JPH0514519B2

JPH0514519B2 -

Info

Publication number: JPH0514519B2
Application number: JP60153885A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Akao; Kazuya Mine
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 1985-07-12
Filing date: 1985-07-12
Publication date: 1993-02-25
Also published as: JPS6216092A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、３相交流負荷に接続された３相イン
バータの制御方法に関するものである。

〔従来の技術〕

交流モータの周波数及び電圧可変インバータを
接続することは公知である。また、このインバー
タをPWM（パルス幅変調）制御することも公知
である。ところで、３相インバータをPWM制御
で駆動し、近似正弦波を得る場合に、各相毎に変
調すると、他の相の影響を受け易く、最適な出力
を得ることが出来ない。即ち、インバータ出力の
線間電圧は、各相電位の差によつて決まるため、
各線間電圧を同時に正弦波に近似させることは実
質上不可能である。

上述の如き欠点を解決するための方法として、
モータの回転磁界を検出し、この検出した回転磁
界と基準回転磁界との差を求め、検出回転磁界を
基準回転磁界に一致させる様にインバータを制御
する方法が例えば特開昭59−25592号公報に開示
されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記方法によれば、基準回転磁界に近似する磁
界をモータに発生させることが可能になるが、モ
ータの回転磁界を検出しなければならないので、
構成が複雑になる。そこで、本件出願人は、特願
昭60−66259（特開昭61−227696）で所望回転磁界
を簡単に得ることが出来るインバータの制御方法
を提案した。しかし、更に精度を向上させること
が要求されている。従つて、本発明の目的は、精
度が高く且つ容易に所望回転磁界を得る方法を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明においては、
基準回転磁界ベクトルに追従する仮想回転磁界ベ
クトルが得られる様に、360度を６等分した各区
間において２つの単位ベクトルと零ベクトルとを
発生するようにスイツチを制御する。単位ベクト
ルを発生させるためのインバータのスイツチのオ
ン・オフ制御のタイミングは、基準回転磁界ベク
トルの先端軌跡と仮想回転磁界ベクトルの先端と
の距離と、基準回転磁界ベクトルの先端軌跡と仮
想回転磁界ベクトルに単位ベクトルを加算したベ
クトルの先端との距離とが等しくなる時点に決定
されている。スイツチの制御信号は演算によつて
求めてもよいし、予め求めてメモリに書き込んで
おき、これを読み出すことによつて得てもよい。

〔作用〕

仮想回転磁界ベクトルよりも基準回転磁界ベク
トルが進んだことに基づいて直ちに単位ベクトル
を加算するような従来の制御方式においては、単
位ベクトルを加算することによつて、加算前より
も基準回転磁界ベクトルに対する近似性が悪くな
る期間が生じた。これに対して、本発明では、単
位ベクトル加算前の仮想回転磁界ベクトルと単位
ベクトル加算後の仮想回転磁界ベクトルのほぼ中
間までは、単位ベクトルを発生させず、ほぼ中間
になつた時に単位ベクトルを発生させる。このた
め、基準回転磁界ベクトルに近似性の高い回転磁
界ベクトルを得ることが出来る。

〔実施例〕

次に、図面を参照して本発明の実施例に係わる
インバータ装置及びその制御方法について説明す
る。

（インバータ装置の構成）第１図は３相インバータ装置を示すものであ
る。この第１図において、１は直流電源、A₁，
A₂，B₁，B₂，C₁，C₂はトランジスタから成る制
御スイツチであり、ブリツジ接続されている。２
は負荷としての３相交流モータであり、インバー
タのＡ、Ｂ、Ｃ相出力ラインに接続されている。
３はマイクロコンピユータ（以下マイコンと呼
ぶ）であり、インバータの制御信号発生回路とし
て機能するものである。このマイコン３の中に
は、リード・オンリ・メモリ（ROM）が設けら
れており、このROMは、制御スイツチA₁〜C₂を
制御するためのデータV₁〜V₈が予め書き込まれ
ているメモリM₁、sinθのデータが予め書き込ま
れているメモリM₂、cosθのデータが予め書き込
まれているメモリM₃、単位ベクトルの発生時点
を決めるための演算式が書き込まれているメモリ
M₄、単位ベクトルV₁′〜V₈′を決定するために使
用される演算式が予め書き込まれているメモリ
M₅とを有する。

