JPH0511291A - 有機非線形光学材料およびそれを用いた非線形光学素子 - Google Patents
有機非線形光学材料およびそれを用いた非線形光学素子Info
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- JPH0511291A JPH0511291A JP16677991A JP16677991A JPH0511291A JP H0511291 A JPH0511291 A JP H0511291A JP 16677991 A JP16677991 A JP 16677991A JP 16677991 A JP16677991 A JP 16677991A JP H0511291 A JPH0511291 A JP H0511291A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】結晶が反転対称中心を持たず、かつ長波長領域
に吸収のないＳＨＧ活性の大きな有機非線形光学材料の
提供。 【構成】式〔１〕で表わされる化合物、例えばトリベン
ズアミドからなる有機非線形光学材料。〔但し、Ａｒ1
〜Ａｒ3は互いに異なっていてもよいπ電子共役構造を
有する原子団であり、有機置換基により置換されていて
もよい。〕 【化１２】
に吸収のないＳＨＧ活性の大きな有機非線形光学材料の
提供。 【構成】式〔１〕で表わされる化合物、例えばトリベン
ズアミドからなる有機非線形光学材料。〔但し、Ａｒ1
〜Ａｒ3は互いに異なっていてもよいπ電子共役構造を
有する原子団であり、有機置換基により置換されていて
もよい。〕 【化１２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機非線形光学材料お
よびそれを用いた非線形光学素子に関する。
よびそれを用いた非線形光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、非線形光学材料は、電磁場により
２次、３次の非線形応答を示す材料であり、高調波発
生、光混合、光パラメトリック発振、光変調、光スイッ
チなどの素子機能を有することから注目されている。
２次、３次の非線形応答を示す材料であり、高調波発
生、光混合、光パラメトリック発振、光変調、光スイッ
チなどの素子機能を有することから注目されている。
【０００３】従来、非線形光学材料としては、ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、リン酸二水素カリウム（Ｋ
Ｈ2ＰＯ4）、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）などの無機結
晶材料や半導体材料が主に検討されてきた。しかし、無
機結晶材料は化合物の修飾が困難であること、結晶が潮
解し易く取扱い難いこと、ピコ秒以下の高速応答性のも
のを得ることが困難であること、など多くの問題点があ
る。
リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、リン酸二水素カリウム（Ｋ
Ｈ2ＰＯ4）、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）などの無機結
晶材料や半導体材料が主に検討されてきた。しかし、無
機結晶材料は化合物の修飾が困難であること、結晶が潮
解し易く取扱い難いこと、ピコ秒以下の高速応答性のも
のを得ることが困難であること、など多くの問題点があ
る。
【０００４】一方、有機非線形材料は分子の修飾が容易
でかつ非線形光学定数が大きく、光応答速度の速い材料
が得られる可能性が高い。
でかつ非線形光学定数が大きく、光応答速度の速い材料
が得られる可能性が高い。
【０００５】こうした状況下において近年、無機材料に
比べて非線形光学特性に優れ、光応答速度も非常に速い
有機非線形光学材料が発見され、それらを利用した非線
形光学素子の開発が盛んとなってきた（特開平１−２６
８６６９号公報）。
比べて非線形光学特性に優れ、光応答速度も非常に速い
有機非線形光学材料が発見され、それらを利用した非線
形光学素子の開発が盛んとなってきた（特開平１−２６
８６６９号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機非線形光学
材料の開発においては、分子の双極子モーメントを大き
くするために、分子内にπ電子共役系を有し、様々な電
子供与基や電子吸引基を導入した材料の設計や合成が行
われてきた。しかし、上記の分子設計の方法は、２次の
非線形性発現のために必要な条件である第２高調波発生
領域に吸収を持たないことや、結晶構造が反転対称中心
を持たないことなどとトレードオフの関係にある。即
ち、有機非線形光学材料の開発には、超分子分極率を大
きくするだけでなく、第２高調波発生領域における透過
率や、結晶構造をも十分考慮する必要がある。
材料の開発においては、分子の双極子モーメントを大き
くするために、分子内にπ電子共役系を有し、様々な電
子供与基や電子吸引基を導入した材料の設計や合成が行
われてきた。しかし、上記の分子設計の方法は、２次の
非線形性発現のために必要な条件である第２高調波発生
領域に吸収を持たないことや、結晶構造が反転対称中心
を持たないことなどとトレードオフの関係にある。即
ち、有機非線形光学材料の開発には、超分子分極率を大
きくするだけでなく、第２高調波発生領域における透過
率や、結晶構造をも十分考慮する必要がある。
【０００７】有機材料は、分子の修飾が容易である反
面、２次の非線形光学効果発現のために必要な反転対称
中心を持たない結晶を得ることや、吸収波長端を下げた
ものを得ることなど困難な点が多い。例えば、パラニト
ロアニリンは、分子自体の超分子分極率はある程度大き
いが結晶としては非線形性を発現しない。これは、パラ
ニトロアニリンの結晶が反転対称中心を持つためであ
る。この様な例は、そのほかにオルトニトロアニリン、
４−ジメチルアミノ−４’−ニトロスチルベン、パラニ
トロ−Ｎ−オキサイドピリジンなど多くの例がある。
面、２次の非線形光学効果発現のために必要な反転対称
中心を持たない結晶を得ることや、吸収波長端を下げた
ものを得ることなど困難な点が多い。例えば、パラニト
ロアニリンは、分子自体の超分子分極率はある程度大き
いが結晶としては非線形性を発現しない。これは、パラ
ニトロアニリンの結晶が反転対称中心を持つためであ
る。この様な例は、そのほかにオルトニトロアニリン、
４−ジメチルアミノ−４’−ニトロスチルベン、パラニ
トロ−Ｎ−オキサイドピリジンなど多くの例がある。
【０００８】また、第２高調波発生領域に非線形材料が
吸収を有すると第２高調波発生（ＳＨＧ）効率が著しく
低下する。現在の半導体レーザの出力光の波長が約８５
０〜７５０ｎｍであることから、非線形材料の吸収波長
端は４５０ｎｍ以下であることが望ましい。つまり、よ
り有効な有機非線形光学材料を得るためには、２次の超
