JPH0469963A - 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 - Google Patents
積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置Info
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Abstract
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Description
的に接続しにノイルム゛髪ヤリ7″(以]・”、T
A R: Tape Auf、onlat、ed
BO1+dinH、丞−略fftY ) J’j
、liC”l。
ツブ半導体装置の冷却力法に関41−る。1〔従来の技
術j 従来の・)アルーヂチップ半導体装置冷却力法では、基
板J:、 (7) ’l’−面的に配置されへ生導体ノ
ーツゾへ装箔4゛ろれ/・放熱ツイン1、よりt7 □
うノア法が実開昭63−36052号番−3己載されζ
いる。ま11−、 S□)’ (:Sma冊山+t、1
ine Package)型1′導体装置”ζ・の東ね
合わ1イ配置(′))実装構箔&文j4イ)冷却tj法
と・(、C1同1; :”、、−rと6116S号があ
げられる。
技術“(・は冷却j′−段と(7又直接1L導体ア゛ツ
ブ1に放熱フィンを装着4る。−J・が容易?・・あつ
t、。イかしTAB方式による積層型ンルヂツ〜ツブ″
4′−導体装置では、フィ゛/を取付けられるのは、最
」”層または最下層〕−゛りて−、中間層には構造的C
=取(・」ζJることか不iiJ能となイ°)。そ−の
ノめ、中間層の直接の冷却構7.関(7では考慮がさA
′飯、で、”J“1らず、動作時(−多量の発熱をする
コ1′6導体fツブを組み込む場合・や、複数層同時動
作時における過熱の為の誤動作や半導体チップの劣化、
ぞし7て熱疲労による接続部信頼性の低1−′を招いて
いた5、本発明のに1的は、前記中間層相互の熱の影響
を緩和(、た1−1で中間層からの冷却を積極的に行い
上記問題点を解決することを目的と4“る。
コネクタ〜」”2にヒートシンク、放熱フィンを設けた
ものである。
ることなく半導体チップLヘピートシンクを形成オるこ
とが出来る9発生した熱は、各層の半導体チップ」4に
装着され力1−−1−シンクの働きで積極的に積層型マ
ルヂヂップ半導体装置の外部に伝導される。子(5てそ
ごから外気に放出されるのζ・、特に中間層では放熱構
造を何も持たない場合む式化べて、確実に冷却されるこ
と番、−なる、積層する半導体チップの種類が違う場C
には、ヒ・ トシンクイ/\断熱伺を付加4る2てとl
−よ−2r−1他層の半導体y゛ツゾヘjえる熱の下塔
を抑大る、□“とが′にき、積層型ンルノ′f”ツブ半
導体装置の1117、用範囲が拡大”4る1、Jブー、
スル ホールの代わ釦)として二J 、f、フタ・−1
1設けられた電気的導通部しより ”’(:、す。。
れるのひ、動作時の昇温の抑制、性能劣化による誤動作
のIvjI):、発生ずる熱応力の低減による接続部4
F、頼性の向1−がもノリ:2される。
)・−ジを兼ねたヒ用・うツクによる1” A II力
式崖導体装置の冷却構造を小(、ノー斜視図ζ−ある。
i−・−トシンク5を゛rABラーーーブの製造上程
’<F−括し゛(作り、それをI I、 B (Inn
er Lead Bonding)特番、−度に装着し
て(7ま・う方法を用いる。
ぞれらを積層するI−めの接着層14からなる第3図に
示す3層構造テープでは、通常、TAB用テープにデバ
イスホールやスプロケットホールとなる穴あけ処理を施
した後、銅箔を接着層の介在で接着し、更に銅箔をリー
ド等の形状でエツチング加工することによりテープキャ
リアを完成させる。このとき、リード3部分の形状でエ
ツチング防止処理を施す他にも、ヒートシンク5にあた
る部分もエツチング防止処理を行ない、リード部分のエ
ツチングと同時にヒートシンク5を第2図の様に成型す
る。尚、ヒートシンクの形状は、チップ上のILB部分
との干渉が無く、チップ動作時の発熱量に見合った熱量
が伝達可能な断面積を確保出来るならばどの様なもので
もかまわない。
では、同様の形状及び寸法で加工が行なわれているので
その加工方法を応用することが出来る。
呼ばれる突起状電極にインナーリード3を加熱ツールに
よりボンディングし、半導体チップ1をTABテープに
搭載することになる。二のとき半導体チップ1の表面に
結晶性フィラー人りエポキシ等の高熱伝導率の熱硬化性
樹脂を塗布しておき、ヒートシンク5のチップ表面への
装着を同時に行なう。
、ヒートシンク5をポツティングレジン9によって封止
し、ヒートシンク付のTABテープリールを完成する。
そのまま用いて製造できることから量産にも適している
。
いたヒートシンク5付きのTAB方式半導体チップを、
リード3によりコネクター6上のパターン12と呼ばれ
る電気的接続部にはんだによって電気的に接続する。こ
の後でヒートシンク5をSOPパッケージのり−ドフォ
ーミングと同様の加工で整形し第1図に示すパッケージ
構造を作る。
対して、TABのアウターリードを位置合わせする際に
利用することが出来る。TAB上に作られたヒートシン
クに第6図の様な位置決め用マーク10を付け、同様に
コネクター6上に付けられた位置決め用マーク10とを
一致させることによりアウターリードとパターン12の
位置合わせを行なう。位置決め用マーク10はエツチン
グやフォト印刷によって付けられるのでリード3とパタ
ーン12の位置合わせに必要十分な寸法精度を得ること
が出来る。
ドなどの形状を作成する第4図に示す2層構造テープを
使用する場合でもエツチングによる#ii箔の成型は可
能なので、銅箔の厚さ、強度が十分であれば本発明によ
るところのヒートシンクを成形することが出来る。
DRAMであった場合、動作時に約300mWの消費
電力を持ち、単体では温度が約60″Cに達するほどの
発熱をする。消費電力のより大きな半導体素子が使われ
る場合には更に高温になることが予想され、効果的な放
熱構造をとる必要がある。本発明による第1図のような
ヒートシンクを用いれば、熱伝導の良い金属により効果
的にチップ表面から大気への放熱を促進することができ
る。
促進するためには第7図に示すようにヒートシンク5を
成形し、基板実装時に基板上に設けた熱伝導用のパター
ンに、はんだ付は等で接続する。このとき基板として熱
伝達率の良いMC(メタルコア)基板17等を用いると
基板全体に熱伝導が行われ、半導体装置固有の面積に加
えて基板の面積を有効に使用して大気への放熱が出来る
ので、更に放熱効果が向上する。第8図に示すように、
熱伝導用のパターン15をスルーホール16により内部
の金属と直接接続すればより効果を高められる。
