JPH05121615A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05121615A JPH05121615A JP30682791A JP30682791A JPH05121615A JP H05121615 A JPH05121615 A JP H05121615A JP 30682791 A JP30682791 A JP 30682791A JP 30682791 A JP30682791 A JP 30682791A JP H05121615 A JPH05121615 A JP H05121615A
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード線を用いることなく外部接続端子と半
導体素子の接続端子との接続がなしうる半導体装置を提
供することを主目的とし、さらに熱拡散効率の改善され
た半導体装置を提供することをも目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、２以上の外部接続端
子１、２、３を有する半導体装置であって、少なくとも
一つの外部接続端子に接続部材５が配設され、その接続
部材、例えば金製ボールが半導体素子４の接続端子に直
接接続されているものである。本発明の好ましい実施例
においては、外部接続端子に接続部材５が配設されてい
る部分の面積が拡大されている。
導体素子の接続端子との接続がなしうる半導体装置を提
供することを主目的とし、さらに熱拡散効率の改善され
た半導体装置を提供することをも目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、２以上の外部接続端
子１、２、３を有する半導体装置であって、少なくとも
一つの外部接続端子に接続部材５が配設され、その接続
部材、例えば金製ボールが半導体素子４の接続端子に直
接接続されているものである。本発明の好ましい実施例
においては、外部接続端子に接続部材５が配設されてい
る部分の面積が拡大されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置関する。さら
に詳しくは、外部接続端子の少なくとも一つがリード線
を用いることなく半導体素子の接続端子と接続されてい
る半導体装置に関する。
に詳しくは、外部接続端子の少なくとも一つがリード線
を用いることなく半導体素子の接続端子と接続されてい
る半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体装置においては、図７に
示すように外部接続端子１０１、１０３と半導体素子１
０５の接続端子との接続は、リード線１０４を用いて行
われている。
示すように外部接続端子１０１、１０３と半導体素子１
０５の接続端子との接続は、リード線１０４を用いて行
われている。
【０００３】このリード線１０４の材質には金が使用さ
れているので、製品のコスト増大の要因となっている。
また、リード線１０４と必要以外の端子との無用の接続
を避けるために、リード線には、図７に示すようにルー
プを設ける必要があるので、製品の薄型化を妨げる要因
になっている。
れているので、製品のコスト増大の要因となっている。
また、リード線１０４と必要以外の端子との無用の接続
を避けるために、リード線には、図７に示すようにルー
プを設ける必要があるので、製品の薄型化を妨げる要因
になっている。
【０００４】さらに、ヒートシンクとしては、外部接続
端子１０２しか寄与していないという問題もある。
端子１０２しか寄与していないという問題もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、製品コストの
増大を招来している貴金属の使用量が削減されるととも
に、製品の薄型化傾向に対応できる半導体装置を提供す
ることを主目的としている。
術の問題点に鑑みなされたものであって、製品コストの
増大を招来している貴金属の使用量が削減されるととも
に、製品の薄型化傾向に対応できる半導体装置を提供す
ることを主目的としている。
【０００６】さらに、本発明は放熱効率の改善された半
導体装置を提供することをも目的としている。
導体装置を提供することをも目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
２またはそれ以上の外部接続端子を有する半導体装置で
あって、前記外部接続端子のうちの少なくとも一つが接
続部材を有し、該接続部材が直接半導体素子の接続端子
と接続されてなることを特徴としている。
２またはそれ以上の外部接続端子を有する半導体装置で
あって、前記外部接続端子のうちの少なくとも一つが接
続部材を有し、該接続部材が直接半導体素子の接続端子
と接続されてなることを特徴としている。
【０００８】また、本発明の半導体装置においては、外
部接続端子の接続部材を有する部分の面積が拡大されて
いるのが好ましい。
部接続端子の接続部材を有する部分の面積が拡大されて
いるのが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明の半導体装置においては、外部接続端子
に接続部材を設け、それを半導体装置の接続端子に直接
接続させているので、リード線が不用となるとともに、
リード線のショートを避けるためのループも不用とな
る。
に接続部材を設け、それを半導体装置の接続端子に直接
接続させているので、リード線が不用となるとともに、
リード線のショートを避けるためのループも不用とな
る。
【００１０】また、外部接続端子の接続部材を有する面
を拡大すれば、結果的に放熱面積が拡大されるので、放
熱効率を改善することができる。
を拡大すれば、結果的に放熱面積が拡大されるので、放
