JPH04196365A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH04196365A JPH04196365A JP2326607A JP32660790A JPH04196365A JP H04196365 A JPH04196365 A JP H04196365A JP 2326607 A JP2326607 A JP 2326607A JP 32660790 A JP32660790 A JP 32660790A JP H04196365 A JPH04196365 A JP H04196365A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、可撓性を有する光起電力装置の製造方法に関
する。
する。
（ロ）従来の技術
従来の可撓性光起電力装置の製造方法について第７図な
いし第１０図に従い説明する。
いし第１０図に従い説明する。
まず、第７図に示すように、ガラス、セラミックス、金
属等からなる支持基台１の一方の主面上の光電変換素子
が形成される領域より小許小さい領域にシリコン樹脂か
らなる離型剤層２が塗布形成される。
属等からなる支持基台１の一方の主面上の光電変換素子
が形成される領域より小許小さい領域にシリコン樹脂か
らなる離型剤層２が塗布形成される。
次に、第８図に示すように、支持基台】の離型剤層２を
含んで一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可撓性を有す
る有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜１００μｍの
厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミド等の有
機高分子材料からなるワニスをスピンコータあるいはロ
ールコータ等で均一に塗布し、１００℃から３００℃ま
で段階的に昇温しながら処理する。
含んで一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可撓性を有す
る有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜１００μｍの
厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミド等の有
機高分子材料からなるワニスをスピンコータあるいはロ
ールコータ等で均一に塗布し、１００℃から３００℃ま
で段階的に昇温しながら処理する。
その後、この第］樹脂層３の上面に、酸化錫（ＳｎＯ，
） 、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電極
４が膜厚２０００〜５０００人で形成される。
） 、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電極
４が膜厚２０００〜５０００人で形成される。
続いて、透明を極４の上面に、内部に膜面に平行なｐｉ
ｎ接合等の半導体光活性層を含む半導体接合を備えた膜
厚３０００〜７０００人のアモルファスシリコニ／（ａ
−５ｉ） 、アモルファスシｌフコンカーバイド（ａ−
５ｉＣ） 、アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−
５ｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系の半導体膜５が
プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成される。
ｎ接合等の半導体光活性層を含む半導体接合を備えた膜
厚３０００〜７０００人のアモルファスシリコニ／（ａ
−５ｉ） 、アモルファスシｌフコンカーバイド（ａ−
５ｉＣ） 、アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−
５ｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系の半導体膜５が
プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成される。
更に、半導体膜５の上面に、４０００人〜２μｍ程度の
厚さのアルミニウム（Ａ１）単層構造、または該アルミ
ニウムにチタン（丁］）またはチタン銀合金（丁ｊＡｇ
）を積層した２重構造、更には斯る２重構造を２重に積
み重ねた金属背面１ｉ榛６が形成される。
厚さのアルミニウム（Ａ１）単層構造、または該アルミ
ニウムにチタン（丁］）またはチタン銀合金（丁ｊＡｇ
）を積層した２重構造、更には斯る２重構造を２重に積
み重ねた金属背面１ｉ榛６が形成される。
然る後、背面電極６の上面に、２０μｍ程度の厚さの収
縮力の強いＥ Ｖ Ａ等の熱可塑性樹脂シートからなる
第２樹脂層７が形成される。
縮力の強いＥ Ｖ Ａ等の熱可塑性樹脂シートからなる
第２樹脂層７が形成される。
次の工程において、第９図及び第）０図に示すように、
第１１１１脂層３及び第２樹脂層７の間に光電変換素子
が挟まれた形態の可撓性光起電力装置９が離型剤層２の
領域内で、支持基台１のぶち周辺部から切断ライン８に
沿って、島状に切断される。
第１１１１脂層３及び第２樹脂層７の間に光電変換素子
が挟まれた形態の可撓性光起電力装置９が離型剤層２の
領域内で、支持基台１のぶち周辺部から切断ライン８に
沿って、島状に切断される。
最後に、島状に切断された光起電力装置９の樹脂層３と
支持基台ｌとを剥離して可撓性光起電力装置が形成され
る。
支持基台ｌとを剥離して可撓性光起電力装置が形成され
る。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の方法では、第〕樹脂層３とその上
に形成される透明１ｉ極４との熱膨張率の差が太きい、
即ち、例えばポリイミドからなる第１樹脂層３は、その
熱膨張率が３０〜４０Ｘ１σ′／°Ｃであり、例えば汀
Ｏからなる透明電極４は、その熱膨張率が３〜４×１０
