JPH02241040A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路(以下ICと称す)を配線基板
上に直接マウントするいわゆるC0B(Chip On
Board)工法に関するもノテある。
上に直接マウントするいわゆるC0B(Chip On
Board)工法に関するもノテある。
従来の技術
従来の半導体パッケージを配線基板(例えばエポキシ基
板、セラミック基板、ガラス基板等)上に実装する面実
装工法に代わって、高密度化、コストダウン等をめざし
たペアチップを直接マウントするCOB工法が量産化の
段階に入ってきた。
板、セラミック基板、ガラス基板等)上に実装する面実
装工法に代わって、高密度化、コストダウン等をめざし
たペアチップを直接マウントするCOB工法が量産化の
段階に入ってきた。
この製造工程は第2図に示す如(、導体配線1の施され
た配線基板2の所定の位置に例えばエポキシ系のダイボ
ンド接着剤3をデイスペンサー、転写方式等により供給
しく第2図a)、上記ダイボンド接着剤3に合わせてI
C4を載置させ、接着固定する(第2図b)。続いて上
記IC4のパッド(図示せず)と上記導体配線1を金、
アルミ等の導体線5で接続しく第2図c)、更に上記I
C4゜上記導体線5を例えばボッティング、印刷方式
等を用いてエポキシ系の封止樹脂6で封止する(第2図
d)。高密度実装のために上記導体配線1は上記IC4
の近傍まで配線されていることから上記導体配線1に接
触させないために上記ダイボンド接着剤3の供給量は少
な(上記IC4を接着固定しても上記ダイボンド接着剤
3が上記IC4の端面全面にはみだすことはない。つま
り上記IC4の裏面の一部には空洞が発生していること
になる。この上記IC4の裏面に空洞を持った状態で大
形基板でのCOB工法に敵した常圧充填であるボッティ
ング、印刷方式で封止樹脂6を供給すると、上記封止樹
脂6は常圧供給であるため上記IC4の裏面の一部にで
きた空洞の中には充填されず気泡7が残ることになる。
た配線基板2の所定の位置に例えばエポキシ系のダイボ
ンド接着剤3をデイスペンサー、転写方式等により供給
しく第2図a)、上記ダイボンド接着剤3に合わせてI
C4を載置させ、接着固定する(第2図b)。続いて上
記IC4のパッド(図示せず)と上記導体配線1を金、
アルミ等の導体線5で接続しく第2図c)、更に上記I
C4゜上記導体線5を例えばボッティング、印刷方式
等を用いてエポキシ系の封止樹脂6で封止する(第2図
d)。高密度実装のために上記導体配線1は上記IC4
の近傍まで配線されていることから上記導体配線1に接
触させないために上記ダイボンド接着剤3の供給量は少
な(上記IC4を接着固定しても上記ダイボンド接着剤
3が上記IC4の端面全面にはみだすことはない。つま
り上記IC4の裏面の一部には空洞が発生していること
になる。この上記IC4の裏面に空洞を持った状態で大
形基板でのCOB工法に敵した常圧充填であるボッティ
ング、印刷方式で封止樹脂6を供給すると、上記封止樹
脂6は常圧供給であるため上記IC4の裏面の一部にで
きた空洞の中には充填されず気泡7が残ることになる。
更に上記IC4の厚みは通常400μm程度と厚いため
に、常圧で上記封止樹脂6を上記IC4の上方から急速
に供給すると上記IC4の近傍には上記封止樹脂6が完
全には供給されず、同じ(上記気泡7が残存することに
なる。
に、常圧で上記封止樹脂6を上記IC4の上方から急速
に供給すると上記IC4の近傍には上記封止樹脂6が完
全には供給されず、同じ(上記気泡7が残存することに
なる。
発明が解決しようとする課題
一般的なICパッケージの場合、リードフレーム上に載
置固定されたrCの裏面にダイボンド接着剤の無い空洞
が発生していても、封止方式が数10b/cdの圧力で
封止樹脂を充填するトランスファー成形法であるため、
比較的空洞中に封止樹脂が充填され、またICの厚みが
厚(とも同じく充填圧力が高いため封止樹脂に気泡が残
ることはほとんどない。ところが上記のごとく封止樹脂
6の充填がボッティング、印刷方式のように常圧による
方式であれば封止樹脂6中に気泡7の残存する確率は大
である。この封止樹脂6中に気泡7を残存させたままI
C4の信頼性試験である例えば121℃、2気圧中に配
線基板2を放置するプレッシャークツカー試験にかけた
状態を第3図を見ながら説明する。封止樹脂6中の気泡
7も圧力が2気圧となり配線基板2を大気中に出すと2