熱効率を改善することができる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１２】図１は本発明の第１実施例の概略図、図２
は本発明の第２実施例の概略図、図３は第１〜２実施例
の端子接続部の説明図、図４は第３実施例の概略図、図
５は第３実施例における熱拡散の状態の説明図、図６は
第４実施例の概略図である。図において、１は第１接続
端子、２は第２接続端子、３は第３接続端子、４は半導
体素子、５は接続部材、６はリード線を示す。また、図
５における矢印は熱の伝導拡散方向を示す。
は本発明の第２実施例の概略図、図３は第１〜２実施例
の端子接続部の説明図、図４は第３実施例の概略図、図
５は第３実施例における熱拡散の状態の説明図、図６は
第４実施例の概略図である。図において、１は第１接続
端子、２は第２接続端子、３は第３接続端子、４は半導
体素子、５は接続部材、６はリード線を示す。また、図
５における矢印は熱の伝導拡散方向を示す。
【００１３】図１に示すように、第１実施例においては
第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａは、一方の先
端部の一部が第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａ
の長手方向に対しては略直角方向に、かつ略ステップ状
に互いに向き合うように***せしめられている。このス
テップ状に***せしめられた部分には、図３に示すよう
に接続部材５が配設されている。この接続部材５は、直
径が概略５０〜７０μｍの金ボ−ルまたはペ−スト状半
田などからなり、第１接続端子１Ａおよび第３接続端子
３Ａと半導体素子４Ａの間に位置する金ボ−ルは、熱圧
着により接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４Ａ間の電気
導電性を確保する。ペ−スト状半田の場合は、半田の表
面張力現象により、接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４
Ａ間に位置し、ひき続き熱処理を施されることにより、
電気導電性を確保する。そして、この接続部材５は、図
３に示すように半導体素子４Ａの接続端子に直接接続さ
れている。第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａの
その余の構成は、従来より半導体装置に用いられている
外部接続端子と同様であるので、その構成の詳細な説明
は省略する。
第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａは、一方の先
端部の一部が第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａ
の長手方向に対しては略直角方向に、かつ略ステップ状
に互いに向き合うように***せしめられている。このス
テップ状に***せしめられた部分には、図３に示すよう
に接続部材５が配設されている。この接続部材５は、直
径が概略５０〜７０μｍの金ボ−ルまたはペ−スト状半
田などからなり、第１接続端子１Ａおよび第３接続端子
３Ａと半導体素子４Ａの間に位置する金ボ−ルは、熱圧
着により接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４Ａ間の電気
導電性を確保する。ペ−スト状半田の場合は、半田の表
面張力現象により、接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４
Ａ間に位置し、ひき続き熱処理を施されることにより、
電気導電性を確保する。そして、この接続部材５は、図
３に示すように半導体素子４Ａの接続端子に直接接続さ
れている。第１接続端子１Ａおよび第３接続端子３Ａの
その余の構成は、従来より半導体装置に用いられている
外部接続端子と同様であるので、その構成の詳細な説明
は省略する。
【００１４】なお、接続部材５と半導体素子４Ａの接続
端子との導通は、第１接続端子１Ａおよび第３接続端子
３Ａと半導体素子４Ａの間に位置する金ボ−ルを熱圧着
することにより、接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４Ａ
間の電気導電性を確保する。ペ−スト状半田の場合は、
半田の表面張力現象により、接続端子と半導体素子間に
位置し、ひき続き熱処理を施されることにより、電気導
電性を確保する。
端子との導通は、第１接続端子１Ａおよび第３接続端子
３Ａと半導体素子４Ａの間に位置する金ボ−ルを熱圧着
することにより、接続端子１Ａ，３Ａと半導体素子４Ａ
間の電気導電性を確保する。ペ−スト状半田の場合は、
半田の表面張力現象により、接続端子と半導体素子間に
位置し、ひき続き熱処理を施されることにより、電気導
電性を確保する。
【００１５】前述のように、第１実施例によればリード
線を用いることなく外部接続端子と半導体素子の接続端
子とを接続することができる。
線を用いることなく外部接続端子と半導体素子の接続端
子とを接続することができる。
【００１６】図２に示す第２実施例では、接続部材５を
有する第１接続端子１Ｂおよび第３接続端子３Ｂが長手
方向にステップ状に***せしめられている。このように
構成された第１および第３接続端子を用いれば、該端子
間の間隔を狭めることができ、半導体装置を小型化する
ことができる。第２実施例のその余の構成は、第１実施
例と同様であるので、その構成の詳細な説明は省略す
る。
有する第１接続端子１Ｂおよび第３接続端子３Ｂが長手
方向にステップ状に***せしめられている。このように
構成された第１および第３接続端子を用いれば、該端子
間の間隔を狭めることができ、半導体装置を小型化する
ことができる。第２実施例のその余の構成は、第１実施
例と同様であるので、その構成の詳細な説明は省略す
る。
【００１７】図４に示す第３実施例においては、第１接
