JPH06239903A - シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH06239903A JPH06239903A JP5477593A JP5477593A JPH06239903A JP H06239903 A JPH06239903 A JP H06239903A JP 5477593 A JP5477593 A JP 5477593A JP 5477593 A JP5477593 A JP 5477593A JP H06239903 A JPH06239903 A JP H06239903A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２位又は３位の各々のすべての水酸基をカル
ボニル基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体及び
これらの誘導体の製造方法を提供する。 【構成】 下記式［Ｉ］又は［II］で表わされるシクロ
デキストリン誘導体、 【化５】 及び、２位の水酸基を保護基にて保護した（６−Ｏ−te
rt−ブチルジメチルシリル）シクロデキストリン又は
（２，６−ジ−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シク
ロデキストリンの３位の水酸基を、カルボニル化した後
に脱シリル化すること、または、３位及び６位の水酸基
を保護基にて保護したシクロデキストリン、又は３位を
水酸基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシ
リル）シクロデキストリンの２位の水酸基をカルボニル
化した後保護基を除去すること、を特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法。
ボニル基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体及び
これらの誘導体の製造方法を提供する。 【構成】 下記式［Ｉ］又は［II］で表わされるシクロ
デキストリン誘導体、 【化５】 及び、２位の水酸基を保護基にて保護した（６−Ｏ−te
rt−ブチルジメチルシリル）シクロデキストリン又は
（２，６−ジ−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シク
ロデキストリンの３位の水酸基を、カルボニル化した後
に脱シリル化すること、または、３位及び６位の水酸基
を保護基にて保護したシクロデキストリン、又は３位を
水酸基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシ
リル）シクロデキストリンの２位の水酸基をカルボニル
化した後保護基を除去すること、を特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なシクロデキストリ
ン誘導体及びその製造方法に関するものである。
ン誘導体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シクロデキストリンは分子内に疎水性の
空洞を有し、外側は親水性で水中油型ミセルに似た機能
を示す化合物である。このようなシクロデキストリンは
その空洞径に応じて疎水性のゲスト分子を取り込み水溶
液中で複合体を形成し、調製法によっては固体の包接化
合物を単離することもできる。この立体選択的な相互作
用によりゲスト分子の物理化学的性質を微妙に変化させ
ることができるため、製剤等への有効利用が期待でき、
各方面で種々に利用され、またその利用が図られている
化合物である。
空洞を有し、外側は親水性で水中油型ミセルに似た機能
を示す化合物である。このようなシクロデキストリンは
その空洞径に応じて疎水性のゲスト分子を取り込み水溶
液中で複合体を形成し、調製法によっては固体の包接化
合物を単離することもできる。この立体選択的な相互作
用によりゲスト分子の物理化学的性質を微妙に変化させ
ることができるため、製剤等への有効利用が期待でき、
各方面で種々に利用され、またその利用が図られている
化合物である。
【０００３】特にシクロデキストリンの２，３又は６位
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性等を大きく変
化させうることが期待できる。
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性等を大きく変
化させうることが期待できる。
【０００４】従ってこのような水酸基を他の置換基に置
換せしめたシクロデキストリン誘導体について種々の研
究がなされてきたが、水酸基のいずれかをカルボニル基
で置換したものは全く報告されていなかった。
換せしめたシクロデキストリン誘導体について種々の研
究がなされてきたが、水酸基のいずれかをカルボニル基
で置換したものは全く報告されていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、実際シクロデキ
ストリンが種々の物質を包接すると考えられるのは６位
の水酸基の側よりも空洞径の広い２位又は３位の水酸基
の側であるが、これらをカルボニル基に置換した化合
物、特に、２位の水酸基のすべて、又は３位の水酸基の
すべてをカルボニル基に置換した化合物についても全く
報告はない。従って、このような化合物の場合更に水酸
基又はカルボニル基との相互作用が変化するため包接現
象の顕著な変化が予想される。
ストリンが種々の物質を包接すると考えられるのは６位
の水酸基の側よりも空洞径の広い２位又は３位の水酸基
の側であるが、これらをカルボニル基に置換した化合
物、特に、２位の水酸基のすべて、又は３位の水酸基の
すべてをカルボニル基に置換した化合物についても全く
報告はない。従って、このような化合物の場合更に水酸