気圧の気体が封じ込められた上記気泡7が急激に彫版し
て極端にはIC4を浮きあがらせ上記封止樹脂6を破壊
し、導体線5を断線させる状態が発生する。このような
問題点を解決するために、ダイボンド接着剤3の供給面
積を広げ、上記IC4の裏面に空洞ができないようにす
る方式としてデイスペンサ一方式では先端の細いマルチ
ノズルを用いるがマルチノズルではノズル1本ずつの量
コントロールが非常に困難であることと供給量の再現性
が問題であった。一方転写方式では転写治具で引き上げ
る接着剤の量のばらつきが大きくまた厚みのばらつきも
大きいものであった。更に封止樹脂の供給においては、
ボッティング方式、印刷方式ともに供給速度を極端に落
とせば気泡を内蔵する確率は少なかったが量産性に欠け
るものであった。
置固定されたrCの裏面にダイボンド接着剤の無い空洞
が発生していても、封止方式が数10b/cdの圧力で
封止樹脂を充填するトランスファー成形法であるため、
比較的空洞中に封止樹脂が充填され、またICの厚みが
厚(とも同じく充填圧力が高いため封止樹脂に気泡が残
ることはほとんどない。ところが上記のごとく封止樹脂
6の充填がボッティング、印刷方式のように常圧による
方式であれば封止樹脂6中に気泡7の残存する確率は大
である。この封止樹脂6中に気泡7を残存させたままI
C4の信頼性試験である例えば121℃、2気圧中に配
線基板2を放置するプレッシャークツカー試験にかけた
状態を第3図を見ながら説明する。封止樹脂6中の気泡
7も圧力が2気圧となり配線基板2を大気中に出すと2
気圧の気体が封じ込められた上記気泡7が急激に彫版し
て極端にはIC4を浮きあがらせ上記封止樹脂6を破壊
し、導体線5を断線させる状態が発生する。このような
問題点を解決するために、ダイボンド接着剤3の供給面
積を広げ、上記IC4の裏面に空洞ができないようにす
る方式としてデイスペンサ一方式では先端の細いマルチ
ノズルを用いるがマルチノズルではノズル1本ずつの量
コントロールが非常に困難であることと供給量の再現性
が問題であった。一方転写方式では転写治具で引き上げ
る接着剤の量のばらつきが大きくまた厚みのばらつきも
大きいものであった。更に封止樹脂の供給においては、
ボッティング方式、印刷方式ともに供給速度を極端に落
とせば気泡を内蔵する確率は少なかったが量産性に欠け
るものであった。
課題を解決するための手段
そして上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、配
線基板上にICより広い面積となるようにダイボンド接
着剤を設け、ICの外周部をこのダイボンド接着剤に埋
設して接着固定し、その後、印刷方式にてICを封止樹
脂で封止するものである 作用 このようにICの外周部をダイボンド接着剤が覆ってい
ることにより、ICの端面の急峻な段差が緩和され、封
止樹脂を印刷方式でlc上に供給した場合、気泡が封じ
込められることがないことから製造歩留りを上げ、信頼
性を向上させることが可能である。
線基板上にICより広い面積となるようにダイボンド接
着剤を設け、ICの外周部をこのダイボンド接着剤に埋
設して接着固定し、その後、印刷方式にてICを封止樹
脂で封止するものである 作用 このようにICの外周部をダイボンド接着剤が覆ってい
ることにより、ICの端面の急峻な段差が緩和され、封
止樹脂を印刷方式でlc上に供給した場合、気泡が封じ
込められることがないことから製造歩留りを上げ、信頼
性を向上させることが可能である。
実施例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。第1図は本発明の実施例によるCOB工法の製造プ
ロセスフローを示す。導体配線11の施された配線基板
12の一部に例えば絶縁性エポキシ樹脂のダイボンド接
着剤13を印刷方式にて供給する(第1図a)。この場
合上記ダイボンド接着剤13の印刷面積は載置するIC
14の面積よりも大きくしている。例えばIC14が5
×511II11であれば印刷面積は5.5X5.5m
mとした。これはIC14の四辺の端面の一部を上記ダ
イボンド接着剤13で覆うためである。ちなみに本実施
例での印刷方式は200メツシユのステンレススクリー
ン版を用いており上記ダイボンド接着剤13の厚みは3
5IJIIであった。また印刷方式は上記ダイボンド接
着剤13の印刷面積、厚みの制御が比較的容易であるた
め、上記導体配線11の近傍まで印刷することが可能で
ある。次に上記ダイボンド接着剤13のほぼ中央部に5
x5x0.4mmtのIC14を載置し、所定の荷重を
かけマウントする(第1図b)。この荷重により上記ダ
イボンド接着剤13の一部が上記IC14の外周面15
の一部に盛り上がり被覆する。上記ダイボンド接着剤1
3の印刷形状が上記IC14と相似系でしかも大きいこ
とから、上記IC14の四辺の上記外周面15をほぼ均
等に上記ダイボンド接着剤13が覆うことになる。この
ことから上記IC14の上記外周面15の急峻な段差は
上記ダイボンド接着剤13でテーパーが形成され緩和さ
れる。ちなみに上記外周面15への上記ダイボンド接着
剤13の盛り上がりは上記IC14の底辺から0.2m
mm程度であった。また、上記ダイボンド接着剤13は
均一な厚みに印刷されているため、上記配線基板12と
上記IC14の裏面の間には空洞は生じない。続いて上
記IC14のアルミパッド(図示せず)と上記導体配線
11を例えば金、アルミ等の導体線16で接続する(第
1図C)。最後に上記導体配線11.ダイボンド接着剤
13.IC14゜導体線16の一部を封止樹脂17で封
止する(第1図d)。この場合の上記封止樹脂17の供
給方法は所定のパターンが形成された印刷用スクリーン
、メタル等の印刷版18を用い、例えばウレタン製のス
キージで上記封止樹脂17を印刷塗布する。印刷する上
記封止樹脂17の厚みは上記印刷版18と上記配線基板
11の間隔A、上記印刷版18の厚み等で任意に設定が
可能である。ちなみに本実施例では上記印刷版18に厚
み0.2mmのメタルマスクを用い、上記間隔Aを0.
5mmに設定した場合上記封止樹脂17の厚みは0.6
mであった。本実施例では上記ダイボンド接着剤13に
は絶縁性エポキシ樹脂を用いたが必要に応じて導電性で
あっても、また、印刷方式で印刷が可能であればいずれ
の接着剤でもかまわない。更に上記ダイボンド接着剤1
3の印刷面積も上記IC14より太き(しているが上記
IC14をマウントして上記外周面15を均等に覆うよ
うにすれば上記ダイボンド接着剤13の厚みを厚くして
、印刷面積は上記IC14より小さくしても構わない。
る。第1図は本発明の実施例によるCOB工法の製造プ
ロセスフローを示す。導体配線11の施された配線基板
12の一部に例えば絶縁性エポキシ樹脂のダイボンド接
着剤13を印刷方式にて供給する(第1図a)。この場
合上記ダイボンド接着剤13の印刷面積は載置するIC
14の面積よりも大きくしている。例えばIC14が5
×511II11であれば印刷面積は5.5X5.5m
mとした。これはIC14の四辺の端面の一部を上記ダ
イボンド接着剤13で覆うためである。ちなみに本実施
例での印刷方式は200メツシユのステンレススクリー
ン版を用いており上記ダイボンド接着剤13の厚みは3
5IJIIであった。また印刷方式は上記ダイボンド接
着剤13の印刷面積、厚みの制御が比較的容易であるた
め、上記導体配線11の近傍まで印刷することが可能で
ある。次に上記ダイボンド接着剤13のほぼ中央部に5
x5x0.4mmtのIC14を載置し、所定の荷重を
かけマウントする(第1図b)。この荷重により上記ダ
イボンド接着剤13の一部が上記IC14の外周面15
の一部に盛り上がり被覆する。上記ダイボンド接着剤1
3の印刷形状が上記IC14と相似系でしかも大きいこ
とから、上記IC14の四辺の上記外周面15をほぼ均
等に上記ダイボンド接着剤13が覆うことになる。この
ことから上記IC14の上記外周面15の急峻な段差は
上記ダイボンド接着剤13でテーパーが形成され緩和さ
れる。ちなみに上記外周面15への上記ダイボンド接着
剤13の盛り上がりは上記IC14の底辺から0.2m
mm程度であった。また、上記ダイボンド接着剤13は
均一な厚みに印刷されているため、上記配線基板12と
上記IC14の裏面の間には空洞は生じない。続いて上
記IC14のアルミパッド(図示せず)と上記導体配線
11を例えば金、アルミ等の導体線16で接続する(第
1図C)。最後に上記導体配線11.ダイボンド接着剤
13.IC14゜導体線16の一部を封止樹脂17で封
止する(第1図d)。この場合の上記封止樹脂17の供
給方法は所定のパターンが形成された印刷用スクリーン
、メタル等の印刷版18を用い、例えばウレタン製のス
キージで上記封止樹脂17を印刷塗布する。印刷する上
記封止樹脂17の厚みは上記印刷版18と上記配線基板
11の間隔A、上記印刷版18の厚み等で任意に設定が
可能である。ちなみに本実施例では上記印刷版18に厚
み0.2mmのメタルマスクを用い、上記間隔Aを0.
