JPH04300300A - 無支持焼結立方晶窒化ホウ素／ダイヤモンド一体結合成形体及びその製造方法 - Google Patents
無支持焼結立方晶窒化ホウ素／ダイヤモンド一体結合成形体及びその製造方法Info
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/008—Abrasive bodies without external bonding agent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/062—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/0645—Boronitrides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/066—Boronitrides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/0685—Crystal sintering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【発明の背景】本発明は高圧／高温（ＨＰ／ＨＴ）法に
より製造される立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）成形体に関
し、そして更に詳しくはダイヤモンド粒子が植え込まれ
た前記成形体に関する。
より製造される立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）成形体に関
し、そして更に詳しくはダイヤモンド粒子が植え込まれ
た前記成形体に関する。
【０００２】ＨＰ／ＨＴ法によるＣＢＮの製造は当業界
で公知であり、基本的な単結晶質ＣＢＮの例である米国
特許第２，９４７，６１７号明細書に記載されている方
法に代表される。米国特許第４，１８８，１９４号明細
書には、触媒及び焼結助剤の不在下で熱分解六方晶窒化
ホウ素（ＰＢＮ）を用いる焼結多結晶質ＣＢＮ成形体の
製造方法が記載されている。米国特許第４，２８９，５
０３号明細書には、転移過程が進行する前に前記六方晶
窒化ホウ素粉の表面から酸化ホウ素を除去する、前記直
接転移法に対する改良が開示されている。米国特許第４
，６７３，４１４号では、ＨＰ／ＨＴ法によって実質的
に触媒を含まない、ホウ素に富む多結晶質立方晶窒化ホ
ウ素粒子を焼結させることにより、多結晶質立方晶窒化
ホウ素を再焼結させている。この再焼結ＣＢＮ製品は、
必要に応じて成形体として得ることができる。
で公知であり、基本的な単結晶質ＣＢＮの例である米国
特許第２，９４７，６１７号明細書に記載されている方
法に代表される。米国特許第４，１８８，１９４号明細
書には、触媒及び焼結助剤の不在下で熱分解六方晶窒化
ホウ素（ＰＢＮ）を用いる焼結多結晶質ＣＢＮ成形体の
製造方法が記載されている。米国特許第４，２８９，５
０３号明細書には、転移過程が進行する前に前記六方晶
窒化ホウ素粉の表面から酸化ホウ素を除去する、前記直
接転移法に対する改良が開示されている。米国特許第４
，６７３，４１４号では、ＨＰ／ＨＴ法によって実質的
に触媒を含まない、ホウ素に富む多結晶質立方晶窒化ホ
ウ素粒子を焼結させることにより、多結晶質立方晶窒化
ホウ素を再焼結させている。この再焼結ＣＢＮ製品は、
必要に応じて成形体として得ることができる。
【０００３】成形体は、自己結合関係により［米国特許
第３，８５２，０７３号及び同３，８７６，７５１号各
明細書参照］、結合媒体により［米国特許第３，１３６
，６１５号、同３，２３３，９８８号、同３，７４３，
４８９号、同３，７６７，３７１号及び同３，９１８，
９３１号各明細書参照］又はこれらの組合せにより互い
に結合した研削材粒子の塊である。複合成形体は、焼結
金属炭化物等の基体材料に成形体を結合させたものであ
る。米国特許第３，９１８，２１９号明細書には、複合
ＣＢＮ成形体を形成するため、炭化物塊と接触させて六
方晶窒化ホウ素（ＨＢＮ）をＣＢＮへ触媒転移すること
が教示されている。成形体又は複合成形体は、切削工具
用ブランク、ビット、ドレッシング工具及び摩耗部品に
使用することができる［米国特許第３，１３６，６１５
号及び同３，２３３，９８８号各明細書参照。］米国特
