JP2951023B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2951023B2 JP2951023B2 JP3061867A JP6186791A JP2951023B2 JP 2951023 B2 JP2951023 B2 JP 2951023B2 JP 3061867 A JP3061867 A JP 3061867A JP 6186791 A JP6186791 A JP 6186791A JP 2951023 B2 JP2951023 B2 JP 2951023B2
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- photovoltaic device
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- forming
- supporting substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置の製造方法に関する。
力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からこの種可撓性を有する光起電力
装置として、ステンレス等の可撓性を有する基板上に、
絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜半導体層及
び透明電極を順次形成したものが存在している。
装置として、ステンレス等の可撓性を有する基板上に、
絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜半導体層及
び透明電極を順次形成したものが存在している。
【０００３】しかしながら、この構造の光起電力装置で
は、可撓性を有すると言えども、十分ではなかった。
は、可撓性を有すると言えども、十分ではなかった。
【０００４】そこで、支持基板の上面に、絶縁性、透光
性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半
導体層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、
絶縁性かつ可撓性を有する第２樹脂層と、を順次積層形
成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離する
光起電力装置の製造方法が、特開平１−１０５５８１号
公報に提案されている。
性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半
導体層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、
絶縁性かつ可撓性を有する第２樹脂層と、を順次積層形
成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離する
光起電力装置の製造方法が、特開平１−１０５５８１号
公報に提案されている。
【０００５】上述した第１樹脂層としては、耐熱性に優
れているポリイミド樹脂が用いられており、また、その
膜厚を非常に薄くすることができるため、非常に可撓性
に富んだ光起電力装置を製造することができる。
れているポリイミド樹脂が用いられており、また、その
膜厚を非常に薄くすることができるため、非常に可撓性
に富んだ光起電力装置を製造することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の方法
においては、光起電力装置の形成途中で支持基板と第１
樹脂層とが剥離しないようにしなければならない。この
ために、第１樹脂層と支持基板との密着性を、支持基板
全面にわたって強くすることが考えられるが、その場
合、光起電力装置の形成後、支持基板から第１樹脂層を
剥離する工程において、基板全体を水に浸漬し、光起電
力装置の内部応力によって第１樹脂層が支持基板から剥
離するのに、非常に時間が掛かってしまう。
においては、光起電力装置の形成途中で支持基板と第１
樹脂層とが剥離しないようにしなければならない。この
ために、第１樹脂層と支持基板との密着性を、支持基板
全面にわたって強くすることが考えられるが、その場
合、光起電力装置の形成後、支持基板から第１樹脂層を
剥離する工程において、基板全体を水に浸漬し、光起電
力装置の内部応力によって第１樹脂層が支持基板から剥
離するのに、非常に時間が掛かってしまう。
【０００７】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであって、支持基板上に光起電力装置を形成する工
程中は、支持基板と第１樹脂層とが確実に接着してお
り、また光起電力装置の完成後は、支持基板と第１樹脂
層とが容易に剥離可能で、短時間で両者の剥離が行える
光起電力装置の製造方法を提供することをその課題とす
る。
ものであって、支持基板上に光起電力装置を形成する工
程中は、支持基板と第１樹脂層とが確実に接着してお
り、また光起電力装置の完成後は、支持基板と第１樹脂
層とが容易に剥離可能で、短時間で両者の剥離が行える
光起電力装置の製造方法を提供することをその課題とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基板の上
面に、絶縁性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電
極、薄膜半導体層及び第２電極の積層体からなる光電変
換素子と、を少なくとも順次積層形成した後、上記第１
樹脂層を上記支持基板から剥離する光起電力装置の製造
方法において、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置に、上記第１樹脂層と上記支持基板
との密着力を、その他の部分より強くした密着力の強い
部分を設け、上記第１樹脂層上に上記光電変換素子を形
成した後に上記密着力の強い部分の内側において上記光
電変換素子から上記第１樹脂層に到る切断ラインを形成
