JP2738679B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP2738679B2 JP2738679B2 JP62040327A JP4032787A JP2738679B2 JP 2738679 B2 JP2738679 B2 JP 2738679B2 JP 62040327 A JP62040327 A JP 62040327A JP 4032787 A JP4032787 A JP 4032787A JP 2738679 B2 JP2738679 B2 JP 2738679B2
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- imaging device
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テレビカメラ等に使用される固体撮像装置
に関する。 〔従来の技術〕 半導体基板に多数の光電変換素子を配列した固体撮像
装置において、従来より、全く光を受けない状態の基準
信号レベルを得るため、一部の光電変換素子を遮光膜で
覆うこと（オプチカル・ブラツク部）が行なわれてい
る。 第２図に、この部分の構成を示す。１はｎ形シリコン
基板、２はｐ形ウエル、3,4,5はn+領域、６はLOCOS酸化
膜からなる分離絶縁膜である。７は垂直ゲートを構成す
るポリシリコン層、８は水平ゲートを構成するポリシリ
コン層、９は5000Åの厚さの第１層アルミニウム層、10
は水平信号線を構成する第２層アルミニウム層、11はPS
G−SOG−PSGの３層構造からなる層間絶縁膜、12,13はPS
G層であり、14が遮光膜を構成する第３層アルミニウム
層である（テレビジョン学会技術報告「水平移送方式固
体撮像素子」昭和60年９月）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来例では、ポリシリコンゲートやアルミニウム
配線層等の形成により基板に段差が生じるため、遮光膜
としてのアルミニウム層14を形成したときに、段差部で
のステツプカバレツジが悪く、図示のＡ部やＢ部におい
て、アルミニウム層14が極端に薄くなつたり破れたりし
て光の透過が起る。そのため、充分な黒化濃度が得られ
ず、オプテイカルブラツクレベルが低いという問題があ
つた。 この発明は、遮光膜の適正化によりオプテイカルブラ
ツクレベルを改善した固体撮像装置を提供することを目
的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、遮光膜を平坦化した下地の上に形成す
ることにより解決される。 〔作 用〕 予め下地を平坦にすることにより、ステツプカバレツ
ジが向上し、遮光膜がほぼ均一な膜厚で適正に形成され
る。 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。14A
は遮光膜としての第３層アルミニウム層であるが、第２
図に示した第３層アルミニウム層14と異なり、ほぼ均一
な膜厚（9500Å）で一様に形成されている。 このようにアルミニウム層14Aが適正に形成されたの
は、予め下地をSOG膜15により平坦にしたためである。
周知の通り、SOG膜は、SiO2を有機物に溶解したSOG液を
スピンコートし、その後熱処理することにより有機物を
揮発させ、SiO2膜を残したものであり、スピンコートの
段階で、SOG液の流動性により表面を平坦化することが
できる。 このようにSOG膜15の利用により下地を平坦化した上
にアルミニウム層14Aを形成したことにより、従来の凹
凸を有するPSG膜13の表面に直接アルミニウム層14を形
成した場合に比較して、オプテイカルブラツクレベルは
15％程度向上した。 下地を平坦化する手段は、上述した方法に限定される
ものではない。例えば、上記SOG膜15のような、下地の
凹部を埋め表面を平坦にするような膜を比較的厚く形成
した上で、その表面からプラズマエツチング等によりこ
れを除去して行くことにより、非常に高い平坦度をもつ
た表面が形成できる。 〔発明の効果〕 本発明によれば、光電変換素子が形成された領域と、
ポリシリコンゲートとアルミニウム配線とが積層された
領域との間の段差部に生じる凹部を埋めるようにSOG膜
を形成することで、遮光膜を適正に形成でき、オプテイ
カルブラツクレベルを向上させることができる。そのた
め、素子動作時のクランプを正確に行なえ、暗電流の補
正が適確に行なえる。
に関する。 〔従来の技術〕 半導体基板に多数の光電変換素子を配列した固体撮像
装置において、従来より、全く光を受けない状態の基準
信号レベルを得るため、一部の光電変換素子を遮光膜で
覆うこと（オプチカル・ブラツク部）が行なわれてい
る。 第２図に、この部分の構成を示す。１はｎ形シリコン
基板、２はｐ形ウエル、3,4,5はn+領域、６はLOCOS酸化
膜からなる分離絶縁膜である。７は垂直ゲートを構成す
るポリシリコン層、８は水平ゲートを構成するポリシリ
コン層、９は5000Åの厚さの第１層アルミニウム層、10
は水平信号線を構成する第２層アルミニウム層、11はPS
G−SOG−PSGの３層構造からなる層間絶縁膜、12,13はPS
G層であり、14が遮光膜を構成する第３層アルミニウム
層である（テレビジョン学会技術報告「水平移送方式固
体撮像素子」昭和60年９月）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来例では、ポリシリコンゲートやアルミニウム
配線層等の形成により基板に段差が生じるため、遮光膜
としてのアルミニウム層14を形成したときに、段差部で
のステツプカバレツジが悪く、図示のＡ部やＢ部におい
て、アルミニウム層14が極端に薄くなつたり破れたりし
て光の透過が起る。そのため、充分な黒化濃度が得られ
ず、オプテイカルブラツクレベルが低いという問題があ
つた。 この発明は、遮光膜の適正化によりオプテイカルブラ
ツクレベルを改善した固体撮像装置を提供することを目
的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、遮光膜を平坦化した下地の上に形成す
ることにより解決される。 〔作 用〕 予め下地を平坦にすることにより、ステツプカバレツ
ジが向上し、遮光膜がほぼ均一な膜厚で適正に形成され
る。 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。14A