分子分極率が大きく、かつ、その分子が非対称中心構造
の結晶構造をとることが必要である。また、その吸収波
長端は４５０ｎｍ以下であることが望ましい。
吸収を有すると第２高調波発生（ＳＨＧ）効率が著しく
低下する。現在の半導体レーザの出力光の波長が約８５
０〜７５０ｎｍであることから、非線形材料の吸収波長
端は４５０ｎｍ以下であることが望ましい。つまり、よ
り有効な有機非線形光学材料を得るためには、２次の超
分子分極率が大きく、かつ、その分子が非対称中心構造
の結晶構造をとることが必要である。また、その吸収波
長端は４５０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０００９】本発明の目的は、結晶が反転対称中心を持
たず、かつ長波長領域に吸収のないＳＨＧ活性の大きな
有機非線形光学材料を提供することにある。
たず、かつ長波長領域に吸収のないＳＨＧ活性の大きな
有機非線形光学材料を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、上記有機非線形光学
材料を用いた非線形光学素子を提供することにある。
材料を用いた非線形光学素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、トリアミド系化合物を設計、合成し、その非線形性
の評価を行った。その結果、半導体レーザー光源、レン
ズ、非線形光学媒体からなる半導体レーザー波長変換素
子において、下記式〔１〕に示されるトリアミド系化合
物を非線形光学媒体として用いることにより半導体レー
ザーの波長変換を効率良く行えることを見出し本発明に
到達した。本発明の要旨次のとおりである。
め、トリアミド系化合物を設計、合成し、その非線形性
の評価を行った。その結果、半導体レーザー光源、レン
ズ、非線形光学媒体からなる半導体レーザー波長変換素
子において、下記式〔１〕に示されるトリアミド系化合
物を非線形光学媒体として用いることにより半導体レー
ザーの波長変換を効率良く行えることを見出し本発明に
到達した。本発明の要旨次のとおりである。
【００１２】（１）式〔１〕〜〔３〕で表される化合物
からなることを特徴とする有機非線形光学材料。
からなることを特徴とする有機非線形光学材料。
【００１３】
【化６】
【００１４】
【化７】
【００１５】
【化８】
【００１６】〔但し、Ａｒ1〜Ａｒ3はπ電子共役構造を
有する原子団で互いに異なっていてもよく、有機性置換
基により置換されていてもよい。〕前記式〔１〕におい
て、Ａｒ1〜Ａｒ3が、ベンゼン環，ナフタレン環，アン
トラセン環，ベンゾキノン環，ナフトキノン環，アント
ラキノン環，ピロール環，イミダゾール環，インドール
環，キノリン環，フェナジン環およびシンナミル基から
選ばれたπ共役原子団で示される化合物である。
有する原子団で互いに異なっていてもよく、有機性置換
基により置換されていてもよい。〕前記式〔１〕におい
て、Ａｒ1〜Ａｒ3が、ベンゼン環，ナフタレン環，アン
トラセン環，ベンゾキノン環，ナフトキノン環，アント
ラキノン環，ピロール環，イミダゾール環，インドール
環，キノリン環，フェナジン環およびシンナミル基から
選ばれたπ共役原子団で示される化合物である。
【００１７】また、Ａｒ1〜Ａｒ3が、ニトロ基，シアノ
基，イソシアネート基，カルボキシ基，アリル基，アリ
ルオキシ基，アリルスルホニル基，アリルスルフィニル
基，アリルオキシスルホニル基，アリルオキシカルボニ
ル基，アリルチオ基，アシルアミノ基，アシルオキシ
基，カルバモイル基，スルファモイル基，炭素数１〜８
のアルキル基，同アルキルオキシカルボニル基，同アル
キルスルホニル基，同アルキルスルフィニル基，同アル
キルオキシスルホニル基，同アルキルチオ基，炭素数１
〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，チオール基，ハロ
ゲン原子子より選ばれた置換基により置換されている化
合物である。
基，イソシアネート基，カルボキシ基，アリル基，アリ
ルオキシ基，アリルスルホニル基，アリルスルフィニル
基，アリルオキシスルホニル基，アリルオキシカルボニ
ル基，アリルチオ基，アシルアミノ基，アシルオキシ
基，カルバモイル基，スルファモイル基，炭素数１〜８
のアルキル基，同アルキルオキシカルボニル基，同アル
キルスルホニル基，同アルキルスルフィニル基，同アル
キルオキシスルホニル基，同アルキルチオ基，炭素数１
〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，チオール基，ハロ
ゲン原子子より選ばれた置換基により置換されている化
合物である。
【００１８】（２）式〔４〕で表される化合物からなる
ことを特徴とする有機非線形光学材料。
ことを特徴とする有機非線形光学材料。
【００１９】
【化９】
【００２０】〔但し、Ａ1〜Ａ5，Ｂ1〜Ｂ5，Ｃ1〜Ｃ
が、水素原子、ニトロ基，シアノ基，イソシアネート
基，カルボキシ基，アリル基，アリルオキシ基，アリル
スルホニル基，アリルスルフィニル基，アリルオキシス
ルホニル基，アリルオキシカルボニル基，アリルチオ
基，アシルアミノ基，アシルオキシ基，カルバモイル
基，スルファモイル基，炭素数１〜８のアルキル基，同
アルキルオキシカルボニル基，同アルキルスルホニル
基，同アルキルスルフィニル基，同アルキルオキシスル
ホニル基，同アルキルチオ基，炭素数１〜８のアルコキ
シ基，ヒドロキシ基，チオール基，ハロゲン原子より選
ばれた置換基を有する化合物である。
が、水素原子、ニトロ基，シアノ基，イソシアネート
基，カルボキシ基，アリル基，アリルオキシ基，アリル
スルホニル基，アリルスルフィニル基，アリルオキシス
ルホニル基，アリルオキシカルボニル基，アリルチオ
基，アシルアミノ基，アシルオキシ基，カルバモイル
基，スルファモイル基，炭素数１〜８のアルキル基，同
アルキルオキシカルボニル基，同アルキルスルホニル
基，同アルキルスルフィニル基，同アルキルオキシスル
ホニル基，同アルキルチオ基，炭素数１〜８のアルコキ
シ基，ヒドロキシ基，チオール基，ハロゲン原子より選
ばれた置換基を有する化合物である。
【００２１】（３）式〔５〕で表される化合物からなる
ことを特徴とする有機非線形光学材料。
ことを特徴とする有機非線形光学材料。
【００２２】
【化１０】
【００２３】〔但し、Ｒ1〜Ｒ3は水素原子、ニトロ基，
シアノ基，イソシアネート基，カルボキシ基，アリル
基，アリルオキシ基，アリルスルホニル基，アリルスル
フィニル基，アリルオキシスルホニル基，アリルオキシ
カルボニル基，アリルチオ基，アシルアミノ基，アシル
オキシ基，カルバモイル基，スルファモイル基，炭素数
１〜８のアルキル基，同アルキルオキシカルボニル基，
同アルキルスルホニル基，同アルキルスルフィニル基，
同アルキルオキシスルホニル基，同アルキルチオ基，炭
素数１〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，チオール
基，ハロゲン原子より選ばれ、互いに異なっていてもよ
い。〕 （４）前記式〔１〕〜〔５〕に示される有機非線形光学
材料が１ｍｍ角以上の単結晶または有機非線形光学材料
が透明高分子重合体中に分散され強電界中で配向させた
フィルムからなり、光の共振器中に保持されてなること
を特徴とする非線形光学素子である。
シアノ基，イソシアネート基，カルボキシ基，アリル
基，アリルオキシ基，アリルスルホニル基，アリルスル
フィニル基，アリルオキシスルホニル基，アリルオキシ
カルボニル基，アリルチオ基，アシルアミノ基，アシル
オキシ基，カルバモイル基，スルファモイル基，炭素数
１〜８のアルキル基，同アルキルオキシカルボニル基，
同アルキルスルホニル基，同アルキルスルフィニル基，
同アルキルオキシスルホニル基，同アルキルチオ基，炭
素数１〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，チオール
基，ハロゲン原子より選ばれ、互いに異なっていてもよ
い。〕 （４）前記式〔１〕〜〔５〕に示される有機非線形光学
材料が１ｍｍ角以上の単結晶または有機非線形光学材料
が透明高分子重合体中に分散され強電界中で配向させた
フィルムからなり、光の共振器中に保持されてなること
を特徴とする非線形光学素子である。
【００２４】（５） 光源と、該光源からの光を集光す
る集光手段と、該集光手段により集光された光を受けて
第２高調波を発生する高調波発生手段を有する光波長変
換装置であって、前記第２高調波発生手段は、前記式
〔１〕〜〔５〕に示される有機非線形光学材料の単結晶
またはその高分子分散体を光路内に備えたことを特徴と
する光波長変換装置である。
る集光手段と、該集光手段により集光された光を受けて
第２高調波を発生する高調波発生手段を有する光波長変
換装置であって、前記第２高調波発生手段は、前記式
〔１〕〜〔５〕に示される有機非線形光学材料の単結晶
またはその高分子分散体を光路内に備えたことを特徴と
する光波長変換装置である。
【００２５】前記有機非線形光学材料を分散させる透明
高分子重合体としては、アクリル酸、メチルアクリレー
ト，エチルアクリレート，ブチルアクリレート，メタク
リル酸，メチルメタクリレート，エチルメタクリレー
ト，シクロヘキシルメタクリレート，フェニルメタクリ
レート，スチレンなどに代表されるモノマーを重合させ
た透明高分子重合体が用いられる。特に該重合体は４０
０ｎｍ以上に吸収を持たない重合体であることが望まし
い。そして、上記分散体を強電界下で配向させたもので
ある。また、該分散体は、あらかじめモノマー中に非線
形媒体を分散させ、強電界下において非線形材料を配向
させながら前記モノマーを重合させることによって得る
ことができる。また、前記非線形材料を分散させたモノ
マーを重合させた後に該高分子重合体のガラス転移温度
以上に加熱し、強電界下で徐冷することによって得るこ
ともできる。
高分子重合体としては、アクリル酸、メチルアクリレー
ト，エチルアクリレート，ブチルアクリレート，メタク
リル酸，メチルメタクリレート，エチルメタクリレー
ト，シクロヘキシルメタクリレート，フェニルメタクリ
レート，スチレンなどに代表されるモノマーを重合させ
た透明高分子重合体が用いられる。特に該重合体は４０
０ｎｍ以上に吸収を持たない重合体であることが望まし
い。そして、上記分散体を強電界下で配向させたもので
ある。また、該分散体は、あらかじめモノマー中に非線
形媒体を分散させ、強電界下において非線形材料を配向
させながら前記モノマーを重合させることによって得る
ことができる。また、前記非線形材料を分散させたモノ
マーを重合させた後に該高分子重合体のガラス転移温度
以上に加熱し、強電界下で徐冷することによって得るこ
ともできる。
【００２６】さらに本発明の有機非線形光学材料の単結
晶もしくはその高分子分散体をコアとし、該コアがクラ
ッド層に囲まれた光導波路を備えた非線形光学素子とし
て用いられる。
晶もしくはその高分子分散体をコアとし、該コアがクラ
ッド層に囲まれた光導波路を備えた非線形光学素子とし
て用いられる。
【００２７】図１は、本発明の非線形光学素子を応用し
た光波長変換装置の模式図を示す。前記有機非線形材料
の単結晶またはその高分子分散体のコアとそれを囲むク
ラッド層を備えたＳＨＧ素子５に、レーザーダイオード
１からのレーザー光６（ＧａＡｌＡｓ半導体レーザー
光；波長０.８８〜０.７５μｍ）をコリメータ２、アナ
モルフィックプリズムペア３および集光レンズ４を介し
て透過させることにより、青色光（波長０.４４〜０.３
７μｍ）の第２次高調波を得ることができる。本発明の
ＳＨＧ素子５を用いることにより、カットオフ波長が短
かく、耐レーザー光性に優れた光波長変換装置が得られ
る。
た光波長変換装置の模式図を示す。前記有機非線形材料
の単結晶またはその高分子分散体のコアとそれを囲むク
ラッド層を備えたＳＨＧ素子５に、レーザーダイオード
１からのレーザー光６（ＧａＡｌＡｓ半導体レーザー
光；波長０.８８〜０.７５μｍ）をコリメータ２、アナ
モルフィックプリズムペア３および集光レンズ４を介し
て透過させることにより、青色光（波長０.４４〜０.３
７μｍ）の第２次高調波を得ることができる。本発明の
ＳＨＧ素子５を用いることにより、カットオフ波長が短
かく、耐レーザー光性に優れた光波長変換装置が得られ
る。
【００２８】本発明のトリアミド系化合物の代表的な例
としては、トリベンズアミド、４−メチルトリベンズア
ミド、トリナフチルアミド、４，４’−ジメトキシトリ
ナフチルアミド、トリアンスリルアミド、トリス−３−
ブロモアンスリルアミド、トリベンゾキノイルアミド、
４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）トリベンゾキノイルア
ミド、トリナフトキノイルアミド、６−ニトロトリナフ
トキノイルアミド、トリアントラキノイルアミド、６，
６’−ジシアノトリアントラキノイルアミド、トリピロ
リルアミド、５−クロロトリピロリルアミド、トリイン
ドリルアミド、５−ヒドロキシトリインドリルアミド、
トリキノリノリニルアミド、６−フェニルトリキノリノ
リニルアミド、トリフェナジニルアミド、３，３’−ジ
メチルチオトリフェナジニルアミド、ジベンズナフチル
アミド、ベンズジシンナミルアミドが挙げられる。
としては、トリベンズアミド、４−メチルトリベンズア
ミド、トリナフチルアミド、４，４’−ジメトキシトリ
ナフチルアミド、トリアンスリルアミド、トリス−３−
ブロモアンスリルアミド、トリベンゾキノイルアミド、
４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）トリベンゾキノイルア
ミド、トリナフトキノイルアミド、６−ニトロトリナフ
トキノイルアミド、トリアントラキノイルアミド、６，
６’−ジシアノトリアントラキノイルアミド、トリピロ
リルアミド、５−クロロトリピロリルアミド、トリイン