し、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離することを
特徴とする。
面に、絶縁性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電
極、薄膜半導体層及び第２電極の積層体からなる光電変
換素子と、を少なくとも順次積層形成した後、上記第１
樹脂層を上記支持基板から剥離する光起電力装置の製造
方法において、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置に、上記第１樹脂層と上記支持基板
との密着力を、その他の部分より強くした密着力の強い
部分を設け、上記第１樹脂層上に上記光電変換素子を形
成した後に上記密着力の強い部分の内側において上記光
電変換素子から上記第１樹脂層に到る切断ラインを形成
し、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離することを
特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、光起電力装置の形成途中にお
いて、第１樹脂層は、その周囲支持基板に強固に接着さ
れているので、支持基板から剥離せず、一方、光起電力
装置の完成後は、支持基板から容易に剥離することがで
きる。
いて、第１樹脂層は、その周囲支持基板に強固に接着さ
れているので、支持基板から剥離せず、一方、光起電力
装置の完成後は、支持基板から容易に剥離することがで
きる。
【００１０】
【実施例】図１乃至図４は、本発明の第１実施例を示し
ている。
ている。
【００１１】まず、図１に示すように、ガラス、セラミ
ックスなどからなる支持基板１の一方の主面周縁におけ
る支持基板１と後工程で積層する第１樹脂層３との密着
力を、その他の部分より強くするべく、支持基板１の上
面周縁に、両者に対して接着力が強い材料から成る接着
層２を形成している。この接着層２は、図２に示すよう
に、支持基板１の外周に沿って、即ち、後工程を経て形
成される光起電力装置１０の支持基板１から剥離される
部分を囲繞すべく設けられる。より具体的に説明する
と、支持基板１として、約１００ｍｍ角のガラスの表面
をきれいに研摩した後、支持基板１の周縁から１〜５ｍ
ｍの余白を置いて、０．１〜３ｍｍのライン幅の接着層
２を、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜
を厚さ２０００Å〜１μｍ程度に蒸着、スパッタなどの
方法を用いて形成している。また、Ａｇペースト、Ａｌ
ペーストなどの金属ペーストを５〜３０μｍ程度に印刷
法により塗布した後、３００〜６００℃の温度にて焼結
して接着層２としてもよい。
ックスなどからなる支持基板１の一方の主面周縁におけ
る支持基板１と後工程で積層する第１樹脂層３との密着
力を、その他の部分より強くするべく、支持基板１の上
面周縁に、両者に対して接着力が強い材料から成る接着
層２を形成している。この接着層２は、図２に示すよう
に、支持基板１の外周に沿って、即ち、後工程を経て形
成される光起電力装置１０の支持基板１から剥離される
部分を囲繞すべく設けられる。より具体的に説明する
と、支持基板１として、約１００ｍｍ角のガラスの表面
をきれいに研摩した後、支持基板１の周縁から１〜５ｍ
ｍの余白を置いて、０．１〜３ｍｍのライン幅の接着層
２を、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜
を厚さ２０００Å〜１μｍ程度に蒸着、スパッタなどの
方法を用いて形成している。また、Ａｇペースト、Ａｌ
ペーストなどの金属ペーストを５〜３０μｍ程度に印刷
法により塗布した後、３００〜６００℃の温度にて焼結
して接着層２としてもよい。
【００１２】次に、図３に示すように、接着層２を含ん
で支持基板１の一方の主面上に、少なくとも絶縁性かつ
可撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜
１００μｍの厚さで形成される。具体的には、第１樹脂
層３に透光性を持たせる場合、透明ポリイミドのワニス
をスピンコータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処
理する。ここで膜厚が５μｍ以下では、後述の工程で第
１樹脂層３を支持基板１から剥離したときに機械的強度
が不十分であり、また膜厚が１００μｍでは十分な光透
過性が得られないことから、第１樹脂層３は上述のよう
に膜厚５〜１００μｍが好ましい。
で支持基板１の一方の主面上に、少なくとも絶縁性かつ
可撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜
１００μｍの厚さで形成される。具体的には、第１樹脂
層３に透光性を持たせる場合、透明ポリイミドのワニス
をスピンコータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処
理する。ここで膜厚が５μｍ以下では、後述の工程で第
１樹脂層３を支持基板１から剥離したときに機械的強度
が不十分であり、また膜厚が１００μｍでは十分な光透
過性が得られないことから、第１樹脂層３は上述のよう
に膜厚５〜１００μｍが好ましい。
【００１３】一方、第１樹脂層３に透光性を要求しない
場合、通常の透明でないポリイミドのワニスをスピンコ
ータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布し、１００
℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処理する。
場合、通常の透明でないポリイミドのワニスをスピンコ
ータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布し、１００
℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処理する。
