JPH04340716A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH04340716A JPH04340716A JP11271691A JP11271691A JPH04340716A JP H04340716 A JPH04340716 A JP H04340716A JP 11271691 A JP11271691 A JP 11271691A JP 11271691 A JP11271691 A JP 11271691A JP H04340716 A JPH04340716 A JP H04340716A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスで用いられるドライエッチング方法に関する。
セスで用いられるドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＵＬＳＩ（ｕｌｔｒａ ｌａｒ
ｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）デバ
イスの高速化に伴ない、例えば、トランジスタのゲート
構造としてドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）とその
上層のタングステンシリサイド（ＷＳｉＸ）との積層膜
でなるタングステンポリサイド（Ｗ−ｐｏｌｙｃｉｄｅ
）の採用が図られている。
ｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）デバ
イスの高速化に伴ない、例えば、トランジスタのゲート
構造としてドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）とその
上層のタングステンシリサイド（ＷＳｉＸ）との積層膜
でなるタングステンポリサイド（Ｗ−ｐｏｌｙｃｉｄｅ
）の採用が図られている。
【０００３】斯るタングステンポリサイドのエッチング
方法としては、９０年春；応用物理学会講演集２８ｐ−
ＺＦ−３に記載された方法が知られている。この方法は
、フロンを用いないガス系によるエッチングであり、Ｒ
Ｆバイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチャーを用い、六
フッ化イオウ（ＳＦ６）と臭化水素（ＨＢｒ）を用いて
エッチングを行なうものであり、ＨＢｒ添加に起因する
堆積物（ＳｉＢｒ４）により側壁保護が行なわれて、異
方性加工が可能となるというものである。
方法としては、９０年春；応用物理学会講演集２８ｐ−
ＺＦ−３に記載された方法が知られている。この方法は
、フロンを用いないガス系によるエッチングであり、Ｒ
Ｆバイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチャーを用い、六
フッ化イオウ（ＳＦ６）と臭化水素（ＨＢｒ）を用いて
エッチングを行なうものであり、ＨＢｒ添加に起因する
堆積物（ＳｉＢｒ４）により側壁保護が行なわれて、異
方性加工が可能となるというものである。
【０００４】この他、タングステンシリサイド（ＷＳｉ
Ｘ）をＳＦ６＋ＨＢｒを用いてエッチングした後、ドー
プトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）をＨＢｒでエッチング
するという２段階エッチングが知られている。
Ｘ）をＳＦ６＋ＨＢｒを用いてエッチングした後、ドー
プトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）をＨＢｒでエッチング
するという２段階エッチングが知られている。
【０００５】上記した従来技術は、例えば、図４に示す
ように、シリコン基板１表面に形成したＳｉＯ２膜２上
に、順次ドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）膜３，タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉＸ）膜４を積層して成る
タングステンポリサイド構造上に所望パターンのレジス
ト５をパターニングし、このレジストをマスクとして、
順次ＷＳｉＸ膜４，ＤＯＰＯＳ膜３をＳＦ６＋ＨＢｒ，
ＨＢｒを用いてエッチングしようというものである。
ように、シリコン基板１表面に形成したＳｉＯ２膜２上
に、順次ドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）膜３，タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉＸ）膜４を積層して成る
タングステンポリサイド構造上に所望パターンのレジス
ト５をパターニングし、このレジストをマスクとして、
順次ＷＳｉＸ膜４，ＤＯＰＯＳ膜３をＳＦ６＋ＨＢｒ，
ＨＢｒを用いてエッチングしようというものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来方法を用いてエッチングを進めた場合、図５に
示すようなジャストエッチ状態までは、ＨＢｒ添加に起
因して堆積されるＳｉＢｒ４により側壁保護作用を受け
るものの、確実にＤＯＰＯＳ膜３の除去を行なうために
施すオーバーエッチングに際して、ＳｉＢｒ４を形成す
るＳｉの供給が無くなるため（ＤＯＰＯＳ膜がなくなる
ためであり、下地ＳｉＯ２膜からはＳｉＢｒ４を形成す
るＳｉは供給されない）、図６に示すようにＤＯＰＯＳ
膜３にアンダーカットが入るという問題が生ずる。
うな従来方法を用いてエッチングを進めた場合、図５に
示すようなジャストエッチ状態までは、ＨＢｒ添加に起
因して堆積されるＳｉＢｒ４により側壁保護作用を受け
るものの、確実にＤＯＰＯＳ膜３の除去を行なうために