マイコン３は、上記ROMの他に、CPU、及び
RAM（図示せず）等も勿論含んでいる。このマ
イコン３には電圧指令信号と周波数指令信号とが
入力し、指令された電圧及び周波数のインバータ
出力を得るための制御信号が発生する。マイコン
３からは制御信号として、３相のＡ、Ｂ、Ｃ相に
対応して第１、第２、第３の制御信号Ａ，Ｂ，Ｃ
が発生し、制御スイツチA₁，B₁，C₁に供給され
る。また、NOT回路４，５，６によつてＡ，Ｂ，
Ｃの反転信号が形成され、制御スイツチA₂，B₂，
C₂に供給される。下側の制御スイツチA₂，B₂，
C₂は上側の制御スイツチA₁，B₁，C₁と逆に動作
するので、制御スイツチA₁，B₁，C₁の動作を特
定すれば、インバータ全体動作がの特定される。
従つて、以下においては、第１、第２、及び第３
の信号Ａ，Ｂ，Ｃにより、インバータの制御状態
を特定する。なお、制御信号Ａ，Ｂ，Ｃが高レベ
ル即ち論理の１の時に制御スイツチA₁，B₁，C₁
がオンに制御され、低レベル即ち論理の０の時に
制御スイツチA₁，B₁，C₁がオフに制御される。

（原理説明）第２図は、基準回転磁界ベクトルφ_Sと仮想回転
磁界ベクトルφとの関係を座標で表わすものであ
る。この図のａはモータ２が要求する理想的な回
転磁界に対応する基準回転磁界ベクトルφ_Sの終点
（先端）の軌跡を示し、φは本発明に従つて導入
された仮想回転磁界ベクトルを示す。仮想回転磁
界ベクトルφは、基準回転磁界ベクトルφ_Sの角度
位置の変化に追従して変えられる。即ち、基準回
転磁界ベクトルφ_Sと仮想回転磁界ベクトルφとの
誤差ベクトルに基づいて、加算すべき単位ベクト
ルV′が決定され、この単位ベクトルV′と仮想回
転磁界ベクトルφとが合成され、点線で示す新し
い仮想回転磁界ベクトルφが決定される。順次に
決定される仮想回転磁界ベクトルφは、円軌跡ａ
に沿うように決定される。また、単位ベクトル
V′には、予め特定されたベクトルが使用される。
即ち、この単位ベクトルV′は、インバータの制
御スイツチA₁〜C₂のオン・オフ動作で発生し得
るベクトルとされている。

円軌跡ａを得るための基準回転磁界ベクトルφ_S
を示す座標データは、マイコン３内のメモリM₂
のsinθとメモリM₃のcosθとによつて順次に発生
される。新しい仮想回転磁界ベクトルφの決定
は、選択された単位ベクトルV′を古い仮想回転
磁界ベクトルφに加算することによつて行う。基
準回転磁界ベクトルφ_Sの座標データと、仮想回転
磁界ベクトルφの座標データとが得られると、こ
のデータに基づく演算処理によつて、使用される
単位ベクトルが決定され、更に単位ベクトルを発
生させる時点が決定される。

（電圧ベクトルの説明）第３図は、インバータの制御スイツチA₁，B₁，
C₁の状態と電圧ベクトルの関係を示すものであ
る。３相インバータの制御スイツチA₁，B₁，C₁
のとりうる状態は、（100）（110）（010）（011）
（001）（101）（111）（000）の８種類であり、この
各状態における電圧ベクトルは、第３図に示す如
く60度間隔の６つの空間ベクトルV₁〜V₆と２つ
の零ベクトルV₇，V₈で表わすことが出来る。上
記８種類のスイツチングモード（８つの電圧ベク
トル）を組み合せれば、モータ２に任意の回転磁
界を発生させることが出来る。１周期（2π）中
に第３図に示す如く６つのスイツチングモードを
配置するのみでは、高調波成分が多くて実用上好
ましくない。そこで、本発明では、この電圧ベク
トルV₁〜V₈に対応する単位ベクトルを利用して
仮想回転磁界ベクトルφを得、この仮想回転磁界
ベクトルφと基準回転磁界ベクトルφ_Sとを１周期
中に多数個設けられたクロツク毎に比較し、制御
信号を決定する。