許第３，１３６，６１５号明細書においては、ダイヤモ
ンド粒子、ＣＢＮ粒子又はこれらの混合物を炭化ホウ素
から本質的に成る結合媒体により結合させることが提案
されている。米国特許第３，７３５，３２１号明細書に
おいては、ダイヤモンド、ＣＢＮ又はこれらの混合物の
ドープされた成形体を形成することによるサーミスター
が提案されている。ホウ素が好適なドープ剤である。米
国特許第３，７４４，９８２号明細書においては、ホウ
素合金化ダイヤモンド微粉、ベリリウム合金化立方晶窒
化ホウ素微粉及びこれらの混合物を包含する第１群及び
二ホウ化ジルコニウム、二ホウ化チタン及びこれらの混
合物から選ばれる第２群の一員から形成される混合物か
ら形成される１０オーム・ｃｍ以下の電気抵抗率を有す
る成形体が提案されている。従来からのＨＰ／ＨＴ条件
が用いられている。前出の米国特許第３，７６７，３７
１号明細書、実施例３では、複合成形体の形成において
ＣＢＮ、ダイヤモンド及び焼結炭化タングステンの混合
物を用いている。最後に、米国特許第３，８３１，４２
８号においては複合線引ダイス成形体を形成しており、
そこではＣＢＮとダイヤモンドとの混合物（及びこれら
各成分単独）が提案されている。
第３，８５２，０７３号及び同３，８７６，７５１号各
明細書参照］、結合媒体により［米国特許第３，１３６
，６１５号、同３，２３３，９８８号、同３，７４３，
４８９号、同３，７６７，３７１号及び同３，９１８，
９３１号各明細書参照］又はこれらの組合せにより互い
に結合した研削材粒子の塊である。複合成形体は、焼結
金属炭化物等の基体材料に成形体を結合させたものであ
る。米国特許第３，９１８，２１９号明細書には、複合
ＣＢＮ成形体を形成するため、炭化物塊と接触させて六
方晶窒化ホウ素（ＨＢＮ）をＣＢＮへ触媒転移すること
が教示されている。成形体又は複合成形体は、切削工具
用ブランク、ビット、ドレッシング工具及び摩耗部品に
使用することができる［米国特許第３，１３６，６１５
号及び同３，２３３，９８８号各明細書参照。］米国特
許第３，１３６，６１５号明細書においては、ダイヤモ
ンド粒子、ＣＢＮ粒子又はこれらの混合物を炭化ホウ素
から本質的に成る結合媒体により結合させることが提案
されている。米国特許第３，７３５，３２１号明細書に
おいては、ダイヤモンド、ＣＢＮ又はこれらの混合物の
ドープされた成形体を形成することによるサーミスター
が提案されている。ホウ素が好適なドープ剤である。米
国特許第３，７４４，９８２号明細書においては、ホウ
素合金化ダイヤモンド微粉、ベリリウム合金化立方晶窒
化ホウ素微粉及びこれらの混合物を包含する第１群及び
二ホウ化ジルコニウム、二ホウ化チタン及びこれらの混
合物から選ばれる第２群の一員から形成される混合物か
ら形成される１０オーム・ｃｍ以下の電気抵抗率を有す
る成形体が提案されている。従来からのＨＰ／ＨＴ条件
が用いられている。前出の米国特許第３，７６７，３７
１号明細書、実施例３では、複合成形体の形成において
ＣＢＮ、ダイヤモンド及び焼結炭化タングステンの混合
物を用いている。最後に、米国特許第３，８３１，４２
８号においては複合線引ダイス成形体を形成しており、
そこではＣＢＮとダイヤモンドとの混合物（及びこれら
各成分単独）が提案されている。
【０００４】以上のＣＢＮ／ダイヤモンド一体結合成形
体において、以上の引用例の全ては、成形体形成の間に
触媒及び焼結助剤の存在を必要とする点で一致している
。事実、いくつかのデータでは、アルミニウム又は他の
焼結助剤が含まれていてもＣＢＮ結晶間結合が欠乏して
いることが示されている。また、支持されている成形体
が、これら引用例の夫々において提案されている主要な
製品である。
体において、以上の引用例の全ては、成形体形成の間に
触媒及び焼結助剤の存在を必要とする点で一致している
。事実、いくつかのデータでは、アルミニウム又は他の
焼結助剤が含まれていてもＣＢＮ結晶間結合が欠乏して
いることが示されている。また、支持されている成形体
が、これら引用例の夫々において提案されている主要な
製品である。
【０００５】
【発明の広義の開示】本発明は、支持されていない、触
媒及び焼結助剤の実質的不在下で製造される、そして立
方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）の結晶間結合を示す、焼結多