は遮光膜としての第３層アルミニウム層であるが、第２
図に示した第３層アルミニウム層14と異なり、ほぼ均一
な膜厚（9500Å）で一様に形成されている。 このようにアルミニウム層14Aが適正に形成されたの
は、予め下地をSOG膜15により平坦にしたためである。
周知の通り、SOG膜は、SiO2を有機物に溶解したSOG液を
スピンコートし、その後熱処理することにより有機物を
揮発させ、SiO2膜を残したものであり、スピンコートの
段階で、SOG液の流動性により表面を平坦化することが
できる。 このようにSOG膜15の利用により下地を平坦化した上
にアルミニウム層14Aを形成したことにより、従来の凹
凸を有するPSG膜13の表面に直接アルミニウム層14を形
成した場合に比較して、オプテイカルブラツクレベルは
15％程度向上した。 下地を平坦化する手段は、上述した方法に限定される
ものではない。例えば、上記SOG膜15のような、下地の
凹部を埋め表面を平坦にするような膜を比較的厚く形成
した上で、その表面からプラズマエツチング等によりこ
れを除去して行くことにより、非常に高い平坦度をもつ
た表面が形成できる。 〔発明の効果〕 本発明によれば、光電変換素子が形成された領域と、
ポリシリコンゲートとアルミニウム配線とが積層された
領域との間の段差部に生じる凹部を埋めるようにSOG膜
を形成することで、遮光膜を適正に形成でき、オプテイ
カルブラツクレベルを向上させることができる。そのた
め、素子動作時のクランプを正確に行なえ、暗電流の補
正が適確に行なえる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図である。 14A……第３層アルミニウム層（遮光膜）、15……SOG
膜。
例を示す断面図である。 14A……第３層アルミニウム層（遮光膜）、15……SOG
膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中野 寿夫
茂原市早野3300番地 株式会社日立製作
所茂原工場内
(72)発明者 山田 光司
茂原市早野3681番地 日立デバイスエン
ジニアリング株式会社内
(72)発明者 泉 章也
茂原市早野3300番地 株式会社日立製作
所茂原工場内
(56)参考文献 特開 昭61−265865（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−145771（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−25969（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−46674（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体基板に多数の光電変換素子を配列し、かつそ
の一部領域の光電変換素子をオプテイカルブラツクレベ
ル検出のための遮光膜で覆った固体撮像装置において、
光電変換素子が形成された第１の領域と、該第１の領域
に隣接してポリシリコンゲートとアルミニウム配線とが
積層された第２の領域と、上記第１の領域と上記第２の
領域との間の段差部と、上記第１の領域と上記段差部と
上記第２の領域とを覆う第１の膜と、該第１の膜を覆う
第２の膜とを有し、上記第１の膜は、上記段差部で膜厚
が薄く形成され、上記第１の膜の表面には上記段差部上
において凹部が形成され、上記第２の膜は、上記段差部
で膜厚が厚く、かつ上記凹部を埋めて、上記第２の膜の
表面が平坦化するよう形成され、上記第２の膜の上に上
記遮光膜が上記第１の領域と上記第２の領域とに連続し
て形成されることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040327A JP2738679B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040327A JP2738679B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208269A JPS63208269A (ja) | 1988-08-29 |
| JP2738679B2 true JP2738679B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=12577510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040327A Expired - Fee Related JP2738679B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738679B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010048140A1 (en) | 1997-04-10 | 2001-12-06 | Inao Toyoda | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
| JP3726416B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2005-12-14 | 株式会社デンソー | 光センサ集積回路装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265865A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPS62145771A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2570264B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1997-01-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62040327A patent/JP2738679B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63208269A (ja) | 1988-08-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
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