ィン7を装着することにより放熱面積を増加させ、大気
への放熱効果を高めることもてきる。
1、シンクξ)y′生厚導体デツプ1密着さセるIil
的(−熱硬化性樹脂を使)代わりとしで°、例Aば第5
9図1、示す極めて薄いノイルム状の熱砂化性接着剤、
銀へ一ストの使用、もしく:は第10図に示す生遡11
体“ヂーツヅ1−1に配列きれた、電気的接゛続には関
係が無いダミーパンツ1]?・11. +”’ l・シ
ンクりとチップをボンディングAることもでさる1、 ボッf〜イソグ1、ノジン9どデツプ1、l−・ トシ
ンク5の密着Pj−を良・くし、y゛ツブLlにかぶ、
\るヒ、7トシシ77部分ノ\の気泡の待き込みを防止
Jる目的で、ピートシンク(,7対し゛ζ第J、 1図
(a、)、(1))に示すよつな穴あげ加1を行う6°
、′とも考λられる1、この穴はT 1.、、 B部分
どのf渉が無い位置で、チ゛ツブの熱量を充5)・に′
伝導できる断面積が補作て・1Nるならばどの様なもの
゛(・も良い。
図は積層型、iルクづ゛ツブ16導体装置全体の冷却構
造を;1”’e Iyた斜視図(1? %る。第」の実
施例ζ−・説明(,2〕・本発明1:’i:、 J、る
ヒ−)−シック:)を装: fl’ シノー′1゛AB
方式4′導体−Jツブを、1、・ト面の電気曲溝Aiを
とったコトクタ・−6により、挾p)、込む、1)にし
“CはんノE &−よる電気的接続をする。−と(−4
層積層し、第1z図ζ、示−4ような放熱構造を持:)
積層41.111ル一ブナツf下導体装置を構成4−る
。
土導体ザップが4 M D RA、 M T・全層が
同時に動作しl゛場合例にとるJ・、生じる温度は約1
806c′:、に+〕達(7,8o°c−iir後と一
゛ユれる゛1′、導体)−ツブの動作tl’]’能温度
を室温度、“越j<−(’、−Lま〕5、まノ、−第1
21図の様な状態−(・J−士を他の21!導体−fツ
ブに囲まれ)2層n1まムは3層[1(7) デツプ、
が動作Aる場n(,0、放熱構造を何も持t、−ないと
、老導体)°ツブから人気中:1ノは基板へ直接放熱が
行えないl゛め、最」、層、最F層のj″ツブ動作する
場合と比較し一ζ、最高温度が少なくと4.シ5’C,
l又−1.畠くなる。中間層デツプへの動作の集中や、
消費電力が大きく多情の発熱を+i fニーら4論理演
q回路素子の組込みがJ6る場合1.“の温度X:はさ
ら1.、゛大きくなく)。本発明によるヒ・ トシッグ
ξ)を用いれば、空気層を介(7Z]他層の半導体チッ
プl\順次伝達され、最」−層より大気、最下層より基
板・そ−して大気l\と放熱される従来の[−−−−1
−シング無しの放熱経路し71flλで、熱伝導の良い
金属番二より各中間層のチップ表面から直接外部/\は
るかζJ効率良く放熱を行えるので、装置全体の冷却効
率を高めることができる3、1てのどきヒートシンク5
の外側&5−第13図の様番、−放熱用フィン7を装着
する、′とで表面積を太きく’lるごとができ、放熱効
果を高めることもできる。
部分を成形し基板りはんだ付け・rること(一基板にヌ
、jしての熱伝導が促進され、積層型マルーyチップ半
導体装置装置固有の表面積に加えr、実装基板の表面積
を使った大気l\の放熱が可能となり放熱効果をより高
くできる。第8図に示Ll−のと同様に実装基板として
MC(メタルコア)基板を用い、スルーボールなどで内
部の金属とヒ・−トシンクが1α接接続されズいるので
あればさらC1効果は高い。
i+記実施例第:3項の積層型ンループy′ツブ半導体
装置に於いて、違う種類のf−導体f−ツブが積層され
、各層のコ1′、導体fツブ間で発熱量や動1′1−可
能W 度範囲が極端番−異なる場合はヒー用・シックF
)1.−第11i図に示す位置でシリカ−Ti−11ゲ
ル(熱伝導率0.024W/m・K)の様な断熱材4を
装着する1、各層の半導体1′ツブ開び極端(1,7発
熱量が異なる場合(5,積層型マルーf−デツブ1′導
体装置が動作発熱°孝るど、断熱ヰ44がない場合、ヒ
〜 トシンク5によ・)゛ζ全体としでは冷却が1−i
なわれる1+のの、温度の高い゛(二導体ノーツブど温
度の低いチ”ツブ間の温度差により熱が温度の低い半導
体f゛ツブ伝導するので、結果と1. ’?温度の低い
2t′6導体・ノツプは加熱され誤動作を引き起こす、
°6とになる。−力ζ・温度の高い゛1′−導体ナツブ
は多少冷却されるが、l(動作が積層型マルV−f−ツ
ブ半導体装置(、−tjえる影響の方がはるか仁大ぎく
無視出来ない。断熱材41.−よって動作発熱部チップ
表面と他層のチップ表面の間で熱の移動を少なくし、動
作温度の極端に高い半導体チップによる他層の半導体チ
ップの加熱を抑制することで、各々の半導体チップの特
性を損なわずに様々な組み合わせの積層型マルチチップ
半導体装置が構成可能となる。なお、断熱材4は、温度
差を生じる半導体チップ間等選択的に装着することによ
り効率的に装着することができる。
1)はT A、 B方式によるヒートシンク付半導体チ
ップキャリア、(2)は冷却構造の構成単位、(3)は
4層積層過程、(4)は冷却構造全体のそれぞれ斜視図
を示す。
ド3とコネクター6上のパターン12は、ヒートシンク
5に付けられた位置決めマーク10と、コネクター上の
位置決めマーク10によって位置合わせをされた後に、
はんだリフロー等の電気的接続により(2)の冷却構造
の構成単位を作る。このとき、コネクタ一部分には上・
下で導通を取られたパターン12が、上面および下面に
形成されているが、ヒートシンクがコネクターと干渉す
ることなく外部に取り出せる様に、コネクター表面から
突出したパターン12の高さを設定し、第17図のよう
にコネクターとコネクターの間隔の方が、リード3の厚
さ(約0.035μm)とほぼ同じであるヒートシンク
5の厚さより大きくなるようにする。
シンク5に付けられた積層用の位置決めマーク10を使
用することによって、上層のコネクター下表面のパター
ン12と、下層のり−ド3を位置合わせして積層する。
下表面の部分の間で接着を行なって4層全層を仮止めし
ておく。
置を一括してはんだにより電気的に接続し完成する。以
上により、コネクター6とTAB方式半導体チップを用
いた積層型マルチチップ半導体装置に関して、ヒートシ
ンクが無い場合の積層工程と比較して、大幅に工程を変
更すること無くヒートシンク製造工程を取り入れること
ができる。
スト等によって装着することで、放熱部分の表面積を増
大させることが出来、さらに効率を上げることが出来る
。又このとき結晶性フィラー人すエポキシレジン(熱伝
導率;約2W/mk )の様な熱伝導率の大きい接着剤
を用いることもできる。
ターンのコネクター6表面からの高さを調節する代わり
に第18図の様にコネクター6のヒートシンク5にあた
る部分に干渉防止溝を成形しておくことも考えられる。