【００１４】その後、この第１樹脂層３の上面に、第１
樹脂層３が透光性を有する場合、膜厚２０００〜５００
０Åの酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）等 からなる透明な電極層が、または第１樹脂層３
が非透光性である場合、膜厚２０００Å〜１μｍ程度の
Ａｌ単層構造、またはＡｌ、チタン（Ｔｉ）、Ａｇ、Ｔ
ｉＡｇ合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層し
た積層構造の金属からなる電極層が、第１電極４として
形成される。
樹脂層３が透光性を有する場合、膜厚２０００〜５００
０Åの酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）等 からなる透明な電極層が、または第１樹脂層３
が非透光性である場合、膜厚２０００Å〜１μｍ程度の
Ａｌ単層構造、またはＡｌ、チタン（Ｔｉ）、Ａｇ、Ｔ
ｉＡｇ合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層し
た積層構造の金属からなる電極層が、第１電極４として
形成される。
【００１５】続いて、この第１電極４の上面に、内部に
膜面に平行なｐｉｎ、ｐｎ接合等の半導体光活性層を含
む半導体接合を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン
カーバイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体層５が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により
形成される。
膜面に平行なｐｉｎ、ｐｎ接合等の半導体光活性層を含
む半導体接合を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン
カーバイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体層５が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により
形成される。
【００１６】更に、この半導体層５の上面に、第１電極
４が透明電極である場合、４０００Å〜２μｍ程度の厚
さのＡｌ単層構造、またはＡｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＴｉＡｇ
合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した積層
構造の金属からなる電極層が、または第１電極４が金属
電極である場合、２００〜２０００Å程度の膜厚のＳｎ
Ｏ2、ＩＴＯ等からなる透明な電極層が、第２電極６と
して形成され、よって 、第１電極４、半導体層５及び
第２電極６の積層体からなる光電変換素子７が完成す
る。
４が透明電極である場合、４０００Å〜２μｍ程度の厚
さのＡｌ単層構造、またはＡｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＴｉＡｇ
合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した積層
構造の金属からなる電極層が、または第１電極４が金属
電極である場合、２００〜２０００Å程度の膜厚のＳｎ
Ｏ2、ＩＴＯ等からなる透明な電極層が、第２電極６と
して形成され、よって 、第１電極４、半導体層５及び
第２電極６の積層体からなる光電変換素子７が完成す
る。
【００１７】然る後、第２電極６の上面に、これが金属
電極である場合には、２０〜１００μｍ程度の厚さのエ
チレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂シートからな
り、一方、第２電極６が透明電極である場合には、２０
〜１００μｍ程度の厚さの透明なＰＥＴ、フッ素樹脂等
の熱可塑性樹脂シートからなる第２樹脂層８が形成され
る。
電極である場合には、２０〜１００μｍ程度の厚さのエ
チレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂シートからな
り、一方、第２電極６が透明電極である場合には、２０
〜１００μｍ程度の厚さの透明なＰＥＴ、フッ素樹脂等
の熱可塑性樹脂シートからなる第２樹脂層８が形成され
る。
【００１８】尚、第２樹脂層８は、後述の工程である支
持基板１から第１樹脂層３を剥離する工程の後に、第２
電極６上に形成してもよい。
持基板１から第１樹脂層３を剥離する工程の後に、第２
電極６上に形成してもよい。
【００１９】最後に、図４に示す如く、接着層２の内側
に沿ってレーザビームを照射することにより、または機
械的にカッティングすることにより、切断ライン９を描
く。尚、レーザビームを用いる場合、その強度は、照射
部分の全ての層、即ち第１樹脂層３、光電変換素子７の
各層４、５、６及び第２樹脂層８を溶融する強度である
必要がある。この切断ライン９を描くことによってその
内側の部分は、支持基板１と第１樹脂層３との間で強い
接着力を示す接着層２を有する個所から切断される。そ
の後、水中に浸漬するか、または機械的外力を付与する
ことにより、切断ライン９の内側部分の第１樹脂層３
は、支持基板１から容易に剥離され、可撓性を有する光
起電力装置１０が得られる。
に沿ってレーザビームを照射することにより、または機
械的にカッティングすることにより、切断ライン９を描
く。尚、レーザビームを用いる場合、その強度は、照射
部分の全ての層、即ち第１樹脂層３、光電変換素子７の
各層４、５、６及び第２樹脂層８を溶融する強度である
必要がある。この切断ライン９を描くことによってその
内側の部分は、支持基板１と第１樹脂層３との間で強い
接着力を示す接着層２を有する個所から切断される。そ
の後、水中に浸漬するか、または機械的外力を付与する
ことにより、切断ライン９の内側部分の第１樹脂層３
は、支持基板１から容易に剥離され、可撓性を有する光