基又はカルボニル基との相互作用が変化するため包接現
象の顕著な変化が予想される。
【０００６】すなわち本発明の目的は、２位又は３位の
各々のすべての水酸基をカルボニル基に置換せしめたシ
クロデキストリン誘導体及びこれらの誘導体の製造方法
を提供することにある。
各々のすべての水酸基をカルボニル基に置換せしめたシ
クロデキストリン誘導体及びこれらの誘導体の製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記式［Ｉ］又は式［II］で表わされるシクロデキストリ
ン誘導体を提供することにより達成される。
記式［Ｉ］又は式［II］で表わされるシクロデキストリ
ン誘導体を提供することにより達成される。
【０００８】
【化２】
【０００９】また、本発明の上記目的は、（１） ２位
の水酸基を保護基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチル
ジメチルシリル）シクロデキストリン又は（２，６−ジ
−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シクロデキストリ
ンの３位の水酸基を、カルボニル化した後に脱シリル化
することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造
方法、（２） 上記（１）記載のカルボニル化を極性非
プロトン性溶媒中で、非電子活性試薬を用い水酸基を酸
化することによって行なう上記（１）記載のシクロデキ
ストリン誘導体の製造方法、（３） ３位及び６位の水
酸基を保護基にて保護したシクロデキストリン、又は３
位を保護基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチルジメチ
ルシリル）シクロデキストリンの２位の水酸基をカルボ
ニル化した後保護基を除去することを特徴とするシクロ
デキストリン誘導体の製造方法、又は、（４） 上記
（３）記載のカルボニル化を極性非プロトン性溶媒中
で、非電子活性試薬を用い水酸基を酸化することによっ
て行なう上記（３）記載のシクロデキストリン誘導体の
製造方法、により達成される。
の水酸基を保護基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチル
ジメチルシリル）シクロデキストリン又は（２，６−ジ
−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シクロデキストリ
ンの３位の水酸基を、カルボニル化した後に脱シリル化
することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造
方法、（２） 上記（１）記載のカルボニル化を極性非
プロトン性溶媒中で、非電子活性試薬を用い水酸基を酸
化することによって行なう上記（１）記載のシクロデキ
ストリン誘導体の製造方法、（３） ３位及び６位の水
酸基を保護基にて保護したシクロデキストリン、又は３
位を保護基にて保護した（６−Ｏ−tert−ブチルジメチ
ルシリル）シクロデキストリンの２位の水酸基をカルボ
ニル化した後保護基を除去することを特徴とするシクロ
デキストリン誘導体の製造方法、又は、（４） 上記
（３）記載のカルボニル化を極性非プロトン性溶媒中
で、非電子活性試薬を用い水酸基を酸化することによっ
て行なう上記（３）記載のシクロデキストリン誘導体の
製造方法、により達成される。
【００１０】以下に本発明を更に具体的に説明する。
【００１１】本発明において、シクロデキストリンはｎ
が６のものをα−シクロデキストリン、ｎが７のものを
β−シクロデキストリン、ｎが８のものをγ−シクロデ
キストリンという。
が６のものをα−シクロデキストリン、ｎが７のものを
β−シクロデキストリン、ｎが８のものをγ−シクロデ
キストリンという。
【００１２】また、本発明において水酸基のカルボニル
化において用いられる極性非プロトン性溶媒としては好
ましくはジメチルスルホキシド（以下ＤＭＳＯと略記す
る）が用いられ、親電子活性化試薬としては、好ましく
はジシクロヘキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記
する）、無水酢酸、五酸化リン、三酸化硫黄−ピリジン
錯体、無水トリフルオロ酢酸、塩化オキサリル等が用い
られる。
化において用いられる極性非プロトン性溶媒としては好
ましくはジメチルスルホキシド（以下ＤＭＳＯと略記す
る）が用いられ、親電子活性化試薬としては、好ましく
はジシクロヘキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記
する）、無水酢酸、五酸化リン、三酸化硫黄−ピリジン
錯体、無水トリフルオロ酢酸、塩化オキサリル等が用い
られる。
【００１３】以下に、式［Ｉ］で表わされる本発明のシ
クロデキストリン誘導体の具体的反応例を示す。但し以
下場合によりシクロデキストリンをＣＤと略記する。
クロデキストリン誘導体の具体的反応例を示す。但し以
下場合によりシクロデキストリンをＣＤと略記する。
【００１４】
【化３】
【００１５】上記反応は具体的には以下のような方法に
より行なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し窒素雰囲
気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解し
た tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で１
時間、室温で12時間攪拌する。反応終了後、大量の水よ
り再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥する。
その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を行な
う。（収率：約80％）
より行なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し窒素雰囲
気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解し
た tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で１
時間、室温で12時間攪拌する。反応終了後、大量の水よ
り再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥する。
その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を行な
う。（収率：約80％）
【００１６】反応［２］ ［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解し、窒素雰囲気下ＢａＯ、Ｂ
ａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2Ｏを加え、室温で１時間反応させ
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え24時間反応させる。反応終了後
メタノールを加え沈殿物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ2
を加え、１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄、有機層は乾
燥後減圧下濃縮する。残渣に少量のエタノールを加え、
大量の水より再沈殿する。沈殿物は乾燥後シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｂ］を得る。
（収率：約70％）
ａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2Ｏを加え、室温で１時間反応させ
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え24時間反応させる。反応終了後
メタノールを加え沈殿物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ2
を加え、１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄、有機層は乾
燥後減圧下濃縮する。残渣に少量のエタノールを加え、
大量の水より再沈殿する。沈殿物は乾燥後シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｂ］を得る。
（収率：約70％）
【００１７】反応［３］方法−Ｉ ［Ｂ］をＤＭＳＯに溶解し、次いで室温でＤＣＣ（ジシ
クロヘキシルカルボジイミド）を加える。さらにその系
を20〜30℃に保ちながら無水リン酸を少量ずつ加えて行
く。全て添加後、その温度で24時間攪拌し、沈殿物は濾
過後ＣＨ2 Ｃｌ 2 を加えＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和す
る。ＣＨ2 Ｃｌ2 で抽出後、有機層は水でよく洗浄し、
乾燥後減圧下濃縮し残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収率：約60％）
クロヘキシルカルボジイミド）を加える。さらにその系
を20〜30℃に保ちながら無水リン酸を少量ずつ加えて行
く。全て添加後、その温度で24時間攪拌し、沈殿物は濾
過後ＣＨ2 Ｃｌ 2 を加えＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和す
る。ＣＨ2 Ｃｌ2 で抽出後、有機層は水でよく洗浄し、
乾燥後減圧下濃縮し残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収率：約60％）
【００１８】方法−II ［Ｂ］をＤＭＳＯに溶解し、次いで無水酢酸を加える。
その後系を40〜50℃に加熱し４時間攪拌する。反応終了
後ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え、次いで大量の水を加える。有機
層は分液し、Ｎａ2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥
後減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収率：約65％）
その後系を40〜50℃に加熱し４時間攪拌する。反応終了
後ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え、次いで大量の水を加える。有機
層は分液し、Ｎａ2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥
後減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収率：約65％）
【００１９】方法−III ［Ｂ］をＤＭＦ／ＤＭＳＯ混合溶媒に溶解、そして五酸
化リンを加え、ゆっくりと加熱し50〜60℃下で３時間攪
拌する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液にＣＨ 2 Ｃｌ2
を加え、次いで大量の水を加え、有機層は分液し、Ｎａ
2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後減圧下濃縮す
る。残渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し［Ｃ］を得る。（収率：約65％）
化リンを加え、ゆっくりと加熱し50〜60℃下で３時間攪
拌する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液にＣＨ 2 Ｃｌ2
を加え、次いで大量の水を加え、有機層は分液し、Ｎａ
2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後減圧下濃縮す
る。残渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し［Ｃ］を得る。（収率：約65％）
【００２０】方法−IV ［Ｂ］を脱水ＤＭＳＯに溶解し室温下少量のトリエチル
アミンを添加する。次いで三酸化硫黄−ピリジン錯体の
ＤＭＳＯ溶液をゆっくり滴下する。滴下終了後室温下で
６時間撹拌し、反応終了後、三酸化硫黄−ピリジン錯体
を塩とし沈殿物として生じたものを濾別する。濾液は減
圧下40℃以下で濃縮し残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製、［Ｃ］を得る。（収率：約60％）
アミンを添加する。次いで三酸化硫黄−ピリジン錯体の
ＤＭＳＯ溶液をゆっくり滴下する。滴下終了後室温下で
６時間撹拌し、反応終了後、三酸化硫黄−ピリジン錯体
を塩とし沈殿物として生じたものを濾別する。濾液は減
圧下40℃以下で濃縮し残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製、［Ｃ］を得る。（収率：約60％）
【００２１】方法−Ｖ 脱水したＤＭＳＯ／ジクロルメタン混合溶媒を窒素雰囲
気下約−60℃に冷却、その系に無水トリフルオロ酢酸の
ジクロルメタン溶液を添加する。約30分撹拌後［Ｂ］の
ジクロルメタン溶液を滴下し、−60℃で約３時間撹拌す
る。その後トリエチルアミンを加え、約30分撹拌後ゆっ
くり系内温度を室温までもどす。次いで系内に水を加え
有機層を分離、有機層は減圧下40℃以下で濃縮し残渣は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製、［Ｃ］
を得る。（収率：約55％）
気下約−60℃に冷却、その系に無水トリフルオロ酢酸の
ジクロルメタン溶液を添加する。約30分撹拌後［Ｂ］の
ジクロルメタン溶液を滴下し、−60℃で約３時間撹拌す
る。その後トリエチルアミンを加え、約30分撹拌後ゆっ
くり系内温度を室温までもどす。次いで系内に水を加え
有機層を分離、有機層は減圧下40℃以下で濃縮し残渣は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製、［Ｃ］
を得る。（収率：約55％）
【００２２】方法−VI 上記方法−Ｖにおいてトリエチルアミンにかえてメタノ
ールを用いた以外は方法−Ｖと同様にして［Ｃ］を得
る。（収率：約65％）
ールを用いた以外は方法−Ｖと同様にして［Ｃ］を得
る。（収率：約65％）
【００２３】反応［４］ ［Ｃ］をＴＨＦに溶解し、室温下で１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後ＴＨＦ
を減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出、有
機層は乾燥後減圧下で濃縮し、残渣はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｄ］を得る。（収
率：約85％）
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後ＴＨＦ
を減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出、有
機層は乾燥後減圧下で濃縮し、残渣はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｄ］を得る。（収
率：約85％）
【００２４】反応［５］ ［Ｄ］を酢酸に溶解し、10％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加
後水素添加を行なう（40℃，５kg/cm2）。水素圧が減少
しなくなった時点で反応を終了させＰｄ／Ｃを濾別、濾
液を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿す
る。沈殿物を集めよくアセトンで洗浄することにより
［Ｅ］を得る。（収率：約90％）
後水素添加を行なう（40℃，５kg/cm2）。水素圧が減少
しなくなった時点で反応を終了させＰｄ／Ｃを濾別、濾
液を減圧下濃縮し、残渣を大量のアセトンより再沈殿す
る。沈殿物を集めよくアセトンで洗浄することにより
［Ｅ］を得る。（収率：約90％）
【００２５】反応［６］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに溶解し、室温でイミ
ダゾールを添加する。次いでアルゴン雰囲気下で tＢＤ
ＭＳｉＣｌを加え溶解させる。その系をゆっくり加熱
し、90〜 100℃で24時間反応させる。反応終了後放冷
し、減圧下ＤＭＦを留去、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系よ
り抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ 4 、水、Ｎ
ａＨＣＯ3 飽和水溶液で洗浄後乾燥する。ＣＨ2 Ｃｌ2
は減圧下濃縮し、残渣はＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノール系よ
り再結晶し精製することで［Ｆ］を得る。（収率：約65
％）
ダゾールを添加する。次いでアルゴン雰囲気下で tＢＤ
ＭＳｉＣｌを加え溶解させる。その系をゆっくり加熱
し、90〜 100℃で24時間反応させる。反応終了後放冷
し、減圧下ＤＭＦを留去、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系よ
り抽出し、ＣＨ2 Ｃｌ2 層は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ 4 、水、Ｎ
ａＨＣＯ3 飽和水溶液で洗浄後乾燥する。ＣＨ2 Ｃｌ2
は減圧下濃縮し、残渣はＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノール系よ
り再結晶し精製することで［Ｆ］を得る。（収率：約65
％）
【００２６】反応［７］ ［Ｂ］にかえて［Ｆ］を用いた以外は反応［３］の方法
［Ｉ］〜［VI］の各々と同様にして［Ｇ］を得る。（方
法［Ｉ］については 収率：約70％）
［Ｉ］〜［VI］の各々と同様にして［Ｇ］を得る。（方
法［Ｉ］については 収率：約70％）
【００２７】反応［８］ ［Ｇ］をＴＨＦに溶解し、室温下で１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後沈殿物
を濾別、沈殿物を水に溶解し大量のアセトンより再沈殿
する。沈殿物はよくアセトンで洗浄、乾燥することで
［Ｅ］を得る。（収率：約75％）
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後沈殿物
を濾別、沈殿物を水に溶解し大量のアセトンより再沈殿
する。沈殿物はよくアセトンで洗浄、乾燥することで
［Ｅ］を得る。（収率：約75％）
【００２８】次に式［II］で表わされる本発明のシクロ
デキストリン誘導体の具体的反応例を示す。
デキストリン誘導体の具体的反応例を示す。
【００２９】
【化４】
【００３０】上記反応は具体的には以下のような方法に
より行なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し窒素雰囲
気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解し
た tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で１
時間、室温で12時間攪拌する。反応終了後、大量の水よ
り再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥する。
その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を行な
う。（収率：約80％）
より行なわれる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し窒素雰囲
気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解し
た tＢＤＭＳｉＣｌを滴下し、滴下終了後０〜５℃で１
時間、室温で12時間攪拌する。反応終了後、大量の水よ
り再沈殿を行ない、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥する。
その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を行な
う。（収率：約80％）
【００３１】反応［２］ ［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解し、窒素雰囲気下ＢａＯ、Ｂ
ａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2Ｏを加え、室温で１時間反応させ
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え24時間反応させる。反応終了後
メタノールを加え、沈殿物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ
2 を加え、１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄、有機層は
乾燥後減圧下濃縮する。残渣に少量のエタノールを加
え、大量の水より再沈殿する。沈殿物は乾燥後シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｂ］を得
る。（収率：約70％）
ａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2Ｏを加え、室温で１時間反応させ
る。その系に室温で臭化ベンジルを滴下し、滴下終了後
ヨウ化ナトリウムを加え24時間反応させる。反応終了後
メタノールを加え、沈殿物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ
2 を加え、１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄、有機層は
乾燥後減圧下濃縮する。残渣に少量のエタノールを加
え、大量の水より再沈殿する。沈殿物は乾燥後シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｂ］を得
る。（収率：約70％）
【００３２】反応［３］ ［Ｂ］をＴＨＦに溶解し、室温下で１Ｍ−（ｎ−Ｃ4 Ｈ
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後ＴＨＦ
を減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出、有
機層は乾燥後減圧下で濃縮し、残渣はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収
率：約85％）
9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を加え、滴下終了後ゆっく
りと加温し還流下24時間反応させる。反応終了後ＴＨＦ
を減圧下留去し、残渣をＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出、有
機層は乾燥後減圧下で濃縮し、残渣はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｃ］を得る。（収
率：約85％）
【００３３】反応［４］ ［Ｃ］を脱水ピリジンに溶解し、室温で無水酢酸を加え
る。添加後90〜 100℃で６時間攪拌、反応終了後減圧下
ピリジンを留去し、残渣を大量の氷冷水に注ぐ。析出し
た沈殿物を集めシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製することで［Ｄ］を得る。（Ｒ2 ；ＣＨ3 ＣＯ
−，収率：約90％）
る。添加後90〜 100℃で６時間攪拌、反応終了後減圧下
ピリジンを留去し、残渣を大量の氷冷水に注ぐ。析出し
た沈殿物を集めシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製することで［Ｄ］を得る。（Ｒ2 ；ＣＨ3 ＣＯ
−，収率：約90％）
【００３４】反応［５］ ［Ｄ］をエタノール／酢酸＝２／１に溶解し、10％Ｐｄ
／Ｃを触媒として添加後水素添加を行なう（40℃，５kg
/cm2）。水素圧が減少しなくなった時点で反応を終了さ
せ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し［Ｅ］を得
る。（収率：約90％）
／Ｃを触媒として添加後水素添加を行なう（40℃，５kg
/cm2）。水素圧が減少しなくなった時点で反応を終了さ
せ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し［Ｅ］を得
る。（収率：約90％）
【００３５】反応［６］方法−Ｉ ［Ｅ］をＤＭＳＯに溶解し、次いで室温でＤＣＣ（ジシ
クロヘキシルカルボジイミド）を加える。さらにその系
を20〜30℃に保ちながら無水リン酸を少量ずつ加えて行
く。全て添加後、その温度で24時間攪拌し、沈殿物は濾
過後ＣＨ2 Ｃｌ 2 を加えＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和す
る。ＣＨ2 Ｃｌ2 で抽出後、有機層は水でよく洗浄し乾
燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｆ］を得る。（収率：約55％）
クロヘキシルカルボジイミド）を加える。さらにその系
を20〜30℃に保ちながら無水リン酸を少量ずつ加えて行
く。全て添加後、その温度で24時間攪拌し、沈殿物は濾
過後ＣＨ2 Ｃｌ 2 を加えＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和す
る。ＣＨ2 Ｃｌ2 で抽出後、有機層は水でよく洗浄し乾
燥後減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し［Ｆ］を得る。（収率：約55％）
【００３６】方法−II ［Ｅ］をＤＭＳＯに溶解し、次いで無水酢酸を加える。
その後系を40〜50℃に加熱し４時間攪拌する。反応終了
後ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え、次いで大量の水を加える。有機
層は分液しＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後
減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製し［Ｆ］を得る。（収率：約60％）
その後系を40〜50℃に加熱し４時間攪拌する。反応終了
後ＣＨ2 Ｃｌ2 を加え、次いで大量の水を加える。有機
層は分液しＮａ2 ＣＯ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後
減圧下濃縮する。残渣はシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製し［Ｆ］を得る。（収率：約60％）
【００３７】方法−III ［Ｅ］をＤＭＦ／ＤＭＳＯ混合溶媒に溶解、そして五酸
化リンを加えゆっくりと加熱し50〜60℃下で３時間攪拌
する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液にＣＨ2Ｃｌ2 を
加え、次いで大量の水を加え有機層は分液し、Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後減圧下濃縮する。残
渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
［Ｆ］を得る。（収率：約65％）
化リンを加えゆっくりと加熱し50〜60℃下で３時間攪拌
する。反応終了後沈殿物を濾別、濾液にＣＨ2Ｃｌ2 を
加え、次いで大量の水を加え有機層は分液し、Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 水溶液で中和、水洗し、乾燥後減圧下濃縮する。残
渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
［Ｆ］を得る。（収率：約65％）
【００３８】方法−IV ［Ｅ］を脱水ＤＭＳＯに溶解し室温下少量のトリエチル
アミンを添加する。次いで三酸化硫黄−ピリジン錯体の
ＤＭＳＯ溶液をゆっくり滴下する。滴下終了後室温下で
６時間撹拌し、反応終了後、三酸化硫黄−ピリジン錯体
を塩とし沈殿物として生じたものを濾別する。濾液は減
圧下40℃以下で濃縮し残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製、［Ｆ］を得る。（収率：約60％）
アミンを添加する。次いで三酸化硫黄−ピリジン錯体の
ＤＭＳＯ溶液をゆっくり滴下する。滴下終了後室温下で
６時間撹拌し、反応終了後、三酸化硫黄−ピリジン錯体
を塩とし沈殿物として生じたものを濾別する。濾液は減
