各特許中で述べられている：米国特許第
４,２７９,９８５号；同第４,４５８,８９０号；同第
４,３５１,７０８号；同第４,１３８,２５５号；同第
４,０６９,０５５号；同第４,２５０,０５３号；同第
４,０５８,４０１号；同第４,６５９,６４９号；同第
４,５４４,６２３号；同第４,６８４,６７１号；同第
４,６２４,９１２号；同第４,１７５,９６３号；同第
４,０８１,２７６号；同第４,６９３,９６１号および同
第４,４４２,１９７号。
ス中でハンダマスクとして利用されている。このような
利用に際して、光画像化組成物は印刷回路板に組成物が
付与され、ついでホトリソグラフにより板上の色々な下
にある図形が露出されるとともに他のものをマスキング
するように用いられる。ハンダ付け工程に際しハンダは
露出された下にある構成要素の上に付着される。ハンダ
マスク用の材料は適切な方法、例えばカーテン塗布法に
より付与できるように処方されることが肝要である。エ
ポキシを使用する多くのものを含めて、適当な光画像化
組成物が以下の各特許中で述べられている：米国特許第
４,２７９,９８５号；同第４,４５８,８９０号；同第
４,３５１,７０８号；同第４,１３８,２５５号；同第
４,０６９,０５５号；同第４,２５０,０５３号；同第
４,０５８,４０１号；同第４,６５９,６４９号；同第
４,５４４,６２３号；同第４,６８４,６７１号；同第
４,６２４,９１２号；同第４,１７５,９６３号；同第
４,０８１,２７６号；同第４,６９３,９６１号および同
第４,４４２,１９７号。
【００２３】ごく最近改良されたカチオン性の光画像化
ハンダマスクが、本発明出願人に譲渡された米国特許第
５,０２６,６２４号中で述べられており、この記述をこ
こに参考に挙げておく。実際に、米国特許第５,０２６,
６２４号は改良されたカチオン性の光画像化光重合性の
エポキシベース塗膜材料を示している。この材料は、約
４０００〜１３０,０００間の分子量を有するエピクロ
ヒドリンとビスフェノールＡとの縮合生成物であるポリ
オール樹脂の約１０〜約８０重量％；４００〜１０,０
００の分子量を有するエポキシ化された８官能性ビスフ
ェノールＡホルムアルデヒドノボラック樹脂の約２０〜
約９０重量％；およびもし耐炎性が必要とされるときは
約６００〜２５０００間の分子量をもつエポキシ化され
ているテトラブロモビスフェノールＡのグリシジルエー
テルの約３５〜５０重量％から本質的に構成されるエポ
キシ樹脂系を含んでいる。この樹脂系に対して、活性放
射線の露光に際しこのエポキシ化樹脂系の重合を開始し
うるカチオン性の光開始剤を樹脂１００部当り約０.１
〜約１５重量部添加し；任意的に約１０重量部までの分
量の増感剤を添加することもできる。
ハンダマスクが、本発明出願人に譲渡された米国特許第
５,０２６,６２４号中で述べられており、この記述をこ
こに参考に挙げておく。実際に、米国特許第５,０２６,
６２４号は改良されたカチオン性の光画像化光重合性の
エポキシベース塗膜材料を示している。この材料は、約
４０００〜１３０,０００間の分子量を有するエピクロ
ヒドリンとビスフェノールＡとの縮合生成物であるポリ
オール樹脂の約１０〜約８０重量％；４００〜１０,０
００の分子量を有するエポキシ化された８官能性ビスフ
ェノールＡホルムアルデヒドノボラック樹脂の約２０〜
約９０重量％；およびもし耐炎性が必要とされるときは
約６００〜２５０００間の分子量をもつエポキシ化され
ているテトラブロモビスフェノールＡのグリシジルエー
テルの約３５〜５０重量％から本質的に構成されるエポ
キシ樹脂系を含んでいる。この樹脂系に対して、活性放
射線の露光に際しこのエポキシ化樹脂系の重合を開始し
うるカチオン性の光開始剤を樹脂１００部当り約０.１
〜約１５重量部添加し；任意的に約１０重量部までの分
量の増感剤を添加することもできる。
【００２４】ハンダマスク材料は、ハンダマスクが取り
除かれる場所の区域が不透明であるホトツールを通じ
て、中圧水銀ランプからのＵＶ放射線に対して通常露光
される。ＵＶ放射線に対する露光後に、回路板はスルホ
ニウム塩の光分解生成物により開始された架橋化反応を
促進するため短時間ベークされる。約１００〜約１５０
℃間のベーク温度と約２〜１０分のベーク時間とが用い
られる。このような処方の一例が米国特許第５,０２６,
６２４号の表１中に示されている。
除かれる場所の区域が不透明であるホトツールを通じ
て、中圧水銀ランプからのＵＶ放射線に対して通常露光
される。ＵＶ放射線に対する露光後に、回路板はスルホ
ニウム塩の光分解生成物により開始された架橋化反応を
促進するため短時間ベークされる。約１００〜約１５０
℃間のベーク温度と約２〜１０分のベーク時間とが用い
られる。このような処方の一例が米国特許第５,０２６,
６２４号の表１中に示されている。
【００２５】ネガ型レジストの処理に際して、フィルム
の未露光区域は数分またはこれ以下の間に、スプレー状
の液体現像液の作用により印刷回路板または基板の表面
から取り除かれる。ホトレジスト組成物のそれぞれのタ
イプにより、液体現像液は単なる有機溶剤、無機塩基の
水性溶液、または米国特許第３,４７５,１７１号中で述
べられているような、有機溶剤と水性塩基の組み合わせ
の半−水性現像液としたものなどとすることができる。
の未露光区域は数分またはこれ以下の間に、スプレー状
の液体現像液の作用により印刷回路板または基板の表面
から取り除かれる。ホトレジスト組成物のそれぞれのタ
イプにより、液体現像液は単なる有機溶剤、無機塩基の
水性溶液、または米国特許第３,４７５,１７１号中で述
べられているような、有機溶剤と水性塩基の組み合わせ
の半−水性現像液としたものなどとすることができる。
【００２６】メチルクロロホルム（ＭＣＦ）、ａ／ｋ／
ａ １,１,１−トリクロロエタンおよび塩化メチレン
（ＭＣ）、ａ／ｋ／ａ ジクロロメタンは、電子部品パ
ッケージング技術およびその他の技術において、化学薬
品の作用に対して抵抗性である多数のホトレジストの現
像と除去に広く使用されている溶剤である。付加的方法
において用いられている強アルカリ性の無電解銅メッキ
浴は、ホトレジストに対して代表的に苛酷な環境を与え
るものである。一般に、化学的に耐性のさらに大きなレ
ジストは塩化メチレンのような有機溶剤中で除去可能で
ある。環境の化学的な要請をより小さくするためには水
性で現像しうるホトレジストが適切であるかも知れな
い。しかしながら、有機的に現像可能なレジストは無電
解銅メッキの環境下では使用され続けており、また水性
レジストが傷つきやすい環境下では、デュポン社のリス
トンＴ−１６８のようなアクリレート−ベースのレジス
トおよびデュポン社のバクレル７００と９００シリーズ
のような溶剤処理ハンダマスクと組み合わせた、プリン
トバンドおよび薄膜技術においても使用され続けてい
る。
ａ １,１,１−トリクロロエタンおよび塩化メチレン
（ＭＣ）、ａ／ｋ／ａ ジクロロメタンは、電子部品パ
ッケージング技術およびその他の技術において、化学薬
品の作用に対して抵抗性である多数のホトレジストの現
像と除去に広く使用されている溶剤である。付加的方法
において用いられている強アルカリ性の無電解銅メッキ
浴は、ホトレジストに対して代表的に苛酷な環境を与え
るものである。一般に、化学的に耐性のさらに大きなレ
ジストは塩化メチレンのような有機溶剤中で除去可能で
ある。環境の化学的な要請をより小さくするためには水
性で現像しうるホトレジストが適切であるかも知れな
い。しかしながら、有機的に現像可能なレジストは無電
解銅メッキの環境下では使用され続けており、また水性
レジストが傷つきやすい環境下では、デュポン社のリス
トンＴ−１６８のようなアクリレート−ベースのレジス
トおよびデュポン社のバクレル７００と９００シリーズ
のような溶剤処理ハンダマスクと組み合わせた、プリン
トバンドおよび薄膜技術においても使用され続けてい
る。
【００２７】１,１,１−トリクロロエタンと塩化メチレ
ンの使用は、地球のオゾン層の消失に関するガス状ハロ
ゲン化炭化水素の効果および大気に対し発癌性が疑われ
ている物質の導入、などに関する環境上の関心の高まり
のため嫌われている。いくつかの国ではこれらを全廃す
る目標に達している。しかしながら、水性現像しうるレ
ジストの使用には簡単に片づかない多くの製造工程が存
在するのである。
ンの使用は、地球のオゾン層の消失に関するガス状ハロ
ゲン化炭化水素の効果および大気に対し発癌性が疑われ
ている物質の導入、などに関する環境上の関心の高まり
のため嫌われている。いくつかの国ではこれらを全廃す
る目標に達している。しかしながら、水性現像しうるレ
ジストの使用には簡単に片づかない多くの製造工程が存
在するのである。
【００２８】そこで、産業界では１,１,１−トリクロロ