続端子１Ｃは、接続部材５Ｃを有する部分が拡大されて
いる他は、第１実施例のそれと略同様に形成されてい
る。一方、第３接続端子３Ｃは従来のそれと同様に形成
されている。そして、第３接続端子３Ｃと半導体素子４
Ｃとはリード線６により接続されている。
続端子１Ｃは、接続部材５Ｃを有する部分が拡大されて
いる他は、第１実施例のそれと略同様に形成されてい
る。一方、第３接続端子３Ｃは従来のそれと同様に形成
されている。そして、第３接続端子３Ｃと半導体素子４
Ｃとはリード線６により接続されている。
【００１８】第３実施例によれば、リード線の本数を従
来のものと比較して半減できるとともに、第１接続端子
１Ｃは、接続部材５Ｃを有する部分が拡大されており、
この部分はヒートシンクとしても作用するので、熱拡散
効率が改善される（図５参照）。
来のものと比較して半減できるとともに、第１接続端子
１Ｃは、接続部材５Ｃを有する部分が拡大されており、
この部分はヒートシンクとしても作用するので、熱拡散
効率が改善される（図５参照）。
【００１９】図６に示す第４実施例においては、第３の
接続端子３Ｄが第１実施例のそれと略同様に形成されて
いる他は、第３実施例と同様に形成されている。
接続端子３Ｄが第１実施例のそれと略同様に形成されて
いる他は、第３実施例と同様に形成されている。
【００２０】第４実施例によれば、リード線が不用とな
るばかりでなく、第３実施例同様熱拡散効率も改善され
る。
るばかりでなく、第３実施例同様熱拡散効率も改善され
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればリ
ード線を用いることなく外部接続端子と半導体素子の接
続端子との接続を行っているので、製品のコスト削減が
達成できるとともに製品の薄型化にも対処できる。さら
に、外部接続端子の接続部材が配設された部分の面積が
拡大された実施例によれば熱拡散効率も改善することが
できる。
ード線を用いることなく外部接続端子と半導体素子の接
続端子との接続を行っているので、製品のコスト削減が
達成できるとともに製品の薄型化にも対処できる。さら
に、外部接続端子の接続部材が配設された部分の面積が
拡大された実施例によれば熱拡散効率も改善することが
できる。
【図１】本発明の第１実施例の概略図である。
【図２】本発明の第２実施例の概略図である。
【図３】第１〜２実施例の端子接続部の説明図である。
【図４】第３実施例の概略図である。
【図５】第３実施例における熱伝導拡散の状態の説明図
である。
である。
【図６】第４実施例の概略図である。
【図７】従来の半導体装置の概略図である。
１ 第１接続端子 ２ 第２接続端子 ３ 第３接続端子 ４ 半導体素子 ５ 接続部材 ６ リード線
Claims (2)
- 【請求項１】 ２またはそれ以上の外部接続端子を有す
る半導体装置であって、前記外部接続端子のうちの少な
くとも一つが接続部材を有し、該接続部材が直接半導体
素子の接続端子と接続されてなることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記外部接続端子の接続部材を有する部
分の面積が拡大されてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30682791A JP2941523B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30682791A JP2941523B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121615A true JPH05121615A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2941523B2 JP2941523B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=17961739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30682791A Expired - Fee Related JP2941523B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2941523B2 (ja) |
Cited By (14)
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| WO2001031704A1 (fr) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs |
| US6479888B1 (en) | 1999-02-17 | 2002-11-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6573119B1 (en) | 1999-02-17 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6774466B1 (en) | 1999-01-28 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
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| WO2021002225A1 (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP30682791A patent/JP2941523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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