施すオーバーエッチングに際して、ＳｉＢｒ４を形成す
るＳｉの供給が無くなるため（ＤＯＰＯＳ膜がなくなる
ためであり、下地ＳｉＯ２膜からはＳｉＢｒ４を形成す
るＳｉは供給されない）、図６に示すようにＤＯＰＯＳ
膜３にアンダーカットが入るという問題が生ずる。
【０００７】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであって、ポリサイド構造の膜及び
シリコン系薄膜のオーバーエッチング時にアンダーカッ
トの生じないドライエッチング方法を得んとするもので
ある。
して創案されたものであって、ポリサイド構造の膜及び
シリコン系薄膜のオーバーエッチング時にアンダーカッ
トの生じないドライエッチング方法を得んとするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、シリ
コン系薄膜のドライエッチング方法において、オーバー
エッチングを少なくともＳｉＢｒ４を含むガスを用いて
行なうことを、第１の解決手段とする。
コン系薄膜のドライエッチング方法において、オーバー
エッチングを少なくともＳｉＢｒ４を含むガスを用いて
行なうことを、第１の解決手段とする。
【０００９】また、シリコン系薄膜と高融点金属シリサ
イド薄膜との積層膜のドライエッチング方法において、
オーバーエッチングを少なくともＳｉＢｒ４を含むガス
を用いて行なうことを、第２の解決手段としている。
イド薄膜との積層膜のドライエッチング方法において、
オーバーエッチングを少なくともＳｉＢｒ４を含むガス
を用いて行なうことを、第２の解決手段としている。
【００１０】
【作用】請求項１の発明は、シリコン系薄膜をオーバー
エッチングした際に、ＳｉＢｒ４を含むガスを供給する
ことにより、シリコン系薄膜の側壁にＳｉＢｒ４が付着
しアンダーカットの発生が防止される。
エッチングした際に、ＳｉＢｒ４を含むガスを供給する
ことにより、シリコン系薄膜の側壁にＳｉＢｒ４が付着
しアンダーカットの発生が防止される。
【００１１】請求項２の発明においては、高融点金属シ
リサイド薄膜の下層膜であるシリコン系薄膜の側壁にも
、上記請求項１の発明と同様に、オーバーエッチング時
にＳｉＢｒ４でなる保護膜が形成され、異方性加工が可
能となる。
リサイド薄膜の下層膜であるシリコン系薄膜の側壁にも
、上記請求項１の発明と同様に、オーバーエッチング時
にＳｉＢｒ４でなる保護膜が形成され、異方性加工が可
能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係るドライエッチング方法の
詳細を図１〜図３に示す実施例を基づいて説明する。
詳細を図１〜図３に示す実施例を基づいて説明する。
【００１３】先ず、図１に示すように、シリコン基板１
０上に形成されたＳｉＯ２膜１１上にシリコン系薄膜と
してのドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）膜１２をＣ
ＶＤ法により堆積させた後、その上にタングステンシリ
サイド（ＷＳｉＸ）膜１３を積層してタングステンポリ
サイド構造とする。そして、タングステンシリサイド膜
１３上に、レジストをパターニングする。
０上に形成されたＳｉＯ２膜１１上にシリコン系薄膜と
してのドープトポリシリコン（ＤＯＰＯＳ）膜１２をＣ
ＶＤ法により堆積させた後、その上にタングステンシリ
サイド（ＷＳｉＸ）膜１３を積層してタングステンポリ
サイド構造とする。そして、タングステンシリサイド膜
１３上に、レジストをパターニングする。
【００１４】次に、タングステンシリサイド膜１３を下
記のエッチング条件でエッチングする。
記のエッチング条件でエッチングする。
【００１５】○エッチングガス及びその流量六フッ化イ
オウ（ＳＦ６）…１５ＳＣＣＭ臭化水素（ＨＢｒ）…３
５ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス １５０Ｗ 次いで、ドープトポリシリコン膜１２を下記のエッチン
グ条件でエッチングする。
オウ（ＳＦ６）…１５ＳＣＣＭ臭化水素（ＨＢｒ）…３
５ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス １５０Ｗ 次いで、ドープトポリシリコン膜１２を下記のエッチン
グ条件でエッチングする。
【００１６】○エッチングガス及びその流量臭化水素（
ＨＢｒ）…５０ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス ２００Ｗ 斯るドープトポリシリコン膜１２のエッチングに際して
は、エッチングガスとしてＨＢｒ添加に起因してＳｉＢ
ｒＸでなる側壁保護膜１２ａが形成される。
ＨＢｒ）…５０ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス ２００Ｗ 斯るドープトポリシリコン膜１２のエッチングに際して
は、エッチングガスとしてＨＢｒ添加に起因してＳｉＢ
ｒＸでなる側壁保護膜１２ａが形成される。
【００１７】その後、下地であるＳｉＯ２膜１１が露出
し始めた状態からは、下記のエッチング条件に切り換え
てオーバーエッチングを行なう。
し始めた状態からは、下記のエッチング条件に切り換え
てオーバーエッチングを行なう。
【００１８】○エッチングガス及びその流量臭化水素（
ＨＢｒ）…４０ＳＣＣＭ ＳｉＢｒ４…１０ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス ２００Ｗ このように、オーバーエッチングに際してＳｉＢｒ４を
エッチングガスに添加することにより、ドープトポリシ
リコン膜１２の側壁にＳｉＢｒ４が付着するため、アン
ダーカットの発生が防止される。ＳｉＢｒ４を添加せず
ＨＢｒのみでエッチングすると、上記側壁保護膜１２ａ
を形成するＳｉＢｒ４は側壁から脱離して、アンダーカ
ットが生じてしまう。また、下地のＳｉＯ２膜１１中の
Ｓｉは酸素と強く結合しているため、ＨＢｒ中のＢｒと
はＳｉＢｒ４を形成しない。
ＨＢｒ）…４０ＳＣＣＭ ＳｉＢｒ４…１０ＳＣＣＭ ○圧力 ５ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波電流 ２５０ｍＡ ○ＲＦバイアス ２００Ｗ このように、オーバーエッチングに際してＳｉＢｒ４を
エッチングガスに添加することにより、ドープトポリシ
リコン膜１２の側壁にＳｉＢｒ４が付着するため、アン
ダーカットの発生が防止される。ＳｉＢｒ４を添加せず
ＨＢｒのみでエッチングすると、上記側壁保護膜１２ａ
を形成するＳｉＢｒ４は側壁から脱離して、アンダーカ
ットが生じてしまう。また、下地のＳｉＯ２膜１１中の
Ｓｉは酸素と強く結合しているため、ＨＢｒ中のＢｒと
はＳｉＢｒ４を形成しない。
【００１９】以上、シリコン系薄膜と高融点金属シリサ
イド薄膜との積層膜であるタングステンポリサイド構造
に本発明を適用して説明したが、シリコン系薄膜をエッ
チングし、さらにオーバーエッチングを施す場合には、
本発明を広く適用することが可能である。
イド薄膜との積層膜であるタングステンポリサイド構造
に本発明を適用して説明したが、シリコン系薄膜をエッ
チングし、さらにオーバーエッチングを施す場合には、
本発明を広く適用することが可能である。
【００２０】また、上記実施例においては、タングステ
ンシリサイド膜１３のエッチング，ドープトポリシリコ
ン膜１２のエッチング及びオーバーエッチングと３段階
のエッチングとしたが、エッチング条件を単一にしてオ
ーバーエッチング時のみにＳｉＢｒ４を添加しても良い
。
ンシリサイド膜１３のエッチング，ドープトポリシリコ
ン膜１２のエッチング及びオーバーエッチングと３段階
のエッチングとしたが、エッチング条件を単一にしてオ
ーバーエッチング時のみにＳｉＢｒ４を添加しても良い
。
【００２１】さらに、側壁保護膜の形成を促進するため
に、オーバーエッチング時に酸素（Ｏ２），窒素（Ｎ２
）などを添加してＳｉＯＸ，ＳｉＮなどを側壁に形成さ
せてもよい。
に、オーバーエッチング時に酸素（Ｏ２），窒素（Ｎ２
）などを添加してＳｉＯＸ，ＳｉＮなどを側壁に形成さ
せてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るドライエッチング方法によれば、オーバーエッチ
ング時にシリコン系薄膜にアンダーカットが生ずるのを
防止でき、良好な異方性加工が行なえる効果がある。
に係るドライエッチング方法によれば、オーバーエッチ
ング時にシリコン系薄膜にアンダーカットが生ずるのを
防止でき、良好な異方性加工が行なえる効果がある。
【図１】本発明の実施例の工程を示す断面図。
【図２】本発明の実施例の工程を示す断面図。
【図３】本発明の実施例の工程を示す断面図。
【図４】従来例の工程を示す断面図。
【図５】従来例の工程を示す断面図。
【図６】従来例の工程を示す断面図。
１１…ＳｉＯ２膜、１２…ドープトポリシリコン膜、１
２ａ…側壁保護膜、１３…タングステンシリサイド膜。
２ａ…側壁保護膜、１３…タングステンシリサイド膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン系薄膜のドライエッチング方
法において、オーバーエッチングを少なくともＳｉＢｒ
４を含むガスを用いて行なうことを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - 【請求項２】 シリコン系薄膜と高融点金属シリサイ
ド薄膜との積層膜のドライエッチング方法において、オ
ーバーエッチングを少なくともＳｉＢｒ４を含むガスを
用いて行なうことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03112716A JP3143949B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03112716A JP3143949B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340716A true JPH04340716A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3143949B2 JP3143949B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=14593733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03112716A Expired - Fee Related JP3143949B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143949B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11828053B2 (en) * | 2021-06-25 | 2023-11-28 | Scott Dalton | Urine containment and deodorizing device |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP03112716A patent/JP3143949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3143949B2 (ja) | 2001-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |