JPH04351602A - β−シクロデキストリン誘導体 - Google Patents
β−シクロデキストリン誘導体Info
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- JPH04351602A JPH04351602A JP15406691A JP15406691A JPH04351602A JP H04351602 A JPH04351602 A JP H04351602A JP 15406691 A JP15406691 A JP 15406691A JP 15406691 A JP15406691 A JP 15406691A JP H04351602 A JPH04351602 A JP H04351602A
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Landscapes
- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はシクロデキストリンの誘
導体に関し、更に詳しくは高い水溶性を有するシクロデ
キストリン誘導体に関する。
導体に関し、更に詳しくは高い水溶性を有するシクロデ
キストリン誘導体に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に医薬、農薬等の薬品類等は用途上
、水溶性を有することが求められる。近年、これらの水
溶性を向上させる手段の一つとして、上記薬品類等をシ
クロデキストリンに包接させることによって水溶性を向
上させる方法が提案されている。
、水溶性を有することが求められる。近年、これらの水
溶性を向上させる手段の一つとして、上記薬品類等をシ
クロデキストリンに包接させることによって水溶性を向
上させる方法が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなシクロデキストリン包接化合物においても、シクロ
デキストリン自体の水への溶解度に限度があるため、そ
の水溶性は実用上未だ不十分であった。このため、シク
ロデキストリンの水に対する溶解度を向上させるため、
シクロデキストリンをメチル化、ヒドロキシエチル化、
ヒドロキシプロピル化するか、あるいはエピクロルヒド
リンを用いて架橋させたポリマーを合成する等の方法が
行なわれているが、未だ十分な効果は得られていなかっ
た。
うなシクロデキストリン包接化合物においても、シクロ
デキストリン自体の水への溶解度に限度があるため、そ
の水溶性は実用上未だ不十分であった。このため、シク
ロデキストリンの水に対する溶解度を向上させるため、
シクロデキストリンをメチル化、ヒドロキシエチル化、
ヒドロキシプロピル化するか、あるいはエピクロルヒド
リンを用いて架橋させたポリマーを合成する等の方法が
行なわれているが、未だ十分な効果は得られていなかっ
た。
【0004】従って、本発明の目的は、水に対して高い
溶解性を有するシクロデキストリン誘導体を提供するこ
とにある。
溶解性を有するシクロデキストリン誘導体を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題に鑑
みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくとも
一つのカルボキシル基又は少なくとも一つのカルボン酸
塩基を有するシクロデキストリン誘導体を提供すること
により達成されることを見出した。
みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくとも
一つのカルボキシル基又は少なくとも一つのカルボン酸
塩基を有するシクロデキストリン誘導体を提供すること
により達成されることを見出した。
【0006】以下に本発明を更に詳細に説明する。
【0007】本発明は、カルボキシル基(−COOH)
又はカルボン酸塩基(−COOM)をシクロデキストリ
ン(以下、CDと略記する)分子に確実に導入すること
により水に対する溶解度を大幅に向上させるものである
が、この結果得られる本発明のCD誘導体としては、具
体的には、モノカルボン酸β−CD、ジカルボン酸β−
CD、ヘプタカルボン酸β−CD等が挙げられる。
又はカルボン酸塩基(−COOM)をシクロデキストリ
ン(以下、CDと略記する)分子に確実に導入すること
により水に対する溶解度を大幅に向上させるものである
が、この結果得られる本発明のCD誘導体としては、具
体的には、モノカルボン酸β−CD、ジカルボン酸β−
CD、ヘプタカルボン酸β−CD等が挙げられる。
【0008】また、本発明に用いられるCDとしてはα
−CD、β−CD、γ−CD等のいずれも用いることが
できる。
