JPH0515436U - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガリウム・ヒ素化合物等の詭弱な材料から製
作された半導体素子（1a）の破損防止と、この半導体素
子（1a）をマスキングシート（12）へ貼着する際の作業
インデックスの向上。 【構成】 半導体ウェーハ（１）がその外周縁部（1b）
のみで接着材（７）により固定され、その外周縁部（1
b）より内側と対応する部位に多孔質のエア透過部材
（９）を設けた半導体ウェーハ（１）の接着支持板（1
0）と、この接着支持板（10）の下方に多孔質のエア透
過部材（９）とエア流路（9a）を連通させて配置された
高圧エアの噴射装置（11）とによって半導体製造装置を
構成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体製造装置に関するものであり、詳細には、硬くて脆く割れ易い 材質の半導体ウェーハ、例えば、ガリウム・ヒ素化合物からなる半導体ウェーハ から収率良く半導体素子を製造するためのダイシング手段およびマスキングシー トへの接着手段に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

高周波・高出力の半導体素子の製造に際して、熱抵抗およびリードインダクタ ンスの低減を目的として、半導体ウェーハ（１）の裏面側にAu等の厚いメッキ膜 （２）を形成するＰＨＳ製造法やVia-Hole製法が用いられている。

【０００３】 先ず、半導体ウェーハ（１）を接着材（７）を利用してガラス製の補強板（３ ）に貼付け、Auメッキ膜（２）を形成した後、スルーカット方式で半導体ウェー ハ（１）にダイシング加工を施こす。次いで、図２に示すように上記半導体ウェ ーハ（１）を補強板（３）ごと網状のケージ（４）内に懸垂支持し、ケージ（４ ）を溶剤（５）の貯槽（６）内に浸漬することによって接着材（７）を溶解除去 し、半導体素子（1a）を補強板（３）から剥離させる。溶剤（５）内を自重沈下 しケージ（４）の底部に留まった半導体素子（1a）を、ピンセットで摘んでケー ジ（４）外に取出し、図示しないマスキングシート上に整列配置状態で貼着して 後工程に供給する。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

上記高周波・高出力の半導体素子（1a）は、一般に、ガリウム・ヒ素化合物等 の硬くて脆い材料からなる半導体ウェーハ（１）から製造される。このため、ケ ージ（４）の底部に沈積している半導体素子（1a）をピンセットで摘むとき、僅 かな外力が作用することによっても半導体素子（1a）に割れが発生してしまう。 このため、作業性が悪くなるだけでなく、良品、不良品の選別に時間と手間が掛 かり、半導体素子（1a）の収率が悪くなる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

上記課題の解決手段として本考案は、半導体ウェーハがその周縁部のみで接着 材により固定され、その周縁部より内側と対応する部位に多孔質のエア透過部材 を設けた半導体ウェーハの接着支持板と、この接着支持板の下方に上記多孔質の エア透過部材とエア流路を連通させて配置された高圧エアの噴射装置とで構成し たことを特徴とする。

【０００６】

【作用】

接着支持板の上面に接着材を利用して裏面を上向きにした半導体ウェーハの外 周縁部のみを接着固定する。ＰＨＳ法等のメッキ膜形成手段を利用して上記半導 体ウェーハの裏面にAuメッキ加工を施こした後、裏面側からハーフカット方式で 半導体ウェーハに切目を入れる。半導体ウェーハの裏面、即ち、Auメッキ面にマ スキングシートを当接し、上記接着支持板の厚み方向に設けられた多孔質のエア 透過部材を通して半導体ウェーハの下面に高圧エアを噴射する。高圧エアの噴射 によって、ハーフカット状態にある半導体ウェーハはスルーカットされ、所定個 数の半導体素子に分離される。半導体ウェーハから分離された個々の半導体素子 は、上記高圧エアの噴射によって上向きに押圧され、マスキングシートの下面に 整列状態のまま貼着される。

【０００７】

【実施例】

図１は本考案装置の一実施例とその作動順序を説明する一部分を断面にした正 面図である。尚、以下の記述において、従来技術を示す図２と同一の構成部材は 同一の番号で表示し、重複する事項に関しては説明を省略する。

【０００８】 接着支持板（10）は、その外周部分が平滑な、離型性の高い金属あるいはガラ ス等から成形されており、その内側には、セラミックス等の多孔質材料から成形 されたエア透過部材（９）が嵌装固着されている。接着支持板（10）の下方には 、上記多孔質のエア透過部材（９）とエア流路（9a）を連通させて高圧エアの噴 射装置（11）が配置されている。

【０００９】 以下、本考案装置の作動順序と使用方法を説明する。先ず、図１（Ａ）に示す ように接着支持板（10）の上面に接着材（７）を利用して半導体ウェーハ（１） の外周縁部（1b）のみを接着固定する。

【００１０】 次に、図１（Ｂ）に示すようにＰＨＳ法等のメッキ膜形成手段を利用して半導 体ウェーハ（１）の裏面のAuメッキ膜（２）を被着形成する。

【００１１】 この後、図１（Ｃ）に示すように上記Auメッキ膜（２）側からハーフカット方 式で半導体ウェーハ（１）に切目（1c）を入れる。

【００１２】 この状態で、図１（Ｄ）に示すように半導体ウェーハ（１）のAuメッキ膜（２ ）にマスキングシート（12）を押し当てて当接し、高圧エアの噴射装置（11）を 起動することによって、エア流路（9a）および多孔質のエア透過部材（９）を通 して半導体ウェーハ（１）に高圧エアを噴射する。高圧エアの噴射によって、ハ ーフカット状態にある半導体ウェーハ（１）は、接着材（７）によって固着され ている外周縁部（1b）を除いてスルーカットされ、所定個数の半導体素子（1a） に分離される。

【００１３】 分離された個々の半導体素子（1a）は、高圧エアの噴射によって、今度は、上 向きに押圧され、図１（Ｅ）に示すようにマスキングシート（12）の下面に整列 状態のまま貼着される。

【００１４】

【考案の効果】

本考案によれば、半導体素子をピンセットで摘んで溶剤の貯槽内から取出す必 要がないため、ガリウム・ヒ素化合物等の脆い材料から形成された半導体素子の 破損防止に対して大きな効果が発揮され製品歩留まりが良くなる。また、マスキ ングシートへの半導体素子の貼着が所定個数単位で同時に行われるため、従来方 式に比較して作業インデックスが大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は本考案装置
の断面視正面図

【図２】従来装置の断面視正面図

【符号の説明】

１ 半導体ウェーハ 1a 半導体素子 ２ Auメッキ膜 ７ 接着材 ８ 円環状段部 ９ 多孔質のエア透過部材 10 接着支持板 11 高圧エア噴射装置 12 マスキングシート

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハがその外周縁部のみで接
   着材により固定され、その外周縁部より内側と対応する
   部位に多孔質のエア透過部材を設けた半導体ウェーハの
   接着支持板と、この接着支持板の下方に上記多孔質のエ
   ア透過部材とエア流路を連通させて配置された高圧エア
   の噴射装置とで構成したことを特徴とする半導体製造装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
   て、上記多孔質のエア透過部材を多孔質セラミックスと
   したことを特徴とする半導体製造装置。