JP2000124553A

JP2000124553A - 半導体レーザ装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000124553A
Application number: JP10295083A
Authority: JP
Inventors: Chikashi Anayama; 親志穴山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-10-16
Filing date: 1998-10-16
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、
活性層自体に横方向のキャリア閉じ込め機構及び屈折率
分布を形成した擬似ＢＨ型半導体レーザを低コストで提
供する。【解決手段】ＩｎＰ段差基板１上に設けたウエル層が
ＩｎＧａＡｓＰからなる多重量子井戸構造の活性層４に
おける、少なくともウエル層の斜面３に沿った領域のＡ
ｓ組成比を主面２に沿った領域のＡｓ組成比より高くす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置及
びその製造方法に関するものであり、特に、光ファイバ
通信システムの光源として用いる赤外領域に発振波長を
有する段差基板を用いた横モード制御型の半導体レーザ
装置及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信は、大容量化と低コスト化
が進み、将来的には、各家庭に光ファイバを引き入れる
所謂ＦＴＴＨ（ＦｉｂｅｒＴｏＴｈｅＨｏｍｅ）
が目標となっており、この目標を実現するには、高性能
の光通信モジュールを低価格で提供することが必須であ
り、光通信モジュールを構成する光通信用の半導体レー
ザには、特に、低価格化と、高温動作とが要求されてい
る。

【０００３】ここで、図３を参照して、従来より提案さ
れている光通信用半導体レーザを説明する。図３（ａ）参照図３（ａ）は、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系光通信用半導
体レーザの主流であるるＢＨ（ＢｕｒｉｅｄＨｅｔｅ
ｒｏ）型半導体レーザの断面図であり、まず、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板３１上に、ｎ側クラッド層を兼ねるｎ型ＩｎＰバ
ッファ層３２、ＩｎＧａＡｓＰ歪ＭＱＷ（多重量子井戸
構造）活性層３３、及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層３４を
順次堆積させたのち、ＳｉＯ₂マスク（図示せず）をマ
スクとしてｎ型ＩｎＰバッファ層３２に達するメサエッ
チングを行ってリッジ状メサ３５を形成する。

【０００４】次いで、ＳｉＯ₂マスクを選択成長マスク
として用いて、リッジ状メサ３５の側面に、クラッド層
を兼ねるｎ型ＩｎＰ埋込バッファ層３６、クラッド層を
兼ねるｐ型ＩｎＰ埋込層３７、クラッド層を兼ねるｎ型
ＩｎＰ電流ブロック層３８、及び、クラッド層を兼ねる
ｐ型ＩｎＰ埋込保護層３９を順次成長させたのち、Ｓｉ
Ｏ₂マスクを除去し、次いで、全面に、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層４０及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４１を順
次成長させることによって基本的積層構造を形成したも
のである。

【０００５】この様なＢＨ型半導体レーザにおいては、
活性層の上下左右に活性層と異なった組成の半導体層が
存在し、且つ、活性層の体積自体が小さいため、発振し
きい値電流Ｉ_thが小さいという特徴を有している。これ
は、活性層の両脇を異なる組成、従って、異なる屈折率
の半導体層にすることによって、横方向の光を閉じ込め
る機能をもたせると共に、活性層の体積を小さくするこ
とによって光を出すための電流を少なくし、それによっ
て、周波数特性を改善することが可能になっている。

【０００６】図３（ｂ）参照図３（ｂ）は、リッジ型半導体レーザの断面図であり、
まず、ｎ型ＩｎＰ基板５１上に、ｎ側クラッド層を兼ね
るｎ型ＩｎＰバッファ層５２、ＩｎＧａＡｓＰ歪ＭＱＷ
活性層５３、ｐ型ＩｎＰクラッド層５４、ｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰエッチングストップ層５５、及び、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層５６を順次堆積させたのち、ＳｉＯ₂マスク
（図示せず）をマスクとしてｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチ
ングストップ層５５に達するようにｐ型ＩｎＰクラッド
層５６をメサエッチングしてリッジ状メサを形成し、次
いで、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層５５の
露出部をエッチング除去する。

【０００７】次いで、ＳｉＯ₂マスクを選択成長マスク
として用いて、リッジ状メサの側面に、クラッド層を兼
ねるｐ型ＩｎＰ埋込層５７、クラッド層を兼ねるｎ型Ｉ
ｎＰ電流ブロック層５８、及び、クラッド層を兼ねるｐ
型ＩｎＰ埋込保護層５９を順次成長させたのち、ＳｉＯ
₂マスクを除去し、次いで、全面に、ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層６０及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６１を順次
成長させることによって基本的積層構造を形成したもの
である。

【０００８】この様なリッジ型半導体レーザにおいて
は、活性層を直接加工することがないので、結晶欠陥等
による素子特性の劣化の影響が比較的少ないという特徴
があり、ＧａＡｓ系半導体レーザの様に、結晶欠陥がレ
ーザの寿命に強く影響する様な場合に良く用いられてい
るストライプ構造である。

【０００９】しかし、この様な従来の半導体レーザにお
いて各種の問題があり、例えば、図３（ａ）に示したＢ
Ｈ型半導体レーザの場合には、活性層をエッチングによ
り加工するので、その部分で生ずる結晶欠陥や、不純物
等によって素子特性が若干劣化してしまうという問題が
ある。

【００１０】また、図３（ｂ）に示したリッジ型半導体
レーザにおいては、活性層自体がレーザ発振領域以外に
も横方向に延在しており、且つ、ｐ型ＩｎＰ埋込層５７
及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層５８がｐ型クラッド層５
６と同じＩｎＰ層で構成されているので、活性層の横方
向に等価的な屈折率分布が形成されずアンチガイド構造
となっているので、光横モードを安定にできないという
致命的欠陥がある。また、活性層の体積が大きいのでし
きい値電流Ｉ_thが比較的高くなり、ＩｎＰ系光通信用半
導体レーザとしては、あまり採用されていないものであ
る。

【００１１】この様に、ＢＨ型半導体レーザ及びリッジ
型半導体レーザには夫々問題点があるが、両者の長所の
みを同時に採用することにより理想的な構成が得られる
ものと考えられ、具体的には、活性層を直接加工成形す
るプロセスなしにストライプ幅を小さくすることがで
き、且つ、活性層の横方向に屈折率変化をつけることが
できることが理想である。

【００１２】そこで、本発明者等は、ＡｌＧａＩｎＰ系
の短波長半導体レーザにおいて、この様なＢＨ型半導体
レーザ及びリッジ型半導体レーザの長所のみを同時に採
用した一回成長型半導体レーザを提案（必要ならば、特
開平６−４５７０８号公報参照）しているので、この一
回成長型半導体レーザ、即ち、屈曲導波型のＳ³レーザ
（Ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄＳｔｅｐｐｅｄＳｕｂ
ｓｔｒａｔｅＬａｓｅｒ：エスキューブレーザ）を図
４乃至図６を参照して説明する。

【００１３】図４（ａ）参照図４（ａ）は一回成長型半導体レーザの斜視図であり、
主面が（１００）面のｎ型ＧａＡｓ基板７１に斜面がほ
ぼ（３１１）Ａ面となる段差を形成したのち、この上に
ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、ｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層７２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層７３、ｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７４、ＭＱＷ活性層７５、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７６、周辺部がｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流ブロック層７７となり中央部がｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ電流チャネル層７８となるｐ側第２クラッド
層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７９、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層８０、及び、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８１を
順次成長させたものである。なお、（３１１）Ａ面は、
III 族元素（この場合はＧａ）が表面に現れている（３
１１）面である。

【００１４】この場合、周辺部がｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電
流ブロック層７７となり中央部がｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電
流チャネル層７８からなるｐ側第２クラッド層の成長工
程において、不純物ドーピングの結晶面方位依存性を利
用して、一回の結晶成長工程で電流狭窄機構を形成して
いるので、この事情を図４（ｂ）を参照して説明する。図４（ｂ）参照図４（ｂ）はＺｎとＳｅを同時ドーピングしてＡｌ_0.35
Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.5Ｐ層を成長した場合のＡｌ_0.35Ｇａ
_0.15Ｉｎ_0.5Ｐ層におけるキャリア濃度の面方位依存性
を示す図であり、横軸は（１００）面から（１１１）Ａ
面方向へのオフ角を表している。

【００１５】図において、白丸及び黒丸で表しているよ
うに、（７１１）Ａ面近傍でキャリア濃度が最低になる
ので、不純物を同じ量ドーピングした場合には、ｎ＞７
の（ｎ１１）Ａ面ではｎ型層が得られ、ｍ≦７の（ｍ１
１）Ａ面ではｐ型層が得られることになり、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板７１の斜面、即ち、（３１１）Ａ面に沿って成長
したＡｌ_0.35Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.5Ｐ層はほぼ（４１１）Ａ
面となり、ｐ型層になるが、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の平
坦面、即ち、（１００）面に沿って成長した部分は、
（１００）面であるのでｎ型層になる。なお、このｎ及
びｍの値は不純物のドーピング量、ドーピング比等に依
存するので、格別臨界的な意味はない。

【００１６】この様なキャリア濃度の面方位依存性は、
不純物の取り込み効率に面方位依存性があるためである
ので、この事情を図５を参照して説明する。図５（ａ）参照図５（ａ）は、ｐ型不純物であるＺｎ及びＭｇの取り込
み効率の面方位依存性を示す図であり、（１００）面か
ら（１１１）Ａ面方向及び（１１１）Ｂ面方向へのオフ
角を有する基板にＺｎ及びＭｇを含んだ成長ガスからＡ
ｌＧａＩｎＰ層を成長させた場合の、ＡｌＧａＩｎＰ層
における不純物の相対的な取り込み効率を示したもので
ある。

【００１７】黒丸及び黒四角で示すのはＣ−Ｖ測定（容
量測定）で測定した相対的キャリア濃度であり、また、
白丸及び白四角で示すのはＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒ
ｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測
定した相対的不純物濃度であり、これらの差によって不
純物の活性化率が分かると共に、結晶の面方位による不
純物濃度の差、即ち、相対的な不純物の取り込み効率の
面方位依存性が分かる。なお、丸はＡ方向を示し、四角
はＢ方向を示す。

【００１８】図から明らかなように、Ｚｎの場合には、
Ａ方向についてはオフ角が大きくなるにしたがって、即
ち、（ｎ１１）のｎが小さくなるにしたがって、不純物
濃度及びキャリア濃度が上昇し、オフ角が２５°、即
ち、（３１１）面近傍で、最大になり、以後低下してい
くが、（１１１）Ａ面においても（１００）面の６倍程
度の濃度を有している。この場合、不純物濃度とキャリ
ア濃度とはほとんど差がないので、即ち、不純物の活性
化率に面方位依存性が見られないので、この結果は不純
物の取り込み効率の面方位依存性を表していることにな
る。

【００１９】一方、Ｂ方向については、不純物の取り込
み効率の面方位依存性はあまり見られず、寧ろ（１１
１）Ｂ面では、（１００）面の半分になっている。ま
た、Ｍｇの場合にも、Ｚｎとほぼ同様な傾向が見られる
が、Ｚｎより面方位依存性が小さい。

【００２０】図５（ｂ）参照図５（ｂ）は、ｎ型不純物であるＳｅの取り込み効率の
面方位依存性を示す図であり、Ｓｅについては、ｐ型不
純物と逆の傾向が見られ、Ａ方向においてはオフ角が大
きくなるに連れて不純物の取り込み効率が低下し、一
方、Ｂ方向においてはオフ角が大きくなるに連れて不純
物の取り込み効率が増加する。

【００２１】したがって、異なる面方位を持つ半導体表
面に対し、Ｚｎ或いはＭｇからなるｐ型不純物及びＳｅ
からなるｎ型不純物を同時にドーピングすることによ
り、ｐ型領域とｎ型領域とを同時に成長させることがで
きるという上述の図４（ｂ）の結果を説明することがで
きる。

【００２２】この様に、従来の１回成長型半導体レーザ
はＭＯＶＰＥ法における不純物ドーピングの面方位依存
性を利用して電流狭窄機構を形成しているので、埋め込
み構造や、拡散を用いることなく、連続した一回成長工
程で活性層の横方向に電流狭窄機構と屈折率分布の両方
を形成することができるので、高歩留りで且つ低価格で
半導体レーザを製造することができる。

【００２３】また、この一回成長型半導体レーザはロス
ガイド構造、即ち、光吸収損失による複素屈折率導波構
造ではないため、光の吸収損失を考慮しなくて良く、そ
のため、高効率で低消費電力であり、また、低非点収差
特性が得られるという利点がある。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】この様な一回成長型半
導体レーザに関する技術事項をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
系半導体レーザに適用することによって優れた特性を有
する光通信用半導体レーザが安価に得られるものと期待
され、本出願人等によって既に一般論として示唆（例え
ば、特開平７−２６３８０５号公報参照）されている
が、その詳細な構成については必ずしも明らかなもので
はなかった。

【００２５】即ち、同公開公報においては、その尚書き
において、単に、基板としてＩｎＰ基板を用いても良い
こと、及び、クラッド層としてＩｎＰクラッド層を用い
ても良いとするだけであり、その具体的内容については
何ら開示がなされていないものである。

【００２６】また、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系半導体レ
ーザを単に一回成長型半導体レーザとして構成しても、
横方向の電流狭窄及び活性層自体の横方向の屈折率分
布、即ち、活性層の斜面に沿った領域と平坦な主面に沿
った領域との間のキャリア閉じ込めと屈折率分布とが、
光通信用半導体レーザとしては必ずしも充分なものでは
ないと考えられた。

【００２７】したがって、本発明は、活性層自体に横方
向のキャリア閉じ込め機構及び屈折率分布を形成した擬
似ＢＨ型半導体レーザを低コストで提供することを目的
とする。

【００２８】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。図１参照（１）本発明は、ｎをｎ＞７の実数とし、ｎ′を２≦
ｎ′≦７の実数とし、ｎ″を３≦ｎ″≦７の実数とした
場合、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面のいずれかを
主面２とし、（ｎ′１１）Ａ面を斜面３とする段差基板
１を用いると共に、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面
のいずれかを主面２とし、（ｎ″１１）Ａ面を斜面３と
する活性層４、活性層４上に、斜面３に沿った領域の正
孔濃度が主面２に沿った領域の正孔濃度より高いｐ側第
１クラッド層５、及び、主面２においてｎ型電流ブロッ
ク層８となり斜面３においてｐ型電流チャネル層７とな
るｐ側第２クラッド層６を少なくとも設けた半導体レー
ザ装置において、段差基板１としてＩｎＰ基板を用いる
と共に、活性層４として、ウエル層がＩｎＧａＡｓＰか
らなる多重量子井戸構造活性層を用い、少なくともウエ
ル層の斜面３に沿った領域のＡｓ組成比が主面２に沿っ
た領域のＡｓ組成比より高いことを特徴とする。

【００２９】この様に、段差基板１の面方位を上記のよ
うに選定すると共に、活性層４をウエル層がＩｎＧａＡ
ｓＰからなる多重量子井戸構造活性層とし、Ａｓの取り
込み効率の面方位依存性を利用して、少なくともウエル
層の斜面３に沿った領域を高Ａｓ組成領域９とし、主面
２に沿った領域を低Ａｓ組成領域１０とすることによっ
て、活性層４自体の横方向に屈折率分布及び禁制帯幅分
布を形成することができるので、従来の１回成長型半導
体レーザに比べて横方向の光閉じ込め及びキャリア閉じ
込めを高めた擬似ＢＨ型半導体レーザとすることがで
き、それによって、素子特性を向上することができる。

【００３０】また、通常のｐ型不純物の場合には、Ａ面
についてはオフ角が大きくなるにしたがって、即ち、
ｎ′又はｎ″が小さくなるにしたがって不純物濃度及び
キャリア濃度が上昇するので、ｎ′，ｎ″＜ｎとするだ
けで斜面３に沿った領域おける正孔濃度を主面２に沿っ
た領域における正孔濃度より高くすることができる。な
お、（１００）面は、（ｎ１１）面のｎを無限大∞にし
た場合に相当する。

【００３１】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、ｎ型電流ブロック層８及びｐ型電流チャネル層７
が、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の１つと、Ｓ，Ｓｅのいずれ
かとを同時に含んでいることを特徴とする。

【００３２】一般に、Ａ面においてはｐ型不純物の取り
込み効率の面方位依存性とｎ型不純物の取り込み効率の
面方位依存性とは互いに逆の傾向を有するので、ｐ型不
純物とｎ型不純物とを同時ドープすることによって、主
面２に沿って成長する領域をｎ型層とし、斜面３に沿っ
て成長する領域をｐ型層とすることができ、それによっ
て、電流狭窄機構を形成することができる。

【００３３】（３）本発明は、上記（１）において、ｎ
型電流ブロック層８において、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の
１つがドープされた層と、Ｓ，Ｓｅのいずれかがドープ
された層とが交互に積層され、且つ、ｐ型電流チャネル
層７において、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の１つがドープさ
れた層と、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の１つと、Ｓ，Ｓｅの
いずれかが同時にドープされた層とが交互に積層された
ことを特徴とする。

【００３４】ｐ側第２クラッド層６に対して、ｐ型不純
物とｎ型不純物とを交互にドープした場合、ｐ型不純物
とｎ型不純物の取り込み効率の面方位依存性及び傾向の
違いによって形成されたキャリア濃度分布によって、斜
面３に沿った領域においてはｐ型不純物が不純物濃度差
による拡散原理によりｎ型層に進入してｐ型不純物とｎ
型不純物とが混在化したｐ型電流チャネル層７となる。
一方、主面２に沿った領域においては、ｐ型不純物は不
純物濃度差によってブロックされて拡散が生ぜず、且
つ、ｎ型不純物の拡散は殆ど起こらないので、ｐｎｐｎ
ｐｎ・・構造のドーピングプロファイルになるが、これ
らの層は全て薄いのでキャリアの拡散によりｐ型ドープ
部分が空乏化して均一なｎ型電流ブロック層８となる。

【００３５】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、段差基板１と活性層４との
間に、厚さが０．５μｍ以上のＩｎＰクラッド層を設け
たことを特徴とする。

【００３６】この様に、段差基板１と活性層４との間
に、厚さが０．５μｍ以上のＩｎＰクラッド層を設ける
ことによって、斜面３の面方位のばらつきを抑えること
ができ、素子特性に優れた半導体レーザを再現性良く製
造することができる。

【００３７】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）において、活性層４を構成するバリア層及び光ガ
イド層の少なくとも一方を、Ａｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＡ
ｓ（但し、０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１）から構成すること
を特徴とする。

【００３８】（６）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、ｐ側クラッド層の一部を、
Ａｌ_1-v-wＩｎ_vＧａ_wＡｓ（但し、０＜ｖ＜１，０≦
ｗ＜１）から構成することを特徴とする。

【００３９】活性層４としてＩｎＧａＡｓＰをウエル層
とする多重量子井戸構造活性層を用い、且つ、少なくと
も、電流狭窄機構を構成するｐ側第２クラッド層の部分
をＩｎＰで構成した場合には、上記の様な不純物の取り
込み効率の面方位依存性が殆ど見られないが、禁制帯幅
が大きく且つΔＥ_Cに起因するスパイクの小さなＡｌＩ
ｎＧａＡｓを活性層４を構成するバリア層または光ガイ
ド層、或いは、ｐ側クラッド層の一部として用いること
によって、より特性の優れた半導体レーザを構成するこ
とが可能になる。

【００４０】（７）また、本発明は、ｎをｎ＞７の実数
とし、ｎ′を２≦ｎ′≦７の実数とし、ｎ″を３≦ｎ″
≦７の実数とした場合、（１００）面または（ｎ１１）
Ａ面のいずれかを主面２とし、（ｎ′１１）Ａ面を斜面
３とする段差基板１を用いると共に、（１００）面また
は（ｎ１１）Ａ面のいずれかを主面２とし、（ｎ″１
１）Ａ面を斜面３とする活性層４、ｐ側第１クラッド層
５、及び、ｐ側第２クラッド層６を少なくとも設けた半
導体レーザ装置の製造方法において、段差基板１として
ＩｎＰ基板を用いると共に、活性層４として、ウエル層
がＩｎＧａＡｓＰからなる多重量子井戸構造活性層を用
い、少なくともウエル層の斜面３に沿った領域のＡｓ組
成比が主面２に沿った領域のＡｓ組成比より高くなるよ
うに有機金属気相成長法を用いて製造することを特徴と
する。

【００４１】この様に、成長方法として有機金属気相成
長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いることによって、活性層４
の斜面３に沿った領域のＡｓ組成比を主面２に沿った領
域のＡｓ組成比より高くすることができ、特に、活性層
４を多重量子井戸構造とすることによって、活性層４に
転位を発生させることなくＡｓ組成分布を形成すること
ができる。

【００４２】即ち、本発明者は、従来の知見からは予測
し得ないＡｓ取り込み効率の面方位依存性を発見し、こ
の現象を多重量子井戸構造と組み合わせることによっ
て、一回成長法を用いて、活性層４の横方向のキャリア
閉じ込め及び光閉じ込の良好な光通信用ＩｎＧａＡｓＰ
系半導体レーザを活性層４に転位等を発生させることな
く製造することを可能にしたものである。

【００４３】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、ｐ側第１クラッド層５を成長させる際に、不純物の
取り込み効率の面方位依存性を利用して、段差基板１の
斜面３に沿った領域の正孔濃度を、主面２に沿った領域
の正孔濃度より高くすることを特徴とする。

【００４４】（９）また、本発明は、上記（７）または
（８）において、ｐ側第２クラッド層６を成長させる際
に、ｐ型不純物とｎ型不純物の取り込み効率の面方位依
存性の違いを利用して、段差基板１の斜面３に沿った領
域をｐ型電流チャネル層７とし、主面２に沿った領域を
ｎ型電流ブロック層８としたことを特徴とする。

【００４５】

【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の実施の形態の擬似ＢＨ型半導体レーザを説明する。な
お、図２（ａ）は擬似ＢＨ型半導体レーザの断面図であ
り、また、図２（ｂ）は、ＩｎＰにおける不純物の取り
込み効率の面方位依存性の説明図である。図２（ａ）参照まず、（１００）面から（１１１）Ａ面に６°オフした
主面を有するＳｎドープｎ型ＩｎＰ基板１１上にフォト
レジスト（図示せず）を塗布し、１５０μｍ間隔で幅１
５０μｍのストライプ状開口部を有するレジストパター
ンをフォトリソグラフィー工程によって形成する。

【００４６】次いで、レジストパターンをマスクとして
ＨＣｌ系エッチャントを用いてエッチングすることによ
って主面に対する傾斜角が約１４°以上、即ち、（１０
０）面に対するオフ角が２０°以上の斜面を有する深さ
０．３μｍの溝を形成する。

【００４７】次いで、バッファ層からコンタクト層まで
全ての層をＭＯＶＰＥ法によって連続成長させるもので
あるが、この場合、全体の成長工程を通して、成長圧力
は５０Ｔｏｒｒ、成長効率は約８００μｍ／ｍｏｌ、キ
ャリアガスの水素を含めた総流量は８０００ｓｃｃｍで
ある。

【００４８】まず、段差が形成されたｎ型ＩｎＰ基板１
１上に、基板温度を６２０℃とした状態で、ＴＭＩ（ト
リメチルインジウム）及びＰＨ₃を用いて、ＰＨ₃／Ｔ
ＭＩ比が１２０となり、成長速度が１μｍ／時となるよ
うに原料ガスを流すと共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物源とし
て流すことによってキャリア濃度が７×１０¹⁷ｃｍ^-3で
厚さが０．５μｍ以上、例えば、０．５μｍのｎ側クラ
ッド層を兼ねるｎ型ＩｎＰバッファ層１２を成長させ
る。

【００４９】この場合、ｎ型ＩｎＰバッファ層１２を
０．５μｍ以上の厚さに成長させることによって、斜面
に表れる面は（４１１）Ａ面付近の面方位に落ち着くよ
うになり、また、不純物としてＳｉ₂Ｈ₆、即ち、Ｓｉ
を用いているので、取り込み効率の面方位依存性は小さ
く、斜面における電子濃度と主面にける電子濃度とはほ
ぼ均一になる。

【００５０】次いで、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３
を成長させるが、まず、基板温度を同じく６２０℃とし
た状態で、ＴＭＩ、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、Ａ
ｓＨ ₃、及び、ＰＨ₃を用いて、Ｖ族／III 族比が８０
となり、成長速度が０．５μｍ／時となるように原料ガ
スを流すと共に、Ｓｉ₂Ｈ₆を不純物源として流すこと
によってキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3で厚さが７０
ｎｍでＰＬ波長が１．０５μｍ組成の無歪のｎ型Ｉｎ
_0.893Ｇａ_0.107Ａｓ_0.23Ｐ_0.77光ガイド層を成長させ
たのち、同じ条件の下でＳｉ₂Ｈ₆の供給を止めた状態
で、厚さ３０ｎｍでＰＬ波長が１．０５μｍ組成の無歪
のノン・ドープＩｎ_0.893Ｇａ_0.107Ａｓ _0.23Ｐ_0.77光
ガイド層を成長させる。なお、ＩｎＧａＡｓＰにおける
組成比は、斜面に沿った領域における組成比を表してお
り、以下同じである。

【００５１】次いで、基板温度を同じく６２０℃とした
状態で、ＴＭＩ、ＴＥＧ、ＡｓＨ₃、及び、ＰＨ₃を用
いて、Ｖ族／III 族比が７０となり、成長速度が０．５
μｍ／時となるように原料ガスを流すことによって、厚
さが６ｎｍ（＝６０Å）で圧縮歪が１％のノン・ドープ
Ｉｎ_0.899Ｇａ_0.101Ａｓ_0.53Ｐ_0.47ウエル層、及び、
基板温度を同じく６２０℃とした状態で、ＴＭＩ、ＴＥ
Ｇ、ＡｓＨ₃、及び、ＰＨ₃を用いて、Ｖ族／III 族比
が８０となり、成長速度が０．５μｍ／時となるように
原料ガスを流すことによって、厚さが１０ｎｍ（＝１０
０Å）で、ＰＬ波長が１．１μｍ組成の無歪のノン・ド
ープＩｎ_0.855Ｇａ_0.145Ａｓ_0.32Ｐ_0. ₆₈バリア層を、
ウエル層が８層、バリア層が７層となるように交互に成
長させることによって歪ＭＱＷ領域を成長させる。

【００５２】次いで、基板温度を同じく６２０℃とした
状態で、ＴＭＩ、ＴＥＧ、ＡｓＨ₃、及び、ＰＨ₃を用
いて、Ｖ族／III 族比が８０となり、成長速度が０．５
μｍ／時となるように原料ガスを流すことによって、厚
さが１００ｎｍ（＝０．１μｍ）でＰＬ波長が１．０５
μｍ組成の無歪のノン・ドープＩｎ_0.893Ｇａ_0.107Ａ
ｓ_0.23Ｐ_0.77光ガイド層を成長させることによって、Ｉ
ｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３が形成される。

【００５３】このＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３の成
長過程において、斜面に沿った領域においてはＡｓ濃度
が高まって高Ａｓ組成領域２１となり、一方、主面に沿
った領域におけるＡｓ濃度は相対的に低くなって低Ａｓ
組成領域２２となるので、斜面に沿ったレーザ発振領域
である高Ａｓ組成領域２１の実効的な禁制帯幅を主面に
沿った低Ａｓ組成領域２２より５０ｍｅＶ以上高くする
ことができるので、活性層中で横方向へのキャリアの移
動がなくなり、且つ、段差以外の要因、即ち、Ａｓ組成
分布によって横方向の屈折率分布も形成することができ
るので、ＢＨ構造に近い電流閉じ込め及び光閉じ込めが
可能になる。

【００５４】次いで、基板温度を６２０℃とした状態
で、ＴＭＩ及びＰＨ₃を用いて、ＰＨ ₃／ＴＭＩ比が１
２０となり、成長速度が１μｍ／時となるように原料ガ
スを流すと共に、ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）を不純物源
として流すことによって斜面部におけるキャリア濃度が
７×１０¹⁷ｃｍ^-3で厚さが０．３μｍのｐ側第１クラッ
ド層となるｐ型ＩｎＰクラッド層１４を成長させる。

【００５５】図２（ｂ）参照この成長過程において、図に示すようにＺｎの取り込み
効率に面方位依存性があるので、ｐ型ＩｎＰクラッド層
１４の斜面に沿った領域における不純物濃度は、主面に
沿った領域における不純物濃度より１桁以上高濃度にな
る。

【００５６】次いで、基板温度を６２０℃とした状態
で、ＴＭＩ及びＰＨ₃を用いて、ＰＨ ₃／ＴＭＩ比が１
２０となり、成長速度が１μｍ／時となるように原料ガ
スを流すと共に、ＤＥＺｎとＨ₂Ｓｅとを交互に流して
夫々１０ｎｍずつ３０ペア成長させて全体の厚さが０．
６０μｍのｐ側ＩｎＰ第２クラッド層を成長させる。

【００５７】このｐ側ＩｎＰ第２クラッド層において
は、斜面に沿った領域におけるＺｎ濃度が１．４×１０
¹⁸ｃｍ^-3になるようにＤＥＺｎの流量を制御した下で、
主面に沿った領域におけるＳｅ濃度が７×１０¹⁷ｃｍ^-3
になるように制御している。

【００５８】再び、図２（ｂ）参照この様に不純物濃度を設定することによって、斜面に沿
った領域におけるＺｎ濃度はＳｅ濃度より１桁以上高く
なるので不純物濃度差による拡散原理によりＺｎがｎ型
ドープ層に進入して、初め１．４×１０¹⁸ｃｍ^-3だった
ものが平均化されて７×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ型キャリア濃
度となり、斜面に沿った部分全体がｐ型ＩｎＰ電流チャ
ネル層１６に変換される。

【００５９】一方、主面に沿った部分においては、Ｚｎ
濃度は１．４×１０¹⁸ｃｍ^-3より１桁低くなるので、７
×１０¹⁷ｃｍ^-3のＳｅにブロックされて拡散が生ぜず、
且つ、Ｓｅの拡散は殆ど起こらないので、ｐｎｐｎｐｎ
・・構造のドーピングプロファイルになるが、これらの
層は全て薄いのでキャリアの拡散によりｐ型ドープ部分
が空乏化して均一なｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１５とな
り、このｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１５によって電流狭
窄が行われる。

【００６０】再び、図２（ａ）参照次いで、基板温度を６２０℃とした状態で、ＴＭＩ及び
ＰＨ₃を用いて、ＰＨ ₃／ＴＭＩ比が１２０となり、成
長速度が２μｍ／時となるように原料ガスを流すと共
に、ＤＥＺｎを不純物源として流すことによって斜面部
におけるキャリア濃度が７×１０¹⁷ｃｍ^-3で厚さが２．
０μｍのｐ型ＩｎＰバッファ層１７を成長させる。

【００６１】次いで、基板温度を６２０℃とした状態
で、ＴＭＩ、ＴＥＧ、ＡｓＨ₃、及び、ＰＨ₃を用い
て、Ｖ族／III 族比が８０となり、成長速度が０．５μ
ｍ／時となるように原料ガスを流すと共に、ＤＥＺｎを
不純物源として流すことによって斜面部におけるキャリ
ア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3で厚さが５０ｎｍでＰＬ波長
が１．２０μｍ組成の無歪のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層
１８、即ち、ｐ型Ｉｎ_0.78 ₃Ｇａ_0.217Ａｓ_0.48Ｐ_0.52
中間層を成長させる。なお、このｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中
間層１８は、電子親和力χの差によって形成される正孔
に対する障壁となるスパイクの影響を小さくするために
設けるものである。

【００６２】次いで、基板温度を６００℃とした状態
で、ＴＭＩ、ＴＥＧ、及び、ＡｓＨ₃を用いて、Ｖ族／I
II 族比が４０となり、成長速度が０．５μｍ／時とな
るように原料ガスを流すと共に、ＤＭＺｎ（ジメチルＺ
ｎ）を不純物源として流すことによって斜面部における
キャリア濃度が２×１０¹⁹ｃｍ^-3で厚さが０．１μｍで
無歪のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９を成長させ
る。

【００６３】最後に、基板温度を６００℃とした状態
で、ＴＭＩ及びＰＨ₃を用いて、ＰＨ ₃／ＴＭＩ比が１
２０となり、成長速度が１μｍ／時となるように原料ガ
スを流して厚さが０．１μｍのアンドープＩｎＰ保護層
２０を成長させ、以上のＭＯＶＰＥ法による連続結晶成
長終了後、ＰＨ₃を流しながら温度を下げ、４００℃を
切った時点でＰＨ₃の供給を停止し、それ以降、室温ま
で降温したのちＭＯＶＰＥ装置から成長層１２〜２０の
形成されたｎ型ＩｎＰ基板１１を取り出す。

【００６４】次いで、図示しないものの、ＨＢｒ液によ
ってアンドープＩｎＰキャップ層２０を完全に除去した
のち、１０μｍ幅の素子分離領域を形成し、ｐ側電極と
して露出したｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１９上にＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ系電極を設け、一方、ｎ型ＩｎＰ基板１
１の裏面には、裏面を研磨して成長層１２〜１９を含め
た厚さが１００μｍ程度になるように薄くしたのち、ｎ
側電極としてＡｕ・Ｇｅ／Ａｕ電極を形成する。

【００６５】次いで、幅３００μｍ、長さ４００μｍの
チップに劈開して、ｐサイドアップ（ｐ−ｓｉｄｅｕ
ｐ）でヒートシンクにボンディングすることによって半
導体レーザ装置が完成する。

【００６６】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、Ａｓの取り込み効率の面方位依存性という現象は、
本発明者によって始めて確認されたと信ずるものであっ
て、従来の知見からは全く認識し得ない事項であり、こ
の様な新規な現象利用すると共に、活性層としてＡｓと
Ｐとがほぼ同様含まれるＩｎＧａＡｓＰ層を用い、且
つ、薄いウエル層を複数層有するＭＱＷ構造とすること
によって転位を生ずることなく１回成長によって活性層
の横方向に室温における実効的なキャリア閉じ込め効果
が得られる程度のＡｓ組成分布を形成し、ＢＨ構造に近
い横方向のキャリア閉じ込め機構と横方向の光閉じ込め
機構を同時に形成することができる。

【００６７】即ち、ＩｎＧａＡｓＰにおけるＡｓ組成比
が小さい場合には、室温における実効的にキャリア閉じ
込め機構或いは横方向の光閉じ込め機構が形成される程
度、例えば、５０ｍｅＶ程度の禁制帯幅差をもたらすＡ
ｓ組成分布を形成することができず、また、活性層とし
て、バルクをＩｎＧａＡｓＰ層を用いた場合には、Ａｓ
組成分布の発生に伴って活性層に掛かる歪みがアンバラ
ンスになるので、活性層に転位等が発生し易くなる。

【００６８】さらに、活性層を歪ＭＱＷ構造としている
ので、歪によるＡｓ組成分布の拡大効果も期待すること
ができ、上記の様な具体的構成によって、光通信用半導
体レーザに要求される特性を有するＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＰ系半導体レーザを安価に提供できるものであり、本
発明の商業的価値は非常に大きいものである。

【００６９】なお、上記の実施の形態の説明において
は、ＺｎとＳｅとを交互にドープすることによってｎ型
電流ブロック層とｐ型電流チャネル層とを形成している
が、同時ドープによってｎ型電流ブロック層とｐ型電流
チャネル層とを形成しても良いものであり、その場合に
は、ＺｎとＳｅを同時にドープすることによって、上述
の図２（ｂ）から分かるように、ＺｎとＳｅの取り込み
効率の面方位依存性の傾向の違いにより、主面に沿った
領域がｎ型電流ブロック層となり、このｎ型電流ブロッ
ク層によって電流狭窄が行われる。

【００７０】また、上記の実施の形態の説明において
は、ｐ型不純物としてＺｎを用いているが、Ｍｇ或いは
Ｃｄを用いても良いものであり、また、ｎ型不純物とし
てはＳｅを用いているが、Ｓを用いても良いものであ
る。

【００７１】また、上記の実施の形態の説明において
は、基板を主面を（１００）面から（１１１）Ａ面方向
に６°オフした基板を用いているが、（１００）面を用
いても良く、或いは、（１００）面から（１１１）Ａ面
に方向に所定角度オフして（ｎ１１）Ａ面（但し、実数
ｎは、ｎ＞７）とした基板を用いても良く、その場合に
は、斜面の面方位は（４１１）Ａ面に限られるものでは
なく、（ｎ′１１）Ａ面（但し、実数ｎ′は、２≦ｎ′
≦７）であれば良い。

【００７２】また、上記の実施の形態の説明において
は、クラッド層としてＩｎＰを用いているが、クラッド
層の一部をＡｌ_1-v-wＩｎ_vＧａ_wＡｓ（但し、０＜ｖ
＜１，０≦ｗ＜１）に置き換えても良く、また、ＩｎＧ
ａＡｓＰバリア層或いはＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層をＡ
ｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＡｓ（但し、０＜ｘ＜１，０≦ｙ
＜１、ｘ＜ｖ）に置き換えても良く、ＭＱＷ活性層を構
成するウエル層にＡｓとＰとがほぼ同じ濃度で含まれて
いれば良い。

【００７３】この様なＡｌＩｎＧａＡｓ系半導体は広禁
制帯幅で且つ、ΔＥ_Cに起因するスパイクの発生が小さ
いためクラッド層として好適な材料であるが、ＡｌＩｎ
ＧａＡｓを用いた場合には、Ａｌを含んでいるため成長
層の加工後の側面成長が困難であり、且つ、不純物の取
り込み効率の面方位依存性がほとんど見られないため電
流狭窄機構を自己形成することは困難であるが、上述の
様にＭＱＷ活性層を構成するウエル層にＡｓとＰとがほ
ぼ同じ濃度で含まれ、且つ、電流狭窄機構を形成するｐ
側第２クラッド層をＩｎＰで構成すれば、他のクラッド
層、或いは、バリア層及び光ガイド層をＡｌＩｎＧａＡ
ｓで構成しても、１回成長法によってＢＨ構造と同様の
閉じ込め構造を有する半導体レーザを製造することがで
きる。

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば、Ａｓ組成分布の面方位
依存性を利用してＭＱＷ活性層を形成しているので、１
回成長法によって活性層に横方向のキャリア閉じ込め構
造と光閉じ込め構造を成長層に転位を発生させることな
く自己形成することができ、それによって、光通信用半
導体レーザに要求される特性温度及び低電流しきい値等
の素子特性を満たす半導体レーザを高歩留りで、低価格
で製造することができ、ＦＴＴＨの普及・発展に寄与す
るところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の擬似ＢＨ型半導体レーザ
の説明図である。

【図３】従来の光通信用半導体レーザの説明図である。

【図４】従来の一回成長型半導体レーザの説明図であ
る。

【図５】従来のＡｌＧａＩｎＰにおける不純物の取り込
み効率の面方位依存性の説明図である。

【符号の説明】

１段差基板２主面３斜面４活性層５ｐ側第１クラッド層６ｐ側第２クラッド層７ｐ型電流チャネル層８ｎ型電流ブロック層９高Ａｓ組成領域１０低Ａｓ組成領域１１ｎ型ＩｎＰ基板１２ｎ型ＩｎＰバッファ層１３ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１４ｐ型ＩｎＰクラッド層１５ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１６ｐ型ＩｎＰ電流チャネル層１７ｐ型ＩｎＰクラッド層１８ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層１９ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０アンドープＩｎＰキャップ層２１高Ａｓ組成領域２２低Ａｓ組成領域３１ｎ型ＩｎＰ基板３２ｎ型ＩｎＰバッファ層３３ＩｎＧａＡｓＰ歪ＭＱＷ活性層３４ｐ型ＩｎＰクラッド層３５リッジ状メサ３６ｎ型ＩｎＰ埋込バッファ層３７ｐ型ＩｎＰ埋込層３８ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３９ｐ型ＩｎＰ埋込保護層４０ｐ型ＩｎＰクラッド層４１ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５１ｎ型ＩｎＰ基板５２ｎ型ＩｎＰバッファ層５３ＩｎＧａＡｓＰ歪ＭＱＷ活性層５４ｐ型ＩｎＰクラッド層５５ｐ型ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層５６ｐ型ＩｎＰクラッド層５７ｐ型ＩｎＰ埋込層５８ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層５９ｐ型ＩｎＰ埋込保護層６０ｐ型ＩｎＰクラッド層６１ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７１ｎ型ＧａＡｓ基板７２ｎ型ＧａＡｓバッファ層７３ｎ型ＧａＩｎＰ中間層７４ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７５ＭＱＷ活性層７６ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７７ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層７８ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流チャネル層７９ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８０ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８１ｐ型ＧａＡｓコンタクト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｎをｎ＞７の実数とし、ｎ′を２≦ｎ′
≦７の実数とし、ｎ″を３≦ｎ″≦７の実数とした場
合、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面のいずれかを主
面とし、（ｎ′１１）Ａ面を斜面とする段差基板を用い
ると共に、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面のいずれ
かを主面とし、（ｎ″１１）Ａ面を斜面とする活性層、
前記活性層上に、前記斜面に沿った領域の正孔濃度が前
記主面に沿った領域の正孔濃度より高いｐ側第１クラッ
ド層、及び、前記主面においてｎ型電流ブロック層とな
り前記斜面においてｐ型電流チャネル層となるｐ側第２
クラッド層を少なくとも設けた半導体レーザ装置におい
て、前記段差基板としてＩｎＰ基板を用いると共に、前
記活性層として、ウエル層がＩｎＧａＡｓＰからなる多
重量子井戸構造活性層を用い、少なくとも前記ウエル層
の前記斜面に沿った領域のＡｓ組成比が前記主面に沿っ
た領域のＡｓ組成比より高いことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
【請求項２】上記ｎ型電流ブロック層及びｐ型電流チ
ャネル層が、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の１つと、Ｓ，Ｓｅ
のいずれかとを同時に含んでいることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】上記ｎ型電流ブロック層において、Ｚ
ｎ，Ｍｇ，Ｃｄの内の１つがドープされた層と、Ｓ，Ｓ
ｅのいずれかがドープされた層とが交互に積層され、且
つ、上記ｐ型電流チャネル層において、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃ
ｄの内の１つがドープされた層と、Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄの
内の１つと、Ｓ，Ｓｅのいずれかが同時にドープされた
層とが交互に積層されたことを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置。
【請求項４】上記段差基板と上記活性層との間に、厚
さが０．５μｍ以上のＩｎＰクラッド層を設けたことを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導
体レーザ装置。
【請求項５】上記活性層を構成するバリア層及び光ガ
イド層の少なくとも一方を、Ａｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＡ
ｓ（但し、０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１）から構成すること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半
導体レーザ装置。
【請求項６】上記ｐ側クラッド層の一部を、Ａｌ
_1-v-wＩｎ_vＧａ_wＡｓ（但し、０＜ｖ＜１，０≦ｗ＜
１）から構成することを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】ｎをｎ＞７の実数とし、ｎ′を２≦ｎ′
≦７の実数とし、ｎ″を３≦ｎ″≦７の実数とした場
合、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面のいずれかを主
面とし、（ｎ′１１）Ａ面を斜面とする段差基板を用い
ると共に、（１００）面または（ｎ１１）Ａ面のいずれ
かを主面とし、（ｎ″１１）Ａ面を斜面とする活性層、
ｐ側第１クラッド層、及び、ｐ側第２クラッド層を少な
くとも設けた半導体レーザ装置の製造方法において、前
記段差基板としてＩｎＰ基板を用いると共に、前記活性
層として、ウエル層がＩｎＧａＡｓＰからなる多重量子
井戸構造活性層を用い、少なくとも前記ウエル層の前記
斜面に沿った領域のＡｓ組成比が前記主面に沿った領域
のＡｓ組成比より高くなるように有機金属気相成長法を
用いて製造することを特徴とする半導体レーザ装置の製
造方法。
【請求項８】上記ｐ側第１クラッド層を成長させる際
に、不純物の取り込み効率の面方位依存性を利用して、
上記段差基板の斜面に沿った領域の正孔濃度を、主面に
沿った領域の正孔濃度より高くすることを特徴とする請
求項７記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】上記ｐ側第２クラッド層を成長させる際
に、ｐ型不純物とｎ型不純物の取り込み効率の面方位依
存性の違いを利用して、上記段差基板の斜面に沿った領
域をｐ型電流チャネル層とし、主面に沿った領域をｎ型
電流ブロック層としたことを特徴とする請求項７または
８に記載の半導体レーザ装置の製造方法。