圧下40℃以下で濃縮し残渣はシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製、［Ｆ］を得る。（収率：約60％）
【００３９】方法−Ｖ 脱水したＤＭＳＯ／ジクロルメタン混合溶媒を窒素雰囲
気下約−60℃に冷却、その系に無水トリフルオロ酢酸の
ジクロルメタン溶液を添加する。約30分撹拌後［Ｅ］の
ジクロルメタン溶液を滴下し、−60℃で約３時間撹拌す
る。その後トリエチルアミンを加え、約30分撹拌後ゆっ
くり系内温度を室温までもどす。次いで系内に水を加え
有機層を分離、有機層は減圧下40℃以下で濃縮し残渣は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製、［Ｆ］
を得る。（収率：約55％）
気下約−60℃に冷却、その系に無水トリフルオロ酢酸の
ジクロルメタン溶液を添加する。約30分撹拌後［Ｅ］の
ジクロルメタン溶液を滴下し、−60℃で約３時間撹拌す
る。その後トリエチルアミンを加え、約30分撹拌後ゆっ
くり系内温度を室温までもどす。次いで系内に水を加え
有機層を分離、有機層は減圧下40℃以下で濃縮し残渣は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製、［Ｆ］
を得る。（収率：約55％）
【００４０】方法−VI 上記方法−Ｖにおいてトリエチルアミンにかえてメタノ
ールを用いた以外は方法−Ｖと同様にして［Ｆ］を得
る。（収率：約65％）
ールを用いた以外は方法−Ｖと同様にして［Ｆ］を得
る。（収率：約65％）
【００４１】反応［７］ ［Ｆ］をＮａＯＨのメタノール溶液に溶解し室温で攪拌
する。３時間後反応を止め、得られた沈殿物を濾別、メ
タノールでよく洗浄後、少量のピリジンに溶解し大量の
アセトンから再沈殿を行なう。沈殿物を集め減圧乾燥を
することで［Ｇ］を得る。（収率：約80％）
する。３時間後反応を止め、得られた沈殿物を濾別、メ
タノールでよく洗浄後、少量のピリジンに溶解し大量の
アセトンから再沈殿を行なう。沈殿物を集め減圧乾燥を
することで［Ｇ］を得る。（収率：約80％）
【００４２】反応［８］ ［Ｂ］を脱水ＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解し、触媒としてピリジ
ンを加え窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次いでその
系にＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解した塩化ベンゾイルをゆっくり
と滴下、滴下終了後室温で２時間攪拌する。反応終了後
氷冷水中に流し込み有機層を分液、減圧下留去する。残
渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製する
ことで［Ｈ］を得る。（収率：約60％）
ンを加え窒素雰囲気下０〜５℃に冷却する。次いでその
系にＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解した塩化ベンゾイルをゆっくり
と滴下、滴下終了後室温で２時間攪拌する。反応終了後
氷冷水中に流し込み有機層を分液、減圧下留去する。残
渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製する
ことで［Ｈ］を得る。（収率：約60％）
【００４３】反応［９］ ［Ｄ］にかえて［Ｈ］を用いた以外は反応［５］と同様
にして［Ｉ］を得る。（収率：約85％）
にして［Ｉ］を得る。（収率：約85％）
【００４４】反応［10］ ［Ｅ］にかえて［Ｉ］を用いた以外は反応［６］の方法
［Ｉ］〜［VI］の各々と同様にして［Ｊ］を得る。（方
法［Ｉ］については 収率：約60％）
［Ｉ］〜［VI］の各々と同様にして［Ｊ］を得る。（方
法［Ｉ］については 収率：約60％）
【００４５】反応［11］ ［Ｂ］にかえて［Ｊ］を用いた以外は反応［３］と同様
にして［Ｋ］を得る。（収率：約90％）
にして［Ｋ］を得る。（収率：約90％）
【００４６】反応［12］ ［Ｆ］にかえて［Ｋ］を用いた以外は反応［７］と同様
にして［Ｇ］を得る。（収率：約70％）
にして［Ｇ］を得る。（収率：約70％）
【００４７】本発明のシクロデキストリン誘導体の製造
に用いられる中間物質の合成については、J. Carbohyd
r. Chem.,7 293-308 (1988) ; Carbohydr. Res., 187 2
03-221 (1989) ; Carbohydr. Res., 192 366-369 (198
9)等の論文に詳細に記載されている。
に用いられる中間物質の合成については、J. Carbohyd
r. Chem.,7 293-308 (1988) ; Carbohydr. Res., 187 2
03-221 (1989) ; Carbohydr. Res., 192 366-369 (198
9)等の論文に詳細に記載されている。
【００４８】
【発明の効果】本発明の製造方法により２位又は３位の
各々のすべての水酸基をカルボニル基に置換せしめたシ
クロデキストリン誘導体を提供することができる。
各々のすべての水酸基をカルボニル基に置換せしめたシ
クロデキストリン誘導体を提供することができる。
【００４９】本発明によれば段階ごとにＣＤの持つ水酸
基を狙って化学修飾するために確実に目的物が得られ
る。また高価な試薬を用いず、しかも個々の反応におい
て副反応が生じにくいため収率が高い。さらに水酸基が
カルボニル基になることで水溶性も大きく変化し、ＣＤ
の包接能も大きく変化すると期待される。
基を狙って化学修飾するために確実に目的物が得られ
る。また高価な試薬を用いず、しかも個々の反応におい
て副反応が生じにくいため収率が高い。さらに水酸基が
カルボニル基になることで水溶性も大きく変化し、ＣＤ
の包接能も大きく変化すると期待される。
Claims (9)
- 【請求項１】 下記式［Ｉ］又は式［II］で表わされる
シクロデキストリン誘導体。 【化１】 - 【請求項２】 ２位の水酸基を保護基にて保護した（６
−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シクロデキストリ
ン又は（２，６−ジ−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリ
ル）シクロデキストリンの３位の水酸基を、カルボニル
化した後に脱シリル化することを特徴とするシクロデキ
ストリン誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のカルボニル化を極性非プ
ロトン性溶媒中で、親電子活性化試薬を用い水酸基を酸
化することによって行う請求項２記載のシクロデキスト
リン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 極性非プロトン性溶媒としてジメチルス
ルホキシドを用いる請求項３記載のシクロデキストリン
誘導体の製造方法。 - 【請求項５】 親電子活性化試薬としてジシクロヘキシ
ルカルボジイミド、無水酢酸、五酸化リン、三酸化硫黄
−ピリジン錯体、無水トリフルオロ酢酸及び塩化オキサ
リルから選択される物質を用いる請求項３記載のシクロ
デキストリン誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 ３位及び６位の水酸基を保護基にて保護
したシクロデキストリン、又は３位を保護基にて保護し
た（６−Ｏ−tert−ブチルジメチルシリル）シクロデキ
ストリンの２位の水酸基をカルボニル化した後保護基を
除去することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の
製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載のカルボニル化を極性非プ
ロトン性溶媒中で、親電子活性化試薬を用い水酸基を酸
化することによって行う請求項６記載のシクロデキスト
リン誘導体の製造方法。 - 【請求項８】 極性非プロトン性溶媒としてジメチルス
ルホキシドを用いる請求項７記載のシクロデキストリン
誘導体の製造方法。 - 【請求項９】 親電子活性化試薬としてジシクロヘキシ
ルカルボジイミド、無水酢酸、五酸化リン、三酸化硫黄
−ピリジン錯体、無水トリフルオロ酢酸及び塩化オキサ
リルから選択される物質を用いる請求項７記載のシクロ
デキストリン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5477593A JPH06239903A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5477593A JPH06239903A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06239903A true JPH06239903A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12980152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5477593A Pending JPH06239903A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | シクロデキストリン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06239903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411289B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2004-02-14 | 주식회사 포스코 | 회전장애 이성질체의 분리에 유용한 6-알릴디메틸실릴-2,3-디에 틸-베타-시클로덱스트린 및 그 제조방법 |
| KR100435426B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2004-08-16 | 주식회사 포스코 | 구조 이성질체의 분리에 유용한 6-디메틸옥틸실릴-2,3-디에틸-베타-시클로덱스트린 및 그 제조방법 |
| JP2005272664A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 可溶性シクロデキストリンポリマー及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5477593A patent/JPH06239903A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411289B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2004-02-14 | 주식회사 포스코 | 회전장애 이성질체의 분리에 유용한 6-알릴디메틸실릴-2,3-디에 틸-베타-시클로덱스트린 및 그 제조방법 |
| KR100435426B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2004-08-16 | 주식회사 포스코 | 구조 이성질체의 분리에 유용한 6-디메틸옥틸실릴-2,3-디에틸-베타-시클로덱스트린 및 그 제조방법 |
| JP2005272664A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 可溶性シクロデキストリンポリマー及びその製造方法 |
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