5mmに設定した場合上記封止樹脂17の厚みは0.6
mであった。本実施例では上記ダイボンド接着剤13に
は絶縁性エポキシ樹脂を用いたが必要に応じて導電性で
あっても、また、印刷方式で印刷が可能であればいずれ
の接着剤でもかまわない。更に上記ダイボンド接着剤1
3の印刷面積も上記IC14より太き(しているが上記
IC14をマウントして上記外周面15を均等に覆うよ
うにすれば上記ダイボンド接着剤13の厚みを厚くして
、印刷面積は上記IC14より小さくしても構わない。
発明の効果
本発明である印刷方式でダイボンド接着剤を供給するこ
とにより配線基板とICの間に空間が生じず、また、I
Cの外周面の一部も均等な高さまでダイボンド接着剤で
覆い、ICの段差を緩和した状態で、同じく印刷方式に
て封止樹脂で封止すればICの段差が緩和されているこ
とから、封止樹脂中に気胞が生じることがなく、半導体
装置として信頼性を向上させることが可能となる。更に
封止方式として印刷方式を用いることから量産性を向上
させることも可能である。
とにより配線基板とICの間に空間が生じず、また、I
Cの外周面の一部も均等な高さまでダイボンド接着剤で
覆い、ICの段差を緩和した状態で、同じく印刷方式に
て封止樹脂で封止すればICの段差が緩和されているこ
とから、封止樹脂中に気胞が生じることがなく、半導体
装置として信頼性を向上させることが可能となる。更に
封止方式として印刷方式を用いることから量産性を向上
させることも可能である。
第1図(a)〜(d)は本発明の製造フローを示す断面
図、第2図(a)〜(d)は従来の製造フローを示す断
面図、第3図は信頼性試験による従来工法のICの破壊
状態を示す断面図である。 13・・・・・・ダイボンド接着剤、14・・・・・・
IC115・・・・・・端面、17・・・・・・封止樹
脂、18・・・・・・印刷版。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第1図 第 図 第 図
図、第2図(a)〜(d)は従来の製造フローを示す断
面図、第3図は信頼性試験による従来工法のICの破壊
状態を示す断面図である。 13・・・・・・ダイボンド接着剤、14・・・・・・
IC115・・・・・・端面、17・・・・・・封止樹
脂、18・・・・・・印刷版。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第1図 第 図 第 図
Claims (1)
- 配線基板上の一部に印刷方式によりダイボンド接着剤を
半導体集積回路より広い面積となるように供給する工程
と、上記ダイボンド接着剤上に半導体集積回路の外周部
を埋設して固定する工程と、上記半導体集積回路を配線
基板上で印刷方式により封止樹脂で封止する工程よりな
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6243889A JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP6243889A JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02241040A true JPH02241040A (ja) | 1990-09-25 |
JP2679224B2 JP2679224B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=13200203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP6243889A Expired - Fee Related JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2679224B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114620A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Nippon Retsuku Kk | 電気部品の樹脂封止法 |
JP2008028040A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JP2010239162A (ja) * | 2010-07-26 | 2010-10-21 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014110282A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toyota Motor Corp | 金属微粒子含有ペーストを用いる接合方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6243889A patent/JP2679224B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05114620A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Nippon Retsuku Kk | 電気部品の樹脂封止法 |
JP2008028040A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
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JP2014110282A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toyota Motor Corp | 金属微粒子含有ペーストを用いる接合方法 |
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Publication number | Publication date |
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