ドリルアミド、５−ヒドロキシトリインドリルアミド、
トリキノリノリニルアミド、６−フェニルトリキノリノ
リニルアミド、トリフェナジニルアミド、３，３’−ジ
メチルチオトリフェナジニルアミド、ジベンズナフチル
アミド、ベンズジシンナミルアミドが挙げられる。
【００２９】次に、前記トリアミド系化合物の合成方法
について説明する。該トリアミド系化合物は、その無置
換トリアミドに化学反応により置換基を導入する方法
か、もしくは、式〔６〕に示す方法によって容易に合成
することができる。
について説明する。該トリアミド系化合物は、その無置
換トリアミドに化学反応により置換基を導入する方法
か、もしくは、式〔６〕に示す方法によって容易に合成
することができる。
【００３０】
【化１１】
【００３１】式中、Ｘはハロゲン原子に代表されるよう
な非常に高い脱離能を有する置換基である。また、Ａｒ
はπ電子共役構造を有する原子団を表す。用いる塩基と
しては、トリエチルアミン、ピリジンなどに代表される
有機塩基、ｎ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミドに代表される有機金属塩基、水酸化ナトリウ
ム、炭酸カリウムなどに代表される無機塩基などが挙げ
られる。
な非常に高い脱離能を有する置換基である。また、Ａｒ
はπ電子共役構造を有する原子団を表す。用いる塩基と
しては、トリエチルアミン、ピリジンなどに代表される
有機塩基、ｎ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミドに代表される有機金属塩基、水酸化ナトリウ
ム、炭酸カリウムなどに代表される無機塩基などが挙げ
られる。
【００３２】また溶媒としては、テトラヒドロフラン、
ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
に代表されるような高極性溶媒、ｎ−ヘキサンに代表さ
れるような低極性溶媒などが用いられる。また、その際
の反応温度は、−８０℃〜＋１５０℃が望ましい。
ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
に代表されるような高極性溶媒、ｎ−ヘキサンに代表さ
れるような低極性溶媒などが用いられる。また、その際
の反応温度は、−８０℃〜＋１５０℃が望ましい。
【００３３】なお、本願の有機非線形光学材料の合成方
法は、上記以外に公知の合成方法によっても行うことが
できる。
法は、上記以外に公知の合成方法によっても行うことが
できる。
【００３４】
【作用】本発明のトリアミド系化合物の有機非線形光学
特性ついて、分子単独の超分極率、最低励起エネルギー
および分子間相互作用の計算による結晶構造の予測など
種々の検討を行った。
特性ついて、分子単独の超分極率、最低励起エネルギー
および分子間相互作用の計算による結晶構造の予測など
種々の検討を行った。
【００３５】その結果、本発明の有機非線形光学材料が
優れた非線形特性を示すのは、分子単独の非線形光学特
性を表す超分極率が波長変換素子のような非線形光学素
子に用いるに十分な非線形特性を有し、さらに結晶構造
も２次の非線形特性の発現に必要である対称中心を持ち
難い構造のためである。また、その吸収波長端も半導体
レーザの波長変換素子用として十分な特性を有している
ことが分かった。
優れた非線形特性を示すのは、分子単独の非線形光学特
性を表す超分極率が波長変換素子のような非線形光学素
子に用いるに十分な非線形特性を有し、さらに結晶構造
も２次の非線形特性の発現に必要である対称中心を持ち
難い構造のためである。また、その吸収波長端も半導体
レーザの波長変換素子用として十分な特性を有している
ことが分かった。
【００３６】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づきその合成法、
評価法も含め詳細に説明する。
評価法も含め詳細に説明する。
【００３７】〔実施例 １〕トリベンズアミド（Ａ）の合成
ベンズアミド（２.０ｇ）、トリエチレンジアミン（４.
１ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（２４ｍｌ）
とベンゾイルクロライド（５.６ｇ）とをテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）中で攪拌しながら２時間還流した後、
反応溶液中に水２０ｍｌを加え、生じた生成物を濾過、
精製することにより目的のトリベンズアミド（Ａ）を得
た。〔該化合物の赤外線スペクトル分析（ＩＲ）の結果
は３０６０，１６９８ｃｍ~1である。〕 〔実施例 ２〕４−メトキシトリベンズアミド（Ｂ）の合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とベンゾイルクロライド（１.１ｇ）と
を実施例１と同様に反応、濾過、精製することにより目
的の４−メトキシトリベンズアミド（Ｂ）を得た。〔Ｉ
Ｒ：２９１７，１６９８，１２４４，１０３４ｃｍ~1〕 〔実施例 ３〕４，４’−ジメトキシトリベンズアミド（Ｃ）の合成 ベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６.６ｍ
ｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド（１.７ｇ）
とを、実施例１と同様に反応，濾過，精製することによ
り目的の４、４’−ジメトキシトリベンズアミド（Ｃ）
を得た。〔ＩＲ：２９３３，１６９４，１２４６，１０
２８ｃｍ~1〕 〔実施例 ４〕トリスパラメトキシベンズアミド（Ｄ）の合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド
（１.４ｇ）とを実施例１と同様にして、目的のトリス
パラメトキシベンズアミド（Ｄ）を得た。〔ＩＲ：２９
８２，１６９４，１２４６，１０３０ｃｍ~1〕 〔実施例 ５〕４−メチルトリベンズアミド（Ｅ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とベンゾイルクロライド（１.３ｇ）とを
実施例１と同様にして、目的の４−メチルトリベンズア
ミド（Ｅ）を得た。〔ＩＲ：２９２５，１７０１ｃｍ
~1〕 〔実施例 ６〕４，４’−ジメチルトリベンズアミド（Ｆ）の合成 ベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６.６ｍ
ｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド（１.５ｇ）と
を、実施例１と同様にして、目的の４、４’−ジメチル
トリベンズアミド（Ｆ）を得た。〔ＩＲ：２９２５，１
７００ｃｍ~1〕 〔実施例 ７〕トリスパラメチルベンズアミド（Ｇ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド（１.
４ｇ）とを実施例１と同様にして、目的のトリスパラメ
チルベンズアミド（Ｇ）を得た。〔ＩＲ：２９２３，１
６９８ｃｍ~1〕。
１ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（２４ｍｌ）
とベンゾイルクロライド（５.６ｇ）とをテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）中で攪拌しながら２時間還流した後、
反応溶液中に水２０ｍｌを加え、生じた生成物を濾過、
精製することにより目的のトリベンズアミド（Ａ）を得
た。〔該化合物の赤外線スペクトル分析（ＩＲ）の結果
は３０６０，１６９８ｃｍ~1である。〕 〔実施例 ２〕４−メトキシトリベンズアミド（Ｂ）の合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とベンゾイルクロライド（１.１ｇ）と
を実施例１と同様に反応、濾過、精製することにより目
的の４−メトキシトリベンズアミド（Ｂ）を得た。〔Ｉ
Ｒ：２９１７，１６９８，１２４４，１０３４ｃｍ~1〕 〔実施例 ３〕４，４’−ジメトキシトリベンズアミド（Ｃ）の合成 ベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６.６ｍ
ｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド（１.７ｇ）
とを、実施例１と同様に反応，濾過，精製することによ
り目的の４、４’−ジメトキシトリベンズアミド（Ｃ）
を得た。〔ＩＲ：２９３３，１６９４，１２４６，１０
２８ｃｍ~1〕 〔実施例 ４〕トリスパラメトキシベンズアミド（Ｄ）の合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド
（１.４ｇ）とを実施例１と同様にして、目的のトリス
パラメトキシベンズアミド（Ｄ）を得た。〔ＩＲ：２９
８２，１６９４，１２４６，１０３０ｃｍ~1〕 〔実施例 ５〕４−メチルトリベンズアミド（Ｅ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とベンゾイルクロライド（１.３ｇ）とを
実施例１と同様にして、目的の４−メチルトリベンズア
ミド（Ｅ）を得た。〔ＩＲ：２９２５，１７０１ｃｍ
~1〕 〔実施例 ６〕４，４’−ジメチルトリベンズアミド（Ｆ）の合成 ベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６.６ｍ
ｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド（１.５ｇ）と
を、実施例１と同様にして、目的の４、４’−ジメチル
トリベンズアミド（Ｆ）を得た。〔ＩＲ：２９２５，１
７００ｃｍ~1〕 〔実施例 ７〕トリスパラメチルベンズアミド（Ｇ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド（１.
４ｇ）とを実施例１と同様にして、目的のトリスパラメ
チルベンズアミド（Ｇ）を得た。〔ＩＲ：２９２３，１
６９８ｃｍ~1〕。
【００３８】〔実施例 ８〕４，４’−ジメチル−４’’−メトキシベンズアミドの
（Ｈ）合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド
（１.２ｇ）とを実施例１と同様にして、目的の４，
４’−ジメチル−４’’−メトキシベンズアミド（Ｈ）
を得た。〔1Ｈ−ＮＭＲ：７.８７（ｄ，２Ｈ），７.７
９（ｄ，４Ｈ），７.２３（ｄ，４Ｈ），６.９１（ｄ，
２Ｈ），３.８５（ｓ，３Ｈ），２.３９（ｄ，６Ｈ）〕 〔実施例 ９〕４，４’−ジメトキシ−４’’−メチルトリベンズアミ
ド（Ｉ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド
（１.５ｇ）とを実施例１と同様にして、目的の４、
４’−ジメトキシ−４’’−メチルトリベンズアミド
（Ｉ）を得た。〔1Ｈ−ＮＭＲ：７.８７（ｄ，４Ｈ），
７.７９（ｄ，２Ｈ），７.２３（ｄ，２Ｈ），６.９１
（ｄ，４Ｈ），６.０６（ｓ，６Ｈ），３.００（ｓ，３
Ｈ）〕 〔実施例 １０〕４−メチル−４’−メトキシトリベンズアミド（Ｊ）の
合成 ベンズアミド（１.０ｇ）、トリエチレンジアミン（２.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１２ｍｌ）
とパラメトキシベンゾイルクロライド（１.７ｇ）とを
ＴＨＦ中で撹拌しながら１時間還流した後、パラメチル
ベンゾイルクロライド（１.５ｇ）を加え、更に１時間
還流し、反応溶液中に水２０ｍｌを加えて生じた生成物
を濾過、精製することにより目的の４−メチル−４’−
メトキシトリベンズアミド（Ｊ）を得た。〔1Ｈ−ＮＭ
Ｒ：７.９０（ｄ，２Ｈ），７.８７（ｄ，２Ｈ），７.
５６（ｔ，２Ｈ），７.４３（ｄｄ，２Ｈ），７.２４
（ｄ，２Ｈ），６.９２（ｄ，２Ｈ），３.８４（ｓ，３
Ｈ），２.３９（ｓ，３Ｈ）〕 〔実施例 １１〕トリスメタメトキシベンズアミド（Ｋ）の合成 メタメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とメタメトキシベンゾイルクロライド
（１.４ｇ）とを、実施例１と同様にして、目的のトリ
スメタメトキシベンズアミド（Ｋ）を得た。〔元素分
析：Ｃ；６８.８７％、Ｈ；４.８８％、Ｎ；３.３７
％〕 〔実施例 １２〕４−ブロモトリベンズアミド（Ｌ）の合成 ベンゾイルクロライド（１.１７ｇ）のクロロホルム溶
液を−６０℃に冷却し、ピリジン（１.７ｍｌ）を加え
る。この溶液中に、パラブロモベンズアミド（０.８３
ｇ）を加え、３０時間撹拌する。エタノール（２ｍｌ）
を加えた後、反応溶液を１規定の塩酸、０.５規定の水
酸化ナトリウム溶液、水で洗う。溶媒を留去後、目的の
４−ブロモトリベンズアミド（Ｌ）を得た。〔ＩＲ：２
９２５，１６９２ｃｍ~1〕 〔実施例 １３〕４，４’−ジブロモトリベンズアミド（Ｍ）の合成 パラブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、ベンズアミド（０.３０ｇ）とを、実施
例１２と同様にして、反応、精製することにより目的の
４，４’−ジブロモトリベンズアミド（Ｍ）を得る。
〔ＩＲ：２９２１，１６９４ｃｍ~1〕 〔実施例 １４〕トリスパラブロモベンズアミド（Ｎ）の合成 パラブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、パラブロモベンズアミド（０.５０ｇ）
とを、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラブロ
モベンズアミド（Ｎ）を得る。〔元素分析：Ｃ；４４.
７０％、Ｈ；１.９１％、Ｎ；２.５２％〕 〔実施例 １５〕４−クロロトリベンズアミド（Ｏ）の合成 ベンゾイルクロライド（７.１ｇ），ピリジン（５ｍ
ｌ），パラクロロベンズアミド（３.８ｇ）とを、実施
例１２と同様にして、目的の４−クロロトリベンズアミ
ド（Ｏ）を得た。〔元素分析：Ｎ；３.８４％〕 〔実施例 １６〕トリスパラクロロベンズアミド（Ｐ）の合成 パラクロロベンゾイルクロライド（２.５ｇ）、ピリジ
ン（３ｍｌ）、パラクロロベンズアミド（１.０ｇ）と
を、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラクロロ
ベンズアミド（Ｐ）を得た。〔元素分析：Ｃ；５８.１
５％、Ｈ；２.６８％、Ｎ；３.２０％〕 〔実施例 １７〕トリスパラヨードベンズアミド（Ｑ）の合成 パラヨードベンゾイルクロライド（３.３ｇ）、ピリジ
ン（４ｍｌ）、パラヨードベンズアミド（１.６ｇ）と
を、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラヨード
ベンズアミド（Ｑ）を得た。〔元素分析：Ｃ；３５.３
８％、Ｈ；１.５４％、Ｎ；２.１３％〕 〔実施例 １８〕トリスメタブロモベンズアミド（Ｒ）の合成 メタブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、メタブロモベンズアミド（０.５０ｇ）
とを、実施例１２と同様にして、目的のトリスメタブロ
モベンズアミド（Ｒ）を得た。〔元素分析：Ｃ；４４.
７０％、Ｈ；２.１７％、Ｎ；２.４５％〕 〔実施例 １９〕 ３−ニトロトリベンズアミド（Ｓ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.３２ｇ）とを
スルホラン中で反応させ、反応終了後、反応液を氷水に
注ぎ生成物を濾過、精製することにより目的の３−ニト
ロトリベンズアミド（Ｓ）を得る。〔ＩＲ：２９３０，
１６９６，１５２０，１３５２ｃｍ~1〕 〔実施例 ２０〕 ３、３’−ジニトロトリベンズアミド（Ｔ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.６４ｇ）とを
スルホラン中で、実施例１１と同様に反応、後処理、濾
過、精製することにより目的の３、３’−ジニトロトリ
ベンズアミド（Ｔ）を得る。〔ＩＲ：２９２６，１６９
５，１５１８，１３４９ｃｍ~1〕 〔実施例 ２１〕トリスメタニトロベンズアミド（Ｕ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.９６ｇ）とを
スルホラン中で、実施例１１と同様にして、目的のトリ
スメタニトロベンズアミド（Ｕ）を得る。〔ＩＲ：２９
２３，１９６３，１５２２，１３５５ｃｍ~1〕 〔実施例 ２２〕トリス−２−ナフスアミド（Ｖ）の合成 ナフトイルクロライド（０.９５ｇ）、ピリジン（１ｍ
ｌ）、ナフスアミド（０.４３ｇ）とを、実施例１２と
同様にして、目的のトリス−２−ナフスアミド（Ｖ）を
得た。〔元素分析：Ｃ；８２.５３％、Ｈ；４.４２％、
Ｎ；３.０４％〕 〔実施例 ２３〕ベンズジシンナムアミド（Ｗ）の合成 ベンズアミド（０.６ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
１ｇ）、ｎ−ブチルリシウムヘキサン溶液（７.９ｍ
ｌ）とシンナモイルクロライド（１.８ｇ）とを実施例
１と同様にして、目的のベンズジシンナムアミド（Ｗ）
を得た。〔ＩＲ：１６５０，１３００，９６２ｃｍ~1〕 〔実施例 ２４〕 上記（Ａ）〜（Ｗ）のトリアミド系化合物の超分極率β
をＡb initio法により計算した。さらに、それらの化合
物のカットオフ波長をメタノール飽和溶液中で測定し
た。計算結果および測定結果を表１に示す。
（Ｈ）合成 パラメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とパラメチルベンゾイルクロライド
（１.２ｇ）とを実施例１と同様にして、目的の４，
４’−ジメチル−４’’−メトキシベンズアミド（Ｈ）
を得た。〔1Ｈ−ＮＭＲ：７.８７（ｄ，２Ｈ），７.７
９（ｄ，４Ｈ），７.２３（ｄ，４Ｈ），６.９１（ｄ，
２Ｈ），３.８５（ｓ，３Ｈ），２.３９（ｄ，６Ｈ）〕 〔実施例 ９〕４，４’−ジメトキシ−４’’−メチルトリベンズアミ
ド（Ｉ）の合成 パラメチルベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレンジ
アミン（０.９ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
（５.４ｍｌ）とパラメトキシベンゾイルクロライド
（１.５ｇ）とを実施例１と同様にして、目的の４、
４’−ジメトキシ−４’’−メチルトリベンズアミド
（Ｉ）を得た。〔1Ｈ−ＮＭＲ：７.８７（ｄ，４Ｈ），
７.７９（ｄ，２Ｈ），７.２３（ｄ，２Ｈ），６.９１
（ｄ，４Ｈ），６.０６（ｓ，６Ｈ），３.００（ｓ，３
Ｈ）〕 〔実施例 １０〕４−メチル−４’−メトキシトリベンズアミド（Ｊ）の
合成 ベンズアミド（１.０ｇ）、トリエチレンジアミン（２.
０ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１２ｍｌ）
とパラメトキシベンゾイルクロライド（１.７ｇ）とを
ＴＨＦ中で撹拌しながら１時間還流した後、パラメチル
ベンゾイルクロライド（１.５ｇ）を加え、更に１時間
還流し、反応溶液中に水２０ｍｌを加えて生じた生成物
を濾過、精製することにより目的の４−メチル−４’−
メトキシトリベンズアミド（Ｊ）を得た。〔1Ｈ−ＮＭ
Ｒ：７.９０（ｄ，２Ｈ），７.８７（ｄ，２Ｈ），７.
５６（ｔ，２Ｈ），７.４３（ｄｄ，２Ｈ），７.２４
（ｄ，２Ｈ），６.９２（ｄ，２Ｈ），３.８４（ｓ，３
Ｈ），２.３９（ｓ，３Ｈ）〕 〔実施例 １１〕トリスメタメトキシベンズアミド（Ｋ）の合成 メタメトキシベンズアミド（０.５ｇ）、トリエチレン
ジアミン（０.８ｇ）、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶
液（５.０ｍｌ）とメタメトキシベンゾイルクロライド
（１.４ｇ）とを、実施例１と同様にして、目的のトリ
スメタメトキシベンズアミド（Ｋ）を得た。〔元素分
析：Ｃ；６８.８７％、Ｈ；４.８８％、Ｎ；３.３７
％〕 〔実施例 １２〕４−ブロモトリベンズアミド（Ｌ）の合成 ベンゾイルクロライド（１.１７ｇ）のクロロホルム溶
液を−６０℃に冷却し、ピリジン（１.７ｍｌ）を加え
る。この溶液中に、パラブロモベンズアミド（０.８３
ｇ）を加え、３０時間撹拌する。エタノール（２ｍｌ）
を加えた後、反応溶液を１規定の塩酸、０.５規定の水
酸化ナトリウム溶液、水で洗う。溶媒を留去後、目的の
４−ブロモトリベンズアミド（Ｌ）を得た。〔ＩＲ：２
９２５，１６９２ｃｍ~1〕 〔実施例 １３〕４，４’−ジブロモトリベンズアミド（Ｍ）の合成 パラブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、ベンズアミド（０.３０ｇ）とを、実施
例１２と同様にして、反応、精製することにより目的の
４，４’−ジブロモトリベンズアミド（Ｍ）を得る。
〔ＩＲ：２９２１，１６９４ｃｍ~1〕 〔実施例 １４〕トリスパラブロモベンズアミド（Ｎ）の合成 パラブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、パラブロモベンズアミド（０.５０ｇ）
とを、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラブロ
モベンズアミド（Ｎ）を得る。〔元素分析：Ｃ；４４.