（仮想回転磁界ベクトルの原理）仮想回転磁界ベクトルφの決定は、第４図に示
す如く、基準回転磁界ベクトルφ_Sの円軌跡ａの１
周期（2π）を６分割し、第１〜第６区間を設定
し、区間毎に行う。今、第１区間の中心をθ＝0°
とすれば、第１区間は−30°から＋30°の範囲に対
応している。この第４図における電圧ベクトル
V₂，V₃は第３図の電圧ベクトルV₂，V₃と同一で
ある。第１区間で仮想回転ベクトルを決定する時
には、電圧ベクトルV₂に平行な単位ベクトル
V₂′、又は電圧ベクトルV₃に平行な単位ベクトル
V₃′を仮想回転磁界ベクトルφに加える。仮想回
転磁界ベクトルφは演算で決定するものであるか
ら、基準回転磁界に一致するように発生させるこ
とが可能である。しかし、この仮想回転磁界ベク
トルφはインバータの制御スイツチの制御信号の
決定に利用されるので、制御スイツチA₁〜C₂の
オン・オフによつて決定される第３図の電圧ベク
トルV₁〜V₈を使用して決定する。このため、φ
とφ_Sは完全に一致しない。

第４図の第１区間においては、円軌道ａに仮想
回転磁界ベクトルを最も良く追従させることが出
来る２つの電圧ベクトルV₂，V₃に対応する第１
及び第２の単位ベクトルV₂′，V₃′が使用されてい
る。なお、仮想回転磁界ベクトルを得るために後
述で明らかになるが、２つの単位ベクトルV₂′，
V₃′の他に、零ベクトルV₇′又はV₈′を使用し、円
軌跡ａに対する仮想回転磁界ベクトルの追従性を
高めている。零ベクトルを仮想回転磁界ベクトル
に加算するということは、仮想回転磁界ベクトル
をその角度位置に止めることを意味する。使用す
る零ベクトルは、V₇′とV₈′のいずれでも原理的に
は差支えないが、本実施例では、第４図に示す如
く、60°間隔で交互に使用されている。例えば、−
60°〜0°、60°〜120°でV₇′が使用され、0°〜60°
で
V₈′が使用されている。この様にV₇′とV₈′の使用
を特定した理由は、インバータにおけるスイツチ
ング回数を減らすためである。例えば、0°〜60°
の区間では電圧ベクトルV₃（010）に平行な単位
ベクトルV₃′を発生させる回数が多いため零電圧
ベクトルV₈（000）の零ベクトルV₈′が選択されて
いる。これにより、V₃（010）のスイツチングモ
ードとV₈（000）のスイツチングモードとが隣接
している時には、スイツチB₁，B₂のオン・オフ
を切り換えるのみでよく、スイツチング回数が少
なくなる。一方、例えば、−60°〜0°区間では、V₂
（110）のスイツチングモードが多くなるので、零
電圧ベクトルV₇（111）に対応する零ベクトル
V₇′が選択され、同様に60°〜120°区間ではV₄
（011）のスイツチングモードが多くなるため零ベ
クトルV₇′が選択される。

第２区間の仮想回転磁界ベクトルは、第３図に
示す電圧ベクトルV₃（010）とV₄（011）とに対応
する単位ベクトルV₃′，V₄′を使用して形成し、以
下、同様に第３区間では、電圧ベクトルV₄（011）
とV₅（001）に対応する単位ベクトルV₄′，V₅′を
使用して形成し、第４区間では電圧ベクトルV₅
（001）とV₆（101）とに対応する単位ベクトル
V₅′，V₆′を使用して形成し、第５区間では電圧ベ
クトルV₆（101）とV₁（100）に対応する単位ベク
トルV₆′，V₁′を使用して決定し、第６区間では電
圧ベクトルV₁（100）とV₂（110）に対応する単位
ベクトルV₁′，V₂′を使用して決定する。

