JPH02137275A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
- Publication number
- JPH02137275A JPH02137275A JP63291337A JP29133788A JPH02137275A JP H02137275 A JPH02137275 A JP H02137275A JP 63291337 A JP63291337 A JP 63291337A JP 29133788 A JP29133788 A JP 29133788A JP H02137275 A JPH02137275 A JP H02137275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- conductive plate
- emitting element
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光素子と受光素子とを結合されたホトカプラ
に関する。
に関する。
ホトカプラは、入力側すなわち発光素子の光を出力側す
なわち受光素子で受けて信号を伝達する装置であり、従
って入力側と出力側とが電気的に完全に分離しているこ
とが利点であり、また要求される。
なわち受光素子で受けて信号を伝達する装置であり、従
って入力側と出力側とが電気的に完全に分離しているこ
とが利点であり、また要求される。
第４図は従来のホトカプラの第１の例の断面図である。
発光素子ペレット１と、ホトダイオード２ａとその出力
信号を増幅する回路とを有する受光素子２とが間隔をお
いて配置され、発光素子１がらの光を受ける発光素子２
との間に透明なシリコン樹脂３が充填され、これによっ
て発光素子２に至る光経路が形成され、その外周を黒色
のエポキシ樹脂７でモールドされる。
信号を増幅する回路とを有する受光素子２とが間隔をお
いて配置され、発光素子１がらの光を受ける発光素子２
との間に透明なシリコン樹脂３が充填され、これによっ
て発光素子２に至る光経路が形成され、その外周を黒色
のエポキシ樹脂７でモールドされる。
第５図は従来のホトカプラの第２の例の断面図である。
発光素子１と受光素子とを透明エポキシ樹脂８でモール
ドして光経路を形成し、更にその外周を黒色エポキシ樹
脂７でモールドする。
ドして光経路を形成し、更にその外周を黒色エポキシ樹
脂７でモールドする。
上述した従来のホトカプラは、第６図に等価回路を示す
様に、発光素子１と受光素子２とが向い合っているので
、入力側と出力側との間に寄生容量Ｃが形成されてしま
う。従って、入力側に入った電気的ノイズがこの寄生容
量Ｃを通して出力側すなわちホトダイオードに伝達され
て等測的な光電流が流れ、該光電流が増幅回路２ｂで増
幅されその出力端子に該信号を発生させるという結果を
招く。
様に、発光素子１と受光素子２とが向い合っているので
、入力側と出力側との間に寄生容量Ｃが形成されてしま
う。従って、入力側に入った電気的ノイズがこの寄生容
量Ｃを通して出力側すなわちホトダイオードに伝達され
て等測的な光電流が流れ、該光電流が増幅回路２ｂで増
幅されその出力端子に該信号を発生させるという結果を
招く。
特に、ホトダイオードとその出力信号を増幅する増幅回
路とを１チツプに内蔵する受光素子を用いたホトカプラ
においては、微小ノイズによるホトダイオードの微小光
電流でも後段の増幅回路２ｂで増幅されてしまうので、
微小な電気的ノイズに対してもより敏感に反応してしま
う。
路とを１チツプに内蔵する受光素子を用いたホトカプラ
においては、微小ノイズによるホトダイオードの微小光
電流でも後段の増幅回路２ｂで増幅されてしまうので、
微小な電気的ノイズに対してもより敏感に反応してしま
う。
前述の様に、ホトカプラは入力側と出力側が電気的に完
全に分離されていることを要求されているのであるから
、この寄生容量によって発生する誤動作はホトカプラの
利点を損うという問題点が存在する。
全に分離されていることを要求されているのであるから
、この寄生容量によって発生する誤動作はホトカプラの
利点を損うという問題点が存在する。
本発明は、発光素子と、該発光素子を搭載し電気的接続
して前記発光素子に電気信号を与える発光素子用リード
と、前記発光素子と間隔をあけて配置され前記発光素子
からの光を受ける受光素子と、該受光素子を搭載し電気
的接続して該受光素子の出力信号を外部に引出す受光素
子用リードと前記発光素子と受光素子との間の光路を形
成する透明樹脂と、前記発光素子、受光素子を包む遮光
性樹脂とを含むホトカプラにおいて、前記受光素子がホ
トダイオードと該ホトダイオードの出力信号を増幅する
ものから成り、少なくとも断面の一部が鉤の手形状を有
する透光性導電板が前記ホトダイオードの上を覆いかつ
該透光性電板の少くとも一端が前記受光素子用リードに
電気的に接続されることによって構成される。
して前記発光素子に電気信号を与える発光素子用リード
と、前記発光素子と間隔をあけて配置され前記発光素子
からの光を受ける受光素子と、該受光素子を搭載し電気
的接続して該受光素子の出力信号を外部に引出す受光素
子用リードと前記発光素子と受光素子との間の光路を形
成する透明樹脂と、前記発光素子、受光素子を包む遮光
性樹脂とを含むホトカプラにおいて、前記受光素子がホ
トダイオードと該ホトダイオードの出力信号を増幅する
ものから成り、少なくとも断面の一部が鉤の手形状を有
する透光性導電板が前記ホトダイオードの上を覆いかつ
該透光性電板の少くとも一端が前記受光素子用リードに
電気的に接続されることによって構成される。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
図に示す受光素子と透光性導電板近傍の部分斜視図であ
る。
図に示す受光素子と透光性導電板近傍の部分斜視図であ
る。
まず、受光素子用リード５に受光素子２をマウントする
。そして、受光素子とリードとの間をワイヤボンディン
グする。但し、ボンディングワイヤは省略しである。次
に、受光素子２のホトダイオード２ａとリード５との両
方に接続する様に、断面が鉤の手形状を有する透光性導
電板６を装着する。この際、透光性導電板６と、受光素
子２とは電気的に導通させてはいけないが透光性導電板
６とリード５とは電気的に導通させる必要がある。この
透光性導電板６はガラスやプラスチックなど透明な高絶
縁性の板の片面あるいは両面に酸化インジウム等の透明
導電膜を塗布したものが適している。次に、従来の方法
で、透明シリコン樹脂３により光経路を形成し外周を黒
色のエポキシ樹脂７でモールドしてホトカプラを完成さ
せる。
。そして、受光素子とリードとの間をワイヤボンディン
グする。但し、ボンディングワイヤは省略しである。次
に、受光素子２のホトダイオード２ａとリード５との両
方に接続する様に、断面が鉤の手形状を有する透光性導
電板６を装着する。この際、透光性導電板６と、受光素
子２とは電気的に導通させてはいけないが透光性導電板
６とリード５とは電気的に導通させる必要がある。この
透光性導電板６はガラスやプラスチックなど透明な高絶
縁性の板の片面あるいは両面に酸化インジウム等の透明
導電膜を塗布したものが適している。次に、従来の方法
で、透明シリコン樹脂３により光経路を形成し外周を黒
色のエポキシ樹脂７でモールドしてホトカプラを完成さ
せる。
上記第１の実施例は透明シリコン樹脂３で光経路を形成
する構造の例であるが、第５図に示す構造あるいは他の
構造のホトカプラに対しても本発明は同様に適用できる
。
する構造の例であるが、第５図に示す構造あるいは他の
構造のホトカプラに対しても本発明は同様に適用できる
。
次に、透光性導電板の設置方法について説明する。
第１図及び第２図に示すように、その断面の少くとも一
部が鉤の手形状有し、受光素子の厚さ分だけ段差を有す
る透光性導電板６をその一部が受光素子２のホトダイオ
ード２ａに密着させ、かつその他の一部が受光素子搭載
リード５に、例えば、銀ペースト等の導電性樹脂を接着
剤として密着して配置する。受光素子２を搭載しである
り一部５は通常接地電位に接続して用いるので、受光素
子２のホトダイオード２ａの表面に接地電位に接続され
た透光性導電板６が配置されたことになる。また、受光
素子表面は通常酸化膜あるいは窒化膜等でパシベーショ
ンを行なっているので、透光導電板６を受光素子の表面
に密着して配置してもホトダイオード２ａあるいは増幅
回路２ｂの各部と透光性導電板と電気的に短絡すること
ない。
部が鉤の手形状有し、受光素子の厚さ分だけ段差を有す
る透光性導電板６をその一部が受光素子２のホトダイオ
ード２ａに密着させ、かつその他の一部が受光素子搭載
リード５に、例えば、銀ペースト等の導電性樹脂を接着
剤として密着して配置する。受光素子２を搭載しである
り一部５は通常接地電位に接続して用いるので、受光素
子２のホトダイオード２ａの表面に接地電位に接続され
た透光性導電板６が配置されたことになる。また、受光
素子表面は通常酸化膜あるいは窒化膜等でパシベーショ
ンを行なっているので、透光導電板６を受光素子の表面
に密着して配置してもホトダイオード２ａあるいは増幅
回路２ｂの各部と透光性導電板と電気的に短絡すること
ない。
第３図は本発明の第２の実施例の受光素子と透光性導電
板近傍の斜視図である。
板近傍の斜視図である。
第１の実施例とは透光性導電板６ａ及び受光素子搭載リ
ード５ａの形状が異っている。透光性導電板６ａの取付
は方向は、第１の実施例と比べて９０度ずれている。こ
のような形にしても良い。
ード５ａの形状が異っている。透光性導電板６ａの取付
は方向は、第１の実施例と比べて９０度ずれている。こ
のような形にしても良い。
以上説明した様に、本発明は、受光素子のダイオード部
に接地電位に接続された透光性導電板を設置したので、
受光素子の電気的シールドが施され、入力側の電気的ノ
イズによる誤動作の極めて発生しにくいホトカプラが得
られるという効果を有する。
に接地電位に接続された透光性導電板を設置したので、
受光素子の電気的シールドが施され、入力側の電気的ノ
イズによる誤動作の極めて発生しにくいホトカプラが得
られるという効果を有する。
斜視図、第３図は本発明の第２の実施例の受光素子と透
光性導電板部分の斜視図、第４図及び第５図は従来のホ
トカプラの第１及び第２の例の断面図、第６図は従来の
ホトカプラの等価回路図である。
光性導電板部分の斜視図、第４図及び第５図は従来のホ
トカプラの第１及び第２の例の断面図、第６図は従来の
ホトカプラの等価回路図である。
１・・・発光素子、２・・・受光素子、２ａ・・・ホト
ダイオード、２ｂ・・・増幅回路、３・・・透明シリコ
ン樹脂、４・・・発光素子用リード、５，５ａ・・・受
光素子用リード、６，６ａ・・・透光性導電板、７・・
・黒色エポキシ樹脂、８・・・透明エポキシ樹脂。
ダイオード、２ｂ・・・増幅回路、３・・・透明シリコ
ン樹脂、４・・・発光素子用リード、５，５ａ・・・受
光素子用リード、６，６ａ・・・透光性導電板、７・・
・黒色エポキシ樹脂、８・・・透明エポキシ樹脂。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
図に示す受光素子と透光性導電板部分の第 １ 園 ｌｎ 蔦 ２ ■ 第 ５ 「 第 ６ 回
図に示す受光素子と透光性導電板部分の第 １ 園 ｌｎ 蔦 ２ ■ 第 ５ 「 第 ６ 回
Claims (1)
- 発光素子と、該発光素子を搭載し電気的接続して前記発
光素子に電気信号を与える発光素子用リードと、前記発
光素子と間隔をあけて配置され前記発光素子からの光を
受ける受光素子と、該受光素子を搭載し電気的接続して
該受光素子の出力信号を外部に引出す受光素子用リード
と前記発光素子と受光素子との間の光路を形成する透明
樹脂と、前記発光素子、受光素子を包む遮光性樹脂とを
含むホトカプラにおいて、前記受光素子がホトダイオー
ドと該ホトダイオードの出力信号を増幅するものから成
り、少なくとも断面の一部が鉤の手形状を有する透光性
導電板が前記ホトダイオードの上を覆いかつ該透光性電
板の少くとも一端が前記受光素子用リードに電気的に接
続されていることを特徴とするホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291337A JPH02137275A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291337A JPH02137275A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137275A true JPH02137275A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17767613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63291337A Pending JPH02137275A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137275A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1078247A1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-02-28 | BioVeris Corporation | Improved apparatus and methods for carrying out electrochemiluminescence test measurements |
| AU2003200956B2 (en) * | 1998-05-11 | 2006-01-19 | Bioveris Corporation | Improved Apparatus and Methods for Carrying Out Electrochemiluminescence Test Measurements |
| AU2006201608B2 (en) * | 1998-05-11 | 2007-06-07 | Bioveris Corporation | Improved Apparatus and Methods for Carrying Out Electrochemiluminescence Test Measurements |
| JP2007173708A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学センサ装置 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63291337A patent/JPH02137275A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1078247A1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-02-28 | BioVeris Corporation | Improved apparatus and methods for carrying out electrochemiluminescence test measurements |
| EP1078247A4 (en) * | 1998-05-11 | 2002-12-04 | Igen Int Inc | IMPROVED DEVICE AND METHOD FOR PERFORMING ELECTROCHEMILUMINESCENCE TEST MEASUREMENTS |
| AU2003200956B2 (en) * | 1998-05-11 | 2006-01-19 | Bioveris Corporation | Improved Apparatus and Methods for Carrying Out Electrochemiluminescence Test Measurements |
| AU2006201608B2 (en) * | 1998-05-11 | 2007-06-07 | Bioveris Corporation | Improved Apparatus and Methods for Carrying Out Electrochemiluminescence Test Measurements |
| JP2007173708A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学センサ装置 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
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