７０％、Ｈ；１.９１％、Ｎ；２.５２％〕 〔実施例 １５〕４−クロロトリベンズアミド（Ｏ）の合成 ベンゾイルクロライド（７.１ｇ），ピリジン（５ｍ
ｌ），パラクロロベンズアミド（３.８ｇ）とを、実施
例１２と同様にして、目的の４−クロロトリベンズアミ
ド（Ｏ）を得た。〔元素分析：Ｎ；３.８４％〕 〔実施例 １６〕トリスパラクロロベンズアミド（Ｐ）の合成 パラクロロベンゾイルクロライド（２.５ｇ）、ピリジ
ン（３ｍｌ）、パラクロロベンズアミド（１.０ｇ）と
を、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラクロロ
ベンズアミド（Ｐ）を得た。〔元素分析：Ｃ；５８.１
５％、Ｈ；２.６８％、Ｎ；３.２０％〕 〔実施例 １７〕トリスパラヨードベンズアミド（Ｑ）の合成 パラヨードベンゾイルクロライド（３.３ｇ）、ピリジ
ン（４ｍｌ）、パラヨードベンズアミド（１.６ｇ）と
を、実施例１２と同様にして、目的のトリスパラヨード
ベンズアミド（Ｑ）を得た。〔元素分析：Ｃ；３５.３
８％、Ｈ；１.５４％、Ｎ；２.１３％〕 〔実施例 １８〕トリスメタブロモベンズアミド（Ｒ）の合成 メタブロモベンゾイルクロライド（１.０ｇ）、ピリジ
ン（１ｍｌ）、メタブロモベンズアミド（０.５０ｇ）
とを、実施例１２と同様にして、目的のトリスメタブロ
モベンズアミド（Ｒ）を得た。〔元素分析：Ｃ；４４.
７０％、Ｈ；２.１７％、Ｎ；２.４５％〕 〔実施例 １９〕 ３−ニトロトリベンズアミド（Ｓ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.３２ｇ）とを
スルホラン中で反応させ、反応終了後、反応液を氷水に
注ぎ生成物を濾過、精製することにより目的の３−ニト
ロトリベンズアミド（Ｓ）を得る。〔ＩＲ：２９３０，
１６９６，１５２０，１３５２ｃｍ~1〕 〔実施例 ２０〕 ３、３’−ジニトロトリベンズアミド（Ｔ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.６４ｇ）とを
スルホラン中で、実施例１１と同様に反応、後処理、濾
過、精製することにより目的の３、３’−ジニトロトリ
ベンズアミド（Ｔ）を得る。〔ＩＲ：２９２６，１６９
５，１５１８，１３４９ｃｍ~1〕 〔実施例 ２１〕トリスメタニトロベンズアミド（Ｕ）の合成 実施例１で合成したトリベンズアミド（０.５ｇ）とニ
トロニウムテトラフルオロボレート（０.９６ｇ）とを
スルホラン中で、実施例１１と同様にして、目的のトリ
スメタニトロベンズアミド（Ｕ）を得る。〔ＩＲ：２９
２３，１９６３，１５２２，１３５５ｃｍ~1〕 〔実施例 ２２〕トリス−２−ナフスアミド（Ｖ）の合成 ナフトイルクロライド（０.９５ｇ）、ピリジン（１ｍ
ｌ）、ナフスアミド（０.４３ｇ）とを、実施例１２と
同様にして、目的のトリス−２−ナフスアミド（Ｖ）を
得た。〔元素分析：Ｃ；８２.５３％、Ｈ；４.４２％、
Ｎ；３.０４％〕 〔実施例 ２３〕ベンズジシンナムアミド（Ｗ）の合成 ベンズアミド（０.６ｇ）、トリエチレンジアミン（１.
１ｇ）、ｎ−ブチルリシウムヘキサン溶液（７.９ｍ
ｌ）とシンナモイルクロライド（１.８ｇ）とを実施例
１と同様にして、目的のベンズジシンナムアミド（Ｗ）
を得た。〔ＩＲ：１６５０，１３００，９６２ｃｍ~1〕 〔実施例 ２４〕 上記（Ａ）〜（Ｗ）のトリアミド系化合物の超分極率β
をＡb initio法により計算した。さらに、それらの化合
物のカットオフ波長をメタノール飽和溶液中で測定し
た。計算結果および測定結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１に示す計算結果から、本発明の化合物
が零でない超分極率βを有し、非線形光学材料として使
用できることを示している。
が零でない超分極率βを有し、非線形光学材料として使
用できることを示している。
【００４１】さらに、実施例１の化合物（Ａ）につい
て、第２高調波発生を粉末法により測定した結果、尿素
の２倍のＳＨＧ活性を有していることが分かった。ま
た、カットオフ波長も表１から明らかなように、吸収波
長端が３５０ｎｍ以下で非常に短い。
て、第２高調波発生を粉末法により測定した結果、尿素
の２倍のＳＨＧ活性を有していることが分かった。ま
た、カットオフ波長も表１から明らかなように、吸収波
長端が３５０ｎｍ以下で非常に短い。
【００４２】本発明の前記化合物は、単結晶もしくは下
記実施例２５のように透明高分子中に分散させ強電界下
で配向させることによって、波長変換装置の非線形光学
素子用材料として用いることができる。
記実施例２５のように透明高分子中に分散させ強電界下
で配向させることによって、波長変換装置の非線形光学
素子用材料として用いることができる。
【００４３】〔実施例 ２５〕前記実施例４で得られた
トリスパラメトキシベンズアミド（Ｄ）をメタクリル酸
メチルモノマーと混合し、加熱重合させた。該ポリマー
をクロロホルムに溶かしたものをスピンコートしてフィ
ルムを作製し、該フィルムのコロナポーリングを行っ
た。なお、上記コロナポーリングは、電極間距離を１ｃ
ｍとし印加電圧７ｋＶ、１１０℃で１時間加熱した後、
電圧を印加したまゝ室温まで冷却した。
トリスパラメトキシベンズアミド（Ｄ）をメタクリル酸
メチルモノマーと混合し、加熱重合させた。該ポリマー
をクロロホルムに溶かしたものをスピンコートしてフィ
ルムを作製し、該フィルムのコロナポーリングを行っ
た。なお、上記コロナポーリングは、電極間距離を１ｃ
ｍとし印加電圧７ｋＶ、１１０℃で１時間加熱した後、
電圧を印加したまゝ室温まで冷却した。
【００４４】上記の非線形光学材料を用いて、波長変換
装置の非線形光学素子を形成したところ、前記単結晶を
用いた場合と同様な第２高調波が得られた。
装置の非線形光学素子を形成したところ、前記単結晶を
用いた場合と同様な第２高調波が得られた。
【００４５】
【発明の効果】本発明の有機非線形材料は優れた非線形
特性を有している。
特性を有している。
【００４６】また、該有機非線形材料を用い、半導体レ
ーザーと組合せることにより、可視領域に波長を有する
レーザービームを得ることができる。
ーザーと組合せることにより、可視領域に波長を有する
レーザービームを得ることができる。
【００４７】更にまた、該有機非線形光学材料を用いた
半導体レーザー波長変換装置、光スイッチなどの光機能
素子は効率的に動作し、優れた非線形特性を有する。
半導体レーザー波長変換装置、光スイッチなどの光機能
素子は効率的に動作し、優れた非線形特性を有する。
【図１】本発明の化合物を用いた波長変換装置の一実施
例の模式構成図である。
例の模式構成図である。
１…レーザーダイオード、２…コリメーター、３…アナ
モルフィックプリズムペア、４…集光レンズ、５…ＳＨ
Ｇ素子、６…レーザー光。
モルフィックプリズムペア、４…集光レンズ、５…ＳＨ
Ｇ素子、６…レーザー光。
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(72)発明者 寺尾 弘
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 浜田 智之
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 佐川 雅一
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 服部紳太郎
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
(72)発明者 角田 敦
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日
立製作所日立研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】式〔１〕で表される化合物からなることを
特徴とする有機非線形光学材料。 【化１】 〔但し、Ａｒ1〜Ａｒ3はπ電子共役構造を有する原子団
で互いに異なっていてもよく、有機性置換基により置換
されていてもよい。〕 - 【請求項２】前記式〔１〕において、Ａｒ1〜Ａｒ3が、
ベンゼン環，ナフタレン環，アントラセン環，ベンゾキ
ノン環，ナフトキノン環，アントラキノン環，ピロール
環，イミダゾール環，インドール環，キノリン環，フェ
ナジン環およびシンナミル基から選ばれたπ共役原子団
からなることを特徴とする請求項１に記載の有機非線形
光学材料。 - 【請求項３】前記式〔１〕において、Ａｒ1〜Ａｒ3が、
ニトロ基，シアノ基，イソシアネート基，カルボキシ
基，アリル基，アリルオキシ基，アリルスルホニル基，
アリルスルフィニル基，アリルオキシスルホニル基，ア
リルオキシカルボニル基，アリルチオ基，アシルアミノ
基，アシルオキシ基，カルバモイル基，スルファモイル
基，炭素数１〜８のアルキル基，同アルキルオキシカル
ボニル基，同アルキルスルホニル基，同アルキルスルフ
ィニル基，同アルキルオキシスルホニル基，同アルキル
チオ基，炭素数１〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，
チオール基，ハロゲン原子より選ばれた置換基により置
換されていることを特徴とする請求項２に記載の有機非
線形光学材料。 - 【請求項４】式〔２〕で表される化合物からなることを
特徴とする有機非線形光学材料。 【化２】 〔但し、Ａｒ1，Ａｒ2はπ電子共役構造を有する原子団
で互いに異なっていてもよく、有機性置換基により置換
されていてもよい。Ａ1〜Ａ5はＨおよび有機性置換基で
互いに異なっていてもよい。〕 - 【請求項５】式〔３〕で表される化合物からなることを
特徴とする有機非線形光学材料。 【化３】 〔但し、Ａｒ1はπ電子共役構造を有する原子団で有機
性置換基により置換されていてもよい。Ａ1〜Ａ5，Ｂ1
〜Ｂ5はＨおよび有機性置換基で互いに異なっていても
よい。〕 - 【請求項６】式〔４〕で表される化合物からなることを
特徴とする有機非線形光学材料。 【化４】 〔但し、Ａ1〜Ａ5，Ｂ1〜Ｂ5，Ｃ1〜Ｃ5はＨおよび有機
性置換基で互いに異なっていてもよい。〕 - 【請求項７】前記式〔２〕〔３〕または〔４〕におい
て、Ａ1〜Ａ5，Ｂ1〜Ｂ5，Ｃ1〜Ｃが、水素原子、ニト
ロ基，シアノ基，イソシアネート基，カルボキシ基，ア
リル基，アリルオキシ基，アリルスルホニル基，アリル
スルフィニル基，アリルオキシスルホニル基，アリルオ
キシカルボニル基，アリルチオ基，アシルアミノ基，ア
シルオキシ基，カルバモイル基，スルファモイル基，炭
素数１〜８のアルキル基，同アルキルオキシカルボニル
基，同アルキルスルホニル基，同アルキルスルフィニル
基，同アルキルオキシスルホニル基，同アルキルチオ
基，炭素数１〜８のアルコキシ基，ヒドロキシ基，チオ
ール基，ハロゲン原子より選ばれた置換基であることを
特徴とする請求項４，５または６に記載の有機非線形光
学材料。 - 【請求項８】式〔５〕で表される化合物からなることを
特徴とする有機非線形光学材料。 【化５】 〔但し、Ｒ1〜Ｒ3は水素原子、ニトロ基，シアノ基，イ
ソシアネート基，カルボキシ基，アリル基，アリルオキ
シ基，アリルスルホニル基，アリルスルフィニル基，ア
リルオキシスルホニル基，アリルオキシカルボニル基，
アリルチオ基，アシルアミノ基，アシルオキシ基，カル
バモイル基，スルファモイル基，炭素数１〜８のアルキ
ル基，同アルキルオキシカルボニル基，同アルキルスル
ホニル基，同アルキルスルフィニル基，同アルキルオキ
シスルホニル基，同アルキルチオ基，炭素数１〜８のア
ルコキシ基，ヒドロキシ基，チオール基，ハロゲン原子
より選ばれ、互いに異なっていてもよい。〕 - 【請求項９】前記式〔１〕〜〔５〕に示される有機非線
形光学材料が１ｍｍ角以上の単結晶、または前記有機非
線形光学材料が透明高分子重合体中に分散され強電界中
で配向させたフィルムからなり、これが光の共振器中に
保持されてなることを特徴とする非線形光学素子。 - 【請求項１０】前記有機非線形光学材料を分散する透明
高分子重合体が４００ｎｍ以上に吸収を持たない重合体
であることを特徴とする請求項９記載の非線形光学素
子。 - 【請求項１１】光源と、該光源からの光を集光する集光
手段と、該集光手段により集光された光を受けて第２高
調波を発生する高調波発生手段を有する光波長変換装置
であって、 前記第２高調波発生手段は、前記式〔１〕〜〔５〕に示
される有機非線形光学材料の単結晶またはその高分子分
散体を光路内に備えたことを特徴とする光波長変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16677991A JPH0511291A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 有機非線形光学材料およびそれを用いた非線形光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16677991A JPH0511291A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 有機非線形光学材料およびそれを用いた非線形光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511291A true JPH0511291A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15837530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16677991A Pending JPH0511291A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 有機非線形光学材料およびそれを用いた非線形光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511291A (ja) |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16677991A patent/JPH0511291A/ja active Pending
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