（単位ベクトルの決定）第５図は第１区間における単位ベクトルの決定
を説明するものである。基準回転磁界φ_S及び仮想
回転磁界φの現在の角度位置が分れば、使用する
単位ベクトルは第４図で説明した原理で決定され
る。即ち、第１区間の場合には、単位ベクトル
V₂′，V₃′が使用される。第５図において、仮想回
転磁界ベクトルφの終点（先端）位置Ａの座標が
（x_A、y_A）であるとすれば、このベクトルφに一
方の単位ベクトルV₂′を加算した点Ｂの座標は
（x_B、y_B）となり、またベクトルφに他方の単位
ベクトルV₃′を加算した点Ｃの座標は（x_C、y_C）
となる。新しい仮想回転磁界ベクトルの先端位置
となる可能性のある点Ｂ又はＣは、演算によつて
決定する。点ＢとＣの座標を求めたら、これに基
づいて一方の単位ベクトルV₂と他方の単位ベク
トルV₃とのいずれを選択するかを演算で決める。

次にこの決定方法を詳しく説明する。基準回転
磁界はクロツク如に角度位置を変え、そのベクト
ル終点軌跡ａが変化する。そこで、クロツク毎に
基準回転磁界ベクトルφ_Sの終点Ｄ（x_D、y_D）と点
Ａの距離、点Ｄと点Ｂとの距離、点Ｄと点Ｃとの
距離を求める。Ａ−Ｄ間距離とＢ−Ｄ距離とがほ
ぼ等しくなつた時点で第１図のメモリM₁から単
位ベクトルV₂′を得るためのデータV₂（110）を読
み出し、メモリM₅の演算式に従つて単位ベクト
ルを発生させる。この例では、Ａ−Ｄ間距離とＢ
−Ｄ間距離とが等しくなる時点が、Ａ−Ｄ間距離
とＣ−Ｄ間距離とが等しくなる時点よりも先に到
来するので、一方の単位ベクトルV₂′のみを選択
し、他方の単位ベクトルV₃′は選択しない。従来
は点Ａの近傍に基準回転磁界が到来した時点で単
位ベクトルV₂′又はV₃′を発生させたので、単位ベ
クトルを発生させた時点近傍においての仮想回転
磁界と基準回転磁界との差が大きくなつたが、本
発明では、現在の仮想回転磁界ベクトルと単位ベ
クトルを加算後の仮想回転磁界ベクトルとの中間
で単位ベクトルを発生させるので、仮想回転磁界
と基準回転磁界との差が小さくなる。なお、この
実施例では、第１区間を４６のクロツクに分割し
て単位ベクトルの発生を制御している。但し、４
６のクロツク毎に必ず単位ベクトルを発生させる
わけではなく、この例では第１区間で22個の単位
ベクトルを発生させる。

第６図はクロツクと単位ベクトルの発生との関
係を示すものである。第６図Ｆのクロツクt₀にお
いて、仮想回転磁界ベクトルφと基準回転磁界ベ
クトルφ_Sとを一致させたとすれば、この時点で
は、第６図Ａに示す如く零ベクトルV₇′を発生さ
せる。即ち、制御信号Ａ，Ｂ，Ｃを第６図Ｂの如
くとし、第１図のインバータのスイツチA₁，B₁，
C₁をオンに保ち、A₂，B₂，C₂をオフに保つ。第
６図は第１区間の状態を示すので、発生させる単
位ベクトルは、V₂′とV₃′である。クロツクt₀にお
いてV₂′又はV₃′を加算した時に仮想回転磁界ベク
トルがどの様に変化するかを判断し、第５図で説
明した原理に従つて単位ベクトルを発生させる。
即ち、第６図の場合では、クロツクt₁でも零ベク
トルに保ち、クロツクt₂で単位ベクトルV₂′を発
生させる。即ち、スイツチA₁，B₁，C₁の内でA₁
とB₁をオン、C₁をオフに制御する。同時に出力
電圧を制御するために、タイマでオン時間Ｔを調
整する。このオン時間Ｔの終了後は零ベクトルを
出力させる。オン時間Ｔを長くすれば出力電圧が
高くなり、短かくすれば低くなる。この第６図は
クロツクt₄，t₆で単位ベクトルV₂′を発生させ、ク
ロツクt₉は単位ベクトルV₃′を発生させる。これ
により、各線間には第６図Ｃ，Ｄ，Ｅに示す電圧
が得られる。出力周波数の調整は第６図Ｆのクロ
ツクの周期を変えることにより行う。なお、オン
時間Ｔが一定であれば、クロツクの周期を変える
ことにより電圧も変化する。

