JPH0517164A - ガラス微粒子の合成方法 - Google Patents
ガラス微粒子の合成方法Info
- Publication number
- JPH0517164A JPH0517164A JP16176391A JP16176391A JPH0517164A JP H0517164 A JPH0517164 A JP H0517164A JP 16176391 A JP16176391 A JP 16176391A JP 16176391 A JP16176391 A JP 16176391A JP H0517164 A JPH0517164 A JP H0517164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- burner
- pipe
- supplied
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
- C03B19/1423—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/08—Recessed or protruding ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/16—Non-circular ports, e.g. square or oval
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
- C03B2207/22—Inert gas details
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
- C03B2207/24—Multiple flame type, e.g. double-concentric flame
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/40—Mechanical flame shields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/46—Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バーナに多量に原料ガスを供給しても十分に
反応させることができ、しかも効率よく対象物にガラス
微粒子を堆積させることができるガラス微粒子の合成方
法を提供する。 【構成】 五重管バーナ３Ａの中心の第１層ガス通路８
ａには不活性ガスでバブリングした蒸留水を含んだ混合
ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、水蒸気とＡｒとの混合ガ
スを供給し、第２層ガス通路８ｂには不活性ガスでバブ
リングした原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋Ａｒ）を供給し、第
３層ガス通路８ｃには燃焼ガス（Ｈ2 ）を供給し、第４
層ガス通路８ｄにはシールガス（Ａｒ）を供給し、第５
層ガス通路８ｅには酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する。
反応させることができ、しかも効率よく対象物にガラス
微粒子を堆積させることができるガラス微粒子の合成方
法を提供する。 【構成】 五重管バーナ３Ａの中心の第１層ガス通路８
ａには不活性ガスでバブリングした蒸留水を含んだ混合
ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、水蒸気とＡｒとの混合ガ
スを供給し、第２層ガス通路８ｂには不活性ガスでバブ
リングした原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋Ａｒ）を供給し、第
３層ガス通路８ｃには燃焼ガス（Ｈ2 ）を供給し、第４
層ガス通路８ｄにはシールガス（Ａｒ）を供給し、第５
層ガス通路８ｅには酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バーナを用いて火炎加
水分解反応でガラス微粒子を合成し、光ファイバ用多孔
質母材，紫外線用窓，ディスプレー用基板等を製造する
ガラス微粒子の合成方法に関するものである。
水分解反応でガラス微粒子を合成し、光ファイバ用多孔
質母材，紫外線用窓，ディスプレー用基板等を製造する
ガラス微粒子の合成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来例を、図１２及び図１３に示
す、反応容器１内で透明石英ガラス棒からなる棒状出発
部材２をその軸心の回りに回転しつつ、バーナ３及びこ
れに対向する排気ガイド４を反応容器１と共に棒状出発
部材２の長手方向に往復移動しつつ、バーナ３の火炎中
で加水分解反応によりで合成したガラス微粒子５を棒状
出発部材２の外周に堆積させて光ファイバ用多孔質母材
６を製造する外付け法（以下、ＯＶＤ法という。）を例
にとり説明する。
す、反応容器１内で透明石英ガラス棒からなる棒状出発
部材２をその軸心の回りに回転しつつ、バーナ３及びこ
れに対向する排気ガイド４を反応容器１と共に棒状出発
部材２の長手方向に往復移動しつつ、バーナ３の火炎中
で加水分解反応によりで合成したガラス微粒子５を棒状
出発部材２の外周に堆積させて光ファイバ用多孔質母材
６を製造する外付け法（以下、ＯＶＤ法という。）を例
にとり説明する。
【０００３】このＯＶＤ法に使われるバーナ３として
は、四重管バーナ，九重管バーナ（この九重管バーナ
は、火炎を２箇所で作るので、二重火炎バーナとも呼ば
れている。）等の多重管バーナがよく使われている。あ
るいは、バーナに供給するガスの一部をノズル状にして
吹き出すノズルバーナが使われている。
は、四重管バーナ，九重管バーナ（この九重管バーナ
は、火炎を２箇所で作るので、二重火炎バーナとも呼ば
れている。）等の多重管バーナがよく使われている。あ
るいは、バーナに供給するガスの一部をノズル状にして
吹き出すノズルバーナが使われている。
【０００４】この場合、バーナ３の火炎内では、次の反
応が起こり、ガラス微粒子をつくる。
応が起こり、ガラス微粒子をつくる。
【０００５】２Ｈ2 ＋Ｏ2 →２Ｈ2 Ｏ
ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ→ＳｉＯ2 ＋４ＨＣｌ
ＶＡＤ法では、更に次の反応も起こる。
【０００６】
ＧｅＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ→ＧｅＯ2 ＋４ＨＣｌ
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多重管
バーナでは、製造能率を上げようとして原料ガスを多量
に供給すると、該原料ガスが十分に反応できなくなり、
該原料ガスを多く供給しているにも拘らず、ガラス微粒
子５の堆積量が増加しなくなる問題点があった。また、
多重管バーナでは、光ファイバ用多孔質母材６の堆積表
面に原料ガスが直接流れ込むため、該光ファイバ用多孔
質母材６の表面に異常成長が起こる問題点があった。
バーナでは、製造能率を上げようとして原料ガスを多量
に供給すると、該原料ガスが十分に反応できなくなり、
該原料ガスを多く供給しているにも拘らず、ガラス微粒
子５の堆積量が増加しなくなる問題点があった。また、
多重管バーナでは、光ファイバ用多孔質母材６の堆積表