結晶質ＣＢＮ／ダイヤモンド一体結合成形体に係わる。 触媒及び焼結助剤の不在により、これらの一体結合塊は
十分に緻密で且つ熱的に安定になる。
媒及び焼結助剤の実質的不在下で製造される、そして立
方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）の結晶間結合を示す、焼結多
結晶質ＣＢＮ／ダイヤモンド一体結合成形体に係わる。 触媒及び焼結助剤の不在により、これらの一体結合塊は
十分に緻密で且つ熱的に安定になる。
【０００６】本発明の無支持の焼結されたＣＢＮ／ダイ
ヤモンド一体結合成形体は、ＣＢＮ又はＣＢＮ形成物質
とダイヤモンド粒子との混合物を触媒及び焼結助剤の実
質的不在下で、ＣＢＮ結晶間結合により特徴づけられ、
そして一体結合成形体の全域に亘り分散したダイヤモン
ド粒子を含む無支持の焼結された多結晶質ＣＢＮ成形体
を形成するための高圧／高温（ＨＰ／ＨＴ）条件に付す
ことにより製造することができる。前記の新規な一体結
合成形体を形成するための原料には、熱分解六方晶窒化
ホウ素（ＰＢＮ）、単結晶質及び多結晶質ＣＢＮ、及び
ホウ素に富む多結晶質ＣＢＮが包含される。
ヤモンド一体結合成形体は、ＣＢＮ又はＣＢＮ形成物質
とダイヤモンド粒子との混合物を触媒及び焼結助剤の実
質的不在下で、ＣＢＮ結晶間結合により特徴づけられ、
そして一体結合成形体の全域に亘り分散したダイヤモン
ド粒子を含む無支持の焼結された多結晶質ＣＢＮ成形体
を形成するための高圧／高温（ＨＰ／ＨＴ）条件に付す
ことにより製造することができる。前記の新規な一体結
合成形体を形成するための原料には、熱分解六方晶窒化
ホウ素（ＰＢＮ）、単結晶質及び多結晶質ＣＢＮ、及び
ホウ素に富む多結晶質ＣＢＮが包含される。
【０００７】本発明の利点には、通常の多結晶質ダイヤ
モンド成形体（ＰＤＣ）又はＣＢＮ成形体が適用できな
い分野に用途を持つ成形体を形成することができる点が
含まれる。金属質焼結助剤が不在なため、一体結合塊は
、焼結助剤の促進により製造される従来からのＣＢＮ又
はＰＤＣ製品より高い温度で熱的に安定となる。他の利
点は、ダイヤモンド粒子が埋め込まれたＣＢＮマトリッ
クスにより、ダイヤモンド粒子の酸化に対する抵抗力が
一層高い一体結合成形体が得られる点である。更に他の
利点は、ダイヤモンド粒子の存在のために従来からのＣ
ＢＮ成形体と比べて高い耐摩耗性を有する一体結合成形
体が得られる点である。これらの、そして他の利点が、
本明細書の開示により当業者に容易に明らかとなろう。
モンド成形体（ＰＤＣ）又はＣＢＮ成形体が適用できな
い分野に用途を持つ成形体を形成することができる点が
含まれる。金属質焼結助剤が不在なため、一体結合塊は
、焼結助剤の促進により製造される従来からのＣＢＮ又
はＰＤＣ製品より高い温度で熱的に安定となる。他の利
点は、ダイヤモンド粒子が埋め込まれたＣＢＮマトリッ
クスにより、ダイヤモンド粒子の酸化に対する抵抗力が
一層高い一体結合成形体が得られる点である。更に他の
利点は、ダイヤモンド粒子の存在のために従来からのＣ
ＢＮ成形体と比べて高い耐摩耗性を有する一体結合成形
体が得られる点である。これらの、そして他の利点が、
本明細書の開示により当業者に容易に明らかとなろう。
【０００８】
【発明の詳述】前記ＨＰ／ＨＴ条件に付す前記混合物に
は、ＣＢＮ、又は使用する前記ＨＰ／ＨＴ条件下でＣＢ
Ｎを形成する物質が含まれる。その代りに、ＣＢＮとＣ
ＢＮ形成物質との混合物を使用することもできる。ＣＢ
Ｎ形成物質に関しては、低圧形窒化ホウ素粉（ＧＢＮ）
が、該低圧相窒化ホウ素を前記立方晶相に転移させるの
に十分な温度及び圧力の適用とともに当業界において公
知である。前記ＧＢＮ反応物質の大きさは１．５ｍｍま
での範囲内であることができるが、しかし商業的規模の
操作におけるＧＢＮの典型的な寸法範囲は粒径で約０．
１乃至１０ミクロンの範囲内である。ＧＢＮのＣＢＮへ
の変態を阻害する不純物が前記反応混合物中に含まれな
いことが重要である。例えば米国特許第４，２８９，５
０３号明細書に教示されている様な六方晶窒化ホウ素（
ＨＢＮ）粉の表面からの酸化ホウ素の除去など、ＧＢＮ
相に対する従来法による取扱及び予備加工が望ましい場
合がある。
は、ＣＢＮ、又は使用する前記ＨＰ／ＨＴ条件下でＣＢ
Ｎを形成する物質が含まれる。その代りに、ＣＢＮとＣ
ＢＮ形成物質との混合物を使用することもできる。ＣＢ
Ｎ形成物質に関しては、低圧形窒化ホウ素粉（ＧＢＮ）
が、該低圧相窒化ホウ素を前記立方晶相に転移させるの
に十分な温度及び圧力の適用とともに当業界において公
知である。前記ＧＢＮ反応物質の大きさは１．５ｍｍま
での範囲内であることができるが、しかし商業的規模の
操作におけるＧＢＮの典型的な寸法範囲は粒径で約０．
１乃至１０ミクロンの範囲内である。ＧＢＮのＣＢＮへ
の変態を阻害する不純物が前記反応混合物中に含まれな
いことが重要である。例えば米国特許第４，２８９，５
０３号明細書に教示されている様な六方晶窒化ホウ素（
ＨＢＮ）粉の表面からの酸化ホウ素の除去など、ＧＢＮ
相に対する従来法による取扱及び予備加工が望ましい場
合がある。
【０００９】その代りに、本発明に係わる前記反応混合
物において、従来からの単結晶質及び多結晶質ＣＢＮを
使用することもできる。この種のＣＢＮ粒子の製造方法
が、前出の文献によく示されている。
物において、従来からの単結晶質及び多結晶質ＣＢＮを
使用することもできる。この種のＣＢＮ粒子の製造方法
が、前出の文献によく示されている。
【００１０】本発明に係わる前記ＨＰ／ＨＴ法に付すＣ
ＢＮ／ダイヤモンド混合物を形成する際に、ホウ素に富
む多結晶質ＣＢＮ粒子を使用することもできる。このホ
ウ素に富む多結晶質ＣＢＮの１つの製造方法には、英国
特許第１，５１３，９９０号明細書に記載されている様
なＨＢＮ粉とホウ素単体又は様々なホウ素含有化合物（
例えばＡｌＢ１２）との混合物の高圧／高温加工が含ま
れる。前記ホウ素に富む多結晶質ＣＢＮのもう１つの製
造方法には、ＣＢＮへの転移の前に、酸化物不含ＨＢＮ
の表面で過剰のホウ素を生成させることが含まれる。こ
の過剰のホウ素は、米国特許第４，２８９，５０３号明
細書に記載されている様に、高圧／高温加工によるＣＢ
Ｎへの転移の前に、六方晶窒化ホウ素熱分解範囲内の温
度で真空焼成及び不活性雰囲気下での加熱により行なわ
れる予備処理によって生成される。
ＢＮ／ダイヤモンド混合物を形成する際に、ホウ素に富
む多結晶質ＣＢＮ粒子を使用することもできる。このホ
ウ素に富む多結晶質ＣＢＮの１つの製造方法には、英国
特許第１，５１３，９９０号明細書に記載されている様
なＨＢＮ粉とホウ素単体又は様々なホウ素含有化合物（
例えばＡｌＢ１２）との混合物の高圧／高温加工が含ま
れる。前記ホウ素に富む多結晶質ＣＢＮのもう１つの製
造方法には、ＣＢＮへの転移の前に、酸化物不含ＨＢＮ
の表面で過剰のホウ素を生成させることが含まれる。こ
の過剰のホウ素は、米国特許第４，２８９，５０３号明
細書に記載されている様に、高圧／高温加工によるＣＢ
Ｎへの転移の前に、六方晶窒化ホウ素熱分解範囲内の温
度で真空焼成及び不活性雰囲気下での加熱により行なわ
れる予備処理によって生成される。
【００１１】前記ＣＢＮ又はＣＢＮ形成物質と混合する
ダイヤモンド粒子は、平均粒径で約１７０ミクロンまで
の範囲内であることができが、しかし典型的には、ダイ
ヤモンド粒子は平均粒径で約４乃至７５ミクロンの範囲
内である。前記出発混合物中に存在するダイヤモンド粒
子の割合は、約５０乃至９５重量％の範囲内であること
ができる。焼結阻害不純物を除去するためのダイヤモン
ド粒子の予備処理も、同様に当業界で公知の方法で実施
することができる。
ダイヤモンド粒子は、平均粒径で約１７０ミクロンまで
の範囲内であることができが、しかし典型的には、ダイ
ヤモンド粒子は平均粒径で約４乃至７５ミクロンの範囲
内である。前記出発混合物中に存在するダイヤモンド粒
子の割合は、約５０乃至９５重量％の範囲内であること
ができる。焼結阻害不純物を除去するためのダイヤモン
ド粒子の予備処理も、同様に当業界で公知の方法で実施
することができる。
【００１２】本発明の実施に際して、前記混合物を米国
特許第４，２８９，５０３号明細書に記載されているも
のの様な高圧／高温装置内に配置し、そして焼結又は再
焼結が生起するのに十分な時間に亘り加圧下、そして温
度下に置く。その後、当業界で公知である様に、ＣＢＮ
のＨＢＮへの再転移又は逆転移を防止するために試料を
加圧下で冷却させ、そして最後に圧力を大気圧まで低下
させて一体結合塊又は成形体を採取する。当業界で教示
されている様に、４５キロバール以上の圧力が適切であ
り、通常この圧力は約４５乃至８０キロバールの範囲内
である。温度は少なくとも約１５００℃であるが、しか
しＣＢＮの再転移温度以下である必要がある。好ましく