AB方式半導体チップが、冷却装置も兼ねたスルーホー
ルの代わりとなる電気的導通部品8を組み込んだコネク
ター6に電気的に接続され、それが2層M層された状態
の1/4部分の斜視断面図を示す。本発明によるところ
の、銅メツキ製スルーホールとパターンに代わる、電気
的導通部品は8で示す。第20図は電気的導通部品8が
コネクター6に組み込まれた部分の透視図を示す。
コネクター6に組み込む際の流れを示す。
。そこへチップ動作温度及びはんだによる電気的接続工
程の温度以上の耐熱性を持つポリイミド系レジンまたは
BTレジンを流し込みコネクター6を形成する。このと
き、電気的導通部品8には第20図の様に貫通穴を設け
ておき、確実に固定できるようにする。例えばレジンを
使わなくとも第21図のように予めコネクター6を成形
し、電気的導通部品8に合わせた切り込みを入れておき
、その後電気的導通部品8を装着する方法で組み込むこ
ともできる。
る半導体チップの動作時における放熱の経路とし−〈□
、は、σ−来のズルー4’l’; ”−ル6°1σ・−
) ”’r’ t% )t・愛を電気的(、、−接続4
−64g、+の′(−は、主導体ノッノ゛間の空気層を
介1..−(:順次他層のfツー]′へ伝えられる4、
。
小ルを介し゛〈他層/\伝わ62 ”’、:’の経路で
Aする11.′lハとさii;i渚の経路より1“」、
後’I’iの入ルーホ・ル部6属lハ熱伝導にス\しI
K)寄り、のI)か入きい7、t :“1′−釦1の様
な9導寸t1(熱伝導率、約370W/m−k)を持)
伶。
[−jと1 f′iii、 J・1.−9tり熱の伝導
が良好になり、基板/\の放熱71(Fv1人4゛る。
部分が、〕・インの作用を4“るの“し大気ノ\の放熱
’Fi (jf ’!され、接続部の温76: 、l:
、−Rを抑制iる。゛どが(−きる。
(・は、何層目のチップを動作3\せるかろ指定4る目
的で、=Fツーノセレクh ]、 ]、 、!−呼ばれ
る回路を設置、Jる必要がある5、4′”の回路は、4
層と4−1A−1司じ形状と種類、つ、1、り同じ位置
に各層のスイッーノング動f’i−を受は持−〕リ−1
′のイ・Sい7−: TA L(・1′−ヅを用い(い
るに4f1.、かかわIp、、−4層各層のう′ツブを
選択的に動f’g 1.’! 1オイ゛〉〕め、ノj、
ム部分この配納(に、Jす、各層のス1”ツノング動
作な、目(do)リ −ドを別々の電気的導通部品す;
へ夕1.! 、、、Nl t−ζ引、\出・j−ご1!
−゛を1]1的Ji、、、、、r、いイ、′〉11 、レンジ11・1ノクト・1[か装71.゛\れる各層
の電気藺導ii1部づンは、第+741メq(φ」)に
4−1・」−様(−(トの他層の電気藺導i■〕部の5
(の接続か無い−L)iy:、 ”’f 6゜以降に別
途小4様に突f出(、変六′る61−)てノ1右の7f
i気的導曲溝分との1−渉イ・防3′s、デツプ1どし
、)71.11(、−まり、各層別々の位置0’、)市
:気的導通γ;□i(分4−引さ出(2“d指゛続(2
、第:a11+qcb)に示゛4様に電。
達1イ)状カηに・]る1、各層を6(法的(、−動作
i’= t:iる48は、1系統づりの独−)lした4
゛)(ハイ1ン置+、−、Jろる電気藺導’A’h部分
の選択をづればJ、い6′ど(、なイ〕。、′のと;\
−f〜ツーゾ■川/夕用、1、、より引^出さA1、L
側の、4層全層ノ、接続される電気的′#、通部分に各
層のデツプから接続さノするリードは、各層のl助作1
1.関係しないダ、 リード:]0・4“すイ)3.・
“のダ、: リードゴビ0をノU続4−る1−とC各層
の電気的導通部分が、リ−1・′の厚、;i相当する隙
間を持−)、−と無く接続される。タミーリドが無い場
合は第;2(3図に丞°1′ようし一隙間を持−)で(
、まう。また、第21)図の外4=f it 2−れ八
−fツヅセレノノトを持つ部分の斜視図に小1゛様(、
−最ド層のスイッーチング動作を受は持つリードの付い
た電気的導通部分はチッjセ1ノクト無1.で・イのま
*0)(σ置で基板に実装置″る6てとになるの1−1
4Wの振り分けに必要な−yツIセ1ノクト11及びダ
ミー、リ ・ド20は3)J所どなる。
方法には、例えば以トのJ:)な方法がカスられる。一
つには第;′!0図ζ、−不4′ようζ2、電気的導通
部分に1・・めノップセレタト11を付げておき1本(
ツタ・ (号の中に鋳込む方法こ・1.“のどきチップ
を川、/り1・]1とし2て利用きれる電気的導通部分
は長4人、高さを変えこおき、他の無関係な電気的導通
部分とのF渉苓防Ill: iる。
外部に接続16方法を用いることもぐきる。
タ 部分を構成4る部材(−1M CB (Molcl
ed Curcui↑1loard)の立体配線゛(:
・使われる技術をI;t、川(、て、め−、ンき配線を
1−ツノ゛t< 1.、、、、り1・jlとしでイ・j
lJる方ン六が、もイ)。
第ン)。
ッーゾセj1、・り1・11をイの層間に入れる4“:
1!1g)”で−きイ;へこの様に4るとり・ ドの接
続][、稈ζ・のはんたtよるキ:気的接続′イ”・短
路などの接続部pをI’l/、1 、i[こ・、さご)
。
yミ[dの半導体J・ツブ、特(−中間層の甲導体す−
ツブイー積極的に冷却4る、了−とQ、動f’7時の゛
[導体チッ゛ブ、ぞ(2で装置全体の温度を低、・、:
抑λる2JI果−1)Cあ1ミ”)、。
きて)の2−5゛1′導体Jツゾの加熱によくて)性能
劣化、Jl)11′1の防J、1ll11. !、:X
も効果がある。さ孔′言7は長期に渡る使用の際し、電
気的接続部のjf温抑制に、1“イ)熱疲労の低減1が
図21、接続部信頼性向Fの効Wを41冒::、:+1
.
のパッケージも兼ねた冷却構造を示す。第2図はT A
、 B製造工程でのヒートシンクの製作法を示す。第3
図は3層構造テープ、第4図は2層構造テープ、第5図
はT A、 Bテープリールから打ち抜いたヒートシン
ク付T A、 B単体とコネクターを示す。第6図はコ
ネクターとの接続及びヒートシンク付T A、 Bリー
ドとコネクター上のパターンとの位置合わせ方法を示す
。第7図は放熱用パターンによりヒートシンクを基板に
接続した構造、第8図はMC(メタルコア)基板とヒー
トシンクを接続する際の方法を示す。第9図はヒートシ
ンクと半導体チップを接着シートにより接続する構造、
第10図はダミーバンプによりヒートシンクと半導体チ
ップを接続する方法を示す。第11図(a)(b)はボ
ッティングレジンのなじみを良くするためにヒートシン
クに穴あけ加工を施した場合の構造を示す。第12図は
積層型マルチチップ半導体装置全体の冷却構造を示す。 第13図は第12図の構造へさらに放熱フィンを付けた
冷却構造を示す。第14図(a)、(b)は積層型マル
チチップ半導体装置におけるヒートシンクを放熱用パタ
ーンを介して基板に接続した場合の構造図、第15図は
断熱材付きのヒートシンクを用いた積A!y型マルチチ
ップ半導体装置の断面斜視図を示す。 第16図は4層積層に関する組立の流れを示す。 第17図はコネクターとヒートシンクの位置関係を示す
。第18図はコネクターを加工することでヒー]・シン
クとコネクターの干渉を避ける構造を示す。第19図は
スルーホールの代わりとなる電気的導通部分を含む2層
積層構造で、コーナーにあたる部分を示す。第20図は
スルーホールの代わりとなる電気的導通部分の斜視透視
図を示す。 第21図は第20図と異なる製造方法のスルーホールの
代わりとなる電気的導通部分を示す。第22図はチップ
セレクト部をコネクター成型後に外付けにした構造を示
す。第23図はめっきによるチップセレクト部の配線を
2層構造にしたコネクター内部に組み込んだ構造を示す
。第248Q(a)はチップセレクトにより引き出され
るスイッチング動作を受は持つリードが接続される側の
電気的導通部分の4層分の断面図を示す。第24図(b
)はチップセレクトが接続され1系統ずつ別々に最下層
に達する電気的導通部分を示す。第25図はチップセレ
クトを外付けにした場合の4層全局に渡るチップセレク
ト部分の斜視図を示す。第26図はダミーリードが無い
場合の、第24図(b)に相当する電気的導通部分の断
面図を示す。 1・・・半導体チップ、2・・・テープキャリア。 3・・・リード、4・・・断熱材、5・・・ヒートシン
ク。 6・・・コネクター 7・・・放熱フィン。 8・・・電気的導通部、9・・・ポツティングレジン。 10・・・位置決めマーク、11・・・チップセレクト
。 12・・・パターン、13・・・バンプ、14・・・接
着層。 15・・・熱伝導用パターン、16・・・スルーホール
。 17・・・メタルコア、18・・・接着剤シート。 19・・・ダミーバンプ、20・・・ダミーリード第
1 図 第 2図 第り 、5 1足 、3 /゛ 1・′ 、、、/”””″ 1二 Z’−−−−−X−1 (? 気 閏 /′ 第 ? 叱1 (の) g −−一1 .2、−・5 (b) 第 5 図 /9 / /2 第 7′) 区1 、q 、、、、−、3 第 図 第 図 第 図 (Q−) 第 圓 (L) (b) 第 図 第 図 第 島ら (シ′) 芽。 y”tはΔ /′ 、つ 、、、、、、、、、、、、、’ 1.−.5 第 q 関 、5.〜、−8.Z 又と 第 20図 / / 第 2/ (″、イ1 第24.1文1 (α) !5 ′々も 23G・、′) 第 二・・、5ゴ駒 ′7f+ 7乙 IZ)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードを有するフィルムキャリアテープと該フィル
ムキャリアテープのサードに電気的に接続された半導体
チップと該半導体チップの表面に装着されたヒートシン
クと該フィルムキャリアテープのリードに電気的に接続
され、かつ該ヒートシンクを装着するコネクターとを有
するマルチチップ半導体装置を基板上に積層してなるこ
とを特徴とする積層型マルチチップ半導体装置。 2、該ヒートシンクが第1の位置決めマークを有し、該
第1の位置決めマークに対応する第2の位置決めマーク
を該コネクターが有することを特徴とする請求項1記載
の積層型マルチチップ半導体装置。 3、該ヒートシンクが該基板に接続されていることを特
徴とする請求項1記載の積層型マルチチップ半導体装置
。 4、該基板がメタルコア基板であることを特徴とする請
求項3記載の積層型マルチチップ半導体装置。 5、該ヒートシンクが該基板の熱伝導用パターンを介し
て該基板に接続されることを特徴とする請求項1記載の
積層型マルチチップ半導体装置。 6、該ヒートシンクの該半導体チップ接着位置に穴を設
けたことを特徴とする請求項1記載の積層型マルチチッ
プ半導体装置。 7、該ヒートシンクの外側露出部分に放熱用フィンを装
着したことを特徴とする請求項1記載の積層型マルチチ
ップ半導体装置。 8、該コネクターに該ヒートシンクに対する干渉防止用
溝を形成したことを特徴とする請求項1記載の積層型マ
ルチチップ半導体装置。 9、リードを有するフィルムキャリアテープと該フィル
ムキャリアテープのリードに電気的に接続された半導体
チップと該半導体チップの表面に装着されたヒートシン
クと該フィルムキャリアテープのリードに電気的に接続
され、かつ該ヒートシンクを装着するコネクターとを有
するマルチチップ半導体装置を各々断熱材を介して基板
上に積層してなることを特徴とする積層型マルチチップ
半導体装置。 10、該断熱材を該マルチチップ半導体装置間に選択的
に装着することを特徴とする請求項8記載の積層型マル
チチップ半導体装置。 11、リードを有するフィルムキャリアテープと該フィ
ルムキャリアテープのリードに電気的に接続された半導
体チップと該フィルムキャリアテープのリードに電気的
に接続される電気的導通部品と、該電気的導通部品が組
み込まれるコネクターとを有するマルチチップ半導体装
置を基板上に積層してなることを特徴とする積層型マル
チチップ半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2181416A JP2816244B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
KR1019910011601A KR950008241B1 (ko) | 1990-07-11 | 1991-07-09 | 필름 캐리어 테이프 및 그것을 내장한 적층형 멀티칩 반도체 장치와 그의 제조방법 |
US07/727,050 US5631497A (en) | 1990-07-11 | 1991-07-09 | Film carrier tape and laminated multi-chip semiconductor device incorporating the same |
US08/464,577 US6297074B1 (en) | 1990-07-11 | 1995-06-05 | Film carrier tape and laminated multi-chip semiconductor device incorporating the same and method thereof |
US08/795,791 US5804872A (en) | 1990-07-11 | 1997-02-05 | Film carrier tape and laminated multi-chip semiconductor device incorporating the same and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2181416A JP2816244B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0469963A true JPH0469963A (ja) | 1992-03-05 |
JP2816244B2 JP2816244B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16100389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2181416A Expired - Lifetime JP2816244B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5631497A (ja) |
JP (1) | JP2816244B2 (ja) |
KR (1) | KR950008241B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156254A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Nec Corp | 半導体装置とそれを用いた三次元半導体装置及びその製造方法並びにテンプレート |
JP2006294714A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Paモジュールの放熱板 |
DE19755675B4 (de) * | 1996-12-19 | 2007-12-27 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8205766B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-06-26 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
US8430264B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-04-30 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
JP2013529850A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-07-22 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 熱フレームを有するマルチチップパッケージおよび組立て方法 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
KR0179921B1 (ko) * | 1996-05-17 | 1999-03-20 | 문정환 | 적측형 반도체 패키지 |
KR100231152B1 (ko) * | 1996-11-26 | 1999-11-15 | 윤종용 | 인쇄회로기판 상에 집적회로를 실장하기 위한실장방법 |
JP3487173B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2004-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | Tab用テープキャリア、集積回路装置及び電子機器 |
US6166434A (en) * | 1997-09-23 | 2000-12-26 | Lsi Logic Corporation | Die clip assembly for semiconductor package |
JP3644662B2 (ja) * | 1997-10-29 | 2005-05-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体モジュール |
JP3482850B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2004-01-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
KR100487135B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-08-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 볼그리드어레이패키지 |
US6057174A (en) | 1998-01-07 | 2000-05-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, and electronic apparatus |
JP3588801B2 (ja) * | 1998-01-12 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6236116B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same |
US6154371A (en) * | 1998-09-30 | 2000-11-28 | Cisco Technology, Inc. | Printed circuit board assembly and method |
US6295220B1 (en) | 1998-11-03 | 2001-09-25 | Zomaya Group, Inc. | Memory bar and related circuits and methods |
US6190425B1 (en) | 1998-11-03 | 2001-02-20 | Zomaya Group, Inc. | Memory bar and related circuits and methods |
US7169643B1 (en) | 1998-12-28 | 2007-01-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, circuit board, and electronic apparatus |
US6424033B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-07-23 | Micron Technology, Inc. | Chip package with grease heat sink and method of making |
KR100319198B1 (ko) * | 1999-11-17 | 2001-12-29 | 윤종용 | 반도체 모듈에 히트 싱크를 조립하는 설비 및 그 조립 방법 |
US6325552B1 (en) | 2000-02-14 | 2001-12-04 | Cisco Technology, Inc. | Solderless optical transceiver interconnect |
US6475830B1 (en) | 2000-07-19 | 2002-11-05 | Cisco Technology, Inc. | Flip chip and packaged memory module |
DE10044148A1 (de) * | 2000-09-06 | 2002-03-21 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit gestapelten Bausteinen und Verfahren zu seiner Herstellung |
ITTO20010433A1 (it) * | 2001-05-08 | 2002-11-08 | Fiat Ricerche | Dispositivo elettronico tridimensionale e relativo processo di fabbricazione. |
JP3999945B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4554152B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2010-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体チップの作製方法 |
JP4101643B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6943436B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-09-13 | Sun Microsystems, Inc. | EMI heatspreader/lid for integrated circuit packages |
US6956285B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-10-18 | Sun Microsystems, Inc. | EMI grounding pins for CPU/ASIC chips |
US7436050B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
US6819562B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-11-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cooling apparatus for stacked components |
US6771507B1 (en) | 2003-01-31 | 2004-08-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Power module for multi-chip printed circuit boards |
JP2004247373A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP4526771B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4234635B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | 電子機器 |
US20060154393A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode |
TWI269414B (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-21 | Via Tech Inc | Package substrate with improved structure for thermal dissipation and electronic device using the same |
JP2008142875A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Hitachi Cable Ltd | 個片切断用金型および半導体装置の製造方法 |
US20080302564A1 (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Circuit assembly including a metal core substrate and process for preparing the same |
TWI351729B (en) * | 2007-07-03 | 2011-11-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor device and method for fabricating th |
KR102186203B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2020-12-04 | 삼성전자주식회사 | 패키지 온 패키지 장치 및 이의 제조 방법 |
US9978660B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Package with embedded heat dissipation features |
KR102059610B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2019-12-26 | 주식회사 엘지화학 | 고전도성 방열 패드를 이용한 인쇄회로기판의 방열 시스템 |
KR20190047444A (ko) * | 2017-10-27 | 2019-05-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 단열벽을 포함하는 반도체 패키지 |
US20230378724A1 (en) * | 2022-05-23 | 2023-11-23 | Hamilton Sundstrand Corporation | Power converter |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3611061A (en) * | 1971-07-07 | 1971-10-05 | Motorola Inc | Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof |
US3874072A (en) * | 1972-03-27 | 1975-04-01 | Signetics Corp | Semiconductor structure with bumps and method for making the same |
DE2315711B2 (de) * | 1973-03-29 | 1980-07-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung |
FR2368868A7 (fr) * | 1976-10-21 | 1978-05-19 | Ates Componenti Elettron | Dispositif a semi conducteurs en forme de boitier |
JPS5382168A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-20 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
US4132856A (en) * | 1977-11-28 | 1979-01-02 | Burroughs Corporation | Process of forming a plastic encapsulated molded film carrier CML package and the package formed thereby |
US4315845A (en) * | 1979-03-22 | 1982-02-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for preparing chemically platable thermosetting powder coating |
US4331831A (en) * | 1980-11-28 | 1982-05-25 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Package for semiconductor integrated circuits |
CA1200619A (en) * | 1982-02-16 | 1986-02-11 | William S. Phy | Integrated circuit lead frame with improved power dissipation |
JPS59205747A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6043849A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
US4680613A (en) * | 1983-12-01 | 1987-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Low impedance package for integrated circuit die |
JPH0714021B2 (ja) * | 1983-12-27 | 1995-02-15 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0773122B2 (ja) * | 1983-12-27 | 1995-08-02 | 株式会社東芝 | 封止型半導体装置 |
JPS60148153A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Nec Corp | 放熱板付半導体装置 |
US4716124A (en) * | 1984-06-04 | 1987-12-29 | General Electric Company | Tape automated manufacture of power semiconductor devices |
US4635092A (en) * | 1984-06-04 | 1987-01-06 | General Electric Company | Tape automated manufacture of power semiconductor devices |
JPS6153752A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPH073848B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
IT1213259B (it) * | 1984-12-18 | 1989-12-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Gruppo a telaio di conduttori per circuiti integrati con capacita' di termodispersione incrementata, erelativo procedimento. |
JPS6336052A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Aisin Seiki Co Ltd | スタ−リング機関の高温熱交換器 |
JPH0815193B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1996-02-14 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム |
US5138438A (en) * | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
US5198888A (en) * | 1987-12-28 | 1993-03-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor stacked device |
JPH0691174B2 (ja) * | 1988-08-15 | 1994-11-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
KR0158868B1 (ko) * | 1988-09-20 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
US4916506A (en) * | 1988-11-18 | 1990-04-10 | Sprague Electric Company | Integrated-circuit lead-frame package with low-resistance ground-lead and heat-sink means |
JPH02170597A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mazda Motor Corp | 車載用制御ユニツト構造 |
JP2695893B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5266834A (en) * | 1989-03-13 | 1993-11-30 | Hitachi Ltd. | Semiconductor device and an electronic device with the semiconductor devices mounted thereon |
JPH02264458A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
US4954878A (en) * | 1989-06-29 | 1990-09-04 | Digital Equipment Corp. | Method of packaging and powering integrated circuit chips and the chip assembly formed thereby |
US5023202A (en) * | 1989-07-14 | 1991-06-11 | Lsi Logic Corporation | Rigid strip carrier for integrated circuits |
JP2519806B2 (ja) * | 1989-09-12 | 1996-07-31 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
US5146310A (en) * | 1989-10-16 | 1992-09-08 | National Semiconductor Corp. | Thermally enhanced leadframe |
US5073521A (en) * | 1989-11-15 | 1991-12-17 | Olin Corporation | Method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed |
US5114880A (en) * | 1990-06-15 | 1992-05-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating multiple electronic devices within a single carrier structure |
JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
JP2982126B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1999-11-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2181416A patent/JP2816244B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-09 KR KR1019910011601A patent/KR950008241B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-07-09 US US07/727,050 patent/US5631497A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-05 US US08/464,577 patent/US6297074B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-05 US US08/795,791 patent/US5804872A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19755675B4 (de) * | 1996-12-19 | 2007-12-27 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2001156254A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Nec Corp | 半導体装置とそれを用いた三次元半導体装置及びその製造方法並びにテンプレート |
JP2006294714A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Paモジュールの放熱板 |
JP4584757B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2010-11-24 | 株式会社日立国際電気 | Paモジュールの放熱板 |
US8205766B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-06-26 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
US8430264B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-04-30 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
JP2013529850A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-07-22 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 熱フレームを有するマルチチップパッケージおよび組立て方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2816244B2 (ja) | 1998-10-27 |
US6297074B1 (en) | 2001-10-02 |
US5631497A (en) | 1997-05-20 |
KR920003488A (ko) | 1992-02-29 |
US5804872A (en) | 1998-09-08 |
KR950008241B1 (ko) | 1995-07-26 |
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