エタンおよび塩化メチレンに代わる有機溶剤を探し続け
ている。この新規な溶剤は可燃性、毒性、溶解効率、保
存性、廃棄性、再利用可能性、組成の単純さおよび各レ
ジストとの適合性などに関する特定の製造上および環境
上の要請に合致しなければならない。
エタンおよび塩化メチレンに代わる有機溶剤を探し続け
ている。この新規な溶剤は可燃性、毒性、溶解効率、保
存性、廃棄性、再利用可能性、組成の単純さおよび各レ
ジストとの適合性などに関する特定の製造上および環境
上の要請に合致しなければならない。
【００２９】リストンホトレジストをベースとするスト
リップ溶剤用の代替溶剤がResearch Disclosures, １９
８９年６月号、第３０２頁に述べられている。
リップ溶剤用の代替溶剤がResearch Disclosures, １９
８９年６月号、第３０２頁に述べられている。
【００３０】１,１,１−トリクロロエタンおよび塩化メ
チレンに対する環境に優しい代替品を得るために行われ
た試みが報告されている。しかしながら、本発明の簡単
な環境的に受け入れられる、周囲温度現像液およびスト
リップ剤を述べた文献は見当たらない。
チレンに対する環境に優しい代替品を得るために行われ
た試みが報告されている。しかしながら、本発明の簡単
な環境的に受け入れられる、周囲温度現像液およびスト
リップ剤を述べた文献は見当たらない。
【００３１】
【発明の要点】従って、本発明の１つの目的は、環境に
優しく無害な現像液を提供することで、このものは特定
の区域から有機溶剤現像性のホトレジストを取り除くの
に効果的なものである。
優しく無害な現像液を提供することで、このものは特定
の区域から有機溶剤現像性のホトレジストを取り除くの
に効果的なものである。
【００３２】さらに本発明の目的は、実質的に１つの単
純な化合物から構成され、このものは合理的な短かい時
間内にほぼ周囲温度において所定の区域からホトレジス
トを取り除くのに効果的な現像液を提供することであ
る。
純な化合物から構成され、このものは合理的な短かい時
間内にほぼ周囲温度において所定の区域からホトレジス
トを取り除くのに効果的な現像液を提供することであ
る。
【００３３】さらに別の本発明の目的は、リストンＴ−
１６８とポリメチルメタクリレートのようなアクリレー
トベースのホトレジストおよびバクレル７００と９００
シリーズのような溶剤処理ハンダマスクの現像に使用す
るための、ハロゲン化炭化水素現像液に代わるものを提
供することである。提供される変更にはプロピレンカー
ボネート（ＰＣ）、ガンマブチロラクトン（ＢＬＯ）お
よびベンジルアルコール（ＢＡ）からなる群より選ばれ
た、高沸点溶剤中での放射線露光済レジストの現像が含
まれている。この方法は約２４〜４５℃で約０.５〜１
２分間行われ、そして余分の現像液を除くため普通は続
けて温水または別の低沸点溶剤により処理をする。
１６８とポリメチルメタクリレートのようなアクリレー
トベースのホトレジストおよびバクレル７００と９００
シリーズのような溶剤処理ハンダマスクの現像に使用す
るための、ハロゲン化炭化水素現像液に代わるものを提
供することである。提供される変更にはプロピレンカー
ボネート（ＰＣ）、ガンマブチロラクトン（ＢＬＯ）お
よびベンジルアルコール（ＢＡ）からなる群より選ばれ
た、高沸点溶剤中での放射線露光済レジストの現像が含
まれている。この方法は約２４〜４５℃で約０.５〜１
２分間行われ、そして余分の現像液を除くため普通は続
けて温水または別の低沸点溶剤により処理をする。
【００３４】この現像液はまたメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモ
ノメチルアセテート、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキ
シド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水からなる
群より選ばれた添加物を約０.１から約１０重量％まで
の分量で含むことができる。
ル、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモ
ノメチルアセテート、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキ
シド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水からなる
群より選ばれた添加物を約０.１から約１０重量％まで
の分量で含むことができる。
【００３５】本発明のさらに別の目的は、リストンＴ−
１６８およびバクレル７００と９００シリーズのような
アクリレートベースのホトレジストまたは溶剤処理可能
なハンダマスクのストリップに使用するためのハロゲン
化炭化水素ストリップ剤の代替品を提供し、そしてプロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールのような高沸点溶剤中で、放射線露光済
みレジストをストリップすることからなるポリメチルメ
タクリレートレジストのストリップ方法を提供すること
である。前述の溶剤を使用するとき、この方法は約５０
〜約１００℃で約６〜約１２分間行われ、そして普通は
次いで余分のストリップ剤を除くために温水リンスの処
理をする。
１６８およびバクレル７００と９００シリーズのような
アクリレートベースのホトレジストまたは溶剤処理可能
なハンダマスクのストリップに使用するためのハロゲン
化炭化水素ストリップ剤の代替品を提供し、そしてプロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールのような高沸点溶剤中で、放射線露光済
みレジストをストリップすることからなるポリメチルメ
タクリレートレジストのストリップ方法を提供すること
である。前述の溶剤を使用するとき、この方法は約５０
〜約１００℃で約６〜約１２分間行われ、そして普通は
次いで余分のストリップ剤を除くために温水リンスの処
理をする。
【００３６】このストリップ剤はまたメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコー
ルモノメチルアセテート、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレン
オキシド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水から
なる群より選ばれた添加物を約０.１から約１０重量％
までの分量で含むことができる。
ノール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコー
ルモノメチルアセテート、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレン
オキシド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水から
なる群より選ばれた添加物を約０.１から約１０重量％
までの分量で含むことができる。
【００３７】本発明はリストンタイプノホトレジストを
効率的にストリップするために非毒性の溶剤を利用す
る。メチルクロロホルム（ＭＣＦ）、メチルエチルケト
ン（ＭＥＫ）、キシレンまたは前記の混合物のような低
沸点溶剤の使用は、塩化メチレンストリップ法と類似で
ある。一方高沸点のもの、すなわちｎ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）、ガンマブチロラクトン（ＢＬＯ）、ジメ
チルスルホオキシド（ＤＭＳＯ）およびプロピレンカー
ボネート（ＰＣ）の使用は、相容性の溶剤または水によ
るリンス工程が次いで行われる。この拡張としてストリ
ップ中の温度を約５０℃±３℃以上に維持するならば、
ＭＣのものに匹敵する溶解時間を得るためさらに効率的
である。改良された溶解時間は５０〜１００℃間のスト
リップ温度により達成できることが認められ、この条件
は本発明中に組み込まれている。
効率的にストリップするために非毒性の溶剤を利用す
る。メチルクロロホルム（ＭＣＦ）、メチルエチルケト
ン（ＭＥＫ）、キシレンまたは前記の混合物のような低
沸点溶剤の使用は、塩化メチレンストリップ法と類似で
ある。一方高沸点のもの、すなわちｎ−メチルピロリド
ン（ＮＭＰ）、ガンマブチロラクトン（ＢＬＯ）、ジメ
チルスルホオキシド（ＤＭＳＯ）およびプロピレンカー
ボネート（ＰＣ）の使用は、相容性の溶剤または水によ
るリンス工程が次いで行われる。この拡張としてストリ
ップ中の温度を約５０℃±３℃以上に維持するならば、
ＭＣのものに匹敵する溶解時間を得るためさらに効率的
である。改良された溶解時間は５０〜１００℃間のスト
リップ温度により達成できることが認められ、この条件
は本発明中に組み込まれている。
【００３８】前記の現像とストリップの全操作に際し
て、ホトレジストまたはハンダマスクの除去は残滓を減
少させかつドラッグアウト（dragout）を最小とするた
めに、現像工程後にスクイーズロールを作用し、またス
トリップ工程中にブラシを用いておだやかにこすって手
助けすることができる。また、ストリップ後の水リンス
はイソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケ
トンおよびキシレンのような低沸点溶剤中でリンスして
代替することができる。
て、ホトレジストまたはハンダマスクの除去は残滓を減
少させかつドラッグアウト（dragout）を最小とするた
めに、現像工程後にスクイーズロールを作用し、またス
トリップ工程中にブラシを用いておだやかにこすって手
助けすることができる。また、ストリップ後の水リンス
はイソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケ
トンおよびキシレンのような低沸点溶剤中でリンスして
代替することができる。
【００３９】
【好ましい具体例の説明】本発明の理解を容易にするた
めに以下の非限定的な実施例を示す。
めに以下の非限定的な実施例を示す。
【００４０】〔実施例１〕２４×２８インチ（６１×７
１cm）の大きさをもつシグナルコアが、回路配線露光後
しかも現像工程の前にリストンＴ−１６８中に得られ、
これを撹拌している現像液中に入れた。実験条件は表１
中に示してある。配線チャンネルをきれいにした後に、
各試料を熱水でリンスした。現像した各パネルを付加的
に銅メッキした。線幅と線のフレアリングとをパネルの
断面部により測定をした。以上の各実験条件から得られ
た結果（表２）は、現像液としてメチルクロロホルムを
使用した通常の方法から著るしい相違のないことを示し
ている。このＭＣＦはピッツバーク板ガラス社からＭＣ
Ｆ−３４８ＰＰＧとして入手したものである。このタイ
プのＭＣＦは酸緩衝剤のような抑制剤を含むものと思わ
れる。プロピレンカーボネートの現像プロセスは他の現
像液よりも温度の影響が小さいことが認められた。これ
らの各溶剤は浸漬およびスプレーの両方の処理条件下で
使用できる。現像と水リンス工程の両方に改善された処
理条件を使用する（表３）プロピレンカーボネートの場
合、得られた結果は現像液としてメチルクロロホルムを
使用して得られたものに匹敵するものである（表４）。
１cm）の大きさをもつシグナルコアが、回路配線露光後
しかも現像工程の前にリストンＴ−１６８中に得られ、
これを撹拌している現像液中に入れた。実験条件は表１
中に示してある。配線チャンネルをきれいにした後に、
各試料を熱水でリンスした。現像した各パネルを付加的
に銅メッキした。線幅と線のフレアリングとをパネルの
断面部により測定をした。以上の各実験条件から得られ
た結果（表２）は、現像液としてメチルクロロホルムを
使用した通常の方法から著るしい相違のないことを示し
ている。このＭＣＦはピッツバーク板ガラス社からＭＣ
Ｆ−３４８ＰＰＧとして入手したものである。このタイ
プのＭＣＦは酸緩衝剤のような抑制剤を含むものと思わ
れる。プロピレンカーボネートの現像プロセスは他の現
像液よりも温度の影響が小さいことが認められた。これ
らの各溶剤は浸漬およびスプレーの両方の処理条件下で
使用できる。現像と水リンス工程の両方に改善された処
理条件を使用する（表３）プロピレンカーボネートの場
合、得られた結果は現像液としてメチルクロロホルムを
使用して得られたものに匹敵するものである（表４）。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】
【表４】
【００４５】すべての表中で現像とリンス工程とは時間
を延長しても効果がないため作業の上限を示してあるこ
とを理解すべきである。それ故に、ここに示した以上の
時間も表中のものと同等と思われる。
を延長しても効果がないため作業の上限を示してあるこ
とを理解すべきである。それ故に、ここに示した以上の
時間も表中のものと同等と思われる。
【００４６】〔実施例２〕バクレル９３０を塗布した複
合体から作ったクーポンを得て、これを撹拌しているガ
ンマブチロラクトン中に入れた。現像時間は約２２℃で
約２分間である。クーポンは残留している溶剤を取り除
くため温水をすすいで処理をした。各クーポンは溶剤現
像液に以下の各工程により処理した。Ａ）現像後の真空
ベーク：１５０℃、２時間、Ｂ）ＵＶ***：６ジュー
ル、Ｃ）蒸気ブラスト：コンベア速度２.０６フィート
／分（６２.８cm／分）；噴射圧３５psi（２.４６kg／c
m2)；ブラスト材酸化アルミニウム。前記の各工程（Ａ,
Ｂ,Ｃ）の後、各クーポンは通常のポスト−バクレルの
クリーンサイクルとすず浸漬ハンダ付けラインを通じて
処理をした。
合体から作ったクーポンを得て、これを撹拌しているガ
ンマブチロラクトン中に入れた。現像時間は約２２℃で
約２分間である。クーポンは残留している溶剤を取り除
くため温水をすすいで処理をした。各クーポンは溶剤現
像液に以下の各工程により処理した。Ａ）現像後の真空
ベーク：１５０℃、２時間、Ｂ）ＵＶ***：６ジュー
ル、Ｃ）蒸気ブラスト：コンベア速度２.０６フィート
／分（６２.８cm／分）；噴射圧３５psi（２.４６kg／c
m2)；ブラスト材酸化アルミニウム。前記の各工程（Ａ,
Ｂ,Ｃ）の後、各クーポンは通常のポスト−バクレルの
クリーンサイクルとすず浸漬ハンダ付けラインを通じて
処理をした。
【００４７】〔実施例３〕バクレル９３０が活性放射線
に露光されている実施例２のクーポンをガンマブチロラ
クトン中に入れ６０℃において振動させた。露光済みバ
クレルを２.５分以内にラミネートの表面からストリッ
プした。
に露光されている実施例２のクーポンをガンマブチロラ
クトン中に入れ６０℃において振動させた。露光済みバ
クレルを２.５分以内にラミネートの表面からストリッ
プした。
【００４８】〔実施例４〕バクレル９３０を塗布した複
合体から作ったクーポンを撹拌しているプロピレンカー
ボネート中に入れた。現像時間は２２℃で１０分であ
る。現像後の温水リンスでクーポン上の余分の溶剤をと
り除いた。表面上に露光されたバクレルを有する上記ク
ーポンの別のセットをプロピレンカーボネートにより処
理し、露光されたバクレル９３０は約６０℃の溶剤温度
で約６〜約７分以内にラミネート体から除去される。
合体から作ったクーポンを撹拌しているプロピレンカー
ボネート中に入れた。現像時間は２２℃で１０分であ
る。現像後の温水リンスでクーポン上の余分の溶剤をと
り除いた。表面上に露光されたバクレルを有する上記ク
ーポンの別のセットをプロピレンカーボネートにより処
理し、露光されたバクレル９３０は約６０℃の溶剤温度
で約６〜約７分以内にラミネート体から除去される。
【００４９】〔実施例５〕１０×１５インチ（２５.４
×３８.１cm）の回路ラミネートは、本発明出願人に譲
渡されている米国特許第５,０２６,６２４号中に示され
ている、改良されたカチオン性の光イメージ化可能なハ
ンダマスクにより塗布された。このような処方の１例は
前記特許の第１表中に示されている。
×３８.１cm）の回路ラミネートは、本発明出願人に譲
渡されている米国特許第５,０２６,６２４号中に示され
ている、改良されたカチオン性の光イメージ化可能なハ
ンダマスクにより塗布された。このような処方の１例は
前記特許の第１表中に示されている。
【００５０】これらのラミネートは、ハンダマスクの取
り除かれる部分が不透明であるホトリノールを通じて、
中圧水銀燈からの約１２００〜１５００mjのＵＶ放射線
に露光をした。ＵＶ光に露光した後に、スルホニウム塩
の光分解生成物により開始された架橋化反応を促進させ
るため、ラミネートを１２５℃で約２０〜３０分間ベー
クする。ついで前記サンプルから１cm角のクーポンを取
り出し、プロピレンカーボネート中に振動作用とともに
浸漬し、約３０〜４０℃に約１〜３分間加熱して現像し
回路板の表面上に所望のパターンを作った。現像液のス
プレー圧は２５〜５０psi（１.７６〜３.５２kg／cm2）
にセットし、また水リンスは周囲温度において２５〜３
６psi（１.７６〜２.５３kg／cm2）であった。
り除かれる部分が不透明であるホトリノールを通じて、
中圧水銀燈からの約１２００〜１５００mjのＵＶ放射線
に露光をした。ＵＶ光に露光した後に、スルホニウム塩
の光分解生成物により開始された架橋化反応を促進させ
るため、ラミネートを１２５℃で約２０〜３０分間ベー
クする。ついで前記サンプルから１cm角のクーポンを取
り出し、プロピレンカーボネート中に振動作用とともに
浸漬し、約３０〜４０℃に約１〜３分間加熱して現像し
回路板の表面上に所望のパターンを作った。現像液のス
プレー圧は２５〜５０psi（１.７６〜３.５２kg／cm2）
にセットし、また水リンスは周囲温度において２５〜３
６psi（１.７６〜２.５３kg／cm2）であった。
【００５１】露光済みのハンダマスク（架橋化してい
る）を有する同じ大きさ（１cm角）のクーポンの別のセ
ットを、９９〜１１６℃でプロピレンカーボネートによ
り処理した。この場合、ハンダマスクは約８〜１２分以
内にラミネート表面から除去された。
る）を有する同じ大きさ（１cm角）のクーポンの別のセ
ットを、９９〜１１６℃でプロピレンカーボネートによ
り処理した。この場合、ハンダマスクは約８〜１２分以
内にラミネート表面から除去された。
【００５２】〔実施例６〕２４×２８インチ（６０.９
６×７１.１２cm）の大きさを有するシグナルコアが、
リストンＴ−１６８に回路配線の露光後に得られプロピ
レンカーボネートを用いて現像された。ついで露光済み
のリストンＴ−１６８を有するこれらのパネルからのク
ーポンを用いてストリップ実験のテストをした。ストリ
ップ能力と溶解時間とを、表５中に表示した温度範囲で
各種の溶剤について測定した。Ｔ−１６８のストリップ
におけるプロピレンカーボネートとガンマブチロラクト
ンとの改良された実験的条件は表６中に示されている。
洗いブラシの使用は溶剤滞留時間を低下させまた回路板
上の残留レジストのレベルを減少させることが認められ
た。
６×７１.１２cm）の大きさを有するシグナルコアが、
リストンＴ−１６８に回路配線の露光後に得られプロピ
レンカーボネートを用いて現像された。ついで露光済み
のリストンＴ−１６８を有するこれらのパネルからのク
ーポンを用いてストリップ実験のテストをした。ストリ
ップ能力と溶解時間とを、表５中に表示した温度範囲で
各種の溶剤について測定した。Ｔ−１６８のストリップ
におけるプロピレンカーボネートとガンマブチロラクト
ンとの改良された実験的条件は表６中に示されている。
洗いブラシの使用は溶剤滞留時間を低下させまた回路板
上の残留レジストのレベルを減少させることが認められ
た。
【００５３】
【表５】
【００５４】
【表６】
【００５５】かっこ中に示してある数値は好ましい条件
である。プロピレンカーボネートとガンマブチロラクト
ンに対して、表６中の条件と組み合わせる水リンスの条
件は以下のとおりである：リンス温度約２０〜６０℃の
間、もっとも好ましいのは約３０〜４０℃である；リン
ス圧約１５〜６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）の
間、好ましいのは約２５〜約３５psi（１.７６〜２.４
６kg／cm2）であり；そしてリンス時間約５〜２０分
間、もっとも好ましくは約８〜１５分間である。
である。プロピレンカーボネートとガンマブチロラクト
ンに対して、表６中の条件と組み合わせる水リンスの条
件は以下のとおりである：リンス温度約２０〜６０℃の
間、もっとも好ましいのは約３０〜４０℃である；リン
ス圧約１５〜６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）の
間、好ましいのは約２５〜約３５psi（１.７６〜２.４
６kg／cm2）であり；そしてリンス時間約５〜２０分
間、もっとも好ましくは約８〜１５分間である。
【００５６】〔実施例７〕厚さ２.２ミル（０.０５６m
m）のリストンＴ−１６８フィルムを１オンス（２８.４
ｇ）の銅ホイル上にラミネートし、ＵＶ放射線を６５mJ
／cm2で露光した。3/4×1/2インチ（１９.１×１２.７m
m）の試料を切り取り、６０℃のプロピレンカーボネー
ト中に入れた。脱着時間は光電式センサー装置を使用し
て測定し、約５０３±１６秒であった。同じ大きさをも
つ同様の試料を、７〜８％の水を含み６０℃に熱的平衡
させたプロピレンカーボネート中に入れた。脱着時間は
約３００±８秒に減少した。
m）のリストンＴ−１６８フィルムを１オンス（２８.４
ｇ）の銅ホイル上にラミネートし、ＵＶ放射線を６５mJ
／cm2で露光した。3/4×1/2インチ（１９.１×１２.７m
m）の試料を切り取り、６０℃のプロピレンカーボネー
ト中に入れた。脱着時間は光電式センサー装置を使用し
て測定し、約５０３±１６秒であった。同じ大きさをも
つ同様の試料を、７〜８％の水を含み６０℃に熱的平衡
させたプロピレンカーボネート中に入れた。脱着時間は
約３００±８秒に減少した。
【００５７】〔実施例８〕バクレル９３０を１オンス
（２８.４ｇ）の銅ホイル上にラミネートし、実施例２
で述べたＵＶ放射線に露光した。3/4×1/2インチ（１
９.１×１２.７mm）の試料を切り取り、６０℃のプロピ
レンカーボネート中に入れた。脱着時間は光電式センサ
ー装置を使用して測定し、約６３０±２０秒であった。
同じ大きさを有する同様の試料を、７〜８％の水を含み
６０℃に熱平衡させたプロピレンカーボネート中に入れ
た。脱着時間は約３５４±１０秒に減少した。
（２８.４ｇ）の銅ホイル上にラミネートし、実施例２
で述べたＵＶ放射線に露光した。3/4×1/2インチ（１
９.１×１２.７mm）の試料を切り取り、６０℃のプロピ
レンカーボネート中に入れた。脱着時間は光電式センサ
ー装置を使用して測定し、約６３０±２０秒であった。
同じ大きさを有する同様の試料を、７〜８％の水を含み
６０℃に熱平衡させたプロピレンカーボネート中に入れ
た。脱着時間は約３５４±１０秒に減少した。
【００５８】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン
およびベンジルアルコールからなる群より選ばれた高沸
点溶剤から本質的に構成されるものである、フリーラジ
カル開始性の付加重合可能なホトレジスト用現像液。 ２） 基板上にホトレジストのフィルムを準備し；この
ホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定区域を、
レジストが感光性である放射線に対し露光域と未露光域
との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分な時
間選択的に露光し；そしてこのホトレジストフィルムを
プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよび
ベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶剤中で現
像することからなるフリーラジカル開始性の付加重合可
能なホトレジストのパターン化方法。
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン
およびベンジルアルコールからなる群より選ばれた高沸
点溶剤から本質的に構成されるものである、フリーラジ
カル開始性の付加重合可能なホトレジスト用現像液。 ２） 基板上にホトレジストのフィルムを準備し；この
ホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定区域を、
レジストが感光性である放射線に対し露光域と未露光域
との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分な時
間選択的に露光し；そしてこのホトレジストフィルムを
プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよび
ベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶剤中で現
像することからなるフリーラジカル開始性の付加重合可
能なホトレジストのパターン化方法。
【００５９】３） 現像工程が現像中約１５〜約４５℃
の温度に保たれたプロピレンカーボネートからなる溶剤
中で約０.５〜約１２分間現像することからなる、前項
２に記載の方法。 ４） ホトレジストフィルムがアクリレートベースの樹
脂である、前項２に記載の方法。 ５） 現像工程が現像中約１５〜約３５℃の温度に保た
れたガンマブチロラクトンからなる溶剤中で約０.５〜
約１２分間現像することからなる、前項２に記載の方
法。 ６） 現像工程が現像中約１５〜約４５℃の温度に保た
れたベンジルアルコールからなる溶剤中で約０.５〜約
１２分間現像することからなる、前項２に記載の方法。 ７） 現像工程が、約１０〜約６０psi（ポンド平方イ
ンチ、０.７０〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶
剤中で現像し、ついで約６〜約６０psi（０.４２〜４.
２２kg／cm2）の圧力下約１５〜約６０℃の温度の水中
で、約５〜約１５分の滞留時間水リンスすることを含
む、前項３に記載の方法。
の温度に保たれたプロピレンカーボネートからなる溶剤
中で約０.５〜約１２分間現像することからなる、前項
２に記載の方法。 ４） ホトレジストフィルムがアクリレートベースの樹
脂である、前項２に記載の方法。 ５） 現像工程が現像中約１５〜約３５℃の温度に保た
れたガンマブチロラクトンからなる溶剤中で約０.５〜
約１２分間現像することからなる、前項２に記載の方
法。 ６） 現像工程が現像中約１５〜約４５℃の温度に保た
れたベンジルアルコールからなる溶剤中で約０.５〜約
１２分間現像することからなる、前項２に記載の方法。 ７） 現像工程が、約１０〜約６０psi（ポンド平方イ
ンチ、０.７０〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶
剤中で現像し、ついで約６〜約６０psi（０.４２〜４.
２２kg／cm2）の圧力下約１５〜約６０℃の温度の水中
で、約５〜約１５分の滞留時間水リンスすることを含
む、前項３に記載の方法。
【００６０】８） 現像工程が、約１０〜約６０psi
（０.７０〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶剤中
で現像し、ついで約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２k
g／cm2）の圧力下約１７〜約６０℃の温度の水中で、約
５〜約１５分の滞留時間水リンスすることを含む、前項
５に記載の方法。 ９） 現像工程が、約１０〜約６０psi（０.７０〜４.
２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶剤中で現像し、つい
で約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２kg／cm2）の圧力
下約１５〜約６０℃の温度の水中で、約５〜約１５分の
滞留時間水リンスすることを含む、前項６に記載の方
法。 １０） 現像工程が、撹拌と組み合わせた浸漬による
か、またはホトレジストフィルムに現像液をスプレーす
ることにより行われるものである、前項２に記載の方
法。
（０.７０〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶剤中
で現像し、ついで約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２k
g／cm2）の圧力下約１７〜約６０℃の温度の水中で、約
５〜約１５分の滞留時間水リンスすることを含む、前項
５に記載の方法。 ９） 現像工程が、約１０〜約６０psi（０.７０〜４.
２２kg／cm2）のスプレー圧下の溶剤中で現像し、つい
で約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２kg／cm2）の圧力
下約１５〜約６０℃の温度の水中で、約５〜約１５分の
滞留時間水リンスすることを含む、前項６に記載の方
法。 １０） 現像工程が、撹拌と組み合わせた浸漬による
か、またはホトレジストフィルムに現像液をスプレーす
ることにより行われるものである、前項２に記載の方
法。
【００６１】１１） 約１７〜約６０において約５〜約
１５分間、約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２kg／c
m2）のスプレー圧の水でスプレーリンスする追加工程を
含む、前項２に記載の方法。 １２） 現像工程後にスクイーズロールを使用するクリ
ーニング工程が含まれる 、前項２に記載の方法。 １３） ホトレジストがポリメチルメタクリレートを含
む、前項２に記載の方法。 １４） 印刷回路板基板上にホトレジストのフィルムを
準備し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの
所定区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光
域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせる
のに充分な時間選択的に露光し；このホトレジストフィ
ルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン
およびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶剤
中で現像し；そしてこのホトレジストの現像による所定
区域中を回路化することを含む印刷回路デバイスの製造
方法。
１５分間、約６〜約６０psi（０.４２〜４.２２kg／c
m2）のスプレー圧の水でスプレーリンスする追加工程を
含む、前項２に記載の方法。 １２） 現像工程後にスクイーズロールを使用するクリ
ーニング工程が含まれる 、前項２に記載の方法。 １３） ホトレジストがポリメチルメタクリレートを含
む、前項２に記載の方法。 １４） 印刷回路板基板上にホトレジストのフィルムを
準備し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの
所定区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光
域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせる
のに充分な時間選択的に露光し；このホトレジストフィ
ルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン
およびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶剤
中で現像し；そしてこのホトレジストの現像による所定
区域中を回路化することを含む印刷回路デバイスの製造
方法。
【００６２】１５） ホトレジストフィルムがアクリレ
ートベースの樹脂である、前項１４に記載の方法。 １６） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホルムア
ミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチルエチ
ルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ばれた添
加物を約０.１〜約１０重量％の分量で含む、フリーラ
ジカル開始性の付加重合可能なホトレジスト用現像液。 １７） ガンマブチロラクトン、プロピレンカーボネー
トおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤から本質的に構成される溶剤処理性ハンダマスク用現
像液。
ートベースの樹脂である、前項１４に記載の方法。 １６） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホルムア
ミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチルエチ
ルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ばれた添
加物を約０.１〜約１０重量％の分量で含む、フリーラ
ジカル開始性の付加重合可能なホトレジスト用現像液。 １７） ガンマブチロラクトン、プロピレンカーボネー
トおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤から本質的に構成される溶剤処理性ハンダマスク用現
像液。
【００６３】１８） 基板上にハンダマスク用のフィル
ムを準備し；このハンダマスクの少なくとも１つの所定
区域を、これが感光性である放射線に対し露光域と未露
光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分
な時間選択的に露光し；そしてこのハンダマスクをプロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールからなる群より選ばれた材料を含む溶剤
中で現像することからなる溶剤処理可能なハンダマスク
をパターン化する方法。 １９） 現像工程が、現像中約１７〜約４５℃の温度に
保たれたプロピレンカーボネートからなる溶剤中で約６
〜約１０分間現像することからなる、前項１８に記載の
方法。 ２０） 現像後に約３５〜約５０℃に加熱された水中の
リンス工程を含む、前項１８に記載の方法。 ２１） ハンダマスクが、バクレル（Vacrel）７００シ
リーズとバクレル９００シリーズからなる群より選ばれ
た材料である、前項１８に記載の方法。 ２２） 現像工程が、現像中約２２℃の温度に保たれた
ガンマブチロラクトンからなる溶剤中で約２分間現像す
ることからなる、前項１８に記載の方法。
ムを準備し；このハンダマスクの少なくとも１つの所定
区域を、これが感光性である放射線に対し露光域と未露
光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分
な時間選択的に露光し；そしてこのハンダマスクをプロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールからなる群より選ばれた材料を含む溶剤
中で現像することからなる溶剤処理可能なハンダマスク
をパターン化する方法。 １９） 現像工程が、現像中約１７〜約４５℃の温度に
保たれたプロピレンカーボネートからなる溶剤中で約６
〜約１０分間現像することからなる、前項１８に記載の
方法。 ２０） 現像後に約３５〜約５０℃に加熱された水中の
リンス工程を含む、前項１８に記載の方法。 ２１） ハンダマスクが、バクレル（Vacrel）７００シ
リーズとバクレル９００シリーズからなる群より選ばれ
た材料である、前項１８に記載の方法。 ２２） 現像工程が、現像中約２２℃の温度に保たれた
ガンマブチロラクトンからなる溶剤中で約２分間現像す
ることからなる、前項１８に記載の方法。
【００６４】２３） 前項２２に記載した方法を含む工
程により作られた印刷回路デバイス。 ２４） 基板上に溶剤処理可能なハンダマスクのフィル
ムを準備し；このハンダマスクの少なくとも１つの所定
区域を、これが感光性である放射線に対し露光域と未露
光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分
な時間選択的に露光させ；そしてこのハンダマスクをプ
ロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベ
ンジルアルコールからなる群より選ばれた材料からなる
溶剤中で現像することからなる印刷回路デバイスの製造
方法。 ２５） 前項２４に記載した方法を含む工程により作ら
れた印刷回路デバイス。 ２６） 基板上にカチオン性のハンダマスクフィルムを
準備し；このカチオン性のハンダマスクの少なくとも１
つの所定区域を、これが感光性である放射線に対し露光
域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせる
のに充分な時間選択的に露光させ；そしてこのカチオン
性のハンダマスクをプロピレンカーボネート、ガンマブ
チロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より
選ばれた溶剤材料中で現像することからなるカチオン性
ハンダマスクのパターン化方法。
程により作られた印刷回路デバイス。 ２４） 基板上に溶剤処理可能なハンダマスクのフィル
ムを準備し；このハンダマスクの少なくとも１つの所定
区域を、これが感光性である放射線に対し露光域と未露
光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分
な時間選択的に露光させ；そしてこのハンダマスクをプ
ロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベ
ンジルアルコールからなる群より選ばれた材料からなる
溶剤中で現像することからなる印刷回路デバイスの製造
方法。 ２５） 前項２４に記載した方法を含む工程により作ら
れた印刷回路デバイス。 ２６） 基板上にカチオン性のハンダマスクフィルムを
準備し；このカチオン性のハンダマスクの少なくとも１
つの所定区域を、これが感光性である放射線に対し露光
域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせる
のに充分な時間選択的に露光させ；そしてこのカチオン
性のハンダマスクをプロピレンカーボネート、ガンマブ
チロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より
選ばれた溶剤材料中で現像することからなるカチオン性
ハンダマスクのパターン化方法。
【００６５】２７） 溶剤がプロピレンカーボネートか
らなり、これが現像工程中約３０〜約４５℃の温度に約
１〜約３分間保たれる、前項２６に記載の方法。 ２８） 溶剤がガンマブチロラクトンからなり、これが
現像工程中約２５〜約４０℃に約１〜約４分間保たれ
る、前項２６に記載の方法。 ２９） 溶剤がベンジルアルコールからなり、これが現
像工程中約１〜約３分間約２５〜約４０℃に保たれる、
前項２６に記載の方法。 ３０） 約３５〜約６０℃の水中でリンスする現像後の
工程を含む、前項２６記載の方法。 ３１）前項２６に記載された方法を含む工程により作ら
れた印刷回路デバイス。
らなり、これが現像工程中約３０〜約４５℃の温度に約
１〜約３分間保たれる、前項２６に記載の方法。 ２８） 溶剤がガンマブチロラクトンからなり、これが
現像工程中約２５〜約４０℃に約１〜約４分間保たれ
る、前項２６に記載の方法。 ２９） 溶剤がベンジルアルコールからなり、これが現
像工程中約１〜約３分間約２５〜約４０℃に保たれる、
前項２６に記載の方法。 ３０） 約３５〜約６０℃の水中でリンスする現像後の
工程を含む、前項２６記載の方法。 ３１）前項２６に記載された方法を含む工程により作ら
れた印刷回路デバイス。
【００６６】３２） 現像工程が約２５〜約５０psi
（１.７６〜３.５２kg／cm2）のスプレー圧で行われ、
ついで周囲温度で約２５〜３６psi（１.７６〜２.５３k
g／cm2）の圧力で水リンスが行われる、前項２７に記載
の方法。 ３３） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ニトロメ
タン、プロピレンオキシド、メチルエチルケトン、アセ
トンおよび水からなる群より選ばれた添加物を、約０.
１〜約１０重量％間の分量で含む、カチオン性の硬化し
たレジストまたはハンダマスク用の現像液。 ３４） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた高
沸点溶剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルア
セテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホ
ルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチ
ルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ば
れた添加物を、約０.１〜約１０重量％間の分量で含
む、フリーラジカル開始性の付加重合可能ホトレジスト
用のストリップ溶剤。
（１.７６〜３.５２kg／cm2）のスプレー圧で行われ、
ついで周囲温度で約２５〜３６psi（１.７６〜２.５３k
g／cm2）の圧力で水リンスが行われる、前項２７に記載
の方法。 ３３） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ニトロメ
タン、プロピレンオキシド、メチルエチルケトン、アセ
トンおよび水からなる群より選ばれた添加物を、約０.
１〜約１０重量％間の分量で含む、カチオン性の硬化し
たレジストまたはハンダマスク用の現像液。 ３４） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた高
沸点溶剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルア
セテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホ
ルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチ
ルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ば
れた添加物を、約０.１〜約１０重量％間の分量で含
む、フリーラジカル開始性の付加重合可能ホトレジスト
用のストリップ溶剤。
【００６７】３５） 基板上にホトレジストのフィルム
を準備し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つ
の所定区域を、レジストが感光性である放射線に対し露
光域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせ
るのに充分な時間選択的に露光させ；このホトレジスト
フィルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラク
トンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた
材料からなる現像液中で現像し；所望の回路パターンを
メッキにより形成し；そして露光済みのホトレジスト
を、プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンお
よびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料か
らなる溶剤中で約５０〜約１００℃の温度でストリップ
することからなるフリーラジカル開始性の付加重合可能
なホトレジストのストリップ方法。 ３６） ストリップ工程が、プロピレンカーボネートか
らなる溶剤中約５０〜約１００℃の温度で、約１５〜約
９０psi（１.０５〜６.３３kg／cm2）のスプレー圧にお
いて約５〜約３０分間ストリップすることを含む、前項
３５に記載の方法。
を準備し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つ
の所定区域を、レジストが感光性である放射線に対し露
光域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせ
るのに充分な時間選択的に露光させ；このホトレジスト
フィルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラク
トンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた
材料からなる現像液中で現像し；所望の回路パターンを
メッキにより形成し；そして露光済みのホトレジスト
を、プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンお
よびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料か
らなる溶剤中で約５０〜約１００℃の温度でストリップ
することからなるフリーラジカル開始性の付加重合可能
なホトレジストのストリップ方法。 ３６） ストリップ工程が、プロピレンカーボネートか
らなる溶剤中約５０〜約１００℃の温度で、約１５〜約
９０psi（１.０５〜６.３３kg／cm2）のスプレー圧にお
いて約５〜約３０分間ストリップすることを含む、前項
３５に記載の方法。
【００６８】３７） ストリップ工程が、約１５〜約６
０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧で約２
０〜約６０℃の水温中、約５〜約２０分の滞留時間水リ
ンスを続けられるものである、前項３５に記載の方法。 ３８） ストリップ工程が、その工程中約５〜約３０分
間約５０〜約１００℃の温度および約５０〜約７５psi
（３.５２〜５.２７kg／cm2）のスプレー圧に保たれた
ガンマブチロラクトン中でストリップすることを含む、
前項３５に記載の方法。 ３９） ストリップ溶剤がベンジルアルコールからな
り、これはストリップ工程中約４〜約３０分間約５０〜
約１００℃の温度に保たれる、前項３５に記載の方法。 ４０） ストリップ溶剤がベンジルアルコールからな
り、これはストリップ工程中約４〜約３０分間約５０〜
約１００℃の温度と約１５〜約９０psi（１.０５〜６.
３３kg／cm2）のスプレー圧とに保たれ、ついで約１５
〜約６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧
において水温約２０〜約６０℃で約５〜約２０分の滞留
時間水リンスを行う、前項３５に記載の方法。
０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧で約２
０〜約６０℃の水温中、約５〜約２０分の滞留時間水リ
ンスを続けられるものである、前項３５に記載の方法。 ３８） ストリップ工程が、その工程中約５〜約３０分
間約５０〜約１００℃の温度および約５０〜約７５psi
（３.５２〜５.２７kg／cm2）のスプレー圧に保たれた
ガンマブチロラクトン中でストリップすることを含む、
前項３５に記載の方法。 ３９） ストリップ溶剤がベンジルアルコールからな
り、これはストリップ工程中約４〜約３０分間約５０〜
約１００℃の温度に保たれる、前項３５に記載の方法。 ４０） ストリップ溶剤がベンジルアルコールからな
り、これはストリップ工程中約４〜約３０分間約５０〜
約１００℃の温度と約１５〜約９０psi（１.０５〜６.
３３kg／cm2）のスプレー圧とに保たれ、ついで約１５
〜約６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）のスプレー圧
において水温約２０〜約６０℃で約５〜約２０分の滞留
時間水リンスを行う、前項３５に記載の方法。
【００６９】４１） 印刷回路板基板上にフリーラジカ
ル開始性の付加重合性ホトレジストのフィルムを準備
し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定
区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光域と
未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに
充分な時間選択的に露光して；このホトレジストフィル
ムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンお
よびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料か
らなる現像液中で現像し；所望の回路パターンをメッキ
により形成し；そして露光済みのホトレジストを、プロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールからなる群より選ばれた材料からなる溶
剤中で約５０〜約１００℃の温度においてストリップす
ることから構成される印刷回路デバイスの製造方法。 ４２） ストリップ後に、約２５〜約６０℃でかつ約１
５〜約６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）の圧力にお
いて、約５〜約２０分間水でリンスする追加の工程を含
む、前項３５に記載の方法。
ル開始性の付加重合性ホトレジストのフィルムを準備
し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定
区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光域と
未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに
充分な時間選択的に露光して；このホトレジストフィル
ムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンお
よびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料か
らなる現像液中で現像し；所望の回路パターンをメッキ
により形成し；そして露光済みのホトレジストを、プロ
ピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベン
ジルアルコールからなる群より選ばれた材料からなる溶
剤中で約５０〜約１００℃の温度においてストリップす
ることから構成される印刷回路デバイスの製造方法。 ４２） ストリップ後に、約２５〜約６０℃でかつ約１
５〜約６０psi（１.０５〜４.２２kg／cm2）の圧力にお
いて、約５〜約２０分間水でリンスする追加の工程を含
む、前項３５に記載の方法。
【００７０】４３） ストリップ後に、イソプロピルア
ルコール、アセトン、メチルエルチケトンおよびキシレ
ンからなる群より選ばれた低沸点溶剤中で周囲温度にお
いてリンスする追加の工程を含む、前項３５に記載の方
法。 ４４） ストリップ工程が、撹拌と組み合わせた浸漬に
よるか、またはホトレジストフィルムに溶剤をスプレー
することにより行われる、前項３５に記載の方法。 ４５） ストリップ工程が、撹拌と組み合わせた浸漬に
よるか、またはホトレジストフィルムにスクラビングと
組み合わせてホトレジストフィルムに溶剤をスプレーす
ることにより行われる、前項３５に記載の方法。 ４６） ストリップ工程が、約１５〜約６０ｐｓｉ
（１．０５〜４．２２ｋｇ／ｃｍ２）のスプレー圧、約
２０〜約６０℃の水温で、約５〜約２０分の滞留時間の
水リンスにより行われる、前項３８に記載の方法。
ルコール、アセトン、メチルエルチケトンおよびキシレ
ンからなる群より選ばれた低沸点溶剤中で周囲温度にお
いてリンスする追加の工程を含む、前項３５に記載の方
法。 ４４） ストリップ工程が、撹拌と組み合わせた浸漬に
よるか、またはホトレジストフィルムに溶剤をスプレー
することにより行われる、前項３５に記載の方法。 ４５） ストリップ工程が、撹拌と組み合わせた浸漬に
よるか、またはホトレジストフィルムにスクラビングと
組み合わせてホトレジストフィルムに溶剤をスプレーす
ることにより行われる、前項３５に記載の方法。 ４６） ストリップ工程が、約１５〜約６０ｐｓｉ
（１．０５〜４．２２ｋｇ／ｃｍ２）のスプレー圧、約
２０〜約６０℃の水温で、約５〜約２０分の滞留時間の
水リンスにより行われる、前項３８に記載の方法。
【００７１】４７） プロピレンカーボネート、ガンマ
ブチロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群よ
り選ばれた溶剤を含み、またメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメ
チルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシ
ド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群
より選ばれた添加物を、約０．１〜約１０重量％間の分
量で含む、溶剤処理性ハンダマスク用のストリップ剤。 ４８） 約９５〜約１１６℃の温度に保ったプロピレン
カーボネートを含んだ液中に、約６〜約１２分間レジス
トまたはハンダマスクを置くことからなる、カチオンタ
イプのレジストまたはハンダマスクのストリップ方法。 ４９） 約９０〜約１１０℃の温度に保たれたガンマブ
チロラクトンを含む液中に、約７〜約１１分間レジスト
またはハンダマスクを置くことからなる、カチオンタイ
プのレジストまたはハンダマスクのストリップ方法。
ブチロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群よ
り選ばれた溶剤を含み、またメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメ
チルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシ
ド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群
より選ばれた添加物を、約０．１〜約１０重量％間の分
量で含む、溶剤処理性ハンダマスク用のストリップ剤。 ４８） 約９５〜約１１６℃の温度に保ったプロピレン
カーボネートを含んだ液中に、約６〜約１２分間レジス
トまたはハンダマスクを置くことからなる、カチオンタ
イプのレジストまたはハンダマスクのストリップ方法。 ４９） 約９０〜約１１０℃の温度に保たれたガンマブ
チロラクトンを含む液中に、約７〜約１１分間レジスト
またはハンダマスクを置くことからなる、カチオンタイ
プのレジストまたはハンダマスクのストリップ方法。
【００７２】５０） 約９０〜約１１０℃の温度に保た
れたベンジルアルコールを含む液中に、約６〜約１２分
間レジストまたはハンダマスクを置くことからなる、カ
チオンタイプのレジストまたはハンダマスクのストリッ
プ方法。 ５１） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホルムア
ミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチルエチ
ルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ばれた添
加物を、約０．１〜約１０重量％間の分量で含む、カチ
オンタイプのレジストまたはハンダマスク用のストリッ
プ溶剤。
れたベンジルアルコールを含む液中に、約６〜約１２分
間レジストまたはハンダマスクを置くことからなる、カ
チオンタイプのレジストまたはハンダマスクのストリッ
プ方法。 ５１） プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、プロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホルムア
ミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチルエチ
ルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ばれた添
加物を、約０．１〜約１０重量％間の分量で含む、カチ
オンタイプのレジストまたはハンダマスク用のストリッ
プ溶剤。
【００７３】本発明はその精神または中心的な特性から
逸脱することなしに、本発明の形を変えて具体化するこ
とができること明らかである。従って、前述の各実施例
および具体例は、どの点からも限定的なものではなく例
示的なものと考えるべきであり、本発明はここに詳述さ
れたものに限定されるものではない。
逸脱することなしに、本発明の形を変えて具体化するこ
とができること明らかである。従って、前述の各実施例
および具体例は、どの点からも限定的なものではなく例
示的なものと考えるべきであり、本発明はここに詳述さ
れたものに限定されるものではない。
フロントページの続き (72)発明者 アニルクマル・チヌプラサド・バツト アメリカ合衆国ニユーヨーク州13790．ジ ヨンソンシテイー．レイノルズロード1151 (72)発明者 アシユウインクマル・チヌプラサド・バツ ト アメリカ合衆国ニユーヨーク州13760．エ ンデイコツト．クウエイルリツジロード 2622 (72)発明者 ジヨゼフ・アルフオンス・コテイロ アメリカ合衆国ニユーヨーク州13905．ビ ンガムトン．クレアリーアベニユー174 (72)発明者 ジエラルド・ウオールター・ジヨーンズ アメリカ合衆国ニユーヨーク州13790．ジ ヨンソンシテイー．レイノルズロード1112 (72)発明者 ロバート・ジヨン・オウイン アメリカ合衆国ニユーヨーク州13904．ビ ンガムトン．ベルビユーロード．アール・ アール12．ボツクス535ビー (72)発明者 コスタス・パパトマス アメリカ合衆国ニユーヨーク州13760．エ ンデイコツト．コベントリーロード75 (72)発明者 アナーヤ・クマル・バルドヤ アメリカ合衆国ニユーヨーク州13760．エ ンデイコツト．パインノウルロード104
Claims (13)
- 【請求項１】 プロピレンカーボネート、ガンマブチロ
ラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より選ば
れた高沸点溶剤から本質的に構成されるものである、フ
リーラジカル開始性の付加重合可能なホトレジスト用現
像液。 - 【請求項２】 基板上にホトレジストのフィルムを準備
し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定
区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光域と
未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに
充分な時間選択的に露光し；そしてこのホトレジストフ
ィルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクト
ンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれた溶
剤中で現像することからなるフリーラジカル開始性の付
加重合可能なホトレジストのパターン化方法。 - 【請求項３】 印刷回路板基板上にホトレジストのフィ
ルムを準備し；このホトレジストフィルムの少なくとも
１つの所定区域を、レジストが感光性である放射線に対
し露光域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じ
させるのに充分な時間選択的に露光し；このホトレジス
トフィルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラ
クトンおよびベンジルアルコールからなる群より選ばれ
た溶剤中で現像し；そしてこのホトレジストの現像によ
る所定区域中を回路化するの各工程を含む印刷回路デバ
イスの製造方法。 - 【請求項４】 プロピレンカーボネート、ガンマブチロ
ラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より選ば
れた溶剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルア
セテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、ホ
ルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メチ
ルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群より選ば
れた添加物を約０.１〜約１０重量％間の分量で含む、
フリーラジカル開始性の付加重合可能なホトレジスト用
現像液。 - 【請求項５】 ガンマブチロラクトン、プロピレンカー
ボネートおよびベンジルアルコールからなる群より選ば
れた溶剤から本質的に構成される溶剤処理性ハンダマス
ク用現像液。 - 【請求項６】 基板上にハンダマスク用のフィルムを準
備し；このハンダマスクの少なくとも１つの所定区域
を、これが感光性である放射線に対し露光域と未露光域
との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分な時
間選択的に露光し；そしてこのハンダマスクをプロピレ
ンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベンジル
アルコールからなる群より選ばれた材料を含む溶剤中で
現像するの各工程からなる溶剤処理可能なハンダマスク
をパターン化する方法。 - 【請求項７】 基板上に溶剤処理可能なハンダマスクの
フィルムを準備し;このハンダマスクの少なくとも１つ
の所定区域を、これが感光性である放射線に対し露光域
と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるの
に充分な時間選択的に露光させ；そしてこのハンダマス
クをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンお
よびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料か
らなる溶剤中で現像することからなる印刷回路デバイス
の製造方法。 - 【請求項８】 基板上にカチオン性のハンダマスクフィ
ルムを準備し；このカチオン性のハンダマスクの少なく
とも１つの所定区域を、これが感光性である放射線に対
し露光域と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じ
させるのに充分な時間選択的に露光させ；そしてこのカ
チオン性のハンダマスクをプロピレンカーボネート、ガ
ンマブチロラクトンおよびベンジルアルコールからなる
群より選ばれた溶剤材料中で現像することからなるカチ
オン性ハンダマスクのパターン化方法。 - 【請求項９】 プロピレンカーボネート、ガンマブチロ
ラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より選ば
れた溶剤を含み、またメタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルア
セテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、ニ
トロメタン、プロピレンオキシド、メチルエチルケト
ン、アセトンおよび水からなる群より選ばれた添加物
を、約０.１〜約１０重量％間の分量で含む、カチオン
性の硬化したレジストまたはハンダマスク用の現像液。 - 【請求項１０】 プロピレンカーボネート、ガンマブチ
ロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より選
ばれた高沸点溶剤を含み、またメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモ
ノメチルアセテート、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキ
シド、メチルエチルケトン、アセトンおよび水からなる
群より選ばれた添加物を、約０.１〜約１０重量％間の
分量で含む、フリーラジカル開始性の付加重合可能ホト
レジスト用のストリップ溶剤。 - 【請求項１１】 基板上にホトレジストのフィルムを準
備し；このホトレジストフィルムの少なくとも１つの所
定区域を、レジストが感光性である放射線に対し露光域
と未露光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるの
に充分な時間選択的に露光させ；このホトレジストフィ
ルムをプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン
およびベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料
からなる現像液中で現像し；所望の回路パターンをメッ
キにより形成し；そして露光済みのホトレジストを、プ
ロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベ
ンジルアルコールからなる群より選ばれた材料からなる
溶剤中で約５０〜約１００℃の温度でストリップするこ
とからなるフリーラジカル開始性の付加重合可能なホト
レジストのストリップ方法。 - 【請求項１２】 印刷回路板基板上にフリーラジカル開
始性の付加重合性ホトレジストのフィルムを準備し；こ
のホトレジストフィルムの少なくとも１つの所定区域
を、レジストが感光性である放射線に対し露光域と未露
光域との間に架橋化の程度の差違を生じさせるのに充分
な時間選択的に露光させ；このホトレジストフィルムを
プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよび
ベンジルアルコールからなる群より選ばれた材料からな
る現像液中で現像し；所望の回路パターンをメッキによ
り形成し；そして露光済みのホトレジストを、プロピレ
ンカーボネート、ガンマブチロラクトンおよびベンジル
アルコールからなる群より選ばれた材料からなる溶剤中
で約５０〜約１００℃の温度においてストリップするこ
とから構成される印刷回路デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 プロピレンカーボネート、ガンマブチ
ロラクトンおよびベンジルアルコールからなる群より選
ばれた溶剤を含み、またメタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチル
アセテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、
ホルムアミド、ニトロメタン、プロピレンオキシド、メ
チルエチルケトン、アセトンおよび水からなる群より選
ばれた添加物を、約０.１〜約１０重量％間の分量で含
む、溶剤処理性ハンダマスク用のストリップ剤。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US781542 | 1991-10-22 | ||
| US07/781,542 US5268260A (en) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05216242A true JPH05216242A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2817758B2 JP2817758B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=25123072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4234366A Expired - Fee Related JP2817758B2 (ja) | 1991-10-22 | 1992-09-02 | ホトレジストのパターン化方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5268260A (ja) |
| JP (1) | JP2817758B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007531897A (ja) * | 2003-04-24 | 2007-11-08 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | レジスト組成物およびレジストを除去するための有機溶剤 |
| JP2012032446A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液 |
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