JPH04354161A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH04354161A JPH04354161A JP3157692A JP15769291A JPH04354161A JP H04354161 A JPH04354161 A JP H04354161A JP 3157692 A JP3157692 A JP 3157692A JP 15769291 A JP15769291 A JP 15769291A JP H04354161 A JPH04354161 A JP H04354161A
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- Japan
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- solid
- photoelectric conversion
- film
- state image
- type semiconductor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子に関し、
特に光電変換時の偽信号（スメア）の低減を図ったもの
に関するものである。
特に光電変換時の偽信号（スメア）の低減を図ったもの
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の固体撮像素子の製造工程に
おける断面図である。図において、１はＰ型半導体基板
、２及び３は基板１表面の所定箇所に設けられた埋め込
みチャネル形成用ｎ型半導体層２及び光電変換用ｎ型半
導体層３であり、４は埋め込みチャネル形成用ｎ型半導
体層２と光電変換用ｎ型半導体層３の分離のための濃い
Ｐ型半導体層である。５は絶縁膜１０を介して設けられ
た電荷転送用のポリシリコン電極であり、光電変換用ｎ
型半導体層３に蓄積された光電荷をチャネル形成用ｎ型
半導体層２に転送するためのものである。６はポリシリ
コン電極５と接続する図示しない配線用第１アルミ層と
、遮光兼配線用第２アルミ層７との間の層間酸化膜であ
る。
おける断面図である。図において、１はＰ型半導体基板
、２及び３は基板１表面の所定箇所に設けられた埋め込
みチャネル形成用ｎ型半導体層２及び光電変換用ｎ型半
導体層３であり、４は埋め込みチャネル形成用ｎ型半導
体層２と光電変換用ｎ型半導体層３の分離のための濃い
Ｐ型半導体層である。５は絶縁膜１０を介して設けられ
た電荷転送用のポリシリコン電極であり、光電変換用ｎ
型半導体層３に蓄積された光電荷をチャネル形成用ｎ型
半導体層２に転送するためのものである。６はポリシリ
コン電極５と接続する図示しない配線用第１アルミ層と
、遮光兼配線用第２アルミ層７との間の層間酸化膜であ
る。
【０００３】次に製造方法について説明する。まず図２
（ａ） に示すように、基板１の所定領域に不純物注入
を行い、埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層２，光電
変換用ｎ型半導体層３，Ｐ型半導体層２を形成したのち
、基板上に絶縁膜１０を介して電荷転送用のポリシリコ
ン電極５（第１の電荷転送用ポリシリコン電極）を形成
する。
（ａ） に示すように、基板１の所定領域に不純物注入
を行い、埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層２，光電
変換用ｎ型半導体層３，Ｐ型半導体層２を形成したのち
、基板上に絶縁膜１０を介して電荷転送用のポリシリコ
ン電極５（第１の電荷転送用ポリシリコン電極）を形成
する。
【０００４】次いで上記ポリシリコン電極５とは異なり
、チャネル形成用ｎ型半導体層２に転送された光電荷を
紙面垂直方向に転送するための図示しない第２のポリシ
リコン電極を設け、さらに絶縁膜１０を介して層間酸化
膜６を設け、これにコンタクトホールを設けて上記第１
のポリシリコン電極５と配線用第１アルミ層（図示せず
）とを接続する（図２（ｂ））。そして最後に層間酸化
膜６上に、光電変換部以外の領域を覆うように遮光兼配
線用第２アルミ層７を形成する（図２（ｃ） ）。
、チャネル形成用ｎ型半導体層２に転送された光電荷を
紙面垂直方向に転送するための図示しない第２のポリシ
リコン電極を設け、さらに絶縁膜１０を介して層間酸化
膜６を設け、これにコンタクトホールを設けて上記第１
のポリシリコン電極５と配線用第１アルミ層（図示せず
）とを接続する（図２（ｂ））。そして最後に層間酸化
膜６上に、光電変換部以外の領域を覆うように遮光兼配
線用第２アルミ層７を形成する（図２（ｃ） ）。
【０００５】次に動作について説明する。図２（ｃ）
において、遮光膜７の開口部７ａから入射した光は、ｎ
型半導体層３で光電変換されて光信号電荷としてここに
蓄積される。そしてあるタイミングで第１の電荷転送用
ポリシリコン電極５を用いてこの電荷を埋め込みチャネ
ル層２に移動させ、さらに第１の電荷転送用ポリシリコ
ン電極５及び第２の電荷転送用ポリシリコン電極（図示
せず）を用いて紙面に垂直方向に転送してゆく。
において、遮光膜７の開口部７ａから入射した光は、ｎ
型半導体層３で光電変換されて光信号電荷としてここに
蓄積される。そしてあるタイミングで第１の電荷転送用
ポリシリコン電極５を用いてこの電荷を埋め込みチャネ
ル層２に移動させ、さらに第１の電荷転送用ポリシリコ
ン電極５及び第２の電荷転送用ポリシリコン電極（図示
せず）を用いて紙面に垂直方向に転送してゆく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子は