−“７℃と、両者の熱膨張率が一桁以上相違するため、
両者間に剥離やクラックが発生するという間耕があった
。
に形成される透明１ｉ極４との熱膨張率の差が太きい、
即ち、例えばポリイミドからなる第１樹脂層３は、その
熱膨張率が３０〜４０Ｘ１σ′／°Ｃであり、例えば汀
Ｏからなる透明電極４は、その熱膨張率が３〜４×１０
−“７℃と、両者の熱膨張率が一桁以上相違するため、
両者間に剥離やクラックが発生するという間耕があった
。
又、第１樹脂層３として透明な樹脂層を形成する必要が
あるが、透明なポリイミド等からなる樹脂層は高価であ
るという難点かあった。
あるが、透明なポリイミド等からなる樹脂層は高価であ
るという難点かあった。
本発明は、前述した従来の問題点に鑑み、剥離やクラッ
ク等の発生をなくし且つ安価な光起電力装置を提供する
ことをその課題とする。
ク等の発生をなくし且つ安価な光起電力装置を提供する
ことをその課題とする。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、支持基台上に、可撓性の樹脂層、金属を擾、
薄膜半導体層及び透明電極からなる光電変換素子をこの
順序で形成した後、的記支持基台から樹脂層を剥離する
ことを特徴とする。
薄膜半導体層及び透明電極からなる光電変換素子をこの
順序で形成した後、的記支持基台から樹脂層を剥離する
ことを特徴とする。
（ホ）作用
樹脂層と樹脂層上に設けられる金属電極の熱膨張率を互
いに近似させることができ、両者間の剥離、クラック等
が防止できる。
いに近似させることができ、両者間の剥離、クラック等
が防止できる。
又、樹脂層は不透明のものでも良いので、透明のものに
比してコストの低減が図れる。
比してコストの低減が図れる。
（へ）実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図ないし第６図は本発明の製造方法を各工程別に示
した断面図である。
した断面図である。
まず、第１図に示すように、ガラス、セラミックス、金
属等からなる支持基台】の一方の主面に絶縁性且つ可撓
性を有する有機高分子からなる第１樹脂層２０が５μｍ
以上の厚さで形成される。この発明においては、第１樹
脂層２０は透明である必要がなく可撓性を有すれば充分
であり、具体的には、通常用いられる安価なポリイミド
等の有機高分子材料からなるワニスをスピンコータある
いはロールコータ等で均一に塗布し、１００℃がら３０
０℃まで段階的に昇温しながら処理する。ここで、膜厚
を５μｍ以上としたのは、膜厚が５μｍより薄いと、後
述の工程で第１樹脂層２ｏを支持基台１から剥離した時
に機械的強度が不十分であるがらである。
属等からなる支持基台】の一方の主面に絶縁性且つ可撓
性を有する有機高分子からなる第１樹脂層２０が５μｍ
以上の厚さで形成される。この発明においては、第１樹
脂層２０は透明である必要がなく可撓性を有すれば充分
であり、具体的には、通常用いられる安価なポリイミド
等の有機高分子材料からなるワニスをスピンコータある
いはロールコータ等で均一に塗布し、１００℃がら３０
０℃まで段階的に昇温しながら処理する。ここで、膜厚
を５μｍ以上としたのは、膜厚が５μｍより薄いと、後
述の工程で第１樹脂層２ｏを支持基台１から剥離した時
に機械的強度が不十分であるがらである。
次に、第２図に示すように、第１樹脂層２ｏの上面に、
４０００人〜２μｍ程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）
１１層構造、または該アルミニウムにチタン（丁〕）
又はチタン銀合金（ＴｉＡｇ）を積層した２層構造、若
しくは銀にチタン、銀にＩＴＯを積層した２層構造、更
には則る２層構造を２重に積み重ねた金属＠椿５０が蒸
着又はスバッタリシグにより形成される。
４０００人〜２μｍ程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）
１１層構造、または該アルミニウムにチタン（丁〕）
又はチタン銀合金（ＴｉＡｇ）を積層した２層構造、若
しくは銀にチタン、銀にＩＴＯを積層した２層構造、更
には則る２層構造を２重に積み重ねた金属＠椿５０が蒸
着又はスバッタリシグにより形成される。
続いて、第３図に示すように、金属１ｉ榛５ｏの上面に
、内部に膜面に平行にｎ型アモルファスシリコン、ｌ型
アモルファスシリコン、ｐ型アモルファスシリコンｎｌ
ｐ接合の半導体光活性層を含む半導体接合を備えた膜厚
３０００〜７０００人の半導体膜５がプラズマＣＶ Ｄ
法や光ＣＶＤ法により形成される。
、内部に膜面に平行にｎ型アモルファスシリコン、ｌ型
アモルファスシリコン、ｐ型アモルファスシリコンｎｌ
ｐ接合の半導体光活性層を含む半導体接合を備えた膜厚
３０００〜７０００人の半導体膜５がプラズマＣＶ Ｄ
法や光ＣＶＤ法により形成される。
そして、第４図に示すように、半導体膜５の上面に、酸
化錫（ＳｎＯ，） 、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等か
らなる透明電極３０が膜厚２０００〜５０００人で形成
される。
化錫（ＳｎＯ，） 、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等か
らなる透明電極３０が膜厚２０００〜５０００人で形成
される。
然る後、第５図に示すように、透明電極３０の上面に、
２０〜４０μｍ程度の厚さの透明のポリエチレンテレフ
タレート等からなる第２樹脂層７が熱ローラ等による熱
圧着により、貼着される、次に、第６図に示すように、
前述の第９図及び第１０図と同様に光起電力装置を島状
に切断し、支持基台〕から第１樹脂層２０を分離して、
可撓性光起電力装置が形成される。そして、二の可撓性
光起電力装置は、第６図に示すように、第２樹脂層７側
から光が入射される。
２０〜４０μｍ程度の厚さの透明のポリエチレンテレフ
タレート等からなる第２樹脂層７が熱ローラ等による熱
圧着により、貼着される、次に、第６図に示すように、
前述の第９図及び第１０図と同様に光起電力装置を島状
に切断し、支持基台〕から第１樹脂層２０を分離して、
可撓性光起電力装置が形成される。そして、二の可撓性
光起電力装置は、第６図に示すように、第２樹脂層７側
から光が入射される。
さて、第１樹脂層２０上に設けられる金属電極５０の熱
膜張出は、アルミニウムの場合２０〜３０×１σ“７℃
、銀の場合２０×１σ’／’Ｃ，チタンの場合９×ｌσ
“７℃であり、前述した透明電極４に比して第１樹脂層
２０を構成するポリイミドに近似させることができ、両
者間の熱膨張率の差による剥離、クラック等を防止する
ことができる。
膜張出は、アルミニウムの場合２０〜３０×１σ“７℃
、銀の場合２０×１σ’／’Ｃ，チタンの場合９×ｌσ
“７℃であり、前述した透明電極４に比して第１樹脂層
２０を構成するポリイミドに近似させることができ、両
者間の熱膨張率の差による剥離、クラック等を防止する
ことができる。
ところで、金属電極５０をスパッタリングて第１樹脂層
２０上に設ける場合、スパッタリングの際、第１樹脂層
２０への衝突工不ルキが大きいため、ガラスからなる支
持基台１と＠１ｌｉｌ脂層２０との密着力が増し、上記
の最終工程での分離が困難である。これに対し、金属電
極５０を蒸着法で形成すると、支持基台１と第１樹脂層
２０との密着性が変化せず、最終工程での分離が容易に
行える。
２０上に設ける場合、スパッタリングの際、第１樹脂層
２０への衝突工不ルキが大きいため、ガラスからなる支
持基台１と＠１ｌｉｌ脂層２０との密着力が増し、上記
の最終工程での分離が困難である。これに対し、金属電
極５０を蒸着法で形成すると、支持基台１と第１樹脂層
２０との密着性が変化せず、最終工程での分離が容易に
行える。
尚、上述した実施例においては、支持基台】と第１樹脂
層２ｏとの間に、離型剤層を設けていないか、従来例の
ように離型剤層を設けても良い。
層２ｏとの間に、離型剤層を設けていないか、従来例の
ように離型剤層を設けても良い。
（ト）発明の詳細
な説明したように、本発明の製造方法によれば、樹脂層
と樹脂層上に設けられた金属！極の熱膨張率を近似させ
ることができ、両者間の剥離、クラック等が防止できる
と共に、樹脂層は不透明のものでも良いので、透明のも
のに比してコストの低減が図れる。
と樹脂層上に設けられた金属！極の熱膨張率を近似させ
ることができ、両者間の剥離、クラック等が防止できる
と共に、樹脂層は不透明のものでも良いので、透明のも
のに比してコストの低減が図れる。
第１図ないし第６図は本発明の製造方法を工程別に夫々
示す断面図である。 第７図ないし第１０図は従来例を示し、第７図ないし第
９図は製造方法を工程別に夫々示す断面図、第１０図は
第９図の平面図である。 １・・・支持基台、２０・・・第１樹脂層、５０・・・
金属電極、５・・・半導体層、３０・・・透明電極、７
・・・第２樹脂層。 第１図 第２図 コ 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図 第１０図
示す断面図である。 第７図ないし第１０図は従来例を示し、第７図ないし第
９図は製造方法を工程別に夫々示す断面図、第１０図は
第９図の平面図である。 １・・・支持基台、２０・・・第１樹脂層、５０・・・
金属電極、５・・・半導体層、３０・・・透明電極、７
・・・第２樹脂層。 第１図 第２図 コ 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図 第１０図
Claims (1)
- （１）支持基台上に、可撓性の樹脂層、金属電極、薄膜
半導体層及び透明電極からなる光電変換素子をこの順序
で形成した後、前記支持基台から樹脂層を剥離すること
を特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326607A JPH04196365A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326607A JPH04196365A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196365A true JPH04196365A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18189703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326607A Pending JPH04196365A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334204A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Ind Technol Res Inst | 可撓性アモルファスシリコン太陽電池の製造法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107073A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造法 |
| JPH01105581A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2326607A patent/JPH04196365A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107073A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造法 |
| JPH01105581A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334204A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Ind Technol Res Inst | 可撓性アモルファスシリコン太陽電池の製造法 |
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