−CD、β−CD、γ−CD等のいずれも用いることが
できる。
【0009】少なくとも1つのカルボキシル基又は少な
くとも一つのカルボン酸塩基を有するCD誘導体の合成
例を以下に示す。
くとも一つのカルボン酸塩基を有するCD誘導体の合成
例を以下に示す。
【0010】
【化1】
【0011】
【化2】
【0012】
【化3】
上記反応について、具体的合成例について以下に示す。
【0013】(A)モノカルボン酸β−CDの合成β−
CDを脱水ピリジンに室温で溶解し、その系に20℃以
下でピリジンに溶解したp−トルエンスルホニルクロラ
イドを滴下する。滴下終了後、室温でさらに一昼夜攪拌
する。反応終了後、ピリジンを減圧下40℃以下で留去
し残渣を大量のアセトンより再沈殿を行ない、沈殿物を
集めて水より再結晶を3度行なう。(収率:約25%)
CDを脱水ピリジンに室温で溶解し、その系に20℃以
下でピリジンに溶解したp−トルエンスルホニルクロラ
イドを滴下する。滴下終了後、室温でさらに一昼夜攪拌
する。反応終了後、ピリジンを減圧下40℃以下で留去
し残渣を大量のアセトンより再沈殿を行ない、沈殿物を
集めて水より再結晶を3度行なう。(収率:約25%)
【0014】得られたβ−CDモノトシレートをDMF
に溶解し、KIと70〜80℃の温度下一昼夜反応させ
る。 反応終了後、DMFを減圧下で留去、残渣を大量のアセ
トンより再沈殿を行ない、沈殿物は集めてn−ブタノー
ル/エタノール/水系より再結晶を行なった。(収率:
約60%)
に溶解し、KIと70〜80℃の温度下一昼夜反応させ
る。 反応終了後、DMFを減圧下で留去、残渣を大量のアセ
トンより再沈殿を行ない、沈殿物は集めてn−ブタノー
ル/エタノール/水系より再結晶を行なった。(収率:
約60%)
【0015】次にDMF中でグリコール酸(n=1)と
NaHを室温、窒素気流下で反応させ、1時間後系を3
0〜40℃の温度に上げ、そこにDMFに溶解したβ−
CDモノアイオダイドを滴下し、滴下終了後90〜10
0℃で一昼夜反応させる。反応終了後DMFを減圧下留
去し残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱
メタノールに溶解させ、濾過後、再度大量のアセトンよ
り再沈殿させる。沈殿物は集めて水に溶解させ、強酸性
イオン交換樹脂で処理することで目的物を得る。(収率
:約35%)
NaHを室温、窒素気流下で反応させ、1時間後系を3
0〜40℃の温度に上げ、そこにDMFに溶解したβ−
CDモノアイオダイドを滴下し、滴下終了後90〜10
0℃で一昼夜反応させる。反応終了後DMFを減圧下留
去し残渣を大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱
メタノールに溶解させ、濾過後、再度大量のアセトンよ
り再沈殿させる。沈殿物は集めて水に溶解させ、強酸性
イオン交換樹脂で処理することで目的物を得る。(収率
:約35%)
【0016】(B)ジカルボン酸β−CDの合成β−C
Dを室温下ピリジンに溶解し、これにピリジンに溶解し
たジフェニルメタンp,p′−ジスルホニルクロライド
を5℃にて滴下した。滴下終了後20℃以下にて1昼夜
攪拌した。反応終了後ピリジンを40℃以下で減圧留去
し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行なう。沈殿物
を集め、水より再結晶を繰り返し精製し、化合物(1)
を得る。(収率:約15%)
Dを室温下ピリジンに溶解し、これにピリジンに溶解し
たジフェニルメタンp,p′−ジスルホニルクロライド
を5℃にて滴下した。滴下終了後20℃以下にて1昼夜
攪拌した。反応終了後ピリジンを40℃以下で減圧留去
し、残渣を大量のアセトンより再沈殿を行なう。沈殿物
を集め、水より再結晶を繰り返し精製し、化合物(1)
を得る。(収率:約15%)
【0017】得られた化合物(1)を、DMF中でKI
と70〜80℃の温度下1昼夜反応させ、終了後DMF
を減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ
る。 沈殿物は集めてn−ブタノール/エタノール/水系より
再結晶し精製し、化合物(2)を得る。(収率:約55
%)
と70〜80℃の温度下1昼夜反応させ、終了後DMF
を減圧下留去し、残渣を大量のアセトンより再沈殿させ
る。 沈殿物は集めてn−ブタノール/エタノール/水系より
再結晶し精製し、化合物(2)を得る。(収率:約55
%)
【0018】次に、DMF中でグリコール酸(n=1)
とNaHを室温、窒素気流下反応させ、1時間後、系を
30〜40℃に上げ、そこにDMFに溶解した化合物(
2)を滴下し、滴下終了後90〜100℃の温度で一昼
夜反応させる。反応終了後DMFを減圧下留去し残渣を
大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱エタノール
に溶解させ、濾過後、再度大量のアセトンより再沈殿さ
せ、化合物(3)を得る。沈殿物は集めて水に溶解させ
、強酸性イオン交換樹脂で処理することで目的物(4)
を得た。 (収率:約20%)
とNaHを室温、窒素気流下反応させ、1時間後、系を
30〜40℃に上げ、そこにDMFに溶解した化合物(
2)を滴下し、滴下終了後90〜100℃の温度で一昼
夜反応させる。反応終了後DMFを減圧下留去し残渣を
大量のアセトンより再沈殿させ、沈殿物は熱エタノール
に溶解させ、濾過後、再度大量のアセトンより再沈殿さ
せ、化合物(3)を得る。沈殿物は集めて水に溶解させ
、強酸性イオン交換樹脂で処理することで目的物(4)
を得た。 (収率:約20%)
【0019】(C)ヘプタカルボン酸β−CDの合成D
MF中に室温でβ−CDを溶解し、メタンスルホニルブ
ロマイドを加え添加後60〜70℃の温度で24時間攪
拌した。反応終了後DMFを減圧下留去し、残渣を大量
のメタノールより再沈殿した。そして中和後氷冷水に加
え濾過し、沈殿物を氷冷水でよく洗浄し、乾燥すること
でβ−CDヘプタブロマイドを得た。(収率:約80%
)
MF中に室温でβ−CDを溶解し、メタンスルホニルブ
ロマイドを加え添加後60〜70℃の温度で24時間攪
拌した。反応終了後DMFを減圧下留去し、残渣を大量
のメタノールより再沈殿した。そして中和後氷冷水に加
え濾過し、沈殿物を氷冷水でよく洗浄し、乾燥すること
でβ−CDヘプタブロマイドを得た。(収率:約80%
)
【0020】次にDMF中でグリコール酸(n=1)
とNaHを室温、窒素気流下反応させ、1時間後、系を
30〜40℃の温度に上げ、そこにDMFに溶解したβ
−CDヘプタブロマイドを滴下し、滴下終了後90〜1
00℃の温度で一昼夜反応させる。反応終了後、DMF
を減圧下留去し、残渣を大量のジエチルエーテルより再
沈殿させ、沈殿物は熱エタノールに溶解し、濾過後、再
度大量のジエチルエーテルより再沈殿させる。沈殿物は
集めて水に溶解させ、強酸性イオン交換樹脂で処理する
ことで目的物を得る。(収率:約10%)
とNaHを室温、窒素気流下反応させ、1時間後、系を
30〜40℃の温度に上げ、そこにDMFに溶解したβ
−CDヘプタブロマイドを滴下し、滴下終了後90〜1
00℃の温度で一昼夜反応させる。反応終了後、DMF
を減圧下留去し、残渣を大量のジエチルエーテルより再
沈殿させ、沈殿物は熱エタノールに溶解し、濾過後、再
度大量のジエチルエーテルより再沈殿させる。沈殿物は
集めて水に溶解させ、強酸性イオン交換樹脂で処理する
ことで目的物を得る。(収率:約10%)
【0021】(D) β−CDを脱水DMFに溶解し
、窒素気流下NaHと反応させる。室温で1時間攪拌後
、その系を60〜70℃に加温する。その温度にてβ−
プロピオラクトン(n=1)のDMF溶液をゆっくりと
滴下する。滴下終了後、系を100℃に上げ、その温度
で12時間反応させる。反応終了後、DMFを減圧下留
去させ、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿
物は熱メタノールに溶解させ、濾過後、再度大量のアセ
トンより再沈殿させる。沈殿物は集めて水に溶解させ、
強酸性イオン交換樹脂で処理することで目的物を得る。 (収率:75%)
、窒素気流下NaHと反応させる。室温で1時間攪拌後
、その系を60〜70℃に加温する。その温度にてβ−
プロピオラクトン(n=1)のDMF溶液をゆっくりと
滴下する。滴下終了後、系を100℃に上げ、その温度
で12時間反応させる。反応終了後、DMFを減圧下留
去させ、残渣を大量のアセトンより再沈殿させる。沈殿
物は熱メタノールに溶解させ、濾過後、再度大量のアセ
トンより再沈殿させる。沈殿物は集めて水に溶解させ、
強酸性イオン交換樹脂で処理することで目的物を得る。 (収率:75%)
【0022】(E)ビスカルボン酸β−CDの合成β−
CDを脱水DMFに溶解し、窒素気流下NaHと反応さ
せる。室温で1時間攪拌後、その系を60〜70℃に加
温する。その温度にて2−ブロモエチルマロン酸ジエチ
ルのDMF溶液をゆっくりと滴下する。滴下終了後、系
を100℃に上げ、その温度で12時間反応させる。反
応終了後、DMFを減圧下留去させ残渣を大量のアセト
ンより再沈殿させる。沈殿物を濾別し、乾燥後メタノー
ルに溶解させ、その系にナトリウムアルコラートのメタ
ノール溶液を滴下し、室温で24時間反応させる。終了
後沈殿物を濾別し、濾液に強酸性イオン交換樹脂を加え
、1時間攪拌する。メタノールを濃縮後、残渣を大量の
アセトンより再沈殿させる。沈殿物を濾過し、乾燥する
ことで目的物を得る。(収率:約60%)
CDを脱水DMFに溶解し、窒素気流下NaHと反応さ
せる。室温で1時間攪拌後、その系を60〜70℃に加
温する。その温度にて2−ブロモエチルマロン酸ジエチ
ルのDMF溶液をゆっくりと滴下する。滴下終了後、系
を100℃に上げ、その温度で12時間反応させる。反
応終了後、DMFを減圧下留去させ残渣を大量のアセト
ンより再沈殿させる。沈殿物を濾別し、乾燥後メタノー
ルに溶解させ、その系にナトリウムアルコラートのメタ
ノール溶液を滴下し、室温で24時間反応させる。終了
後沈殿物を濾別し、濾液に強酸性イオン交換樹脂を加え
、1時間攪拌する。メタノールを濃縮後、残渣を大量の
アセトンより再沈殿させる。沈殿物を濾過し、乾燥する
ことで目的物を得る。(収率:約60%)
【0023】次にカルボン酸塩基を有するCD誘導体の
合成について説明する。
合成について説明する。
【0024】前記(A)〜(D)に対応するモノ、ジ、
ヘプタカルボン酸塩β−CDおよびカルボン酸塩β−C
D(D)のそれぞれの合成は、前記(A)〜(D)に示
した反応の最終工程における強酸性のイオン交換樹脂に
よる処理を行なわないことにより目的物が得られる。
ヘプタカルボン酸塩β−CDおよびカルボン酸塩β−C
D(D)のそれぞれの合成は、前記(A)〜(D)に示
した反応の最終工程における強酸性のイオン交換樹脂に
よる処理を行なわないことにより目的物が得られる。
【0025】また、(F)テトラデカカルボン酸塩β−
CDの合成は以下のように行なうことができる。
CDの合成は以下のように行なうことができる。
【0026】(F)テトラデカカルボン酸塩β−CDの
合成 β−CDとイミダゾールを室温下DMFに溶解し、これ
にDMFに溶解したt−ブチルジメチルシリルクロライ
ドを滴下する。滴下終了後6時間室温にて撹拌し、反応
終了後DMFを減圧下留去して残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより分離、精製する。得られた化
合物をエタノールより再結晶し化合物(1)を精製した
。(収率:約70%)
合成 β−CDとイミダゾールを室温下DMFに溶解し、これ
にDMFに溶解したt−ブチルジメチルシリルクロライ
ドを滴下する。滴下終了後6時間室温にて撹拌し、反応
終了後DMFを減圧下留去して残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより分離、精製する。得られた化
合物をエタノールより再結晶し化合物(1)を精製した
。(収率:約70%)
【0027】
化合物(1)をDMF中に溶解し、室温下窒素雰囲気で
NaHと反応させる。そしてDMFに溶解したクロロ酢
酸ナトリウム(n=1)をゆっくり滴下し、滴下終了後
60〜70℃で12時間反応させる。反応終了後DMF
を減圧下で留去し、残渣を大量のエチルエーテルより再
沈殿させる。沈殿物は集めて乾燥し、化合物(2)をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離、精製す
る。 (収率:約35%)
NaHと反応させる。そしてDMFに溶解したクロロ酢
酸ナトリウム(n=1)をゆっくり滴下し、滴下終了後
60〜70℃で12時間反応させる。反応終了後DMF
を減圧下で留去し、残渣を大量のエチルエーテルより再
沈殿させる。沈殿物は集めて乾燥し、化合物(2)をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離、精製す
る。 (収率:約35%)
【0028】
化合物(1)をDMF中に溶解し、室温下窒素雰囲気で
NaHと反応させる。そしてDMFに溶解したβ−プロ
ピオラクトン(x=1)をゆっくり滴下し、滴下終了後
90〜100℃で24時間反応させる。反応終了後DM
Fを減圧下で留去し、残渣を大量のエチルエーテルより
再沈殿させる。沈殿物は集めて乾燥し、化合物(3)を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離、精製
する。 (収率:約40%)
NaHと反応させる。そしてDMFに溶解したβ−プロ
ピオラクトン(x=1)をゆっくり滴下し、滴下終了後
90〜100℃で24時間反応させる。反応終了後DM
Fを減圧下で留去し、残渣を大量のエチルエーテルより
再沈殿させる。沈殿物は集めて乾燥し、化合物(3)を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分離、精製
する。 (収率:約40%)
【0029】化合物(2)及び(3)をそれぞれTHF
に溶解し、室温下THFに溶解したテトラブチルアンモ
ニウムフルオライドを滴下する。滴下終了後、還流下5
時間反応させ、その後沈殿物を濾別し、アセトンで繰り
返し洗浄することで化合物(4)を得る。
に溶解し、室温下THFに溶解したテトラブチルアンモ
ニウムフルオライドを滴下する。滴下終了後、還流下5
時間反応させ、その後沈殿物を濾別し、アセトンで繰り
返し洗浄することで化合物(4)を得る。
【0031】なお目的物の確認はNMRスペクトル、マ
ススペクトル、元素分析などの方法を用いて行なった。
ススペクトル、元素分析などの方法を用いて行なった。
【0032】その他のCD誘導体についても上記方法に
準じて同様に合成することができる。
準じて同様に合成することができる。
【0033】上記の如く得られるCD誘導体の水に対す
る溶解度を調べた結果を以下に示す。
る溶解度を調べた結果を以下に示す。
【0034】
【表1】
【0035】本発明の高い水溶性を有するCD誘導体は
、例えば医薬、農薬等の薬品、芳香剤、化粧品、洗剤、
塗料、染料、食料品の食品添加物等に用いることができ
る。
、例えば医薬、農薬等の薬品、芳香剤、化粧品、洗剤、
塗料、染料、食料品の食品添加物等に用いることができ
る。
【0036】以上詳細に述べたように、本発明によりカ
ルボキシル基又はカルボン酸塩基をCDに確実に導入す
ることにより、CDの水に対する溶解度を大幅に向上さ
せることができ、この結果水溶性の高いCD包接化合物
を得ることができる。
ルボキシル基又はカルボン酸塩基をCDに確実に導入す
ることにより、CDの水に対する溶解度を大幅に向上さ
せることができ、この結果水溶性の高いCD包接化合物
を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも一つのカルボキシル基又は
少なくとも一つのカルボン酸塩基を有するシクロデキス
トリン誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15406691A JPH04351602A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15406691A JPH04351602A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04351602A true JPH04351602A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=15576153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15406691A Pending JPH04351602A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | β−シクロデキストリン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04351602A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100761759B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법 |
KR100761761B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법 |
JP2009061429A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Kanagawa Prefecture | 多価のアニオン性シクロデキストリン化合物を用いてなる疎水性物質の分離方法、及び疎水性物質の選択的吸着剤 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP15406691A patent/JPH04351602A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100761759B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법 |
KR100761761B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법 |
JP2009061429A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Kanagawa Prefecture | 多価のアニオン性シクロデキストリン化合物を用いてなる疎水性物質の分離方法、及び疎水性物質の選択的吸着剤 |
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