JPH05211372A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH05211372A JPH05211372A JP4004388A JP438892A JPH05211372A JP H05211372 A JPH05211372 A JP H05211372A JP 4004388 A JP4004388 A JP 4004388A JP 438892 A JP438892 A JP 438892A JP H05211372 A JPH05211372 A JP H05211372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- carrier concentration
- doped
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/095—Laser devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ，特に波長６６
０ｎｍ以下の発振しきい電流低減を目的とする。 【構成】１回目の結晶成長において、ｎ型半導体層
（７）を設ける。 【効果】ｎ型半導体層（７）を設けることによりＰ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層にドーピングしたドーパントの
活性化率を高めることができ、これにより注入キャリア
のオーバーフローを低減させることができ、発振しきい
電流の低減が実現できる。
０ｎｍ以下の発振しきい電流低減を目的とする。 【構成】１回目の結晶成長において、ｎ型半導体層
（７）を設ける。 【効果】ｎ型半導体層（７）を設けることによりＰ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層にドーピングしたドーパントの
活性化率を高めることができ、これにより注入キャリア
のオーバーフローを低減させることができ、発振しきい
電流の低減が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ，バー
コードリーダ等の光源に用いられる半導体レーザに関
し、特に発振波長６８０ｎｍ以下の可視光半導体レーザ
の製造方法に関するものである。
コードリーダ等の光源に用いられる半導体レーザに関
し、特に発振波長６８０ｎｍ以下の可視光半導体レーザ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザの構造および製造方
法について以下説明する。半導体レーザの構造を図３に
示す。従来例の製造方法は、１回目の結晶成長をＭＯ−
ＶＰＥ法により（１００）から（０１１）方向に５°傾
いたＧａＡｓ基板（１）上に発光領域となる（Ａｌ0.1
Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層（４）をこれよりも禁
制帯幅の大きい（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（３），（５）ではさんでなるダブルヘテロ構造
を構成し、さらにＰ−クラッド層（５）の上にＰ型のＧ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）を成長する。
法について以下説明する。半導体レーザの構造を図３に
示す。従来例の製造方法は、１回目の結晶成長をＭＯ−
ＶＰＥ法により（１００）から（０１１）方向に５°傾
いたＧａＡｓ基板（１）上に発光領域となる（Ａｌ0.1
Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層（４）をこれよりも禁
制帯幅の大きい（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（３），（５）ではさんでなるダブルヘテロ構造
を構成し、さらにＰ−クラッド層（５）の上にＰ型のＧ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）を成長する。
【０００３】次に、リッジストライプ形成用のエッチン
グマスク兼、選択成長用マスクとなる酸化膜を成膜し、
ホトレジスト法により［０−１１］方向に酸化膜ストラ
イプを形成し、エッチングによりＰ−クラッド層（５）
の途中までエッチングする。
グマスク兼、選択成長用マスクとなる酸化膜を成膜し、
ホトレジスト法により［０−１１］方向に酸化膜ストラ
イプを形成し、エッチングによりＰ−クラッド層（５）
の途中までエッチングする。
【０００４】続いて、２回目の結晶成長を行なうが酸化
膜をマスクとした選択成長を行ない電流ブロック層（１
０）を成長する。その後、酸化膜を除去した後、全面に
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（１１）を成長させ、電極
（１２），（１３）を付け従来例の半導体レーザが得ら
れる。
膜をマスクとした選択成長を行ない電流ブロック層（１
０）を成長する。その後、酸化膜を除去した後、全面に
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（１１）を成長させ、電極
（１２），（１３）を付け従来例の半導体レーザが得ら
れる。
【０００５】従来例の半導体レーザの特性は、発振波長
６４５ｎｍ，発振しきい値８０〜９０ｍＡである。
６４５ｎｍ，発振しきい値８０〜９０ｍＡである。
【０００６】この従来例は、１９９０年秋応物予稿集９
４１頁２７Ｐ−Ｒ−１２に示されている。また、その他
の従来例としては、特開昭６２−２００７８５がある。
４１頁２７Ｐ−Ｒ−１２に示されている。また、その他
の従来例としては、特開昭６２−２００７８５がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザの製造方法において、１回目の結晶成長は、Ｐ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）で終了している。このため、Ｐ
型グラッド層（５）のドーピング特性は、図２に示す曲
線（ｂ）のようになり、飽和するキャリア濃度が３×１
０17ｃｍ-3と低く、そのため注入キャリアのダブルヘテ
ロ構造における活性層（４）内での閉じ込めが悪くなる
ため、電子のオーバフローが多くなり発振しきい電流が
８０〜９０Ａと高くなるという問題点があった。
ザの製造方法において、１回目の結晶成長は、Ｐ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）で終了している。このため、Ｐ
型グラッド層（５）のドーピング特性は、図２に示す曲
線（ｂ）のようになり、飽和するキャリア濃度が３×１
０17ｃｍ-3と低く、そのため注入キャリアのダブルヘテ
ロ構造における活性層（４）内での閉じ込めが悪くなる
ため、電子のオーバフローが多くなり発振しきい電流が
８０〜９０Ａと高くなるという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、１回目の結晶成長において、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ層（６）で終了せずｎ型導電性の半導体結晶を備えて
いる。
は、１回目の結晶成長において、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ層（６）で終了せずｎ型導電性の半導体結晶を備えて
いる。
【０００９】
【作用】本発明の半導体レーザの製造方法において、１
回目の結晶成長でＰ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）の上
にｎ型半導体層を設けることにより、Ｐ型クラッド層
（５）のドーピング特性は、図２の曲線（ａ）のような
結果が得られる。このように、ドーピング特性の飽和濃
度が高くなるため、半導体レーザを作製したとき、活性
層（４）からの電子のオーバーフローを低減でき、発振
しきい電流の低下が可能となる。
回目の結晶成長でＰ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（６）の上
にｎ型半導体層を設けることにより、Ｐ型クラッド層
（５）のドーピング特性は、図２の曲線（ａ）のような
結果が得られる。このように、ドーピング特性の飽和濃
度が高くなるため、半導体レーザを作製したとき、活性
層（４）からの電子のオーバーフローを低減でき、発振
しきい電流の低下が可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の半導体レーザの製造方法を示す断
面図である。まず、１回目の結晶成長をＭＯ−ＶＰＥ法
により成長温度６６０℃，成長圧力７５Ｔｏｒｒの条件
下で行ない図１（ａ）の層構造を得る。層構造は、（１
００）から（０１１）方向へ５°傾いたｎ型ＧａＡｓ基
板（１）上にＳｉドープ，ｎ型ＧａＡｓバッファ層
（２），キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3を０．５μｍ，
Ｓｉドープｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐク
ラッド（３），キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3を１μ
ｍ，アンドープ（Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活
性層（４）を０．０６μｍ，ＺｎドープＰ型（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（５）、キャリア
濃度４×１０17ｃｍ-3を１μｍ，ＺｎドープＰ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６），キャリア濃度１×１０18ｃｍ
-3を０．１μｍ，Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ層（７），キ
ャリア濃度５×１０17ｃｍ-3を０．２μｍ順次積層した
ものである。
る。図１は、本発明の半導体レーザの製造方法を示す断
面図である。まず、１回目の結晶成長をＭＯ−ＶＰＥ法
により成長温度６６０℃，成長圧力７５Ｔｏｒｒの条件
下で行ない図１（ａ）の層構造を得る。層構造は、（１
００）から（０１１）方向へ５°傾いたｎ型ＧａＡｓ基
板（１）上にＳｉドープ，ｎ型ＧａＡｓバッファ層
（２），キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3を０．５μｍ，
Ｓｉドープｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5Ｐク
ラッド（３），キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3を１μ
ｍ，アンドープ（Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活
性層（４）を０．０６μｍ，ＺｎドープＰ型（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（５）、キャリア
濃度４×１０17ｃｍ-3を１μｍ，ＺｎドープＰ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（６），キャリア濃度１×１０18ｃｍ
-3を０．１μｍ，Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ層（７），キ
ャリア濃度５×１０17ｃｍ-3を０．２μｍ順次積層した
ものである。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すようにリン酸系エ
ッチング液により、ｎ型ＧａＡｓ層（７）をエッチング
除去し、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（ｂ）を露出させ
る。そして、リッジストライプ形成用のエッチングマス
ク兼、選択成長用マスクとなるＳｉＯ2 酸化膜を０．２
μｍ成膜し、ホトレジスト法により［０−１１］方向に
ＳｉＯ2 酸化膜ストライプ（８）を形成する。これが図
１（ｃ）である。
ッチング液により、ｎ型ＧａＡｓ層（７）をエッチング
除去し、Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（ｂ）を露出させ
る。そして、リッジストライプ形成用のエッチングマス
ク兼、選択成長用マスクとなるＳｉＯ2 酸化膜を０．２
μｍ成膜し、ホトレジスト法により［０−１１］方向に
ＳｉＯ2 酸化膜ストライプ（８）を形成する。これが図
１（ｃ）である。
【００１２】さらに、硫酸系エッチング液によりＰ型ク
ラッド層（５）を０．２μｍ残すまでエッチングを行な
い、図１（ｄ）に示すリッジストライプ（ａ）を形成す
る。リッジ幅Ｗは、５μｍとする。
ラッド層（５）を０．２μｍ残すまでエッチングを行な
い、図１（ｄ）に示すリッジストライプ（ａ）を形成す
る。リッジ幅Ｗは、５μｍとする。
【００１３】次に、２回目の結晶成長をＭＯ−ＶＰＥ法
により成長温度６５０℃，常圧の条件でリッジストライ
プ（ａ）の両側に、ＳｉＯ2 酸化膜（８）をマスクとし
た選択成長により、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層（１０），キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3を０．８
μｍ成長する。
により成長温度６５０℃，常圧の条件でリッジストライ
プ（ａ）の両側に、ＳｉＯ2 酸化膜（８）をマスクとし
た選択成長により、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層（１０），キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3を０．８
μｍ成長する。
【００１４】次に、ＳｉＯ2 酸化膜（８）を除去した
後、３回目の結晶成長をＭＯ−ＶＰＥ法により成長温度
６５０℃，常圧の条件で、全面にＺｎドープＰ型ＧａＡ
ｓコンタクト層（１２），キャリア濃度２×１０19ｃｍ
-3厚さ３μｍを成長する。この後、電極（１３），（１
４）を形成し、図１（ｅ）の断面構造の半導体レーザを
得る。
後、３回目の結晶成長をＭＯ−ＶＰＥ法により成長温度
６５０℃，常圧の条件で、全面にＺｎドープＰ型ＧａＡ
ｓコンタクト層（１２），キャリア濃度２×１０19ｃｍ
-3厚さ３μｍを成長する。この後、電極（１３），（１
４）を形成し、図１（ｅ）の断面構造の半導体レーザを
得る。
【００１５】このようにして、得られたキャビティ長４
００μｍの半導体レーザは、発振波長しきい値電流５０
ｍＡ，光出力５ｍＷまでキンクのない特性が得られた。
００μｍの半導体レーザは、発振波長しきい値電流５０
ｍＡ，光出力５ｍＷまでキンクのない特性が得られた。
【００１６】本発明において、前記活性層（４）は、多
重量子井戸構造でも良く、また、電流ブロック層（１
０）は、ＧａＡｓでなく、発振波長よりも大きいバンド
ギャップを有する半導体結晶で構成し、実屈折率導波構
造を形成してもよい。
重量子井戸構造でも良く、また、電流ブロック層（１
０）は、ＧａＡｓでなく、発振波長よりも大きいバンド
ギャップを有する半導体結晶で構成し、実屈折率導波構
造を形成してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＭＯ−Ｖ
ＰＥ法による１回目の結晶成長において、ｎ型ＧａＡｓ
層（７）で成長終了することにより、Ｐ型クラッド層
（５）のドーピング特性が図２の曲線（ａ）のようにな
る。このように、ドーピング特性に差が生じるのは、Ｐ
型半導体層で結晶成長を止めたとき結晶成長終了後の冷
却中の供給ガスであるＡｓＨ3 ，ＰＨ3 ，Ｈ2 のうち結
晶内に侵入したＨ2 とＰ−ドーパントのＺｎの相互関係
によりＺｎを不活性な状態にするためにキャリア濃度の
飽和点が３×１０17ｃｍ-3と低い。一方、ｎ型半導体層
で終了したときは、このｎ型半導体層が、Ｈ2 の侵入に
対し、障壁的な役目をするため、Ｐ型クラッド層（５）
のキャリア濃度の飽和点が５×１０17ｃｍ-3と高くな
る。
ＰＥ法による１回目の結晶成長において、ｎ型ＧａＡｓ
層（７）で成長終了することにより、Ｐ型クラッド層
（５）のドーピング特性が図２の曲線（ａ）のようにな
る。このように、ドーピング特性に差が生じるのは、Ｐ
型半導体層で結晶成長を止めたとき結晶成長終了後の冷
却中の供給ガスであるＡｓＨ3 ，ＰＨ3 ，Ｈ2 のうち結
晶内に侵入したＨ2 とＰ−ドーパントのＺｎの相互関係
によりＺｎを不活性な状態にするためにキャリア濃度の
飽和点が３×１０17ｃｍ-3と低い。一方、ｎ型半導体層
で終了したときは、このｎ型半導体層が、Ｈ2 の侵入に
対し、障壁的な役目をするため、Ｐ型クラッド層（５）
のキャリア濃度の飽和点が５×１０17ｃｍ-3と高くな
る。
【００１８】このように、効率的にＰ型クラッド層
（５）のキャリア濃度を高めるという効果が発生し、半
導体レーザの特性においても、Ｐ型ラッド層（５）のキ
ャリア濃度４×１０17ｃｍ-3という設定で発振しきい電
流５０ｍＡ，発振波長６５０ｎｍという従来例を大幅に
改善する効果が得られた。
（５）のキャリア濃度を高めるという効果が発生し、半
導体レーザの特性においても、Ｐ型ラッド層（５）のキ
ャリア濃度４×１０17ｃｍ-3という設定で発振しきい電
流５０ｍＡ，発振波長６５０ｎｍという従来例を大幅に
改善する効果が得られた。
【図１】本発明の半導体レーザの製造工程を示す断面
図。
図。
【図２】本発明と従来例のＰ型ドーパントのドーピング
特性を示す図。
特性を示す図。
【図３】従来例の半導体レーザの断面図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｐグラッド層（０．
５≦ｙ≦１） ４ アンドープ（Ａｌz Ｇａ1-y ）0.5 Ｐクラッド層
（０≦Ｚ≦０．３） ５ Ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０．５≦ｙ≦１） ６ Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層 ７ ｎ型ＧａＡｓ層 ８ ＳｉＯ2 酸化膜 ９ リッジストライプ １０ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 １１ Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １２，１３ 電極 ２１ ｎ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
５≦ｙ≦１） ４ アンドープ（Ａｌz Ｇａ1-y ）0.5 Ｐクラッド層
（０≦Ｚ≦０．３） ５ Ｐ型（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０．５≦ｙ≦１） ６ Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層 ７ ｎ型ＧａＡｓ層 ８ ＳｉＯ2 酸化膜 ９ リッジストライプ １０ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 １１ Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １２，１３ 電極 ２１ ｎ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
Claims (1)
- 【請求項１】 （１００）面から（０１１）面方向にＸ
°（０≦Ｘ≦１６）傾いた第１型導電性のＧａＡｓ基板
上に第１型導電性の（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ
（０．５≦ｙ≦１）クラッド層，発光領域となる（Ａｌ
z Ｇａ1-z ）0.5 Ｐ（０≦Ｚ≦０．３）活性属，第２型
導電性の（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層，第２型導電性のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層，第１型導電
性の半導体層を順次積層し、前記第１型導電性の半導体
層を除去する工程の後、［０−１１］方向に第２型導電
性のＧａ0.5 Ｉ0.5 Ｐ層と第２型導電性のクラッド層の
一部を除去してなるリッジストライプを形成し、前記リ
ッジストライプの両側に第１型導電性の電流ブロック層
を配置し、さらに第２型導電性のＧａＡｓコンタクト層
を積層することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004388A JPH05211372A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
| US08/004,304 US5304507A (en) | 1992-01-14 | 1993-01-14 | Process for manufacturing semiconductor laser having low oscillation threshold current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004388A JPH05211372A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211372A true JPH05211372A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11582977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4004388A Pending JPH05211372A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5304507A (ja) |
| JP (1) | JPH05211372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4844212A (en) * | 1988-05-12 | 1989-07-04 | Allied-Signal Inc. | Mechanically actuated brake with automatic adjustment |
| JPH09252165A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| KR100624598B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2006-09-18 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3250270B2 (ja) * | 1992-09-11 | 2002-01-28 | 三菱化学株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JPH06296060A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体可視光レーザダイオードの製造方法 |
| JPH11274637A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Pioneer Electron Corp | 横結合分布帰還リッジ型半導体レーザ及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2647076B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1997-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPS63100788A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ発光素子およびその製造方法 |
| JPH0254715A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 溶鋼の脱ガス処理方法 |
| US5029175A (en) * | 1988-12-08 | 1991-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2807250B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1998-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| US5173447A (en) * | 1989-10-31 | 1992-12-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for producing strained quantum well semiconductor laser elements |
| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
| JP2863648B2 (ja) * | 1991-04-16 | 1999-03-03 | 三菱電機株式会社 | 可視光半導体レーザ |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4004388A patent/JPH05211372A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-14 US US08/004,304 patent/US5304507A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4844212A (en) * | 1988-05-12 | 1989-07-04 | Allied-Signal Inc. | Mechanically actuated brake with automatic adjustment |
| JPH09252165A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| KR100624598B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2006-09-18 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5304507A (en) | 1994-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5757835A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH05243669A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2807250B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3982985B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0856045A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05211372A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| KR100417096B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2737477B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0846283A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2865160B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2924435B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| KR100363240B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JP2000252587A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3143105B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS62249496A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH06283801A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0730188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001230490A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2500588B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| JP2000124553A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH08307005A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04252089A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980922 |