以上のように構成されているので、活性領域が形成され
た基板表面と遮光用アルミ層との間隔が広く、図２（ｃ
） に示すように、斜めから入射した光が隣接する画素
部やその転送部に達し、そこで光電変換されたりまた転
送部に侵入したりして偽信号（スミア）となってしまう
という問題があった。
以上のように構成されているので、活性領域が形成され
た基板表面と遮光用アルミ層との間隔が広く、図２（ｃ
） に示すように、斜めから入射した光が隣接する画素
部やその転送部に達し、そこで光電変換されたりまた転
送部に侵入したりして偽信号（スミア）となってしまう
という問題があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、遮光膜の開口部に斜めから光が
入射しても、隣接する画素で偽信号が発生することがな
い固体撮像素子を得ることを目的とする。
ためになされたもので、遮光膜の開口部に斜めから光が
入射しても、隣接する画素で偽信号が発生することがな
い固体撮像素子を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子は、遮光膜の開口部周縁に沿って、シリコン基板表
面付近に達するような周壁を設けたものである。
素子は、遮光膜の開口部周縁に沿って、シリコン基板表
面付近に達するような周壁を設けたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、遮光膜の開口部周縁に沿
って、基板表面付近に達するように周壁が形成されてい
るので、開口部に斜めに入射した光はこの周壁で遮断さ
れ、隣接する画素に達することがない。
って、基板表面付近に達するように周壁が形成されてい
るので、開口部に斜めに入射した光はこの周壁で遮断さ
れ、隣接する画素に達することがない。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図であり、図２と同一符号は同
一または相当部分を示し、８はｎ型半導体層３の周囲を
囲むようにして設けられたポリシリコン膜であり、９は
このポリシリコン膜８上方の層間酸化膜６を除去した部
分に選択的にタンクステンを埋め込んで形成された周壁
である。
する。図１はこの発明の一実施例による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図であり、図２と同一符号は同
一または相当部分を示し、８はｎ型半導体層３の周囲を
囲むようにして設けられたポリシリコン膜であり、９は
このポリシリコン膜８上方の層間酸化膜６を除去した部
分に選択的にタンクステンを埋め込んで形成された周壁
である。
【００１１】次に製造方法について説明する。従来と同
様にして図１（ａ） まで形成し、次に図示しない２層
目のポリシリコン電極形成時に同一のポリシリコンを用
いてパターニングして図１（ｂ） に示すように、光電
変換部であるｎ型半導体層３の周囲を額どるようにポリ
シリコン膜８を設ける。
様にして図１（ａ） まで形成し、次に図示しない２層
目のポリシリコン電極形成時に同一のポリシリコンを用
いてパターニングして図１（ｂ） に示すように、光電
変換部であるｎ型半導体層３の周囲を額どるようにポリ
シリコン膜８を設ける。
【００１２】次いで従来と同様に層間酸化膜６を設け、
コンタクト工程，配線用第１アルミ工程を経た後、ポリ
シリコン膜８上の層間酸化膜６を除去する（図１（ｃ）
）。
コンタクト工程，配線用第１アルミ工程を経た後、ポリ
シリコン膜８上の層間酸化膜６を除去する（図１（ｃ）
）。
【００１３】そして選択タングステンＣＶＤ法によって
、図１（ｃ） で酸化膜６を除去した部分を埋め込み、
ｎ型半導体層３の周囲を囲む周壁９を形成する（図１（
ｄ））。最後に従来と同様にしてｎ型半導体層３の上方
を除く領域に遮光兼配線用第２アルミ層７を設ける（図
１（ｅ））。
、図１（ｃ） で酸化膜６を除去した部分を埋め込み、
ｎ型半導体層３の周囲を囲む周壁９を形成する（図１（
ｄ））。最後に従来と同様にしてｎ型半導体層３の上方
を除く領域に遮光兼配線用第２アルミ層７を設ける（図
１（ｅ））。
【００１４】このように本実施例によれば、光電変換部
であるｎ型半導体層３の周囲を囲む周壁９を設けたから
、遮光膜７の開口７ａに斜め方向に光が入射しても、こ
の周壁９で遮られ隣接する画素部の活性領域に侵入する
ことがなく、従ってスメアが発生することがない。
であるｎ型半導体層３の周囲を囲む周壁９を設けたから
、遮光膜７の開口７ａに斜め方向に光が入射しても、こ
の周壁９で遮られ隣接する画素部の活性領域に侵入する
ことがなく、従ってスメアが発生することがない。
【００１５】また、一般に酸化膜とタングステンとは密
着性が良好ではないが、本実施例ではｎ型半導体層３の
周囲にポリシリコン膜８を設けてからタングステンを埋
め込むようにしているため、容易にタングステンを埋め
込むことができる。さらにこのポリシリコン膜８は２層
目のポリシリコン電極（図示せず）形成時に同時にパタ
ーニングして得られるため製造工程数が増大することも
ない。
着性が良好ではないが、本実施例ではｎ型半導体層３の
周囲にポリシリコン膜８を設けてからタングステンを埋
め込むようにしているため、容易にタングステンを埋め
込むことができる。さらにこのポリシリコン膜８は２層
目のポリシリコン電極（図示せず）形成時に同時にパタ
ーニングして得られるため製造工程数が増大することも
ない。
【００１６】なお上記実施例ではタングステンを用いて
周壁を形成したが、用いられる材料はこれに限られるも