は、当業界で教示されている様に、温度は約１５００乃
至２３００℃の範囲内である。焼結又は再焼結が生起す
るのに必要な時間は、当業界で周知である様に、選択し
た温度と圧力との組合せに必ず依存する。
特許第４，２８９，５０３号明細書に記載されているも
のの様な高圧／高温装置内に配置し、そして焼結又は再
焼結が生起するのに十分な時間に亘り加圧下、そして温
度下に置く。その後、当業界で公知である様に、ＣＢＮ
のＨＢＮへの再転移又は逆転移を防止するために試料を
加圧下で冷却させ、そして最後に圧力を大気圧まで低下
させて一体結合塊又は成形体を採取する。当業界で教示
されている様に、４５キロバール以上の圧力が適切であ
り、通常この圧力は約４５乃至８０キロバールの範囲内
である。温度は少なくとも約１５００℃であるが、しか
しＣＢＮの再転移温度以下である必要がある。好ましく
は、当業界で教示されている様に、温度は約１５００乃
至２３００℃の範囲内である。焼結又は再焼結が生起す
るのに必要な時間は、当業界で周知である様に、選択し
た温度と圧力との組合せに必ず依存する。
【００１３】反応セルから採取した一体結合成形体を、
その後、例えばカップ除去及び研削操作など、従来法に
より加工する。そのほか、当業界で周知である様に、生
成物を特定の形態に切断したり、あるいは支持体に固定
しその後切断することもできる。
その後、例えばカップ除去及び研削操作など、従来法に
より加工する。そのほか、当業界で周知である様に、生
成物を特定の形態に切断したり、あるいは支持体に固定
しその後切断することもできる。
【００１４】前記一体結合塊を触媒及び焼結助剤の実質
的不在下で製造するため、前記ＨＰ／ＨＴ法の注意深い
実施により極めて緻密な成形体が得られる。また、焼結
助剤の不在のために、本発明の一体結合成形体により熱
安定性が示される。未だ実験により証明されていないが
、ＣＢＮマトリックスがダイヤモンド粒をある程度酸化
から保護するが当然期待される。更に、ダイヤモンド粒
子は成形体の硬さを高め、機械加工、穴あけ及び／又は
ドレッシングを包含する用途への使用を可能にしている
。
的不在下で製造するため、前記ＨＰ／ＨＴ法の注意深い
実施により極めて緻密な成形体が得られる。また、焼結
助剤の不在のために、本発明の一体結合成形体により熱
安定性が示される。未だ実験により証明されていないが
、ＣＢＮマトリックスがダイヤモンド粒をある程度酸化
から保護するが当然期待される。更に、ダイヤモンド粒
子は成形体の硬さを高め、機械加工、穴あけ及び／又は
ドレッシングを包含する用途への使用を可能にしている
。
【００１５】以下の実施例により本発明の実施態様を示
すが、しかしこれにより減縮することを意図してはいな
い。本明細書において、特に断わらない限り、全ての百
分率及び割合は重量基準であり、そして全ての単位はメ
ートル系による。
すが、しかしこれにより減縮することを意図してはいな
い。本明細書において、特に断わらない限り、全ての百
分率及び割合は重量基準であり、そして全ての単位はメ
ートル系による。
【００１６】
【実施例】７５ミクロンのダイヤモンド粉を、ミクロン
サイズの立方晶窒化ホウ素粉と４：１の重量比で混合し
た。この粉末混合物を、触媒物質を伴なわずにタンタル
カップ内に充填した。その後、この粉末を約１５００℃
の温度、約６０キロバールの圧力で約１０分間加熱した
。得られた複合材料は、ＣＢＮのマトリックスで囲まれ
たダイヤモンド粒子の塊であった。Ｘ線回折パターンに
より、ダイヤモンドとＣＢＮとの２相系が明らかにされ
た。顕微鏡写真により、ＣＢＮのマトリックスに囲まれ
た大きなダイヤモンド粒子が明らかにされた。オージェ
元素ドットマトリックスにより、巨大粒子が炭素であり
、そしてマトリックス物質がホウ素と窒素とから成って
いることが明白に示された。灯油浸透気孔率測定を行な
ったところ複合体の気孔率は約０．８％であった。
サイズの立方晶窒化ホウ素粉と４：１の重量比で混合し
た。この粉末混合物を、触媒物質を伴なわずにタンタル
カップ内に充填した。その後、この粉末を約１５００℃
の温度、約６０キロバールの圧力で約１０分間加熱した
。得られた複合材料は、ＣＢＮのマトリックスで囲まれ
たダイヤモンド粒子の塊であった。Ｘ線回折パターンに
より、ダイヤモンドとＣＢＮとの２相系が明らかにされ
た。顕微鏡写真により、ＣＢＮのマトリックスに囲まれ
た大きなダイヤモンド粒子が明らかにされた。オージェ
元素ドットマトリックスにより、巨大粒子が炭素であり
、そしてマトリックス物質がホウ素と窒素とから成って
いることが明白に示された。灯油浸透気孔率測定を行な
ったところ複合体の気孔率は約０．８％であった。
Claims (11)
- 【請求項１】 立方晶窒化ホウ素又は立方晶窒化ホウ
素形成物質とダイヤモンド粒子との混合物を触媒及び焼
結助剤の実質的不在下で、立方晶窒化ホウ素の結晶間結
合により特徴づけられ、そして一体結合成形体の全域に
亘り分散したダイヤモンド粒子を含む無支持の焼結され
た多結晶質立方晶窒化ホウ素成形体を形成するための高
圧／高温条件に付すことからなる焼結された多結晶質立
方晶窒化ホウ素／ダイヤモンド一体結合成形体の形成方
法。 - 【請求項２】 混合物が黒鉛類似構造の窒化ホウ素を
含む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 立方晶窒化ホウ素又は立方晶窒化ホウ
素形成物質の粒径が約１．５ｍｍまでの範囲内である請
求項１記載の方法。 - 【請求項４】 立方晶窒化ホウ素又は立方晶窒化ホウ
素形成物質の大きさが約０．１乃至１０ミクロンの範囲
内である請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 混合物中でのダイヤモンドの割合が約
５０乃至９５重量％である請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 混合物中でのダイヤモンドの割合が約
７５乃至８５重量％の範囲内である請求項５記載の方法
。 - 【請求項７】 ダイヤモンド粒子の大きさが約１乃至
１７０ミクロンの範囲内である請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 ダイヤモンド粒子の大きさが約４乃至
７５ミクロンの範囲内である請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 高圧／高温条件が約４５キロバール以
上の圧力及び約１５００℃以上で、立方晶窒化ホウ素の
再転移温度以下の温度を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 圧力が約４５乃至８０キロバールの
範囲内であり、そして温度が約１５００乃至２３００℃
の範囲内である請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 立方晶窒化ホウ素の結晶間結合によ
り特徴づけられ、一体結合成形体の全域に亘り分散した
ダイヤモンド粒子を含み、そして触媒及び焼結助剤を実
質的に含まない無支持の焼結された立方晶窒化ホウ素／
ダイヤモンド一体結合成形体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60197090A | 1990-10-23 | 1990-10-23 | |
| US601,970 | 1990-10-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04300300A true JPH04300300A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=24409460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292005A Withdrawn JPH04300300A (ja) | 1990-10-23 | 1991-10-14 | 無支持焼結立方晶窒化ホウ素／ダイヤモンド一体結合成形体及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0482372A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04300300A (ja) |
| KR (1) | KR920007949A (ja) |
| CA (1) | CA2049672A1 (ja) |
| IE (1) | IE913698A1 (ja) |
| IL (1) | IL99850A0 (ja) |
| ZA (1) | ZA918091B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015508373A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-03-19 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | グラフェンを用いたｐｃｄの焼結を改善する方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2484888C1 (ru) * | 2011-12-27 | 2013-06-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента" (ОАО "ВНИИАЛМАЗ") | Способ получения поликристаллического материала на основе кубического нитрида бора, содержащего алмазы |
| CN113751711B (zh) * | 2020-06-04 | 2024-03-26 | 河南领科材料有限公司 | 一种聚晶立方氮化硼复合片及制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1070123A (en) * | 1969-04-17 | 1980-01-22 | Howard T. Hall | Diamond compacts |
| US3852078A (en) * | 1970-12-24 | 1974-12-03 | M Wakatsuki | Mass of polycrystalline cubic system boron nitride and composites of polycrystalline cubic system boron nitride and other hard materials, and processes for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-08-22 CA CA002049672A patent/CA2049672A1/en not_active Abandoned
- 1991-09-25 EP EP91116321A patent/EP0482372A1/en not_active Ceased
- 1991-10-09 ZA ZA918091A patent/ZA918091B/xx unknown
- 1991-10-14 JP JP3292005A patent/JPH04300300A/ja not_active Withdrawn
- 1991-10-22 IE IE369891A patent/IE913698A1/en not_active Application Discontinuation
- 1991-10-22 KR KR1019910018598A patent/KR920007949A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-10-24 IL IL99850A patent/IL99850A0/xx unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015508373A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-03-19 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | グラフェンを用いたｐｃｄの焼結を改善する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA918091B (en) | 1992-10-28 |
| CA2049672A1 (en) | 1992-04-24 |
| IL99850A0 (en) | 1992-08-18 |
| KR920007949A (ko) | 1992-05-27 |
| EP0482372A1 (en) | 1992-04-29 |
| IE913698A1 (en) | 1992-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |