JPH043508Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、半導体素子の組立技術に関し、特
に、リードフレームにおいてチツプが接合される
ダイアイランド部の形状に関するものである。

［従来の技術］ 従来、フラツトパツケージ形半導体（IC，
LSI）の組立に使用される基体としてのリードフ
レーム１は、第３図に示すように、チツプ（ペレ
ツト）２を接合すべき矩形状のダイアイランド３
と、この両側より延出した一対の吊りリード４，
５とからなる。熱圧着法又は超音波法等によるダ
イボンデイング、ワイヤボンデイングに際し、こ
のリードフレーム１は下クランプ部材６の凹所に
載置され、上クランプ部材７で一対の吊りリード
４，５を挾むと同時に、インナーリード８……を
挾み、しかる後、チツプ２の接合並びにチツプ２
上のボンデイングパツド２ａ……と対応するイン
ナーリード８……の先端部とが金線（図示せず）
を以つて接続される。

［解決すべき問題点］ しかしながら、ダイアイランド３のクランプは
一対の吊りリード４，５を介して行なわれるもの
であるが、ダイスサイズの拡大に伴ない、局部的
な浮きやガタ付きがあり、ボンデイング精度のバ
ラツキが起こる。

そこで、この局部的なガタ等を解消すべく、ダ
アイアランド３のデプレース精度を高くすること
を考えたが、リードフレーム１を作成するスタン
ピングからフレームメツキまでの工程では、その
デプレースを高精度にすることは困難であり、上
記のバラツキは不可避的に生じるものである。ま
た、ダイアイランド３の大きさに比例して吊りリ
ード４，５の強度を高めることにより、上記バラ
ツキを軽減することも考えたが、吊りリード４，
５の強度を高めるには、吊りリード４，５の厚み
は変えられないから、そん幅寸法を大きくせねば
ならず、インナーリード８……の幅寸法と不揃い
になる。

一方、特公昭61−55770の如く、上記従来技術
と同様な思想に基づいて、ダイアイランド（タ
ブ）には一方の側方から延長するリードと一体的
に接続された延長部分と他方の側方から延長する
リードと一体的に接続されない延長部分が設けら
れてなるリードフレームが記載されているが、こ
のリードフレームは、前述した吊りリード４，５
の一方をダイアイランドの近傍で切断したものに
相当し、接続されない延長部分はレジンパツケー
ジから露出されないため、耐湿性劣化のおそれは
少なくなるが、むしろ、リード押え板（クランプ
部材）で該延長部分を押える以前においては、ダ
イアイランドは片持ち支持であるから、リードと
一体的に接続された延長部分において振動等によ
るたわみ、ねじれ等の変形を容易に招きやすく、
単にリード押え板で押えても、その変形を矯正す
ることができず、当初から位置誤差を伴なつて押
え込まれてしまう結果となる。また、一直線上の
一対の延長部分を介してダイアイランドを間接的
に押える技術思想は前記従来技術と軌を一にする
ものであるから、ダイアイランドの拡大化、リー
ド幅寸法の縮小化、リードフレーム自体の薄型化
に伴ない、依然としてボンデイング時のダイアイ
ランドの局部的な浮きやガタ付き等の問題点は解
消され得ない。

本考案の目的は、上記考察を踏まえ上記問題点
を解決するものであり、吊りリードの幅寸法を変
えずに、ボンデイングに際し、種々の大きさのダ
イアイランドをガタ付き等がなく安定的にクラン
プしうる半導体素子のリードフレームを提供する
ことにある。

［問題点の解決手段］ 上記問題点を解決するため、本考案に係る半導
体素子のリードフレームの特徴的構成は、少なく
とも吊りリードに対して交叉方向へ向けダイアイ
ランドから一体的に延出する複数の被クランプ用
突片を有するものである。

［被クランプ用突片］の数が多いほど、ガタ付
きなく安定且つ強固なクランプを実現できること
となる。

［実施例］ 次に、本考案の一実施例を図面に基づいて説明
する。

第１図Ａは、本考案に係る半導体素子のリード
フレームの一実施例をボンデイングに際しクラン
プした状態を示す平面図である。

１０はリードフレームで、中央部にチツプ２を
接合すべき矩形状のダイアイランド１１と、この
左右両側の中央より外方に夫々延出した一対の吊
りリード１２，１３と、ダイアイランド１１の各
隅部において形成され、一対の吊りリード１２，
１３に対して略直角方向へ向け延出した被クラン
プ用突片１４，１５，１６，１７から構成されて
いる。一対の吊りリード１２，１３はインナーリ
ード８……の先端部と同一面になるように屈曲部
１２ａ，１３ａを有する。また、被クランプ用突
片１４，１５，１６，１７も、第１図Ｂに示すよ
うに、インナーリード８……の先端部と同一面に
なるように屈曲部１４ａ，１５ａ，１６ａ，１７
ａを有する。

熱圧着法又は超音波法等によるボンデイングに
際し、このリードフレーム１０は下クランプ部材
６の凹所に載置され、上クランプ部材７で一対の
吊りリード１２，１３の平坦面及び被クランプ用
突片１４，１５，１６，１７の平坦面を挾むと同
時に、インナーリード８……を挾む。これによ
り、吊りリード１２，１３を通る線に対するダイ
アイランド１１の揺動は、被クランプ用突片１
４，１５，１６，１７のクランプにより完全に阻
止されると共に、ダイアイランド１１の４隅部か
らの押えにより、ダイアイランド１１の局部的な
反り、曲がり等は強制的に抑制される。被クラン
プ用突片１４，１５，１６，１７の幅寸法は吊り
リード１２，１３のそれより小さく、インナーリ
ード８……の間隔より小さくしてあるから、隣接
するインナーリード８……のクランプの障害にな
ることはない。つまり、インナーリード８……間
に臨むように、被クランプ用突片１４，１５，１
６，１７がダイアイランド１１から延出形成され
ているからである。

この後、チツプ２をダイアイランド１１に接合
せしめるダイボンデイングを行ない、チツプ２上
のボンデイングパツド２ａ……と対応するインナ
ーリード８……の先端部とを金線で以つて接続
し、被クランプ用突片１４，１５，１６，１７を
含めて樹脂シーリングを行ない、半導体素子の組
立が完了する。

ボンデイング時には、ダイアイランド１１に対
して衝撃が加わるが、第２図に示すように、クラ
ンプ領域の面積を無視しても、一対の吊りリード
１２，１３のクランプ（クランプ領域１２ｂ，１
３ｂ）を介してダイアイランド１１のうち線Ｌ上
の間接的なクランプ位置決めが行なわれており
（従来と同様）、これに加えて、被クランプ用突片
１４，１５，１６，１７同士のクランプ（クラン
プ領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂ，１７ｂ）を介し
て、ダイアイランド１１のうち線Ｌに対して直交
方向の線Ｍ，Ｎ上と対角線Ｏ，Ｐ上の間接的なク
ランプ位置決め、一対の吊りリード１２，１３及
び被クランプ用突片１４，１５，１６，１７相互
のクランプを介して、線Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ上の間接
的なクランプ位置決めが行なわれているから、ダ
イアイランド１１のクランプは間接的ではある
が、多重的クランプが実現され、特に、多重的ク
ランプはチツプ２を接合すべき領域に集中してい
るから、ボンデイング時におけるガタ付き等をほ
ぼ完全になくすことができる。

なお、上記実施例においてはダイアイランド１
１の浮き、ガタ付きを効果的に解消するため、被
クランプ用突片１４，１５，１６，１７をダイア
イランド１１の４隅部に形成したが、対角線上の
隅部や隅部以外の辺縁に形成してもよい。

［考案の効果］ 以上説明したように、本考案に係る半導体素子
のリードフレームは、一対の吊りリードに対して
交叉方向へ向け一体的に延出した複数の被クラン
プ用突片を有する点に特長があるが、次の効果を
奏する。

ボンデイングに際し、吊りリードのほか、被
クランプ用突片をもクランプできるから、それ
らを介してダイアイランド上の交叉方向２次元
領域の多重的クランプが実現でき、熱圧着法又
は超音波法等による衝撃が加わつても、ダイア
イランドの局部的な浮き、ガタ付き等を防止で
き、安定的なクランプによりボンデイングの位
置精度の向上を図ることができる。また、一対
の吊りリードの強度を高める必要がないので、
その幅寸法を変えずに済み、吊りリードとイン
ナーリードの幅寸法を常に等しくでき、したが
つて、大きなダイアイランドを有するリードフ
レームにも適宜適用しうる。

近時、ダイアイランドの拡大化、リード幅寸
法の縮小化、リードフレーム自体の薄型化の傾
向にある。かかる傾向の下においては、吊りリ
ードの強度は弱くなり、ボンデイングに際して
は単にダイアイランドの非分離で保持する機能
のみを有することとなり、もはやボンデイング
時の浮き、ガタ付き等を防止する機能は薄らぐ
が、ダイアイランドの隅部、辺縁より一体的に
延出させた複数の被クランプ用突片の存在によ
り、ボンデイング時の浮き、ガタ付き等は積極
的に解消することができる。換言すれば、当該
浮き、ガタ付き等を専用的に防止する被クラン
プ用突片を複数設けたことにより、従来に比
し、ダイアイランドの拡大化、吊りリード及び
インナーリードの幅寸法の縮小化、リードフレ
ーム自体の薄型化を図ることができ、リードパ
ターンの自由度を拡大することが可能となつ
た。リードを細く、その本数を増大させたい場
合には、クランプ総面積を大きくせずとも、邪
魔にならないリード間に細い被クランプ用突片
を多数設けることにより、ボンデイング時の浮
き、ガタ付き等は解消しうる。

更に、かかるリードフレームを樹脂シーリン
グする際、ダイアイランドより突出する複数の
被クランプ用突片の存在により、樹脂の食い付
きが良好となり、レジンパツケージ内の隙間等
の発生を防止することができ、樹脂シーリング
工程の歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは、本考案に係る半導体素子のリード
フレームの一実施例をボンデイングに際しクラン
プした状態を示す平面図である。第１図Ｂは、第
１図ＡのＢ−Ｂ線に沿つて切断して示す切断
矢視図である。第２図は、同実施例のクランプ時
の作用を説明するための平面図である。第３図Ａ
は、従来のフラツトパツケージ形半導体素子のリ
ードフレームの一例をボンデイングに際しクラン
プした状態を示す平面図である。第３図Ｂは、第
３図ＡのＢ−Ｂ線に沿つて切断して示す切断
矢視図である。 ２……チツプ、２ａ……ボンデイングパツケー
ジ、６……下クランプ部材、７……上クランプ部
材、８……インナーリード、１０……リードフレ
ーム、１１……ダイアイランド、１２，１３……
吊りリード、１４，１５，１６，１７……被クラ
ンプ用突片、１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ，
１６，１７ａ……屈曲部、１２ｂ，１３ｂ，１４
ｂ，１５ｂ，１６ｂ，１７ｂ……クランプ領域。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. チツプを接合すべきダイアイランドとこの側方
   より延出した吊りリードとを有するリードフレー
   ムであつて、少なくとも該吊りリードに対して交
   叉方向へ向け該ダイアイランドから一体的に延出
   する複数の被クランプ用突片を有することを特徴
   とする半導体素子のリードフレーム。