のではないことは言うまでもない。さらに絶縁膜と密着
性が良好でかつ遮光能力の高い材料を用いて周壁を形成
できる場合には、ポリシリコン膜８は設ける必要がない
。
周壁を形成したが、用いられる材料はこれに限られるも
のではないことは言うまでもない。さらに絶縁膜と密着
性が良好でかつ遮光能力の高い材料を用いて周壁を形成
できる場合には、ポリシリコン膜８は設ける必要がない
。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子によれば、遮光膜の開口部周縁に沿って、基板表面
付近に達するように周壁を設けたから、開口部に斜めに
光が入射してもこの周壁で遮断され、隣接する画素でス
ミアが発生することがない固体撮像素子を得ることがで
きるという効果がある。
素子によれば、遮光膜の開口部周縁に沿って、基板表面
付近に達するように周壁を設けたから、開口部に斜めに
光が入射してもこの周壁で遮断され、隣接する画素でス
ミアが発生することがない固体撮像素子を得ることがで
きるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による固体撮像素子の製造
方法を示す図。
方法を示す図。
【図２】従来の固体撮像素子の製造方法を示す図。
１ Ｐ型半導体基板
２ 埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層（ＣＣＤ）
３ 光電変換用ｎ型半導体層（光電変換部）４ 濃
いＰ型半導体層 ５ 電荷転送用ポリシリコン電極 ６ 層間酸化膜 ７ 遮光兼配線用第２アルミ層 ８ ポリシリコン膜 ９ 周壁
３ 光電変換用ｎ型半導体層（光電変換部）４ 濃
いＰ型半導体層 ５ 電荷転送用ポリシリコン電極 ６ 層間酸化膜 ７ 遮光兼配線用第２アルミ層 ８ ポリシリコン膜 ９ 周壁
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に画素ごとに形成さ
れた複数の光電変換層及び光電変換された電荷を転送す
る埋め込みチャネル層と、該埋め込みチャネル層上部に
形成された転送電極と、基板上に層間膜を介して設けら
れ、上記光電変換部以外の領域を覆う遮光膜とを備えた
固体撮像装置において、上記光電変換部上方から上記遮
光膜に至る上記層間膜領域に、上記光電変換部を囲むよ
うにして形成された周壁を備えたことを特徴とする固体
撮像素子。 - 【請求項２】上記周壁は、上記光電変換部周縁に設けら
れた下地部材を介して形成されていることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157692A JPH04354161A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157692A JPH04354161A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354161A true JPH04354161A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15655301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157692A Pending JPH04354161A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354161A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917189A4 (en) * | 1996-07-23 | 2001-07-04 | Seiko Epson Corp | METHOD FOR MOUNTING AN ENCAPSULATED BODY ON AN OPTICAL BOARD AND CONVERTER |
| JP2001267544A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6326653B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-04 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3157692A patent/JPH04354161A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917189A4 (en) * | 1996-07-23 | 2001-07-04 | Seiko Epson Corp | METHOD FOR MOUNTING AN ENCAPSULATED BODY ON AN OPTICAL BOARD AND CONVERTER |
| US6326653B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-04 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
| US6703256B2 (en) | 1998-08-27 | 2004-03-09 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
| JP2001267544A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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