起電力装置１０が得られる。
【００２０】ところで、本発明の特徴は、支持基板１か
ら剥離する光起電力装置１０部分を囲繞する位置に、第
１樹脂層３と支持基板１との密着力を、その他の部分よ
り強くした密着力の強い部分を設け、第１樹脂層３上に
光電変換素子７を形成した後に密着力の強い部分の内側
において光電変換素子７から第１樹脂層３に到る切断ラ
インを形成し、第１樹脂層３を支持基板１から剥離する
ことにあり、以下、第２実施例乃至第８実施例を示す。
尚、これらの実施例において、密着力の強い部分を設け
る方法以外は、上述の第１実施例と何ら変わるところは
ないので、以下では、密着力の強い部分を設ける方法だ
けを説明し、それ以外の説明は省略している。
ら剥離する光起電力装置１０部分を囲繞する位置に、第
１樹脂層３と支持基板１との密着力を、その他の部分よ
り強くした密着力の強い部分を設け、第１樹脂層３上に
光電変換素子７を形成した後に密着力の強い部分の内側
において光電変換素子７から第１樹脂層３に到る切断ラ
インを形成し、第１樹脂層３を支持基板１から剥離する
ことにあり、以下、第２実施例乃至第８実施例を示す。
尚、これらの実施例において、密着力の強い部分を設け
る方法以外は、上述の第１実施例と何ら変わるところは
ないので、以下では、密着力の強い部分を設ける方法だ
けを説明し、それ以外の説明は省略している。
【００２１】図５は、本発明の第２実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面の外周に沿って、粗面２０
を形成している。粗面２０は、サンドブラスト処理等の
機械的処理、ウェットあるいはドライによるエッチング
処理等により形成される。そして、第１樹脂層（図示し
ていない）が、粗面２０を含んで支持基板１の一方の主
面上に形成される。
り、支持基板１の一方の主面の外周に沿って、粗面２０
を形成している。粗面２０は、サンドブラスト処理等の
機械的処理、ウェットあるいはドライによるエッチング
処理等により形成される。そして、第１樹脂層（図示し
ていない）が、粗面２０を含んで支持基板１の一方の主
面上に形成される。
【００２２】図６は、本発明の第３実施例を示してお
り、第１樹脂層３が支持基板１の一方の主面から側面を
経て、支持基板１の他方の主面に回り込むように形成さ
れる。
り、第１樹脂層３が支持基板１の一方の主面から側面を
経て、支持基板１の他方の主面に回り込むように形成さ
れる。
【００２３】図７は、本発明の第４実施例を示してお
り、支持基板１の側面に、粗面３０を形成している。こ
の粗面３０は、ガラス等の支持基板１を大きな基板から
切り出した後、端面に何ら処理を施さないままの状態と
することにより形成される。そして、第１樹脂層３が、
第３実施例と同様に、支持基板１の一方の主面から側面
の粗面３０を経て支持基板１の他方の主面に若干回り込
むように形成される。
り、支持基板１の側面に、粗面３０を形成している。こ
の粗面３０は、ガラス等の支持基板１を大きな基板から
切り出した後、端面に何ら処理を施さないままの状態と
することにより形成される。そして、第１樹脂層３が、
第３実施例と同様に、支持基板１の一方の主面から側面
の粗面３０を経て支持基板１の他方の主面に若干回り込
むように形成される。
【００２４】図８は、本発明の第５実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面の外周に沿って枠状に溝４
０を形成し、この溝４０を含んで支持基板１上に第１樹
脂層３を形成する。
り、支持基板１の一方の主面の外周に沿って枠状に溝４
０を形成し、この溝４０を含んで支持基板１上に第１樹
脂層３を形成する。
【００２５】図９は、本発明の第６実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って加熱処理
ライン５０を描いている。この加熱処理ライン５０は、
第１樹脂層３上にこれが溶融して除去されない程度に、
レーザビームを照射するか、またはホットプレス機を当
てることにより形成される。
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って加熱処理
ライン５０を描いている。この加熱処理ライン５０は、
第１樹脂層３上にこれが溶融して除去されない程度に、
レーザビームを照射するか、またはホットプレス機を当
てることにより形成される。
【００２６】図１０は、本発明の第７実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って紫外線を
照射し、その照射ライン６０を描いている。
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って紫外線を
照射し、その照射ライン６０を描いている。
【００２７】図１１は、本発明の第８実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３の外周を、支持基板１の外周と共に
挾持固定する枠状の固定具７０により固定している。
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３の外周を、支持基板１の外周と共に
挾持固定する枠状の固定具７０により固定している。
【００２８】以上の第２実施例乃至第８実施例における
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線照射ライン６０及び
固定具７０により、支持基板１とこの上面に形成される
第１樹脂層３との密着力は、支持基板１から剥離される
光起電力装置１０を囲繞する位置において、その他の部
分より強くなる。
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線照射ライン６０及び
固定具７０により、支持基板１とこの上面に形成される
第１樹脂層３との密着力は、支持基板１から剥離される
光起電力装置１０を囲繞する位置において、その他の部
分より強くなる。
【００２９】尚、上記第１実施例乃至第８実施例の各々
は、それらを単独で実施するだけでなく、適宜組み合わ
せてもよい。
は、それらを単独で実施するだけでなく、適宜組み合わ
せてもよい。
【００３０】また、上述の各実施例における接着層２、
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線処理ライン６０及び
固定具７０は、支持基板１から剥離する光起電力装置１
０部分を完全に囲繞するように、連続的に設けられる必
要はなく、光起電力装置１０を囲繞する位置に、部分的
に設けられてもよい。要するに、これらは、光起電力装
置１０部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における
第１樹脂層３と支持基板１との密着力が、その他の部分
より強くなるように設けられればよい。
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線処理ライン６０及び
固定具７０は、支持基板１から剥離する光起電力装置１
０部分を完全に囲繞するように、連続的に設けられる必
要はなく、光起電力装置１０を囲繞する位置に、部分的
に設けられてもよい。要するに、これらは、光起電力装
置１０部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における
第１樹脂層３と支持基板１との密着力が、その他の部分
より強くなるように設けられればよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、支持基板の上面に、絶縁性か
つ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体
層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、を少
なくとも順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離する光起電力装置の製造方法において、
上記支持基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する
位置に、上記第１樹脂層と上記支持基板との密着力を、
その他の部分より強くした密着力の強い部分を設け、上
記第１樹脂層上に上記光電変換素子を形成した後に上記
密着力の強い部分の内側において上記光電変換素子から
上記第１樹脂層に到る切断ラインを形成し、上記第１樹
脂層を上記支持基板から剥離するので、光電変換素子の
形成途中においては、その光電変換素子周囲の第１樹脂
層が強固に支持基板に密着しているため、支持基板から
第１樹脂層が剥離せず、光電変換素子の形成は何ら支障
なく行われると共に、光起電力装置完成後は、その光起
電力装置は支持基板から容易に剥離することができ、可
撓性を有する光起電力装置の製造工程の簡略化が図れ
る。
つ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体
層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、を少
なくとも順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離する光起電力装置の製造方法において、
上記支持基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する
位置に、上記第１樹脂層と上記支持基板との密着力を、
その他の部分より強くした密着力の強い部分を設け、上
記第１樹脂層上に上記光電変換素子を形成した後に上記
密着力の強い部分の内側において上記光電変換素子から
上記第１樹脂層に到る切断ラインを形成し、上記第１樹
脂層を上記支持基板から剥離するので、光電変換素子の
形成途中においては、その光電変換素子周囲の第１樹脂
層が強固に支持基板に密着しているため、支持基板から
第１樹脂層が剥離せず、光電変換素子の形成は何ら支障
なく行われると共に、光起電力装置完成後は、その光起
電力装置は支持基板から容易に剥離することができ、可
撓性を有する光起電力装置の製造工程の簡略化が図れ
る。
【図１】本発明の第１実施例の製造方法の第１工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】本発明の第１実施例の製造方法の第２工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の製造方法の第３工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す上面図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の第５実施例を示す断面図である。
【図９】本発明の第６実施例を示す上面図である。
【図１０】本発明の第７実施例を示す上面図である。
【図１１】本発明の第８実施例を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 浩 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (72)発明者 岸 靖雄 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−261761（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−105581（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49475（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (9)
- 【請求項１】 支持基板の上面に、絶縁性かつ可撓性を
有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体層及び第２
電極の積層体からなる光電変換素子と、を少なくとも順
