JPH04302457A - 混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents
混成集積回路基板の製造方法Info
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- JPH04302457A JPH04302457A JP3091680A JP9168091A JPH04302457A JP H04302457 A JPH04302457 A JP H04302457A JP 3091680 A JP3091680 A JP 3091680A JP 9168091 A JP9168091 A JP 9168091A JP H04302457 A JPH04302457 A JP H04302457A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを実装し
、このチップ及びこのチップに接続するボンディングワ
イヤを保護樹脂層で封止した混成集積回路基板の製造方
法の改良に関する。
、このチップ及びこのチップに接続するボンディングワ
イヤを保護樹脂層で封止した混成集積回路基板の製造方
法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、回路パターンを有する回路基板本
体にＩＣやＬＳＩなどの半導体チップを実装した混成集
積回路基板が各種の分野に多用されている。
体にＩＣやＬＳＩなどの半導体チップを実装した混成集
積回路基板が各種の分野に多用されている。
【０００３】図３は、従来の混成集積回路基板の一例を
示す。図中の１は、回路基板本体である。この回路基板
本体１は、絶縁基材２上に回路パターン３を形成した構
造になっている。前記回路基板本体１上には、半導体チ
ップ４が接着剤層５を介して搭載されている。前記半導
体チップ４は、前記回路基板本体１の所望の回路パター
ンにボンディングワイヤ６を介してボンディングされて
いる。このボンディングワイヤ６は、前記回路基板本体
１の回路パターン３と前記チップ４上面の電極パッド（
図示せず）とを電気的に接続している。前記半導体チッ
プ４及びボンディングワイヤ６周辺の前記回路基板本体
１上には、厚み０．６ｍｍ程度の枠状のダム層７が形成
されている。前記ダム層７は、エポキシ系樹脂やシリコ
ーン系樹脂などの液状樹脂をディスペンサーなどの装置
を用いて描画しながら塗布した後硬化することにより形
成される。前記ダム層７で囲まれた前記回路基板本体１
上には、保護樹脂層８が前記半導体チップ４及びボンデ
ィングワイヤ６を封止するように設けられている。前記
保護樹脂層８は、エポキシ系樹脂などの液状樹脂を前記
ダム層７の枠内にコーティングすることにより形成され
る。
示す。図中の１は、回路基板本体である。この回路基板
本体１は、絶縁基材２上に回路パターン３を形成した構
造になっている。前記回路基板本体１上には、半導体チ
ップ４が接着剤層５を介して搭載されている。前記半導
体チップ４は、前記回路基板本体１の所望の回路パター
ンにボンディングワイヤ６を介してボンディングされて
いる。このボンディングワイヤ６は、前記回路基板本体
１の回路パターン３と前記チップ４上面の電極パッド（
図示せず）とを電気的に接続している。前記半導体チッ
プ４及びボンディングワイヤ６周辺の前記回路基板本体
１上には、厚み０．６ｍｍ程度の枠状のダム層７が形成
されている。前記ダム層７は、エポキシ系樹脂やシリコ
ーン系樹脂などの液状樹脂をディスペンサーなどの装置
を用いて描画しながら塗布した後硬化することにより形
成される。前記ダム層７で囲まれた前記回路基板本体１
上には、保護樹脂層８が前記半導体チップ４及びボンデ
ィングワイヤ６を封止するように設けられている。前記
保護樹脂層８は、エポキシ系樹脂などの液状樹脂を前記
ダム層７の枠内にコーティングすることにより形成され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
混成集積回路基板によれば、ダム層７を形成する際に液
状樹脂が流動変形して回路基板本体１上に広がって低く
なったり、高さがバラついたりすることがある。このた
め、保護樹脂層８の厚さを十分に厚くできず、半導体チ
ップ４及びボンディングワイヤ６の封止が不完全になっ
て、信頼性を低下させるという問題があった。また、ダ
ム層７を均一な幅又は高さにする必要があるが、ダム層
７の材料である樹脂の粘度、形成条件等の管理が困難で
ある。
混成集積回路基板によれば、ダム層７を形成する際に液
状樹脂が流動変形して回路基板本体１上に広がって低く
なったり、高さがバラついたりすることがある。このた
め、保護樹脂層８の厚さを十分に厚くできず、半導体チ
ップ４及びボンディングワイヤ６の封止が不完全になっ
て、信頼性を低下させるという問題があった。また、ダ
ム層７を均一な幅又は高さにする必要があるが、ダム層
７の材料である樹脂の粘度、形成条件等の管理が困難で
ある。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、十分かつ一定の高さのダム層を有し、半導体チップ及
びワイヤを十分な厚さの保護樹脂層で良好に封止した高
信頼性の混成集積回路基板の製造方法を提供することを
目的とする。
、十分かつ一定の高さのダム層を有し、半導体チップ及
びワイヤを十分な厚さの保護樹脂層で良好に封止した高
信頼性の混成集積回路基板の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基材上に
回路パターンを有すると共に該回路パターンの外部接続
領域を除く表面に保護被膜を有する回路基板本体と、前
記本体の所望の回路パターンにダイボンディングされた
半導体チップと、前記本体の回路パターンと前記チップ
上面の電極パッドとを接続するボンディングワイヤと、
前記チップ及びボンディングワイヤ周辺の前記保護被膜
に接着剤層を介して形成された枠状のダム層と、このダ
ム層で囲まれた前記本体上に前記チップ及びワイヤを封
止するように設けられた保護樹脂層とを具備した混成集
積回路基板の製造する方法において、前記ダム層は、ダ
ム層形成用枠材を前記チップ及びボンディングワイヤ周
辺の前記保護被膜上に前記保護樹脂層と同じ材料からな
る接着剤を介して形成した後、硬化により前記接着剤の
一部を構成する樹脂を前記ダム層形成用枠材中に浸透さ
せることにより形成することを特徴とする混成集積回路
基板の製造方法である。
回路パターンを有すると共に該回路パターンの外部接続
領域を除く表面に保護被膜を有する回路基板本体と、前
記本体の所望の回路パターンにダイボンディングされた
半導体チップと、前記本体の回路パターンと前記チップ
上面の電極パッドとを接続するボンディングワイヤと、
前記チップ及びボンディングワイヤ周辺の前記保護被膜
に接着剤層を介して形成された枠状のダム層と、このダ
ム層で囲まれた前記本体上に前記チップ及びワイヤを封
止するように設けられた保護樹脂層とを具備した混成集
積回路基板の製造する方法において、前記ダム層は、ダ
ム層形成用枠材を前記チップ及びボンディングワイヤ周
辺の前記保護被膜上に前記保護樹脂層と同じ材料からな
る接着剤を介して形成した後、硬化により前記接着剤の
一部を構成する樹脂を前記ダム層形成用枠材中に浸透さ
せることにより形成することを特徴とする混成集積回路
基板の製造方法である。
【０００７】本発明において、絶縁基材の材料としては
、例えばガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
、例えばガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
【０００８】本発明において、ダム層の断面状態は粗れ
ている方が良い。これは、枠状のダム層材料を硬化する
際に接着剤層からその材料を毛細管現象により浸透させ
、硬化させるためである。粗れた断面状態を得るには、
ル−タ加工（削り出し）あるいは金型による打ち抜き等
が挙げられるが、後者の方が好ましい。前記ダム層の材
料としては、ガラスエポキシが好ましい。
ている方が良い。これは、枠状のダム層材料を硬化する
際に接着剤層からその材料を毛細管現象により浸透させ
、硬化させるためである。粗れた断面状態を得るには、
ル−タ加工（削り出し）あるいは金型による打ち抜き等
が挙げられるが、後者の方が好ましい。前記ダム層の材
料としては、ガラスエポキシが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明においては、まず、ダム層形成用枠材を
ディスペンサーなどの装置を用いて前記チップ及びボン
ディングワイヤ周辺の前記保護被膜上にエポキシ系樹脂
からなる第２接着剤層を介して形成した後、前記ダム層
形成用枠材を硬化させる。この硬化により、硬化時の熱
により第２接着剤層の粘度が低下すると同時に、第２接
着剤層の構成材料であるエポキシ系樹脂材料が毛細管現
象により前記枠材に浸透し、内部にエポキシ系樹脂を含
浸した状態のダム層を形成される。
ディスペンサーなどの装置を用いて前記チップ及びボン
ディングワイヤ周辺の前記保護被膜上にエポキシ系樹脂
からなる第２接着剤層を介して形成した後、前記ダム層
形成用枠材を硬化させる。この硬化により、硬化時の熱
により第２接着剤層の粘度が低下すると同時に、第２接
着剤層の構成材料であるエポキシ系樹脂材料が毛細管現
象により前記枠材に浸透し、内部にエポキシ系樹脂を含
