KR100363240B1 - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 n-버퍼층, n-클래드층, 활성층, p-제1클래드층, 에칭방지층, p-제2클래드층, 스파이크방지층 및 p-제1캡층을 순차적으로 적층 성장하는 단계; 상기 p-제1캡층 상에 소정 패턴의 마스크를 부착하고, 선택적 식각에 의해 리지 스트라이프를 형성하는 단계; 상기 마스크를 이용하여 상기 에칭방지층의 상면 및 리지 스트라이프의 측면에 걸쳐 p형의 제1 전류 차단층과 도핑되지 않은 제2 전류 차단층을 선택적으로 성장하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하고, 상기 제2전류차단층 및 p-제1캡층 상에 p-제2캡층을 성장하는 단계를 포함하되, 상기 제1 전류 차단층을 형성하는 과정에 웨이퍼 표면의 열적 손상을 방지하기 위하여 챔버내에 수소(H2)와 포스핀(PH3) 가스를 주입시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 방법에 의해 제조된 본 발명의 반도체 레이저 다이오드는 전류차단층이 전도성이 낮은 고저항값의 조성물로 2중구조으로 되어 있어 리지 스트라이프 면에 대한 전류차단층의 광흡수를 없애고 누수전류를 제거할 수 있으므로 충분한 전류협착의 효과를 얻음으로써 소자의 동작전류를 낮추고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 발명은 광디스크, 레이저 프린터 등의 광원으로 사용되는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 낮은 전류값에서도 동작이 가능하고, 680nm이하의 파장을 가지는 가시광을 방출시키며, 레이저 소자의 신뢰성을 한충 향상시킨 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 메사 구조의 반도체 레이저 다이오드 제조기술로는 소정 패턴의 마스크(보통 SiO2마스크)를 이용한 선택적 에칭(etching)에 의해 리지(ridge)를 형성하고, 전류차단층을 형성하는 기술이 적용되어 왔다. 또한, 전면 에피택시(epitaxy)에 의해 다층 성장으로 VSIS(V-channelled Substrate Inner Stripe) 구조의 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 기술이 사용되기도 했다.
그런데, 종래의 이와 같은 기술들에 있어서, SiO2마스크를 이용한 선택적 에피택시 이후, SiO2마스크 하부의 층에 스트레스(stress)로 인한 결정결함이 생겨 결국, 완성품 소자의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 그리고, 그와 같은 문제는 SBR(Selectively Buried Ridge) 구조의 반도체 레이저 다이오드에 있어서도 예외는 아닌 것으로 나타나고 있다.
한편, InGaP/InGaAIP 계의 적색 레이저 라이오드는 GaAs와 격자정합이 되는 III-V족 반도체중 밴드 갭이 가장 큰 물질계로 레이저 다이오드 제작 시 발진 파장 630∼700nm로 적색광을 방출한다. 600nm밴드 대의 적색 레이저 다이오드는 고밀도 광기록 장치의 광원, 레이저빔 프린터, 레이저 포인터, POS(Point of Sales) 시스템 및 의료기기, 그리고 최근에 개발된 플라스틱 파이버(plastic fiber) 통신용 레이저 다이오드 등의 응용 가능성으로 인해 주목받고 있는 차세대 반도체 레이저 다이오드라고 할 수 있다.
첨부 도면의 제1도∼제4도는 종래 SBR 구조의 반도체 레이저 다이오드의 제조과정을 나타낸 것으로서, 제1도는 1차성장 후의 단면구조도, 제2도는 선택적 식각에 의해 메사형 리지 스트라이프를 형성한 상태도, 제3도는 2차성장에 의해 전류차단층을 형성한 상태도, 제4도는 3차성장 후의 단면구조도이다.
종래 SBR 구조의 반도체 레이저 다이오드는 통상 3단계 성장에 의해 제조가 이루어진다. 이에 관해 각 단계별로 좀 더 상세히 설명해 보기로 한다.