次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板から
剥離する光起電力装置の製造方法において、上記支持基
板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置に、上
記第１樹脂層と上記支持基板との密着力を、その他の部
分より強くした密着力の強い部分を設け、上記第１樹脂
層上に上記光電変換素子を形成した後に上記密着力の強
い部分の内側において上記光電変換素子から上記第１樹
脂層に到る切断ラインを形成し、上記第１樹脂層を上記
支持基板から剥離することを特徴とした光起電力装置の
製造方法。 - 【請求項２】 上記支持基板の上面における上記支持基
板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置に、こ
の支持基板と上記第１樹脂層との両者に対して強い接着
力を示す接着層を形成することにより、上記密着力の強
い部分を設けることを特徴とする請求項１記載の光起電
力装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記支持基板の上面における上記支持基
板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置に、粗
面を形成することにより、上記密着力の強い部分を設け
ることを特徴とする請求項１記載の光起電力装置の製造
方法。 - 【請求項４】 上記第１樹脂層を上記支持基板の上面か
ら側面を経て裏面に回り込んで形成することにより、上
記密着力の強い部分を設けることを特徴とする請求項１
記載の光起電力装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記第１樹脂層を上記支持基板の上面か
ら側面にわたって形成すると共に、上記支持基板の側面
に粗面を形成することにより、上記密着力の強い部分を
設けることを特徴とする請求項１記載の光起電力装置の
製造方法。 - 【請求項６】 上記支持基板の上面における上記支持基
板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置に、溝
を形成することにより、上記密着力の強い部分を設ける
ことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置の製造方
法。 - 【請求項７】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層を
形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置部
分を囲繞する位置における上記第１樹脂層を加熱処理す
ることにより、上記密着力の強い部分を設けることを特
徴とする請求項１記載の光起電力装置の製造方法。 - 【請求項８】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層を
形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置部
分を囲繞する位置における上記第１樹脂層に紫外線を照
射することにより、上記密着力の強い部分を設けること
を特徴とする請求項１記載の光起電力装置の製造方法。 - 【請求項９】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層を
形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置部
分を囲繞する位置における上記第１樹脂層を固定具にて
固定することにより、上記密着力の強い部分を設けるこ
とを特徴とする請求項１記載の光起電力装置の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-90910 | 1990-04-05 | ||
| JP9091090 | 1990-04-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212475A JPH04212475A (ja) | 1992-08-04 |
| JP2951023B2 true JP2951023B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=14011566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061867A Expired - Lifetime JP2951023B2 (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-26 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951023B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334204A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Ind Technol Res Inst | 可撓性アモルファスシリコン太陽電池の製造法 |
| JP2014022459A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体及びフレキシブルデバイスの製造方法 |
| JP6234391B2 (ja) | 2014-02-28 | 2017-11-22 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3061867A patent/JP2951023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04212475A (ja) | 1992-08-04 |
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