浸した状態のダム層を形成される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１及び図
２を参照して説明する。図１は混成集積回路基板の断面
図、図２は図１の平面図である。
２を参照して説明する。図１は混成集積回路基板の断面
図、図２は図１の平面図である。
【００１１】図中の１１は、回路基板本体である。この
回路基板本体１１は、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁
基材１２上に回路パターン１３を形成した構造になって
いる。前記回路基板本体１１上には、半導体チップ１４
が第１接着剤層１５を介して搭載されている。前記半導
体チップ１４は、前記回路基板本体１１の所望の回路パ
ターンにボンディングワイヤ１６を介してダイボンディ
ングされている。このボンディングワイヤ１６は、前記
回路基板本体１１の回路パターン１３と前記チップ１４
上面の電極パッド（図示せず）とを電気的に接続してい
る。前記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６
周辺の前記回路基板本体１１上には、厚み０．６ｍｍで
内径１０ｍｍ，外径１２ ｍｍの正方形状のダム層１
７がエポキシ系樹脂からなる第２接着剤層１８を介して
形成されている。ここで、ダム層１７の断面状態は粗れ
ている状態の方が好ましく、その材料としてはガラスエ
ポキシ系樹脂を用いた。前記ダム層１７で囲まれた前記
回路基板本体１１上には、エポキシ系樹脂からなる保護
樹脂層１８が前記半導体チップ１４及びボンディングワ
イヤ１６を封止するように設けられている。
回路基板本体１１は、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁
基材１２上に回路パターン１３を形成した構造になって
いる。前記回路基板本体１１上には、半導体チップ１４
が第１接着剤層１５を介して搭載されている。前記半導
体チップ１４は、前記回路基板本体１１の所望の回路パ
ターンにボンディングワイヤ１６を介してダイボンディ
ングされている。このボンディングワイヤ１６は、前記
回路基板本体１１の回路パターン１３と前記チップ１４
上面の電極パッド（図示せず）とを電気的に接続してい
る。前記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６
周辺の前記回路基板本体１１上には、厚み０．６ｍｍで
内径１０ｍｍ，外径１２ ｍｍの正方形状のダム層１
７がエポキシ系樹脂からなる第２接着剤層１８を介して
形成されている。ここで、ダム層１７の断面状態は粗れ
ている状態の方が好ましく、その材料としてはガラスエ
ポキシ系樹脂を用いた。前記ダム層１７で囲まれた前記
回路基板本体１１上には、エポキシ系樹脂からなる保護
樹脂層１８が前記半導体チップ１４及びボンディングワ
イヤ１６を封止するように設けられている。
【００１２】上記構成の混成集積回路基板は、次のよう
にして製造する。まず、絶縁基材１２上に導電材料層（
図示せず）を形成した後、パタ−ニングして回路パタ−
ン１３を形成し、回路基板本体１１を形成した。つづい
て、この回路基板本体１１の所定の位置上に第１接着剤
層１５を介して半導体チップ１４を形成した。次に、前
記回路基板本体１１の回路パターン１３と前記半導体チ
ップ１４上面の電極パッド（図示せず）とを、ボンディ
ングワイヤ１６を介して電気的に接続した。次いで、前
記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６周辺の
前記回路基板本体１１上に、エポキシ系樹脂からなる第
２接着剤層１８を液状のガラスエポキシ系樹脂をディス
ペンサーなどの装置を用いて描画しながら塗布し、厚み
０．６ｍｍ，内径１０ｍｍ，外径１２ｍｍの正方形状の
ダム層形成用枠材を形成した。
にして製造する。まず、絶縁基材１２上に導電材料層（
図示せず）を形成した後、パタ−ニングして回路パタ−
ン１３を形成し、回路基板本体１１を形成した。つづい
て、この回路基板本体１１の所定の位置上に第１接着剤
層１５を介して半導体チップ１４を形成した。次に、前
記回路基板本体１１の回路パターン１３と前記半導体チ
ップ１４上面の電極パッド（図示せず）とを、ボンディ
ングワイヤ１６を介して電気的に接続した。次いで、前
記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６周辺の
前記回路基板本体１１上に、エポキシ系樹脂からなる第
２接着剤層１８を液状のガラスエポキシ系樹脂をディス
ペンサーなどの装置を用いて描画しながら塗布し、厚み
０．６ｍｍ，内径１０ｍｍ，外径１２ｍｍの正方形状の
ダム層形成用枠材を形成した。
【００１３】次に、第２接着剤層１８上に、ダム層用枠
を搭載させ熱硬化を行なった。これにより、前記第２接
着剤層１８の粘度が低下するとと同時に、接着剤を構成
するエポキシ系樹脂が前記ダム層形成用枠材に浸透し、
前記ダム層形成用枠材が硬化してダム層１７が形成され
た。ダム層用枠の接着と同時に、枠材への浸透が成され
たダム層１７が形成された。つづいて、前記ダム層形成
用枠材内に保護樹脂層用のエポキシ樹脂を流し込み、前
記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６を覆っ
た。次に、熱硬化を行い、半導体チップ１４及びボンデ
ィングワイヤ１６を封止する保護樹脂層１８を形成して
、混成集積回路基板を製造した。
を搭載させ熱硬化を行なった。これにより、前記第２接
着剤層１８の粘度が低下するとと同時に、接着剤を構成
するエポキシ系樹脂が前記ダム層形成用枠材に浸透し、
前記ダム層形成用枠材が硬化してダム層１７が形成され
た。ダム層用枠の接着と同時に、枠材への浸透が成され
たダム層１７が形成された。つづいて、前記ダム層形成
用枠材内に保護樹脂層用のエポキシ樹脂を流し込み、前
記半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１６を覆っ
た。次に、熱硬化を行い、半導体チップ１４及びボンデ
ィングワイヤ１６を封止する保護樹脂層１８を形成して
、混成集積回路基板を製造した。
【００１４】上記実施例に係る混成集積回路基板の製造
方法によれば、ダム層形成用枠材をディスペンサーなど
の装置を用いて前記チップ及びボンディングワイヤ周辺
の前記保護被膜上にエポキシ系樹脂からなる第２接着剤
層１８を介して形成した後、前記ダム層形成用枠材を硬
化させるため、硬化を行う際、硬化時の熱により接着剤
層１８の粘度が低下すると同時に、接着剤層１８の構成
材料であるエポキシ系樹脂材料が毛細管現象により前記
枠材に浸透し、内部にエポキシ系樹脂を含浸した状態の
ダム層１７を形成できる。つまり、上記ダム層形成用枠
材は絶縁器材と同じ材料であるガラスエポキシを用いて
作製した枠材であるため、従来のように液状樹脂に起因
する樹脂流動を伴うことなく、その高さ，幅を自在に調
整できる。また、上記ダム層形成用枠材には、上述した
ように熱硬化時に接着剤層１８の構成材料であるエポキ
シ系樹脂材料を含浸させることができるため、熱硬化に
より作製されたダム層１７にはエポキシ系樹脂材料が充
分含浸され、ダム層１７と保護樹脂層１８との密着性を
良好に保つことができる。
方法によれば、ダム層形成用枠材をディスペンサーなど
の装置を用いて前記チップ及びボンディングワイヤ周辺
の前記保護被膜上にエポキシ系樹脂からなる第２接着剤
層１８を介して形成した後、前記ダム層形成用枠材を硬
化させるため、硬化を行う際、硬化時の熱により接着剤
層１８の粘度が低下すると同時に、接着剤層１８の構成
材料であるエポキシ系樹脂材料が毛細管現象により前記
枠材に浸透し、内部にエポキシ系樹脂を含浸した状態の
ダム層１７を形成できる。つまり、上記ダム層形成用枠
材は絶縁器材と同じ材料であるガラスエポキシを用いて
作製した枠材であるため、従来のように液状樹脂に起因
する樹脂流動を伴うことなく、その高さ，幅を自在に調
整できる。また、上記ダム層形成用枠材には、上述した
ように熱硬化時に接着剤層１８の構成材料であるエポキ
シ系樹脂材料を含浸させることができるため、熱硬化に
より作製されたダム層１７にはエポキシ系樹脂材料が充
分含浸され、ダム層１７と保護樹脂層１８との密着性を
良好に保つことができる。
【００１５】なお、上記実施例では、ダム層の形状が四
角形である場合について述べたが、これに限定されない
。
角形である場合について述べたが、これに限定されない
。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、十分
かつ一定の高さのダム層を有し、半導体チップ及びワイ
ヤを十分な厚さの保護樹脂層で良好に封止した高信頼性
の混成集積回路基板を提供できる。
かつ一定の高さのダム層を有し、半導体チップ及びワイ
ヤを十分な厚さの保護樹脂層で良好に封止した高信頼性
の混成集積回路基板を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係る混成集積回路基板の断
面図。
面図。
【図２】図１の保護樹脂層を除いた平面図。
【図３】従来の混成集積回路基板の断面図。
１１…回路基板本体、１２…絶縁基材、１３…回路パタ
−ン、１４…半導体チップ、１５，１８…接着剤層、１
６…ボンディングワイヤ、１７…ダム層、１８…保護樹
脂層。
−ン、１４…半導体チップ、１５，１８…接着剤層、１