먼저, 제1도에서와 같이 n-GaAs기판(11)이 마련되고, 그 상면에 n-GaAs버퍼층(12), n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P클래드층(13), 도핑 되지 않은 In0.5Ga0.5P활성층(14), P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제1클래드층(15), InGaP에칭 방지층(16), p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(17), InGaP스파이크(spike) 방지층(18) 및 p-GaAs캡층(19)을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:유기금속기상성장)법에 의해 순차적으로 적층 성장하게 된다.
그런 후, 제2도에서와 같이 소정 패턴의 SiO2마스크(20)를 상기 p-GaAs캡층(19) 위에 부착하고, 상기 InGaP에칭방지층(16)까지 선택적으로 에칭을 한다. 그러면, 상기 P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(17)의 양쪽부위는 에칭에 의해 제거되고, 중심부에는 소정의 폭과 높이를 가지는 메사형 리지 스트라이프(21)가 형성된다.
한편, 리지 스트라이프(21)의 형성이 완료된 후, 제3도와 같이, 상기 마스크(20)를 이용한 선택적 에피택셜(epitaxial) 성장에 의해 n-GaAs전류차단층(22)이 형성된다. 그런 다음, 제4도에서와 같이, 상기 마스크(20)를 제거하고, p-GaAs캡층(23)을 성장한다. 사실상 이 단계까지가 반도체 레이저 다이오드의 제조과정이 완료된 것으로 볼 수 있으며, 이후 상기 p-GaAs캡층(23)의 상면 및 n-GaAs기판(11)의 저면에 p전극(24) 및 n전극(25)을 각각 마련하여 소자를 완성하게 된다.
그런데, 이와 같은 종래 방법에 의해 제조된 반도체 레이저 다이오드는 리지 스트라이프(21)를 통해 레이저가 발진될 경우 n-GaAs전류차단층(22)의 굴절률이 P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(17)보다 크게 되고, In0.5Ga0.5P활성층(14)의 에너지대역 금지대폭보다도 n-GaAs전류차단충(22)의 금지대폭이 작은 상태로써 레이저 광에 대해 n-GaAs전류차단층(22)은 흡수체가 된다. 따라서, 광흡수에 따른 광손실에 의해 레이저의 임계전류(threshold current)값 및 효율이 저하된다. 이를 해결하기 위해 리지 스트라이프(21)의 폭을 좁게 할 경우, 결과적으로 n-GaAs전류차단층(22)의 광흡수가 증대되어 낮은 전류값에서의 동작이 어렵게 되는 문제가 있다. 또한, n-GaAs전류차단층(22)이 InGaP에칭 방지층(16), p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(17) 및 버퍼역할을 하는 InGaP스파이크방지층(18)의 상면과 측면에 형성되어 있으므로 p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(17)의 아연(Zn) 활성화율이 저하되고, P형 캐리어(carrier)의 농도가 증대되지 않는다. 따라서, 레이저 소자의 직렬저항값이 커져 소자의 신뢰성이 저하되는 한편 수명이 단축되는 문제가 야기된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 낮은 전류값에서도 동작이 가능하며, 레이저 소자의 신뢰성을 한층 향상시킨 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는, 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 레이저를 발진시키는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 형성되는 것으로 그 중앙부에는 메사구조의 리지가 형성되어 있으며 전류를 차단하는 전류차단층과, 상기 전류차단층의 상부에 형성되는 캡층을 구비하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서,
상기 전류차단층은 2중의 적층구조를 가지며, 전도성이 낮은 고저항값의 조성물로 형성되어 있는 점에 그 특징이 있다.
또한, 이와 같은 구조를 가지는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은,
기판상에 n-버퍼층, n-클래드층, 활성충, p-제1클래드층, 에칭 방지층, P-제2클래드층, 스파이크방지충 및 p-제1캡층을 순차적으로 적층성 장하는 단계;
상기 p-제1캡층 상에 소정 패턴의 마스크를 부착하고, 선택적 식각에 의해 리지 스트라이프를 형성하는 단계;
상기 마스크를 이용하여 상기 에칭방지층의 상면 및 리지스트라이프의 측면에 걸쳐 제1,제2전류차단층을 선택적으로 성장하는 단계: 및
상기 마스크를 제거하고, 상기 제2전류차단충 및 p-제1캡층 상에 p-제2캡층을 성장하는 단계를 포함한다.
그리고, 더 나아가 상기 p-제2캡층의 상면 및 n-기판의 저면에 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함한다.
이와 같이, 본 발명의 소자는 전류차단층이 전도성이 낮은 고저항값의 조성물로 2중구조으로 되어 있어 리지 스트라이프 면에 대한 전류차단충의 광흡수를 없애고 누수전류를 제거할 수 있으므로 충분한 전류협착의 효과를 얻음으로써 동작전류를 낮추고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제5도∼제8도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조과정을 단계별로 나타낸 것으로서, 제5도는 1차성장 후의 단면구조도, 제6도는 선택적 식각에 의해 메사형 리지 스프라이프를 형성한 상태도, 제7도는 2차성장에 의해 전류차단충을 형성한 상태도, 제8도는 3차성장에 의해 캡층을 형성한 후의 단면구조도이다. 이를 각 단계별로 좀 더 상세히 설명해 보기로 한다.
먼저, 제5도에서와 같이 n-GaAs기판(51)이 마련되고, 그 상부에 n-GaAs버퍼층(52), n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P클래드충(53), 도핑 되지 않은 In0.5Ga0.5P활성층(54), P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제1클래드충(55), InGaP 에칭방지층(56), p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(57), InGaP스파이 크방지층(58) 및 p-GaAs캡층(59)을 순차적으로 1차 적충 성장하게 된다. 여기서, 이와 같은 성장은 MOCVD법, LPE(Liquid Phase Epitaxy)법 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법 등을 사용하여 이루어진다. -1차성장이 완료된 후, 제6도에서와 같이 소정 패턴의 SiO2마스크(60)를 상기 p-GaAs캡충(59) 상면에 부착하고, 상기 InGaP에칭방지층(56)까지 선택적으로 에칭을 한다. 그러면, 상기 P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층(57)의 양쪽 부위는 에칭에 의해 제거되고, 중심부에는 소정의 폭과 높이를 가지는 메사형 리지 스트라이프(61)가 형성된다.
리지 스트라이프(61)의 형성이 완료된 후, 제7도에서와 같이, 상기 마스크(60)를 이용한 선택적 성장에 의해 P-In0.5Al0.5P제1전류차단층(62)이 형성된다. 여기서, 이 P-In0.5Al0.5P제1전류차단층(62)은 MOCVD법에 의해 0.I㎛ 정도의 두께로 성장시키며, 소정 챔버(chamber) 내에서 약 600℃의 온도로 30분∼1시간 정도 가열냉각(annealing)시킨다. 이때, 웨이퍼(wafer) 표면의 열적 손상을 방지하기 위하여 챔버 내에 수소(H2)와 포스핀(PH3) 가스를 주입시킨다 이와 같이 P-In0.5Al0.5P제1 전류차단층(62)의 형성이 완료된 후, 충분한 전류협착의 효과를 얻기 위해 P-In0.5Al0.5P제1전류차단층(62) 위에 도핑되지 않은 In0.5Al0.5P제2전류차단층(63)을 다시 성장시킨다. 이와 같이 2중의 전류차단충을 형성시킴으로써 전자의 포획중심의 농도가 중대되고, 실제적으로 캐리어의 보상에 의해 도전성이 낮은 고저항값의 전류차단층이 된다.
이것은 또한 P-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드충(57)의 Zn의 활성화율을 높이고 소자의 직렬저항을 낮추어 동작특성을 향상시키며, 궁극적으로 반도체 레이저 다이오드의 수명을 연장시키게 된다.
한편, In0.5Al0.5P제2전류차단층(63)의 형성 후, 제8도에서와 같이 상기 마스크(60)를 제거하고, p-GaAs캡층(64)을 성장한다 사실상 이 단계 까지가 본 발명의반도체 레이저 다이오드의 제조과정이 완료된 것으로 볼 수 있으며, 이후 상기 p-GaAs캡층(64)의 상면 및 n-GaAs기판(51)의 저면에 p전극(65) 및 n전극(66)을 각각 마련하여 소자를 완성하게 된다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 전류차단충이 전도성이 낮은 고저항값의 조성물로 2중구조으로 되어 있어 리지 스트라이프 면에 대한 전류차단충의 광흡수를 없애고 누수전류를 제거할 수 있으므로 충분한 전류협착의 효과를 얻음으로써 소자의 동작전류를 낮추고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
제1도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 1차성장 후의 단면구조도.
제2도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 메사형 리지 스트라이프를 형성한 상태도.
제3도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 전류차단층을 형성한 상태도.
제4도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 소자 완성후의 단면구조도.
제5도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 1차성장 후의 단면구조도.
제6도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 메사형 리지 스트라이프를 형성한 상태도.
제7도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 제1,제2전류차단층을 형성한 상태도.
제8도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 소자 완성후의 단면구조도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11,51...n-GaAs기판 12,52...n-GaAs버퍼충
1 3 , 5 3 . . . n - I n0 . 5( G a0 . 3A l0 . 7)0 . 5P 클 래 드 층
1 4 , 5 4 . . . I n0 . 5G a0 . 5P 활 성 층 ( u n d o p e d )
15,55...p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제1클래드층 16,56...p-InGaP에칭방지층
17, 57...p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P제2클래드층 18,58...InGaP스파이 크방지층
19,59...p-GaAs캡층 20,60. SiO2마스크
21,61...리지 스트라이프 22...n-GaAs전류차단층
23...p-GaAs캡층 24,65...p전극
25,66...n전극 62....p-In0.5Al0.5P제1전류차단층
63...In0.5Al0.5P제2전류차단층

Claims (5)

  1. 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 레이저를 발진시키는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 형성되는 것으로 그 중앙부에는 메사구조의 리지가 형성되어 있으며 전류를 차단하는 전류차단층과, 상기 전류차단층의 상부에 형성되는 캡층을 구비하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서,
    상기 전류차단층은 p형 제1 전류 차단층 및 도핑되지 않은 제2 전류 차단층으로 구성된 2중의 적층구조를 가지며, 전도성이 낮은 고저항값의 조성물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하고,
    상기 메사 구조의 리지는 상부 클레드층, 스파이크 방지층 및 캡층으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전류 차단층은 In0.5Al0.5P의 화학적 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 기판상에 n-버퍼층, n-클래드충, 활성충, p-제1클래드층, 에칭 방지층, p-제2클래드층, 스파이크방지층 및 p-제1캡층을 순차적으로 적층 성장하는 단계;
    상기 p-제1캡층 상에 소정 패턴의 마스크를 부착하고, 선택적 식각에 의해 리지 스트라이프를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 이용하여 상기 에칭방지층의 상면 및 리지 스트라이프의 측면에 걸쳐 p형의 제1 전류 차단층과 도핑되지 않은 제2 전류 차단층을 선택적으로 성장하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하고, 상기 제2전류차단충 및 p-제1캡층 상에 p-제2캡층을 성장하는 단계를 포함하되,
    상기 제1 전류 차단층을 형성하는 과정에 웨이퍼 표면의 열적손상을 방지하기 위하여 챔버내에 수소(H2)와 포스핀(PH3) 가스를 주입시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 p-제2캡층의 성장단계 이후, p-제2캡층의 상면 및 n-기판의 저면에 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1전류차단층은 MOCVD법에 의해 0.0㎛ 정도의 두께로 성장시키며, 소정 챔버 내에서 약 600℃의 온도로 30분∼1시간 정도 가열냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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