JPH04324686A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH04324686A
JPH04324686A JP3093894A JP9389491A JPH04324686A JP H04324686 A JPH04324686 A JP H04324686A JP 3093894 A JP3093894 A JP 3093894A JP 9389491 A JP9389491 A JP 9389491A JP H04324686 A JPH04324686 A JP H04324686A
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light receiving
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亮一 正木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に用いら
れる光半導体装置に関し、特に高感度および耐外乱特性
が要求される受光装置として用いられるリモートコント
ロール用光半導体装置に係る。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体装置は、各種電子機器の
リモートコントロール用のOPIC受光デバイスであり
、受光素子(フオトダイオード)と、フオトダイオード
からの信号に基づき駆動する駆動素子(IC回路)とが
一体となつた受光チツプを透光性樹脂でモールドし、フ
オトダイオードに光を集光するために、上部にレンズを
設けた構造になつていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】最近、光を利用したリ
モートコントロール装置が各種電子機器に用いられるよ
うになつたが、用途が雑多であり、例えば、ビデオテー
プレコーダ(VTR)、テレビジヨン受像機(TV)、
コンパクトデイスク(CD)、コンポネントシステムや
ラジオカセツトレコーダー、エアコンデイシヨナー等が
あり、使用される環境がさまざまである。
【0004】リモートコントロールを取りまく環境とし
て、50/60Hz蛍光灯、インバータ蛍光灯、白熱灯
、太陽光等の外乱光と、TVのブラウン管の同期信号か
ら出るノイズのような各種電子機器が発生する電磁ノイ
ズとに大別され、このようなノイズの中で、信号光を増
幅、識別し誤動作する事なく、受信する必要がある。
【0005】従来のリモートコントロール用OPIC受
光デバイスは、外乱光に対し、フオトダイオード部には
当然ノイズとして入つてくるが、IC回路部に外乱光が
あたるため、IC回路部の上面には、メタル層をベタ状
に形成して遮光している。しかし、蛍光灯、白熱灯、太
陽光などの外乱光が存在する環境下で使用される場合、
どうしても、レンズ部分のみならずあらゆる方向から外
乱光が内部に入りノイズとして影響していた。
【0006】とりわけ、屋外で使用される場合、太陽光
の影響が大きく、晴天下で10万Lx、日陰で1万Lx
あり、直接太陽光が当たつた場合など、チツプエツジか
ら、光が入ると、IC回路の各種半導体部品のPNジヤ
ンクシヨン部に疑似的に光電流が生じ、等価的に寄生の
フオトダイオードとして働き、回路の誤動作の原因にな
ることがあつた。
【0007】また、リモートコントロール用OPIC受
光デバイスは、近距離から遠距離までのリモコン信号を
受信する必要があり、高ゲインのアンプを有しているこ
とから、各種電子機器の発生する電磁ノイズに対して、
誤動作することがあつた。
【0008】なお、各ユーザーにて、金属板等を受光デ
バイスの後方にとりつける例があつたが、全体、特に、
受光デバイスの前面をカバーしにくいために、十分なシ
ールド効果が得られなかつた。また、金属板等の取付ス
ペースを必要とするため、形状が大きくなる等の問題が
あつた。
【0009】本発明は、上記課題に鑑み、外乱光による
影響を低減し、かつ耐電磁ノイズ特性の向上を図り得る
リモートコントロール用光半導体装置の提供を目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明請求項1による課
題解決手段は、図1〜5の如く、受光素子3と、該受光
素子3に隣接して配置され受光素子3からの信号に基づ
き駆動する駆動素子4と、該駆動素子4および受光素子
3が搭載されるリードフレーム1と、これらをモールド
樹脂にて被覆して成るモールド体5と、該モールド体5