６…ボンディングワイヤ、１７…ダム層、１８…保護樹
脂層。
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基材上に回路パターンを有すると
共に該回路パターンの外部接続領域を除く表面に保護被
膜を有する回路基板本体と、前記本体の所望の回路パタ
ーンにダイボンディングされた半導体チップと、前記本
体の回路パターンと前記チップ上面の電極パッドとを接
続するボンディングワイヤと、前記チップ及びボンディ
ングワイヤ周辺の前記保護被膜に接着剤層を介して形成
された枠状のダム層と、このダム層で囲まれた前記本体
上に前記チップ及びワイヤを封止するように設けられた
保護樹脂層とを具備した混成集積回路基板を製造する方
法において、前記ダム層は、ダム層形成用枠材を前記チ
ップ及びボンディングワイヤ周辺に前記保護樹脂層と同
じ材料からなる接着剤を介して形成した後、硬化により
前記接着剤の一部を構成する樹脂を前記ダム層形成用枠
材中に浸透させることにより形成することをことを特徴
とする混成集積回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091680A JP2902497B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091680A JP2902497B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302457A true JPH04302457A (ja) | 1992-10-26 |
| JP2902497B2 JP2902497B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14033208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3091680A Expired - Lifetime JP2902497B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902497B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610737A (en) * | 1994-03-07 | 1997-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon |
| NL1004651C2 (nl) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
| US6459144B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-10-01 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Flip chip semiconductor package |
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091680A patent/JP2902497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610737A (en) * | 1994-03-07 | 1997-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon |
| NL1004651C2 (nl) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
| WO1998023427A1 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-04 | Nedcard | Method for encapsulating a chip on a carrier |
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
| US6459144B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-10-01 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Flip chip semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2902497B2 (ja) | 1999-06-07 |
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