（単位ベクトルの形成）仮想回転電解ベクトルφを得るために必要な単
位ベクトルV₁′〜V₈′は次の様に決定する。使用さ
れる単位ベクトルV₁′〜V₈′は、第３図に示した３
相の電圧ベクトルV₁〜V₈に対応している。３相
（Ａ、Ｂ、Ｃ）の電圧ベクトルV₁〜V₈に対する制
御スイツチA₁〜C₁の制御データＡ，Ｂ，Ｃは、
マイコン３のメモリM₁に書き込まれている。即
ち、V₁に対応して（100）、V₂に対応して（110）、
V₃に対応して（010）、V₄に対応して（011）、V₅
に対応して（001）、V₆に対応して（101）、V₇に
対応して（111）、V₈に対応して（000）が書き込
まれている。なお、データの内容（100）等はマ
イコン３の出力（ABC）に対応する。従つて、
V₁〜V₈はＶ（Ａ，Ｂ，Ｃ）で表わすことが出来
る。このデータを使用して単位ベクトルV₁′〜
V₆′を決定することが出来れば都合が良い。デー
タV₁（100）〜V₆（101）に基づいて単位ベクトル
V₁′〜V₆′のＱ−Ｄ座標データ（V_Q、V_D）は次式
で求めることが出来る。

V_Q＝√３／２（Ｂ−Ｃ） ……(1) V_D＝Ａ−１／２Ｂ−１／２Ｃ ……(2) 但し、Ａ，Ｂ，Ｃは、データV₁（100）〜V₆
（101）の内容（100）〜（101）即ちＡ，Ｂ，Ｃに
対応し、データV₁（100）〜V₆（101）の内容が１
の場合にはそのままV_Q，V_Dの式に代入し、もし
内容が零の場合には−１としてV₁〜V₆の式に代
入する。これにより、円軌跡の場合の単位ベクト
ルの各座標データは次の通りになる。

V₁′（０、２） V₂′（√３、１） V₃′（√３、−１） V₄′（０、−２） V₅′（−√３、−１） V₆′（−√３、１）第７図はこの単位ベクトルV₁′〜V₆′と座標デー
タを示す。上記式(1)、(2)はマイコン３のメモリ
（M₅）に書き込まれているので、メモリM₁から
読み出したデータV₁（100）〜V₆（101）と上記式
(1)、(2)との組み合せによつて単位ベクトルV₁′〜
V₆′を容易に決定することが出来る。なお、式(1)
の√３／２はこの近似値を利用する。例えば、クロツクt₂で単位ベクトルV₂′が得られるように制御
信号（110）を発生させると、この時点から仮想
回転磁界ベクトルφの値は、それまでの仮想回転
磁界ベクトルφに単位ベクトルを加算した値にな
り、これがRAMに記憶される。

（第８図の実施例）次に、第８図を参照して本発明の別の実施例に
ついて述べる。第８図では、第１図〜第７図の実
施例で説明した演算をロツク毎に行わずに、予め
演算しておき、その結果をROM即ちリードオン
リメモリ１０に書き込んでおく。即ち、第６図Ａ
の単位ベクトルの配列に対応する第６図Ｂの制御
信号をメモリ１０に書き込んでおく。メモリ１０
は第４図に示す単位区間（60°）に対応して４６
のアドレスを有する。この例では、第１区間のア
ドレス２、４、６、９、12、15、18、21、25、
30、37に単位ベクトルV₂′を得るための制御信号
データ（110）が書き込まれ、アドレス10、17、
22、26、29、32、35、38、41、43、45に単位ベク
トルV₃′を得るための制御信号データ（010）が書
き込まれ、その他のアドレスには零ベクトルを得
るための制御信号データ（111）又は（000）が書
き込まれている。従つて、第６図Ｆに示すクロツ
クに同期して第８図のメモリ１０から第６図Ｂ示
すと同一の制御信号を読み出すと、第１図に示す
インバータのスイツチA₁〜C₂はこれに対応した
オン・オフ動作をし、演算で求めた仮想回転磁界
ベクトルφと同じ回転磁界が得られる。

なお、ROM１０から読み出された制御信号
Ａ，Ｂ，Ｃは、CPU１１の出力端子ａ，ｂ，ｃ
から出力され、ORゲート１２，１３，１４と
ANDゲート１５，１６，１７を通つてギンバー
タのスイツチに供給される。ANDゲート１５，
１６，１７の出力は第１図の上側のスイツチA₁，
B₁，C₁の制御信号となり、NOT回路４，５，６
の出力が下側のスイツチA₂，B₂，C₂の制御信号
となる。CPU１１の出力端子ｄは、単位ベクト
ルを発生させない期間に制御信号Ａ，Ｂ，Ｃの全
部を（111）にする時に０を出力し、全部を
（000）にする時に１を発生するものであり、
NANDゲート１８に接続されている。CPU１１
の出力端子ｅはタイマ出力端子であり、単位ベク
トルを発生させるための制御信号のパルス幅を決
める出力を発生する。即ち、第６図におけるオン
時間Ｔに対応して０即ち低レベル出力を発生す
る。この出力端子ｅは３つのORゲート１２，１
３，１４と１つのNANDゲート１８との入力に
接続されているので、この出力が１即ち高レベル
の時には、ORゲート１２，１３，１４の出力も
１即ち高レベルになり、この時出力端子ｄが０で
あれば、NANDゲート１８の出力が１即ち高レ
ベルになり、結局３つのANDゲート１５，１６，
１７の出力の全部が零ベクトルに対応する（111）
になる。一方、出力端子ｄが１であり且つ出力端
子ｅが１即ち高レベルの期間には、NANDゲー
ト１８の出力が０即ち低レベルになるので、３つ
のANDゲート１５，１６，１７の出力が（000）
になる。なお、時間Ｔを変えれば、インバータの
出力電圧値が変化する。この第８図においても、
ｆ指令信号に基づいてクロツク周波数を変えれ
ば、インバータの出力周波数が変化すると共に、
電圧値も変化する。

第４図の第１区間の動作を説明したが、第２区
間以後においても、使用する単位ベクトルが異な
るのみであるから、単位ベクトルを得るための制
御信号Ａ，Ｂ，Ｃのデータを入れ換えるのみで、
第１区間と同様な制御が可能になる。第８図の実
施例では予め演算してメモリ１０に制御データを
書き込んでおくので、制御の基本の演算は不要で
あり、高速制御が可能になる。

（変形例）本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば、次の変形例をとり得るものである。

(a) 第１図及び第８図の方法において、基準回転
磁界ベクトルφ_Sの終点軌跡ａを長円軌跡とし、
これに適合するように単位ベクトルV₁′〜V₆′を
決定してもよい。この場合の単位ベクトルが第
９図に示す如く端数を踏まない様にすることが
望ましい。

(b) ６つの単位ベクトルと２つの零ベクトルとを
得るための８種類の制御信号を８つのアドレス
に書き込んでおき、予め決められたクロツクで
予め決められたアドレスを指定し、このクロツ
クで要求される制御信号を出力するようにして
もよい。

(c) 第１図の演算で単位ベクトルの発生を決める
方式において、新しい仮想回転磁界ベクトルφ
が得られたら、直ちに次の単位ベクトルの種類
と発生時点を演算で求め、これをメモリに書き
込んでおき、発生時点になつたら発生させても
よい。

〔発明の効果〕

上述から明らかな如く、本発明では、単位ベク
トルを発生させるためのタイミングを今迄の仮想
回転磁界ベクトルと次の仮想回転磁界ベクトルと
の中間としたので、基準回転磁界ベクトルとの差
の少ない回転磁界ベクトルを得るとが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わるインバータ装
置を示すブロツク図、第２図は本発明の原理を説
明するためのベクトル図、第３図は３相インバー
タのスイツチ状態と回転磁界ベクトルとの関係を
示すベクトル図、第４図は区間の配置及び第１区
間における仮想回転磁界ベクトルの変化及び零ベ
クトルの選択範囲を原理的に示すベクトル図、第
５図は単位ベクトルを発生させるための制御のタ
イミングを説明するためのベクトル図、第６図は
第１図の各部の状態を示す波形図、第７図は基準
回転磁界ベクトルの終点軌跡が円の場合の単位ベ
クトルを示すベクトル図、第８図は本発明の別の
実施例におけるインバータ制御回路を示すブロツ
ク図、第９図は回転磁界ベクトルの終点軌跡を長
円軌跡とした場合の単位ベクトルを示すベクトル
図である。１……電源、２……モータ、３……マイコン、
φ……仮想回転磁界ベクトル、φ_S……基準回転磁
界ベクトル、V₁′〜V₆′……単位ベクトル。

Claims

【特許請求の範囲】１３相インバータに接続された３相交流負荷に
おける基準回転磁界ベクトルφ_Sに追従する仮想回
転磁界ベクトルφを得るために、６つの単位ベク
トルと零ベクトルとを決め、前記基準回転磁界ベ
クトルφ_Sの１周期を６等分し、各区間において２
つの単位ベクトルと零ベクトルとを使用して前記
仮想回転磁界ベクトルを得るように前記３相イン
バータのスイツチをオン・オフ制御するインバー
タの制御方法において、前記各区間における２つの単位ベクトルV₂′，
V₃′の内の一方又は他方を加算する前の前記仮想
回転磁界ベクトルφの終点位置（x_A、y_A）と、
前記仮想回転磁界ベクトルφに前記一方の単位ベ
クトルV₂′を加算することによつて得られる第１
の加算後仮想回転磁界ベクトルの終点位置（x_B、
y_B）と、前記仮想回転磁界ベクトルφに前記他方
の単位ベクトル（V₃′）を加算することによつて
得られる第２の加算後仮想回転磁界ベクトルの終
点位置（x_C、y_C）とを予め求め、更に、前記基準
回転磁界ベクトルφ_Sの終点位置（x_D、y_D）から前
記仮想回転磁界ベクトルφの終点位置（x_A、y_A）
までの第１の距離、前記第１の加算後仮想回転磁
界ベクトルの終点位置（x_B、y_B）までの第２の距
離、及び前記第２の加算後仮想回転磁界ベクトル
の終点位置（x_C、y_C）までの第３の距離を求め、
前記第１の距離と前記第２の距離とが等しくなる
時点と前記第１の距離と前記第３の距離とが等し
くなる時点との内で先に等しくなる時点又はこの
近傍で、前記先に等しくなる時点に関連を有する
単位ベクトルを発生するように前記スイツチを制
御することを特徴とするインバータの制御方法。２３相インバータに接続された３相交流負荷に
おける基準回転磁界ベクトルφ_Sに追従する仮想回
転磁界ベクトルφを得るために、６つの単位ベク
トルと零ベクトルとを決め、前記基準回転磁界ベ
クトルφ_Sの角度位置を６等分し、各区間において
２つの単位ベクトルと零ベクトルとを使用して前
記仮想回転磁界ベクトルを得るように前記３相イ
ンバータのスイツチをオン・オフ制御する際に、
前記各区間における２つの単位ベクトルV₂′，
V₃′の内の一方又は他方を加算する前の前記仮想
回転磁界ベクトルφの終点位置（x_A、y_A）と、
前記仮想回転磁界ベクトルφに前記一方の単位ベ
クトルV₂′を加算することによつて得られる第１
の加算後仮想回転磁界ベクトルの終点位置（x_B、
y_B）と、前記仮想回転磁界ベクトルφに前記他方
の単位ベクトルV₃′を加算することによつて得ら
れる第２の加算後仮想回転磁界ベクトルの終点位
置（x_C、y_C）とを予め求め、更に、前記基準回転
磁界ベクトルφ_Sの終点位置x_D、y_D）から前記仮想
回転磁界ベクトルφの終点位置（x_A、y_A）まで
の第１の距離、前記第１の加算後仮想回転磁界ベ
クトルの終点位置（x_B、y_B）までの第２の距離、
及び前記第２の加算後仮想回転磁界ベクトルの終
点位置（x_C、y_C）までの第３の距離を求め、前記
第１の距離と前記第２の距離とが等しくなる時点
と前記第１の距離と前記第３の距離とが等しくな
る時点との内で先に等しくなる時点又はこの近傍
で、前記先に等しくなる時点に関連を有する単位
ベクトルを発生させると等価な制御を行う方法で
あつて、前記各区間で要求される前記単位ベクトルに対
応する前記スイツチの制御データ及びこの制御デ
ータを発生させる時点を示すデータを予めメモリ
に書き込んでおき、前記メモリから読み出したデ
ータに基づいて前記スイツチを制御することを特
徴とするインバータの制御方法。