JPH04351603A - β−シクロデキストリン誘導体 - Google Patents
β−シクロデキストリン誘導体Info
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- JPH04351603A JPH04351603A JP3154067A JP15406791A JPH04351603A JP H04351603 A JPH04351603 A JP H04351603A JP 3154067 A JP3154067 A JP 3154067A JP 15406791 A JP15406791 A JP 15406791A JP H04351603 A JPH04351603 A JP H04351603A
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Landscapes
- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシクロデキストリンの誘
導体に関し、更に詳しくは極めて高い水溶性を有するシ
クロデキストリン誘導体に関する。
導体に関し、更に詳しくは極めて高い水溶性を有するシ
クロデキストリン誘導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に医薬、農薬等の薬品類等は用途上
、水溶性を有することが求められる。近年、これらの水
溶性を向上させる手段の一つとして、上記薬品類等をシ
クロデキストリンに包接させることによって水溶性を向
上させる方法が提案されている。
、水溶性を有することが求められる。近年、これらの水
溶性を向上させる手段の一つとして、上記薬品類等をシ
クロデキストリンに包接させることによって水溶性を向
上させる方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなシクロデキストリン包接化合物においても、シクロ
デキストリン自体の水への溶解度に限度があるため、そ
の水溶性は実用上未だ不十分であった。このため、シク
ロデキストリンの水に対する溶解度を向上させるため、
シクロデキストリンをメチル化、ヒドロキシエチル化、
ヒドロキシプロピル化するか、あるいはエピクロルヒド
リンを用いて架橋させたポリマーを合成する等の方法が
行なわれているが、未だ十分な効果は得られていなかっ
た。
うなシクロデキストリン包接化合物においても、シクロ
デキストリン自体の水への溶解度に限度があるため、そ
の水溶性は実用上未だ不十分であった。このため、シク
ロデキストリンの水に対する溶解度を向上させるため、
シクロデキストリンをメチル化、ヒドロキシエチル化、
ヒドロキシプロピル化するか、あるいはエピクロルヒド
リンを用いて架橋させたポリマーを合成する等の方法が
行なわれているが、未だ十分な効果は得られていなかっ
た。
【０００４】従って、本発明の目的は、水に対して極め
て高い溶解性を有するシクロデキストリン誘導体を提供
することにある。
て高い溶解性を有するシクロデキストリン誘導体を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題に鑑
みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくとも
一つのヒドロキシル基を有するシクロデキストリン誘導
体を提供することにより達成されることを見出した。
みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくとも
一つのヒドロキシル基を有するシクロデキストリン誘導
体を提供することにより達成されることを見出した。
【０００６】以下に本発明を更に詳細に説明する。
【０００７】本発明はヒドロキシル基をシクロデキスト
リン（以下、ＣＤと略記する）分子に確実に導入するこ
とにより水に対する溶解度を大幅に向上させるものであ
るが、この結果得られる本発明のＣＤ誘導体としては、
具体的には、モノ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ、ジ−
（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ、ヘプタ−（ビスヒドロキ
シ）β−ＣＤ、モノ−（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ、
ジ−（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ、ヘプタ−（トリス
ヒドロキシ）β−ＣＤ等が挙げられる。
リン（以下、ＣＤと略記する）分子に確実に導入するこ
とにより水に対する溶解度を大幅に向上させるものであ
るが、この結果得られる本発明のＣＤ誘導体としては、
具体的には、モノ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ、ジ−
（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ、ヘプタ−（ビスヒドロキ
シ）β−ＣＤ、モノ−（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ、
ジ−（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ、ヘプタ−（トリス
ヒドロキシ）β−ＣＤ等が挙げられる。
【０００８】また、本発明に用いられるＣＤとしては、
α−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤ等のいずれも用いること
ができる。
α−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤ等のいずれも用いること
ができる。
【０００９】以下に、本発明の少なくとも１つのヒドロ
キシル基を有するＣＤ誘導体の合成反応例を示す。
キシル基を有するＣＤ誘導体の合成反応例を示す。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
【００１２】
【化３】
【００１３】
【化４】
上記合成反応は具体的には以下の合成例に従って行なう
ことができる。
ことができる。
【００１４】（Ａ）モノ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ
の合成 β−ＣＤを脱水ピリジンに室温で溶解し、その系に２０
℃以下でピリジンに溶解したｐ−トルエンスルホニルク
ロライドを滴下する。滴下終了後、室温でさらに一昼夜
撹拌する。反応終了後ピリジンを減圧下４０℃以下にて
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行ない、沈
殿物を集めて水より再結晶を３度行なう。（収率：約２
５％）
の合成 β−ＣＤを脱水ピリジンに室温で溶解し、その系に２０
℃以下でピリジンに溶解したｐ−トルエンスルホニルク
ロライドを滴下する。滴下終了後、室温でさらに一昼夜
撹拌する。反応終了後ピリジンを減圧下４０℃以下にて
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行ない、沈
殿物を集めて水より再結晶を３度行なう。（収率：約２
５％）
【００１５】得られたβ−ＣＤモノトシレートを
ＤＭＦに溶解し、ＫＩと７０〜８０℃下一昼夜反応させ
る。反応終了後ＤＭＦを減圧下で留去し、残渣を大量の
アセトンより再沈殿を行ない、沈殿物は集めてｎ−ブタ
ノール／エタノール／水系より再結晶を行なう。（収率
：約６０％）
ＤＭＦに溶解し、ＫＩと７０〜８０℃下一昼夜反応させ
る。反応終了後ＤＭＦを減圧下で留去し、残渣を大量の
アセトンより再沈殿を行ない、沈殿物は集めてｎ−ブタ
ノール／エタノール／水系より再結晶を行なう。（収率
：約６０％）
【００１６】次にＤＭＦ中で２，２−ジメ
チル−１，３−ジオキソラン−４−メタノールとＮａＨ
を室温、窒素気流下反応させ、１時間後系を３０〜４０
℃に上げ、そこにＤＭＦに溶解したβ−ＣＤモノアイオ
ダイドを滴下し、滴下終了後９０〜１００℃で一昼夜反
応させる。反応終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大
量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱メタノールに
溶解させ、濾過後再度大量のアセトンより再沈殿させる
。沈殿物は集めてメタノールで再結晶を行なう。（収率
：約３０％）
チル−１，３−ジオキソラン−４−メタノールとＮａＨ
を室温、窒素気流下反応させ、１時間後系を３０〜４０
℃に上げ、そこにＤＭＦに溶解したβ−ＣＤモノアイオ
ダイドを滴下し、滴下終了後９０〜１００℃で一昼夜反
応させる。反応終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大
量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱メタノールに
溶解させ、濾過後再度大量のアセトンより再沈殿させる
。沈殿物は集めてメタノールで再結晶を行なう。（収率
：約３０％）
【００１７】さらに、沈殿物を酢酸に溶解
し、室温で塩酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約１時間
撹拌後、溶媒を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンよ
り再沈殿を行なう。沈殿物は集めて、よくアセトン、メ
タノールで洗浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（
収率：約８０％）
し、室温で塩酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約１時間
撹拌後、溶媒を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンよ
り再沈殿を行なう。沈殿物は集めて、よくアセトン、メ
タノールで洗浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（
収率：約８０％）
【００１８】（Ｂ）ジ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤの
合成 β−ＣＤを室温下ピリジンに溶解し、これにピリジンに
溶解したジフェニルメタンｐ，ｐ′−ジスルホニルクロ
ライドを５℃にて滴下する。滴下終了後、２０℃以下に
て一昼夜撹拌する。反応終了後、ピリジンを４０℃以下
で減圧留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行な
う。 沈殿物を集め、水より再結晶を繰り返し精製する。（収
率：約１５％）
合成 β−ＣＤを室温下ピリジンに溶解し、これにピリジンに
溶解したジフェニルメタンｐ，ｐ′−ジスルホニルクロ
ライドを５℃にて滴下する。滴下終了後、２０℃以下に
て一昼夜撹拌する。反応終了後、ピリジンを４０℃以下
で減圧留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行な
う。 沈殿物を集め、水より再結晶を繰り返し精製する。（収
率：約１５％）
【００１９】得られた化合物をＤＭＦ中でＫＩと７０〜
８０℃下一昼夜反応させ、終了後ＤＭＦを減圧下留去し
、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物は集
めてｎ−ブタノール／エタノール／水系より再結晶し精
製する。（収率：約５５％）
８０℃下一昼夜反応させ、終了後ＤＭＦを減圧下留去し
、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿物は集
めてｎ−ブタノール／エタノール／水系より再結晶し精
製する。（収率：約５５％）
【００２０】次にＤＭＦ中で２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソラン−４−メタノールとＮａＨを室温、窒素
気流下で反応させ、１時間後系を３０〜４０℃に上げ、
そこにＤＭＦに溶解した沈殿物を滴下し、滴下終了後９
０〜１００℃で一昼夜反応させる。反応終了後ＤＭＦを
減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、
沈殿物は熱エタノールに溶解させ、濾過後再度大量のア
セトンより再沈殿させる。沈殿物は集めてエタノールで
再結晶を行なう。（収率：約２０％）
−ジオキソラン−４−メタノールとＮａＨを室温、窒素
気流下で反応させ、１時間後系を３０〜４０℃に上げ、
そこにＤＭＦに溶解した沈殿物を滴下し、滴下終了後９
０〜１００℃で一昼夜反応させる。反応終了後ＤＭＦを
減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、
沈殿物は熱エタノールに溶解させ、濾過後再度大量のア
セトンより再沈殿させる。沈殿物は集めてエタノールで
再結晶を行なう。（収率：約２０％）
【００２１】さらに、沈殿物を酢酸に溶解し、室温で塩
酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約１時間撹拌後、溶媒
を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行
なう。沈殿物を集めて、よくアセトン、メタノールで洗
浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（収率：約７０
％）
酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約１時間撹拌後、溶媒
を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行
なう。沈殿物を集めて、よくアセトン、メタノールで洗
浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（収率：約７０
％）
【００２２】（Ｃ）ヘプタ（ビスヒドロキシ）β−ＣＤ
の合成 ＤＭＦ中に室温でβ−ＣＤを溶解し、メタンスルホニル
ブロマイドを加え、次いで６０〜７０℃で２４時間撹拌
する。 反応終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大量のメタノ
ールより再沈殿させる。そして中和後氷冷水に加え、濾
過し、沈殿物を氷冷水でよく洗浄し乾燥することでβ−
ＣＤヘプタブロマイドを得る。（収率：約８０％）
の合成 ＤＭＦ中に室温でβ−ＣＤを溶解し、メタンスルホニル
ブロマイドを加え、次いで６０〜７０℃で２４時間撹拌
する。 反応終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大量のメタノ
ールより再沈殿させる。そして中和後氷冷水に加え、濾
過し、沈殿物を氷冷水でよく洗浄し乾燥することでβ−
ＣＤヘプタブロマイドを得る。（収率：約８０％）
【０
０２３】次にＤＭＦ中で２，２−ジメチル−１，３−ジ
オキソラン−４−メタノールとＮａＨを室温、窒素気流
下で反応させ、１時間後系を３０〜４０℃に上げ、そこ
にＤＭＦに溶解したβ−ＣＤヘプタブロマイドを滴下し
、滴下終了後９０〜１００℃で一昼夜反応させる。反応
終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大量のジエチルエ
ーテルより再沈殿させ、沈殿物は熱エタノールに溶解し
、濾過後再度大量のジエチルエーテルより再沈殿させる
。 沈殿物を集めてエタノールで再結晶を行なう。（収率：
約１０％）
０２３】次にＤＭＦ中で２，２−ジメチル−１，３−ジ
オキソラン−４−メタノールとＮａＨを室温、窒素気流
下で反応させ、１時間後系を３０〜４０℃に上げ、そこ
にＤＭＦに溶解したβ−ＣＤヘプタブロマイドを滴下し
、滴下終了後９０〜１００℃で一昼夜反応させる。反応
終了後ＤＭＦを減圧下留去し、残渣を大量のジエチルエ
ーテルより再沈殿させ、沈殿物は熱エタノールに溶解し
、濾過後再度大量のジエチルエーテルより再沈殿させる
。 沈殿物を集めてエタノールで再結晶を行なう。（収率：
約１０％）
【００２４】さらに、沈殿物を酢酸に溶解し、室温で塩
酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約２時間撹拌後、溶媒
を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行
なう。沈殿物を集めて、よくアセトン、メタノールで洗
浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（収率：約７０
％）
酸／酢酸＝１／１溶液を滴下し、約２時間撹拌後、溶媒
を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行
なう。沈殿物を集めて、よくアセトン、メタノールで洗
浄し減圧乾燥することで目的物を得る。（収率：約７０
％）
【００２５】（Ｄ）モノ−（トリスヒドロキシ）β−Ｃ
Ｄの合成 β−ＣＤモノトシレート、β−ＣＤモノアイオダイドま
での合成は（Ａ）モノ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤの
合成を参照。
Ｄの合成 β−ＣＤモノトシレート、β−ＣＤモノアイオダイドま
での合成は（Ａ）モノ−（ビスヒドロキシ）β−ＣＤの
合成を参照。
【００２６】次にＤＭＦ中で２−フェニル−５−ベンジ
ルオキシメチル−５−ヒドロキシメチル−１，３−ジオ
キサンとＮａＨを室温、窒素気流下で反応させ、１時間
後系を３０〜４０℃に上げ、そこにＤＭＦに溶解したβ
−ＣＤモノアイオダイドを滴下し、滴下終了後９０〜１
００℃で一昼夜反応させる。反応終了後ＤＭＦを減圧下
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物
は熱エタノールに溶解させ、濾過後再度大量のアセトン
より再沈殿させる。沈殿物は集めてエタノールで再結晶
を行なう。（収率：約１５％）
ルオキシメチル−５−ヒドロキシメチル−１，３−ジオ
キサンとＮａＨを室温、窒素気流下で反応させ、１時間
後系を３０〜４０℃に上げ、そこにＤＭＦに溶解したβ
−ＣＤモノアイオダイドを滴下し、滴下終了後９０〜１
００℃で一昼夜反応させる。反応終了後ＤＭＦを減圧下
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物
は熱エタノールに溶解させ、濾過後再度大量のアセトン
より再沈殿させる。沈殿物は集めてエタノールで再結晶
を行なう。（収率：約１５％）
【００２７】さらに沈殿物を酢酸に溶解し、５％Ｐｄ／
Ｃを加え水素添加を行なう（室温下５ｋｇ／ｃｍ２加圧
）。２４時間反応させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、酢酸を減圧下
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿
物はアセトン、メタノールでよく洗浄し、減圧乾燥する
ことで目的物を得る。（収率：約８０％）
Ｃを加え水素添加を行なう（室温下５ｋｇ／ｃｍ２加圧
）。２４時間反応させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、酢酸を減圧下
留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿
物はアセトン、メタノールでよく洗浄し、減圧乾燥する
ことで目的物を得る。（収率：約８０％）
【００２８】（Ｅ）ジ−（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ
の合成 β−ＣＤアイオダイドの合成は（Ｂ）ジ−（ビスヒドロ
キシ）β−ＣＤの合成を参照。化合物■及び目的物■の
合成は上記（Ｄ）モノー（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ
の合成と同様に行なう。 ■：（収率：約５％） ■：（収率：約８０％）
の合成 β−ＣＤアイオダイドの合成は（Ｂ）ジ−（ビスヒドロ
キシ）β−ＣＤの合成を参照。化合物■及び目的物■の
合成は上記（Ｄ）モノー（トリスヒドロキシ）β−ＣＤ
の合成と同様に行なう。 ■：（収率：約５％） ■：（収率：約８０％）
【００２９】（Ｆ）ヘプタ−（トリスヒドロキシ）β−
ＣＤの合成 β−ＣＤヘプタブロマイドの合成は（Ｃ）ヘプタ−（ビ
スヒドロキシ）β−ＣＤの合成を参照。化合物■及び目
的物■の合成は上記（Ｂ）ジ−（ビスヒドロキシ）β−
ＣＤの合成と同様に行なう。ただし再沈殿溶媒をジエチ
ルエーテルで行ない、再沈殿後減圧乾燥する。 ■：（収率：約５％） ■：（収率：約６０％）
ＣＤの合成 β−ＣＤヘプタブロマイドの合成は（Ｃ）ヘプタ−（ビ
スヒドロキシ）β−ＣＤの合成を参照。化合物■及び目
的物■の合成は上記（Ｂ）ジ−（ビスヒドロキシ）β−
ＣＤの合成と同様に行なう。ただし再沈殿溶媒をジエチ
ルエーテルで行ない、再沈殿後減圧乾燥する。 ■：（収率：約５％） ■：（収率：約６０％）
【００３０】なお目的物の確認はＮＭＲスペクトル、マ
ススペクトル、元素分析などの方法を用いて行なった。
ススペクトル、元素分析などの方法を用いて行なった。
【００３１】その他のＣＤ誘導体についても上記方法に
準じて同様に合成することができる。
準じて同様に合成することができる。
【００３２】上記の如く得られるＣＤ誘導体の水に対す
る溶解度を調べた結果を以下に示す。
る溶解度を調べた結果を以下に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】本発明の高い水溶性を有するＣＤ誘導体は
、例えば医薬、農薬等の薬品、芳香剤、化粧品、洗剤、
塗料、染料、食料品の食品添加物等に用いることができ
る。
、例えば医薬、農薬等の薬品、芳香剤、化粧品、洗剤、
塗料、染料、食料品の食品添加物等に用いることができ
る。
【００３５】以上詳細に述べたように、本発明によりヒ
ドロキシル基をＣＤに確実に導入することにより、ＣＤ
の水に対する溶解度を大幅に向上させることができ、こ
の結果水溶性の高いＣＤ包接化合物を得ることができる
。
ドロキシル基をＣＤに確実に導入することにより、ＣＤ
の水に対する溶解度を大幅に向上させることができ、こ
の結果水溶性の高いＣＤ包接化合物を得ることができる
。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも１つのヒドロキシル基を有
するシクロデキストリン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154067A JPH04351603A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154067A JPH04351603A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04351603A true JPH04351603A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=15576173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154067A Pending JPH04351603A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04351603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998013456A1 (de) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Henkel-Ecolab Gmbh & Co. Ohg | Wasch- oder wäschenachbehandlungsmittel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61500788A (ja) * | 1983-12-21 | 1986-04-24 | ヤンセン・フア−マセウテイカ・エヌ・ヴエ− | 水に不安定なまたは僅かに溶解性の薬物を含有する医薬調製物およびその製造方法 |
| JPS63122701A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規なシクロデキストリン誘導体及びその製法 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3154067A patent/JPH04351603A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61500788A (ja) * | 1983-12-21 | 1986-04-24 | ヤンセン・フア−マセウテイカ・エヌ・ヴエ− | 水に不安定なまたは僅かに溶解性の薬物を含有する医薬調製物およびその製造方法 |
| JPS63122701A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規なシクロデキストリン誘導体及びその製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998013456A1 (de) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Henkel-Ecolab Gmbh & Co. Ohg | Wasch- oder wäschenachbehandlungsmittel |
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