の前面で信号光を受光素子3に集光させる集光レンズR
を有する外装ケースGと、前記モールド体5と集光レン
ズRとの間に配置され受光素子3および駆動素子4を外
乱光および電磁ノイズから遮断するための導電性の遮蔽
体6とを備え、前記モールド体5の前面は、遮蔽体6を
受光素子3に可及的に接近させるよう薄く形成され、前
記該遮蔽体6は、その一部が引き出されて接地可能とさ
れ、かつ外部からの信号光を受光素子3のみに採光する
ための採光窓7が形成され、前記外装ケースGは、モー
ルド体5を集光レンズR側に押圧して遮蔽体6を挟持さ
せると共に遮蔽体6をモールド体5の前面に密着させる
ための押圧手段Qが設けられたものである。
【0011】本発明請求項2による課題解決手段は、図
6の如く、受光素子3と、該受光素子3に隣接して配置
され受光素子からの信号に基づき駆動する駆動素子4と
、該駆動素子4および受光素子3が搭載されるリードフ
レーム1と、前記受光素子3および駆動素子4を外乱光
および電磁ノイズから遮断するための導電性の遮蔽体6
とを備え、該遮蔽体6は、その一部が接地可能とされ、
かつ外部からの信号光を受光素子3のみに採光するため
の採光窓7が形成され、該採光窓7が受光素子3に可及
的に接近するよう、金型内でリードフレーム1と遮蔽体
6とを対向してセツトし、モールド樹脂にて被覆して信
号光を受光素子3に集光させる集光レンズRを有するモ
ールド体5が形成されたものである。
【0012】
【作用】上記請求項1,2による課題解決手段において
、使用時に外部の発光素子にて光信号を送信すると、送
信された光は、遮蔽体6の採光窓7を通過して受光素子
3にて受光され、電気的信号に変換される。そして、受
光素子3からの信号に基づき、駆動素子4が駆動する。
【0013】このとき、受光素子3および駆動素子4の
前方に、採光窓7を有する遮蔽体6を設け、かつ、遮蔽
体6の採光窓7を受光素子3に可及的に接近させている
ので、外乱光の駆動素子4への影響を低減する。また、
遮蔽体6の一部が引き出されて接地可能とされているこ
とから、各種電子機器からの電磁ノイズに対する耐量を
向上させる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【0015】(第一実施例)図1は本発明の第一実施例
を示す光半導体装置の側面視断面図、図2は同じくその
正面視断面図、図3はその背面図、図4は同じく遮蔽体
を背後から見た斜視図、図5は多連フレーム方式の光半
導体装置を示す背面図である。
【0016】図示の如く、本実施例の光半導体装置は、
ビデオテープレコーダ(VTR)やエアコンデイシヨナ
ー等に用いられるリモートコントロール用のOPIC受
光デバイスであり、受光素子3と、該受光素子3に隣接
して配置され受光素子3からの信号に基づき駆動する駆
動素子4と、該駆動素子4および受光素子3が搭載され
るリードフレーム1と、これらをモールド樹脂にて被覆
して成るモールド体5と、該モールド体5の前面で信号
光を受光素子3に集光させる集光レンズRを有する外装
ケースGと、前記モールド体5と集光レンズRとの間に
配置され受光素子3および駆動素子4を外乱光および電
磁ノイズから遮断するための導電性の遮蔽体6とを備え
、前記モールド体5の前面は、遮蔽体6を受光素子3に
可及的に接近させるよう薄く形成され、前記該遮蔽体6
は、その一部が引き出されて接地可能とされ、かつ外部
からの信号光を受光素子3のみに採光するための採光窓
7が形成され、前記外装ケースGは、モールド体5を集
光レンズR側に押圧して遮蔽体6を挟持させると共に遮
蔽体6をモールド体5の前面に密着させるための押圧手
段Qが設けられたものである。
【0017】前記受光素子3(フオトダイオード等)お
よび駆動素子4(IC回路)は、図1,2の如く、上下
方向に1チツプ化して受光チツプ11とされている。
【0018】前記リードフレーム1は、図2の如く、前
記受光チツプ11が搭載される搭載片2を有する搭載用
リード端子12と、受光チツプ11の駆動素子4にボン
デイングワイヤ13を介して電気的に接続される接続片
17,18を有する接続用リード端子14,15とを備
え、該リード端子12,14,15は、図5の如く、フ
レーム19に多連式に片持ち支持されている。
【0019】前記モールド体5は、エポキシ樹脂等の透
明樹脂または可視光カツト樹脂が使用して、例えばトラ
ンスフアーモールド方式により射出成形されている。そ
して、該モールド体5の前面部の厚みは、図1の如く、
前記遮蔽体6を受光素子3に可及的に接近して配するよ
う、できるだけ薄く設定されている。
【0020】前記外装ケースGは、図1〜3の如く、例
えば弾性変形可能なエポキシ樹脂等に顔料が混入された
可視光カツト樹脂を用いて背面および下面開放の箱形に
形成されている。該外装ケースGの集光レンズRは、図
1の如く、半球状とされており、前記採光窓7に対応す
る位置に配されている。そして、集光レンズRの曲率は
、入射光を採光窓7に集光してデバイスの光学的特性を
向上させるよう設定されている。
【0021】なお図1〜3中、20aはモールド体5等
の左右方向の位置ずれを防止する位置決め用凸部、20
Cは同じく前方向の位置ずれを防止する位置決め用凸部
、20bはリードフレーム1の引き出し用開口である。
【0022】前記遮蔽体6は、図4の如く、一枚の金属
板を折曲形成して成り、前記モールド体5の前面を覆い
前記採光窓7が設けられた前壁21と、モールド体5の
側面を覆う側壁22と、モールド体5の上面を覆う上壁
23と、該上壁23から引き出されてこれらを接地可能
とするための接地リード24とから構成されている。な
お、遮蔽体6は、図5の如く、前記リードフレーム1の
リード端子と同様に、接地リード24がクレドール25
にて支持されることにより多連式とされている。また、
採光窓7は、受光素子3とほぼ同じ大きさに形成されて
いる。なお、該採光窓7の大きさは受光素子3より小さ
ければ、光の絞り込みをより良好にできる。
【0023】前記押圧手段Qは、図1,2の如く、外装
ケースGの背面の左右両側に前側、すなわち集光レンズ
R側に付勢力を有するよう内方向に突出して設けられた
押圧片から構成されており、該押圧片の先端には、モー
ルド体5の装着時にモールド体5の両端部に当接して外
装ケースGの内部に案内する傾斜面Tが形成されている
【0024】上記構造の光半導体装置は、次のように製
造される。
【0025】まず、受光素子3および駆動素子4からな
る受光チツプ11をリードフレーム1にダイレクトボン
ドおよびワイヤボンデイングする。
【0026】そして、受光チツプ11を透光性のモール
ド樹脂にて被覆してモールド体5を形成する。この際、
モールド体5の前面部をできるだけ薄くモールドしてお
く。
【0027】次に、受光素子3に対応する位置に遮蔽体
6の採光窓7を合わせて配し、かつ駆動素子4を全面カ
バーするよう遮蔽体6をモールド体5にかぶせる。
【0028】しかる後、モールド体5および遮蔽体6を
合わせて全体をカバーするよう、前方から集光レンズR
を有する外装ケースGを装着する。
【0029】そうすると、外装ケースGの押圧片Qは、
モールド体15の両側壁に当接して内側に弾性変形し、
これと同時に、外装ケースGの両側壁は左右両側に広げ
られ、モールド体15は、押圧片Gの傾斜面Tに沿つて
外装ケースGの内部に案内される。そして、モールド体
5が押圧片Qの先端を越えると、押圧片Qに対する負荷
が解除され、押圧片Qは弾性復元する。
【0030】この結果、遮蔽体6は、外装ケースGとモ
ールド体5との間で挟持されると共に、押圧片Qの押圧
力により、遮蔽体6の採光窓7をモールド体5の前面に
密着させることができる。したがつて、遮蔽体6の固定
は、外装ケースGの装着時に同時に行うことができ、し
かも集光レンズR、遮蔽体6の採光窓7および受光素子
7の光学系の位置関係もずれにくく、位置合わせも容易
となる。
【0031】また、リモートコントロールの送信器(図
示せず)内の発光素子から光信号が送信されると、この
信号光は集光レンズRにて集光され、遮蔽体6の採光窓
7を通過してモールド体5に進入し、受光素子3にて受
光され、電気信号に変換され、この電気信号に基づき駆
動素子4が駆動する。
【0032】このとき、上述のように、モールド体5の
前面を薄く形成し、かつ遮蔽体6の採光窓7をモールド
体5の前面に密着させて、駆動素子4を遮蔽体6にてカ
バーしているので、遮蔽体6の採光窓7を受光素子3に
可及的に接近させることができ、外乱光の駆動素子4へ
の影響を大幅に低減できる。
【0033】また、遮蔽体6の接地リード24を外へ出
し、グランド接続可能としていることにより、各種電子
機器から発生する電磁ノイズを遮断する事が可能になる
。したがつて、光半導体装置を、ノイズの多い製品へ用
途拡大することが可能となる。
【0034】(第二実施例)図6は本発明の第二実施例
を示す光半導体装置の側面視断面図である。
【0035】図示の如く、本実施例の光半導体装置は、
受光素子3と、該受光素子3に隣接して配置され受光素
子からの信号に基づき駆動する駆動素子4と、該駆動素
子4および受光素子3が搭載されるリードフレーム1と
、前記受光素子3および駆動素子4を外乱光および電磁
ノイズから遮断するための導電性の遮蔽体6とを備え、
該遮蔽体6は、その一部が接地可能とされ、かつ外部か
らの信号光を受光素子3のみに採光するための採光窓7
が形成され、該採光窓7が受光素子3に可及的に接近す
るよう、金型内でリードフレーム1と遮蔽体6とを対向
してセツトし、モールド樹脂にて被覆して信号光を受光
素子3に集光させる集光レンズRを有するモールド体5
が形成されたものである。
【0036】上記構成の光半導体装置の製造時には、受
光チツプ11をリードフレーム1にダイレクトボンドし
、遮蔽体6を受光チツプ11に対向させて、その採光窓
7を受光チツプ11に可及的に接近させるようリードフ
レーム1を金型にて位置決めする。そうすると、従来の
ように、各ユーザーにて金属板等を受光デバイスの周囲
に取付けるのに比べ、遮蔽体6の採光窓7を受光チツプ
11に可及的に接近させながら、確実に遮蔽体6を位置
決めできる。
【0037】その後、これらをモールド樹脂にて一体的
にトランスフアモールドし、集光レンズRを有するモー
ルド体5を形成する。
【0038】本実施例についての作用、効果は第一実施
例と同様である。
【0039】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0040】例えば、上記実施例は、受光素子3と駆動
素子4とが受光チツプ11として一体とされたリモコン
用OPIC受光デバイスを例に挙げて説明したが、駆動
素子4と受光素子3との二チツプを一パツケージに入れ
たデバイスであれば、上記構造にすることにより同様な
効果が得られることはいうまでもない。
【0041】また、上記実施例では、外装ケースGやモ
ールド体5に可視光カツト樹脂を用いているため、光半
導体装置の下方および背後等からの光についてはさ程考
慮する必要がなく、故に遮蔽体6についてはこの部分を
省略した構造とされていたが、遮蔽体6を、採光窓7を
除いて受光素子3および駆動素子4の全周囲を遮光する
よう構成してもよい。この場合、遮蔽体6とリードフレ
ーム1とは非接触状態を保つよう構成する必要がある。
【0042】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項1,2によると、受光素子および駆動素子の前方に
採光窓を有する遮蔽体を設け、遮蔽体の一部を引き出し
て接地可能とし、しかも、遮蔽体の採光窓を受光素子に
可及的に接近させているので、外乱光および電磁ノイズ
の駆動素子への影響を大幅に低減することができる。
【0043】また、遮蔽体を受光素子等に接近するにあ
たり、遮蔽体の位置決めを確実に行い得るので、その光
学的信頼性を確実に保つことができ、安定性に優れた光
半導体装置を提供できるといつた優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第一実施例を示す光半導体装置
の側面視断面図である。
【図2】図2は同じくその正面視断面図である。
【図3】図3はその背面図である。
【図4】図4は同じく遮蔽体を背後から見た斜視図であ
る。
【図5】図5は多連フレーム方式の光半導体装置を示す
背面図である。
【図6】図6は本発明の第二実施例を示す光半導体装置
の側面視断面図である。
【符号の説明】
1    リードフレーム 3    受光素子 4    駆動素子 5    モールド体 6    遮蔽体 7    採光窓 G    外装ケース Q    押圧手段 R    集光レンズ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  受光素子と、該受光素子に隣接して配
    置され受光素子からの信号に基づき駆動する駆動素子と
    、該駆動素子および受光素子が搭載されるリードフレー
    ムと、これらをモールド樹脂にて被覆して成るモールド
    体と、該モールド体の前面で信号光を受光素子に集光さ
    せる集光レンズを有する外装ケースと、前記モールド体
    と集光レンズとの間に配置され受光素子および駆動素子
    を外乱光および電磁ノイズから遮断するための導電性の
    遮蔽体とを備え、前記モールド体の前面は、遮蔽体を受
    光素子に可及的に接近させるよう薄く形成され、前記該
    遮蔽体は、その一部が引き出されて接地可能とされ、か
    つ外部からの信号光を受光素子のみに採光するための採
    光窓が形成され、前記外装ケースは、モールド体を集光
    レンズ側に押圧して遮蔽体を挟持させると共に遮蔽体を
    モールド体の前面に密着させるための押圧手段が設けら
    れたことを特徴とする光半導体装置。
  2. 【請求項2】  受光素子と、該受光素子に隣接して配
    置され受光素子からの信号に基づき駆動する駆動素子と
    、該駆動素子および受光素子が搭載されるリードフレー
    ムと、前記受光素子および駆動素子を外乱光および電磁
    ノイズから遮断するための導電性の遮蔽体とを備え、該
    遮蔽体は、その一部が接地可能とされ、かつ外部からの
    信号光を受光素子のみに採光するための採光窓が形成さ
    れ、該採光窓が受光素子に可及的に接近するよう、金型
    内でリードフレームと遮蔽体とを対向してセツトし、モ
    ールド樹脂にて被覆して信号光を受光素子に集光させる
    集光レンズを有するモールド体が形成されたことを特徴
    とする光半導体装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012892A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Shichizun Denshi:Kk フォトインタラプタ
JP2002057366A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Nippon Aleph Corp フォトインタラプタ
JP2006237890A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Oki Electric Ind Co Ltd リモートコントロール受光モジュール
WO2008083524A1 (fr) * 2007-01-12 2008-07-17 Xiamen Hualian Electronics Co., Ltd. Méthode de fabrication d'une télécommande ir à amplificateur/récepteur
US9379272B2 (en) 2013-09-13 2016-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Light receiving element and optically coupled insulating device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082829A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Dowa Mining Co Ltd 受光方法及び受光装置並びに受発光装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012892A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Shichizun Denshi:Kk フォトインタラプタ
JP2002057366A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Nippon Aleph Corp フォトインタラプタ
JP4626038B2 (ja) * 2000-08-08 2011-02-02 株式会社日本アレフ フォトインタラプタ
JP2006237890A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Oki Electric Ind Co Ltd リモートコントロール受光モジュール
WO2008083524A1 (fr) * 2007-01-12 2008-07-17 Xiamen Hualian Electronics Co., Ltd. Méthode de fabrication d'une télécommande ir à amplificateur/récepteur
US9379272B2 (en) 2013-09-13 2016-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Light receiving element and optically coupled insulating device

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