面に原料ガスが直接流れ込むため、該光ファイバ用多孔
質母材６の表面に異常成長が起こる問題点があった。
【０００８】一方、ノズルバーナでは、原料ガスを多量
に供給してもかなりの範囲で反応させ、ガラス微粒子を
合成できるが、ノズルにより強制的に混合させるので、
原料ガスを多量に供給した場合には、燃焼ガス，酸化ガ
スの反応を高めるために、それらのガスの流速を早くし
て混合を良くしなければならず、その結果、発生したガ
ラス微粒子が広がってしまい、棒状出発部材２へ堆積す
る収率が悪くなる問題点があった。
に供給してもかなりの範囲で反応させ、ガラス微粒子を
合成できるが、ノズルにより強制的に混合させるので、
原料ガスを多量に供給した場合には、燃焼ガス，酸化ガ
スの反応を高めるために、それらのガスの流速を早くし
て混合を良くしなければならず、その結果、発生したガ
ラス微粒子が広がってしまい、棒状出発部材２へ堆積す
る収率が悪くなる問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、バーナに多量に原料ガス
を供給しても十分に反応させることができ、しかも効率
よく対象物にガラス微粒子を堆積させることができるガ
ラス微粒子の合成方法を提供することにある。
を供給しても十分に反応させることができ、しかも効率
よく対象物にガラス微粒子を堆積させることができるガ
ラス微粒子の合成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の手段を説明すると、次の通りである。
発明の手段を説明すると、次の通りである。
【００１１】請求項１に記載の発明は、バーナに原料ガ
ス，燃焼ガス，酸化ガス，シールガス等を供給して該バ
ーナが作る火炎中で加水分解反応によりガラス微粒子を
合成するガラス微粒子の合成方法において、水蒸気を前
記原料ガスの流れに隣接させて前記バーナの各ガス流路
から流出させることを特徴とする。
ス，燃焼ガス，酸化ガス，シールガス等を供給して該バ
ーナが作る火炎中で加水分解反応によりガラス微粒子を
合成するガラス微粒子の合成方法において、水蒸気を前
記原料ガスの流れに隣接させて前記バーナの各ガス流路
から流出させることを特徴とする。
【００１２】請求項２に記載の発明は、バーナに原料ガ
ス，燃焼ガス，酸化ガス，シールガス等を供給して該バ
ーナが作る火炎中で加水分解反応によりガラス微粒子を
合成するガラス微粒子の合成方法において、水蒸気を前
記原料ガスの流れに隣接させて前記バーナの各ガス流路
から流出させ、且つ前記バーナのガス混合部をヒータで
加熱しつつ前記ガラス微粒子の合成を行うことを特徴と
する。
ス，燃焼ガス，酸化ガス，シールガス等を供給して該バ
ーナが作る火炎中で加水分解反応によりガラス微粒子を
合成するガラス微粒子の合成方法において、水蒸気を前
記原料ガスの流れに隣接させて前記バーナの各ガス流路
から流出させ、且つ前記バーナのガス混合部をヒータで
加熱しつつ前記ガラス微粒子の合成を行うことを特徴と
する。
【００１３】
【作用】請求項１のように、原料ガスと直接反応する水
蒸気を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス
流路から流出させると、原料ガスの反応が従来より早く
なり、原料ガスを多量に該バーナに供給しても、十分に
反応させることができ、多量のガラス微粒子を発生させ
ることができる。
蒸気を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス
流路から流出させると、原料ガスの反応が従来より早く
なり、原料ガスを多量に該バーナに供給しても、十分に
反応させることができ、多量のガラス微粒子を発生させ
ることができる。
【００１４】また、請求項２のように、バーナのガス混
合部をヒータで加熱しつつガラス微粒子の合成を行う
と、合成されたガラス微粒子とこれを堆積させる対象物
との間の温度差が大きくなり、サーモフォレシス効果に
より効率よく対象物にガラス微粒子を堆積させることが
できる。
合部をヒータで加熱しつつガラス微粒子の合成を行う
と、合成されたガラス微粒子とこれを堆積させる対象物
との間の温度差が大きくなり、サーモフォレシス効果に
より効率よく対象物にガラス微粒子を堆積させることが
できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照して詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】第１実施例
この実施例は、図１及び図２に示す五重管バーナ３Ａに
本発明を適用した例を示したものである。該五重管バー
ナ３Ａは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７
ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅを第１の管７ａを中心
として同心状に配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層
ガス通路８ａを設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの
間に第２層ガス通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の
管７ｃとの間に第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７
ｃと第４の管７ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、
第４の管７ｄと第５の管７ｅとの間に第５層ガス通路８
ｅを設けた構造になっている。
本発明を適用した例を示したものである。該五重管バー
ナ３Ａは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７
ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅを第１の管７ａを中心
として同心状に配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層
ガス通路８ａを設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの
間に第２層ガス通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の
管７ｃとの間に第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７
ｃと第４の管７ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、
第４の管７ｄと第５の管７ｅとの間に第５層ガス通路８
ｅを設けた構造になっている。
【００１７】このような五重管バーナ３Ａの各ガス通路
８ａ〜８ｅには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、不活性ガスでバブリングした蒸留水を
含んだ混合ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、水蒸気とＡｒ
との混合ガスを供給する。第２層ガス通路８ｂには、不
活性ガスでバブリングした原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋Ａ
ｒ）を供給する。第３層ガス通路８ｃには、燃焼ガス
（Ｈ2 ）を供給する。第４層ガス通路８ｄには、シール
ガス（Ａｒ）を供給する。第５層ガス通路８ｅには、酸
化ガス（Ｏ2 ）を供給する。
８ａ〜８ｅには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、不活性ガスでバブリングした蒸留水を
含んだ混合ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、水蒸気とＡｒ
との混合ガスを供給する。第２層ガス通路８ｂには、不
活性ガスでバブリングした原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋Ａ
ｒ）を供給する。第３層ガス通路８ｃには、燃焼ガス
（Ｈ2 ）を供給する。第４層ガス通路８ｄには、シール
ガス（Ａｒ）を供給する。第５層ガス通路８ｅには、酸
化ガス（Ｏ2 ）を供給する。
【００１８】このように原料ガスと直接反応する水蒸気
を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス流路
から流出させると、原料ガスの反応が従来より早くな
り、原料ガスを多量に該バーナに供給しても、十分に反
応させることができ、多量のガラス微粒子を発生させる
ことができるようになる。
を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス流路
から流出させると、原料ガスの反応が従来より早くな
り、原料ガスを多量に該バーナに供給しても、十分に反
応させることができ、多量のガラス微粒子を発生させる
ことができるようになる。
【００１９】また、原料ガスの反応が従来より早くなる
と、燃焼ガスや酸化ガスの流速を速くする必要がなく、
このため原料ガスの供給量を増してもガラス微粒子の火
炎内での広がりを抑制でき、対象物への堆積収率を向上
させることができる。
と、燃焼ガスや酸化ガスの流速を速くする必要がなく、
このため原料ガスの供給量を増してもガラス微粒子の火
炎内での広がりを抑制でき、対象物への堆積収率を向上
させることができる。
【００２０】この結果、ＯＶＤ法の場合、従来の２倍の
原料ガスの供給ができるようになった。また、従来はガ
ラス微粒子の堆積収率が約25％であったが、本発明によ
ればガス条件を最適にすることによりガラス微粒子の堆
積収率を約50％にすることができた。
原料ガスの供給ができるようになった。また、従来はガ
ラス微粒子の堆積収率が約25％であったが、本発明によ
ればガス条件を最適にすることによりガラス微粒子の堆
積収率を約50％にすることができた。
【００２１】さらに、原料ガスと直接反応する水蒸気を
供給するにあたり、不活性ガスではなく、燃焼ガス若し
くは酸化ガスで蒸留水をバブリングして供給すると、よ
り多量の原料ガスの供給ができるようになる。これは、
原料ガスと水蒸気との反応には温度も関与するため、燃
焼ガス若しくは酸化ガスが水蒸気と混合すると、燃焼反
応が起こり易くなり、比較的高温にすることができ、原
料ガスと水蒸気との反応をより促進できるからである。
供給するにあたり、不活性ガスではなく、燃焼ガス若し
くは酸化ガスで蒸留水をバブリングして供給すると、よ
り多量の原料ガスの供給ができるようになる。これは、
原料ガスと水蒸気との反応には温度も関与するため、燃
焼ガス若しくは酸化ガスが水蒸気と混合すると、燃焼反
応が起こり易くなり、比較的高温にすることができ、原
料ガスと水蒸気との反応をより促進できるからである。
【００２２】第２実施例
この実施例は、図３に示す十重管バーナ３Ｂよりなる二
重火炎バーナに本発明を適用した例を示したものであ
る。該十重管バーナ３Ｂは、第１の管７ａ，第２の管７
ｂ，第３の管７ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅ，第６
の管７ｆ，第７の管７ｇ，第８の管７ｈ，第９の管７
ｉ，第十の管７ｊを第１の管７ａを中心として同心状に
配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを
設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス
通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に
第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４の管７
ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、第４の管７ｄと
第５の管７ｅとの間に第５層ガス通路８ｅを設け、第５
の管７ｅと第６の管７ｆとの間に第６層ガス通路８ｆを
設け、第６の管７ｆと第７の管７ｇとの間に第７層ガス
通路８ｇを設け、第７の管７ｇと第８の管７ｈとの間に
第８層ガス通路８ｈを設け、第８の管７ｈと第９の管７
ｉとの間に第９層ガス通路８ｉを設け、第９の管７ｉと
第１０の管７ｊとの間に第１０層ガス通路８ｊを設けた
構造になっている。
重火炎バーナに本発明を適用した例を示したものであ
る。該十重管バーナ３Ｂは、第１の管７ａ，第２の管７
ｂ，第３の管７ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅ，第６
の管７ｆ，第７の管７ｇ，第８の管７ｈ，第９の管７
ｉ，第十の管７ｊを第１の管７ａを中心として同心状に
配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを
設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス
通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に
第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４の管７
ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、第４の管７ｄと
第５の管７ｅとの間に第５層ガス通路８ｅを設け、第５
の管７ｅと第６の管７ｆとの間に第６層ガス通路８ｆを
設け、第６の管７ｆと第７の管７ｇとの間に第７層ガス
通路８ｇを設け、第７の管７ｇと第８の管７ｈとの間に
第８層ガス通路８ｈを設け、第８の管７ｈと第９の管７
ｉとの間に第９層ガス通路８ｉを設け、第９の管７ｉと
第１０の管７ｊとの間に第１０層ガス通路８ｊを設けた
構造になっている。
【００２３】このような十重管バーナ３Ｂの各ガス通路
８ａ〜８ｊには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、酸素でバブリングした原料ガス（Ｓｉ
Ｃｌ4 ＋Ｏ2 ）を供給する（温度55℃の原料ガス中に、
キャリアガスＯ2 を２ ｌ／分の割合で供給）。第２層
ガス通路８ｂには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａ
ｒを１ ｌ／分の割合で供給）。第３層ガス通路８ｃに
は、アルゴンガスでバブリングした蒸留水を含んだ混合
ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、原料ガスと直接反応する
水蒸気とアルゴンガスとの混合ガスを供給する（温度60
℃の蒸留水中に、キャリアガスＡｒを２ ｌ／分の割合
で供給）。第４層ガス通路８ｄには、燃焼ガス（Ｈ2 ）
を供給する（Ｈ2 を10 ｌ／分の割合で供給）。第５層
ガス通路８ｅには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａ
ｒを２ ｌ／分の割合で供給）。第６層ガス通路８ｆに
は、酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を９ ｌ／分の
割合で供給）。（ここまでが１つ目の火炎を形成する。
この火炎が二重火炎のうちの内側の火炎となる。） 第７層ガス通路８ｇには、シールガス（Ａｒ）を供給す
る（Ａｒを2.5 ｌ／分の割合で供給）。第８層ガス通路
８ｈには、燃焼ガス（Ｈ2 ）を供給する（Ｈ2 を15 ｌ
／分の割合で供給）。第９層ガス通路８ｉには、シール
ガス（Ａｒ）を供給する（Ａｒを2.5 ｌ／分の割合で
供給）。第１０層ガス通路８ｊには、酸化ガス（Ｏ2 ）
を供給する（Ｏ2 を12 ｌ／分の割合で供給）。（ここ
までが２つ目の火炎を形成する。この火炎が二重火炎の
うちの外側の火炎となる。）
８ａ〜８ｊには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、酸素でバブリングした原料ガス（Ｓｉ
Ｃｌ4 ＋Ｏ2 ）を供給する（温度55℃の原料ガス中に、
キャリアガスＯ2 を２ ｌ／分の割合で供給）。第２層
ガス通路８ｂには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａ
ｒを１ ｌ／分の割合で供給）。第３層ガス通路８ｃに
は、アルゴンガスでバブリングした蒸留水を含んだ混合
ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即ち、原料ガスと直接反応する
水蒸気とアルゴンガスとの混合ガスを供給する（温度60
℃の蒸留水中に、キャリアガスＡｒを２ ｌ／分の割合
で供給）。第４層ガス通路８ｄには、燃焼ガス（Ｈ2 ）
を供給する（Ｈ2 を10 ｌ／分の割合で供給）。第５層
ガス通路８ｅには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａ
ｒを２ ｌ／分の割合で供給）。第６層ガス通路８ｆに
は、酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を９ ｌ／分の
割合で供給）。（ここまでが１つ目の火炎を形成する。
この火炎が二重火炎のうちの内側の火炎となる。） 第７層ガス通路８ｇには、シールガス（Ａｒ）を供給す
る（Ａｒを2.5 ｌ／分の割合で供給）。第８層ガス通路
８ｈには、燃焼ガス（Ｈ2 ）を供給する（Ｈ2 を15 ｌ
／分の割合で供給）。第９層ガス通路８ｉには、シール
ガス（Ａｒ）を供給する（Ａｒを2.5 ｌ／分の割合で
供給）。第１０層ガス通路８ｊには、酸化ガス（Ｏ2 ）
を供給する（Ｏ2 を12 ｌ／分の割合で供給）。（ここ
までが２つ目の火炎を形成する。この火炎が二重火炎の
うちの外側の火炎となる。）
【００２４】このようにして二重火炎とすることで、五
重管バーナ３Ａの時よりも多くの原料ガスを供給して
も、十分に反応させることができ、一層多量のガラス微
粒子を発生させることができるようになる。
重管バーナ３Ａの時よりも多くの原料ガスを供給して
も、十分に反応させることができ、一層多量のガラス微
粒子を発生させることができるようになる。
【００２５】この場合、第１層ガス通路８ａには原料ガ
スだけを供給してもよく、また、第３層ガス通路８ｃに
は水蒸気だけを供給してもよい。
スだけを供給してもよく、また、第３層ガス通路８ｃに
は水蒸気だけを供給してもよい。
【００２６】第３実施例
この実施例は、図４に示す矩形断面の六重管バーナ３Ｃ
に本発明を適用した例を示したものである。該六重管バ
ーナ３Ｃは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７
ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅ，第６の管７ｆを第１
の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の第１の管
７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管７ａと第
２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設け、第２の
管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通路８ｃを設
け、第３の管７ｃと第４の管７ｄとの間に第４層ガス通
路８ｄを設け、第４の管７ｄと第５の管７ｅとの間に第
５層ガス通路８ｅを設け、第５の管７ｅと第６の管７ｆ
との間に第６層ガス通路８ｆを設けた構造になってい
る。
に本発明を適用した例を示したものである。該六重管バ
ーナ３Ｃは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７
ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７ｅ，第６の管７ｆを第１
の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の第１の管
７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管７ａと第
２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設け、第２の
管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通路８ｃを設
け、第３の管７ｃと第４の管７ｄとの間に第４層ガス通
路８ｄを設け、第４の管７ｄと第５の管７ｅとの間に第
５層ガス通路８ｅを設け、第５の管７ｅと第６の管７ｆ
との間に第６層ガス通路８ｆを設けた構造になってい
る。
【００２７】このような六重管バーナ３Ｃの各ガス通路
８ａ〜８ｆには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、不活性ガスでバブリングした原料ガス
（ＳｉＣｌ4 ＋Ａｒ）を供給する（Ａｒを0.5 ｌ／分
の割合で供給）。第２層ガス通路８ｂには、酸化ガス
（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を１ ｌ／分の割合で供
給）。第３層ガス通路８ｃには、アルゴンガスでバブリ
ングした蒸留水を含んだ混合ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即
ち、原料ガスと直接反応する水蒸気とアルゴンガスとの
混合ガスを供給する（Ａｒを１ ｌ／分の割合で供
給）。第４層ガス通路８ｄには、燃焼ガス（Ｈ2 ）を供
給する（Ｈ2 を５ ｌ／分の割合で供給）。第５層ガス
通路８ｅには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａｒを
１ ｌ／分の割合で供給）。第６層ガス通路８ｆには、
酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を10 ｌ／分の割合
で供給）。
８ａ〜８ｆには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、不活性ガスでバブリングした原料ガス
（ＳｉＣｌ4 ＋Ａｒ）を供給する（Ａｒを0.5 ｌ／分
の割合で供給）。第２層ガス通路８ｂには、酸化ガス
（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を１ ｌ／分の割合で供
給）。第３層ガス通路８ｃには、アルゴンガスでバブリ
ングした蒸留水を含んだ混合ガス（Ｈ2 Ｏ＋Ａｒ）、即
ち、原料ガスと直接反応する水蒸気とアルゴンガスとの
混合ガスを供給する（Ａｒを１ ｌ／分の割合で供
給）。第４層ガス通路８ｄには、燃焼ガス（Ｈ2 ）を供
給する（Ｈ2 を５ ｌ／分の割合で供給）。第５層ガス
通路８ｅには、シールガス（Ａｒ）を供給する（Ａｒを
１ ｌ／分の割合で供給）。第６層ガス通路８ｆには、
酸化ガス（Ｏ2 ）を供給する（Ｏ2 を10 ｌ／分の割合
で供給）。
【００２８】このように原料ガスと直接反応する水蒸気
を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス流路
から流出させると、第１実施例と同様に、原料ガスを多
量に該バーナに供給しても、十分に反応させることがで
き、多量のガラス微粒子を発生させることができるよう
になる。
を、該原料ガスの流れに隣接させてバーナの各ガス流路
から流出させると、第１実施例と同様に、原料ガスを多
量に該バーナに供給しても、十分に反応させることがで
き、多量のガラス微粒子を発生させることができるよう
になる。
【００２９】図５及び図６は、かかる矩形断面の六重管
バーナ３Ｃを用いて基板９にガラス微粒子を堆積させる
装置の例を示したものである。該装置では、六重管バー
ナ３Ｃが上部にセットされている反応容器１内に石英又
はシリコンからなる基板９が基板ホルダ１０に支持され
て配置され、該基板ホルダ１０は基板駆動装置１１上に
設置されていて、六重管バーナ３Ｃに対向する基板９の
位置が該基板駆動装置１１によりＸ，Ｙ方向に変えられ
るようになっている。
バーナ３Ｃを用いて基板９にガラス微粒子を堆積させる
装置の例を示したものである。該装置では、六重管バー
ナ３Ｃが上部にセットされている反応容器１内に石英又
はシリコンからなる基板９が基板ホルダ１０に支持され
て配置され、該基板ホルダ１０は基板駆動装置１１上に
設置されていて、六重管バーナ３Ｃに対向する基板９の
位置が該基板駆動装置１１によりＸ，Ｙ方向に変えられ
るようになっている。
【００３０】かかる装置では、反応容器１内で基板９上
にガラス微粒子を堆積させ、これを還元雰囲気中で処理
し、次に高温で該ガラス微粒子層を透明ガラス化する。
にガラス微粒子を堆積させ、これを還元雰囲気中で処理
し、次に高温で該ガラス微粒子層を透明ガラス化する。
【００３１】この場合、矩形断面の六重管バーナ３Ｃを
用いると、平らな基板９に対するガラス微粒子の堆積を
効率よく行うことができる。
用いると、平らな基板９に対するガラス微粒子の堆積を
効率よく行うことができる。
【００３２】本実施例の場合、六重管バーナ３Ｃに従来
の1.5 倍の原料ガスを供給できるようになり、ガラス微
粒子の堆積収率は約50％から約60％にすることができ
た。
の1.5 倍の原料ガスを供給できるようになり、ガラス微
粒子の堆積収率は約50％から約60％にすることができ
た。
【００３３】第４実施例
この実施例は、図７及び図８に示すＶＡＤ法で用いるの
コア用五重管バーナ３Ｄに本発明を適用した例を示した
ものである。該五重管バーナ３Ｄは、第１の管７ａ，第
２の管７ｂ，第３の管７ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７
ｅを第１の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の
第１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管
７ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設
け、第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通
路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４の管７ｄとの間に第
４層ガス通路８ｄを設け、第４の管７ｄと第５の管７ｅ
との間に第５層ガス通路８ｅを設け、該バーナ３Ｄの先
端内部にガス混合部１２を設け、該ガス混合部１２に対
応して第５の管７ｅの外周にヒータ１３を設けた構造に
なっている。
コア用五重管バーナ３Ｄに本発明を適用した例を示した
ものである。該五重管バーナ３Ｄは、第１の管７ａ，第
２の管７ｂ，第３の管７ｃ，第４の管７ｄ，第５の管７
ｅを第１の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の
第１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管
７ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設
け、第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通
路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４の管７ｄとの間に第
４層ガス通路８ｄを設け、第４の管７ｄと第５の管７ｅ
との間に第５層ガス通路８ｅを設け、該バーナ３Ｄの先
端内部にガス混合部１２を設け、該ガス混合部１２に対
応して第５の管７ｅの外周にヒータ１３を設けた構造に
なっている。
【００３４】このような五重管バーナ３Ｄの各ガス通路
８ａ〜８ｅには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、（ＳｉＣｌ4 ＋ＧｅＣｌ4 ＋キャリア
ガス）を供給する。第２層ガス通路８ｂには、（ＳｉＣ
ｌ4 ＋キャリアガス）を供給する。第３層ガス通路８ｃ
には、シールガスを供給する。第４層ガス通路８ｄに
は、水蒸気（反応ガス）を供給する。第５層ガス通路８
ｅには、シールガスを供給する。
８ａ〜８ｅには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、（ＳｉＣｌ4 ＋ＧｅＣｌ4 ＋キャリア
ガス）を供給する。第２層ガス通路８ｂには、（ＳｉＣ
ｌ4 ＋キャリアガス）を供給する。第３層ガス通路８ｃ
には、シールガスを供給する。第４層ガス通路８ｄに
は、水蒸気（反応ガス）を供給する。第５層ガス通路８
ｅには、シールガスを供給する。
【００３５】このような五重管バーナ３Ｄにおいては、
供給された原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋ＧｅＣｌ4 ）が反応
ガスである水蒸気とガス混合部１２で反応し、ガラス微
粒子を作る。このとき、原料ガスの周囲には、該原料ガ
スと反応する水蒸気が供給されているので、火炎だけで
合成する場合よりも遥かに濃い濃度の水蒸気が存在する
ことになり、前述したと同様にガラス微粒子を多量に発
生できる。
供給された原料ガス（ＳｉＣｌ4 ＋ＧｅＣｌ4 ）が反応
ガスである水蒸気とガス混合部１２で反応し、ガラス微
粒子を作る。このとき、原料ガスの周囲には、該原料ガ
スと反応する水蒸気が供給されているので、火炎だけで
合成する場合よりも遥かに濃い濃度の水蒸気が存在する
ことになり、前述したと同様にガラス微粒子を多量に発
生できる。
【００３６】また、反応により形成されたガラス微粒子
は、ヒータ１３により加熱され、堆積対象物との温度差
が大きくなり、サーモフォレシス効果により効率よく対
象物にガラス微粒子を堆積させることができる。
は、ヒータ１３により加熱され、堆積対象物との温度差
が大きくなり、サーモフォレシス効果により効率よく対
象物にガラス微粒子を堆積させることができる。
【００３７】第５実施例
この実施例は、図９に示すＯＶＤ法で用いる四重管バー
ナ３Ｅに本発明を適用した例を示したものである。該四
重管バーナ３Ｅは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３
の管７ｃ，第４の管７ｄを第１の管７ａを中心として同
心状に配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層ガス通路
８ａを設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの間に第２
層ガス通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の管７ｃと
の間に第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４
の管７ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、該バーナ
３Ｅの先端内部にガス混合部１２を設け、該ガス混合部
１２に対応して第４の管７ｄの外周にヒータ１３を設け
た構造になっている。
ナ３Ｅに本発明を適用した例を示したものである。該四
重管バーナ３Ｅは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３
の管７ｃ，第４の管７ｄを第１の管７ａを中心として同
心状に配置し、中心の第１の管７ａ内に第１層ガス通路
８ａを設け、第１の管７ａと第２の管７ｂとの間に第２
層ガス通路８ｂを設け、第２の管７ｂと第３の管７ｃと
の間に第３層ガス通路８ｃを設け、第３の管７ｃと第４
の管７ｄとの間に第４層ガス通路８ｄを設け、該バーナ
３Ｅの先端内部にガス混合部１２を設け、該ガス混合部
１２に対応して第４の管７ｄの外周にヒータ１３を設け
た構造になっている。
【００３８】このような四重管バーナ３Ｅの各ガス通路
８ａ〜８ｄには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、（ＳｉＣｌ4 ＋燃焼ガス）を供給す
る。第２層ガス通路８ｂには、シールガスＡｒを供給す
る。第３層ガス通路８ｃには、水蒸気（反応ガス）を供
給する。第４層ガス通路８ｄには、酸化ガスＯ2 を供給
する。
８ａ〜８ｄには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、（ＳｉＣｌ4 ＋燃焼ガス）を供給す
る。第２層ガス通路８ｂには、シールガスＡｒを供給す
る。第３層ガス通路８ｃには、水蒸気（反応ガス）を供
給する。第４層ガス通路８ｄには、酸化ガスＯ2 を供給
する。
【００３９】このような四重管バーナ３Ｅにおいても、
第４実施例と同様の効果を得ることができる。
第４実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４０】第６実施例
この実施例は、図９に示す四重管バーナ３Ｅを変形し、
図１０のように構成した多重管バーナ３Ｆの例を示した
ものである。該多重管バーナ３Ｆは、第２の管７ｂの中
に５本の第１の管７ａを収容した例を示したものであ
る。これら第１の管７ａは、その先端から噴出する原料
ガスが１つの焦点を結ぶように配置されている。
図１０のように構成した多重管バーナ３Ｆの例を示した
ものである。該多重管バーナ３Ｆは、第２の管７ｂの中
に５本の第１の管７ａを収容した例を示したものであ
る。これら第１の管７ａは、その先端から噴出する原料
ガスが１つの焦点を結ぶように配置されている。
【００４１】このような多重管バーナ３Ｆは、第１の管
７ａが複数本あるので、より多量の原料ガスを供給でき
る。また、第１の管７ａをその先端から噴出する原料ガ
スが１つの焦点を結ぶように配置しているので、発生す
るガラス微粒子を絞ることができ、対象物に対する該ガ
ラス微粒子の堆積をより効果的に行なわせることができ
る。
７ａが複数本あるので、より多量の原料ガスを供給でき
る。また、第１の管７ａをその先端から噴出する原料ガ
スが１つの焦点を結ぶように配置しているので、発生す
るガラス微粒子を絞ることができ、対象物に対する該ガ
ラス微粒子の堆積をより効果的に行なわせることができ
る。
【００４２】第７実施例
この実施例は、図１１に示すように三重管バーナ３Ｇに
本発明を適用した例を示したものである。該三重管バー
ナ３Ｇは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７ｃ
を第１の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の第
１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管７
ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設け、
第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通路８
ｃを設けた構造になっている。
本発明を適用した例を示したものである。該三重管バー
ナ３Ｇは、第１の管７ａ，第２の管７ｂ，第３の管７ｃ
を第１の管７ａを中心として同心状に配置し、中心の第
１の管７ａ内に第１層ガス通路８ａを設け、第１の管７
ａと第２の管７ｂとの間に第２層ガス通路８ｂを設け、
第２の管７ｂと第３の管７ｃとの間に第３層ガス通路８
ｃを設けた構造になっている。
【００４３】このような三重管バーナ３Ｇの各ガス通路
８ａ〜８ｃには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）を供給する。
第２層ガス通路８ｂには、シールガスを供給する。第３
層ガス通路８ｃには、水蒸気（反応ガス）を供給する。
８ａ〜８ｃには、次のようなガスを供給する。第１層ガ
ス通路８ａには、原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）を供給する。
第２層ガス通路８ｂには、シールガスを供給する。第３
層ガス通路８ｃには、水蒸気（反応ガス）を供給する。
【００４４】特に、この実施例では、第３層ガス通路８
ｃに対する水蒸気の供給を、第３の管７ｃの内周に接す
る方法に各供給口１４から行うようにしている。
ｃに対する水蒸気の供給を、第３の管７ｃの内周に接す
る方法に各供給口１４から行うようにしている。
【００４５】このようにすると、水蒸気は第３の管７ｃ
の内周を旋回しつつ流れ、原料ガスとの混合が促進さ
れ、このため原料ガスをより多量に供給することができ
る。
の内周を旋回しつつ流れ、原料ガスとの混合が促進さ
れ、このため原料ガスをより多量に供給することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るガラ
ス微粒子の合成方法によれば、下記のような効果を得る
ことができる。
ス微粒子の合成方法によれば、下記のような効果を得る
ことができる。
【００４７】請求項１に記載の発明では、原料ガスと直
接反応する水蒸気を、該原料ガスの流れに隣接させてバ
ーナの各ガス流路から流出させるので、原料ガスの反応
が従来より早くなり、原料ガスを多量に該バーナに供給
しても、十分に反応させることができ、多量のガラス微
粒子を発生させることができる。
接反応する水蒸気を、該原料ガスの流れに隣接させてバ
ーナの各ガス流路から流出させるので、原料ガスの反応
が従来より早くなり、原料ガスを多量に該バーナに供給
しても、十分に反応させることができ、多量のガラス微
粒子を発生させることができる。
【００４８】請求項２に記載の発明では、バーナのガス
混合部をヒータで加熱しつつガラス微粒子の合成を行う
ので、合成されたガラス微粒子とこれを堆積させる対象
物との間の温度差が大きくなり、サーモフォレシス効果
により効率よく対象物にガラス微粒子を堆積させること
ができる。また、この発明では、ガス混合部でのヒータ
による加熱は、ガラス微粒子の熱泳動速度を高めるため
に使うので、堆積対象物の表面温度は従来のバーナのみ
を用いた場合よりも低くすることができ、このため堆積
対象物の温度制御を別の加熱手段で独立して行うことが
できる。このようにガラス微粒子の発生と堆積対象物の
表面温度制御（密度制御）が独立して行なえると、従来
のような問題を起こさずにガラス微粒子を多量に発生さ
せることができる。
混合部をヒータで加熱しつつガラス微粒子の合成を行う
ので、合成されたガラス微粒子とこれを堆積させる対象
物との間の温度差が大きくなり、サーモフォレシス効果
により効率よく対象物にガラス微粒子を堆積させること
ができる。また、この発明では、ガス混合部でのヒータ
による加熱は、ガラス微粒子の熱泳動速度を高めるため
に使うので、堆積対象物の表面温度は従来のバーナのみ
を用いた場合よりも低くすることができ、このため堆積
対象物の温度制御を別の加熱手段で独立して行うことが
できる。このようにガラス微粒子の発生と堆積対象物の
表面温度制御（密度制御）が独立して行なえると、従来
のような問題を起こさずにガラス微粒子を多量に発生さ
せることができる。
【図１】本発明の第１実施例で用いるバーナの横断面図
である。
である。
【図２】図１に示すバーナの縦断面図である。
【図３】本発明の第２実施例で用いるバーナの横断面図
である。
である。
【図４】本発明の第３実施例で用いるバーナの横断面図
である。
である。
【図５】図４に湿すバーナを用いて基板にガラス微粒子
を堆積する装置の一例を示す縦断面図である。
を堆積する装置の一例を示す縦断面図である。
【図６】図５に示す装置の横断平面図である。
【図７】本発明の第４実施例で用いるバーナの縦断面図
である。
である。
【図８】図７に示すバーナの横断平面図である。
【図９】本発明の第５実施例で用いるバーナの縦断面図
である。
である。
【図１０】本発明の第６実施例で用いるバーナの横断面
図である。
図である。
【図１１】本発明の第７実施例で用いるバーナの横断面
図である。
図である。
【図１２】従来のガラス微粒子堆積装置の横断面図であ
る。
る。
【図１３】従来のガラス微粒子堆積装置の縦断面図であ
る。
る。
１…反応容器、２…棒状出発部材、３，３Ａ〜３Ｇ…バ
ーナ、４…排気ガイド、５…ガラス微粒子、６…光ファ
イバ用多孔質母材、７ａ〜７ｊ…第１の管〜第１０の
管、８ａ〜８ｊ…第１層ガス通路〜第１０層ガス通路、
９…基板、１０…基板ホルダ、１１…基板駆動装置、１
２…ガス混合部、１３…ヒータ、１４…供給口。
ーナ、４…排気ガイド、５…ガラス微粒子、６…光ファ
イバ用多孔質母材、７ａ〜７ｊ…第１の管〜第１０の
管、８ａ〜８ｊ…第１層ガス通路〜第１０層ガス通路、
９…基板、１０…基板ホルダ、１１…基板駆動装置、１
２…ガス混合部、１３…ヒータ、１４…供給口。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 仲 恭宏
東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古
河電気工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 バーナに原料ガス，燃焼ガス，酸化ガ
ス，シールガス等を供給して該バーナが作る火炎中で加
水分解反応によりガラス微粒子を合成するガラス微粒子
の合成方法において、水蒸気を前記原料ガスの流れに隣
接させて前記バーナの各ガス流路から流出させることを
特徴とするガラス微粒子の合成方法。 - 【請求項２】 バーナに原料ガス，燃焼ガス，酸化ガ
ス，シールガス等を供給して該バーナが作る火炎中で加
水分解反応によりガラス微粒子を合成するガラス微粒子
の合成方法において、水蒸気を前記原料ガスの流れに隣
接させて前記バーナの各ガス流路から流出させ、且つ前
記バーナのガス混合部をヒータで加熱しつつ前記ガラス
微粒子の合成を行うことを特徴とするガラス微粒子の合
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16176391A JPH0517164A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ガラス微粒子の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16176391A JPH0517164A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ガラス微粒子の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517164A true JPH0517164A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=15741433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16176391A Pending JPH0517164A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ガラス微粒子の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517164A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0978487A2 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| WO2004002911A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Lg Cable Ltd. | Outside vapor deposition apparatus for making optical fiber preform and method for making optical fiber preform using the same |
| US7214412B2 (en) | 2001-11-08 | 2007-05-08 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Magenta toner and method for producing same |
| KR101035432B1 (ko) * | 2008-02-27 | 2011-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광섬유 모재의 제조 방법 |
| EP2532627A1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus and method for making an optical fiber preform |
| WO2014148546A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16176391A patent/JPH0517164A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0978487A3 (en) * | 1998-08-07 | 2001-02-21 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
| EP0978487A2 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| CN100338744C (zh) * | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 株式会社明电舍 | 形成氧化物薄膜的方法及其装置 |
| US7214412B2 (en) | 2001-11-08 | 2007-05-08 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Magenta toner and method for producing same |
| US7441417B2 (en) | 2002-06-28 | 2008-10-28 | Ls Cable Ltd. | Outside vapor deposition apparatus for making optical fiber preform |
| WO2004002911A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Lg Cable Ltd. | Outside vapor deposition apparatus for making optical fiber preform and method for making optical fiber preform using the same |
| KR101035432B1 (ko) * | 2008-02-27 | 2011-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광섬유 모재의 제조 방법 |
| EP2532627A1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus and method for making an optical fiber preform |
| WO2014148546A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
| JP2014185784A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
| US9671107B2 (en) | 2013-03-21 | 2017-06-06 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Combustion burner, burner apparatus, and raw material powder-heating method |
| US10174940B2 (en) | 2013-03-21 | 2019-01-08 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Raw material powder-heating method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7143608B2 (en) | Burner for synthesizing glass particles and method for producing porous glass body | |
| JP4043768B2 (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法 | |
| GB2128982A (en) | Fabrication method of optical fiber preforms | |
| JPH0517164A (ja) | ガラス微粒子の合成方法 | |
| EP0231022B1 (en) | Apparatus for the production of porous preform of optical fiber | |
| JPS64332B2 (ja) | ||
| JP2006182624A (ja) | ガラス棒状体の製造方法 | |
| US8336337B2 (en) | Method and device for producing a blank mold from synthetic quartz glass by using a plasma-assisted deposition method | |
| US4781740A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
| US5207813A (en) | Method for producing glass article | |
| JP2010064934A (ja) | 合成シリカガラス製造用バーナ及びそのバーナを用いた合成シリカガラス製造装置 | |
| JPH0324417B2 (ja) | ||
| JPH06227825A (ja) | 多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| JPS6253452B2 (ja) | ||
| JP2945148B2 (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法 | |
| JPS6126527A (ja) | 多孔質石英ガラス母材の製造法 | |
| JP3785120B2 (ja) | シリカ多孔質母材の製造方法 | |
| JPH10330129A (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス体の製造方法 | |
| JPH0339978B2 (ja) | ||
| JP3788073B2 (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法 | |
| JP3176949B2 (ja) | シリカ多孔質母材の製造方法 | |
| JP3131087B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 | |
| JPS6041627B2 (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| JP2002160934A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法および該製造方法に用いるバーナー | |
| JP2000169175A (ja) | ガラス母材の製造方法 |